1、PHOTO 流程?答：上光阻曝光顯影顯影後檢查CD量測f Overlay量測？何為光阻？其功能為何？其分為哪兩種？ ?答： Photoresist (光阻). 是一種感光的物質，其作用是將Pattern 從光罩(Reticle )上傳遞到 Wafer上的一種介質。其分為正光阻和負光阻。？何為正光阻 ？ 答：正光阻，是光阻的一種，這種光阻的特性是將其曝光之后，感光局部 的性質會改變，并在之后的顯影過程中被曝光的局部被去除。？何為負光阻 ？ 答：負光阻也是光阻的一種類型，將其曝光之后，感光部 分的性質被改變，但是 這種光阻的特性與正光阻的特性剛好相反， 其感 光局部在將來的顯影過程中會被 留下，而

2、沒有被感光的局部那么被顯影過 程去除。 ？ 什幺是曝光？什幺是顯影？ ？答：曝光就是通過光照射光阻， 使其感光；顯影就是將曝光完成后的圖形 處理，以將圖形清晰的顯現(xiàn)出來的過程。何謂 Photo？答： Photo=Photolithgraphy, 光刻，將圖形從光罩上成象到光阻上的過程。 ？ Photo 主要流程為何 ？答: Photo的流程分為前處理，上光阻，Soft Bake,曝光，PEB，顯影，Hard Bake 等。 ？ 何謂 PHOTO 區(qū)之前處理 ？答：在 Wafer 上涂布光阻之前， 需要先對 Wafer 外表進行一系列的處理工 作，以使光阻能在后面的涂布過程中能夠被更可靠的涂布。

3、前處理主要包括 Bake，HDMS 等過程。其中通過 Bake 將 Wafer 外表吸收的水分去 除，然后進行 HDMS 工作，以使 Wafer 外表更容易與光阻結合。 ？ 何謂上光阻 ？ 答：上光阻是為了在 Wafer 外表得到厚度均勻的光阻薄膜。 光阻通過噴 嘴( Nozzle )被噴涂在高速旋轉的 Wafer 外表，并在離心力的作用下被 均勻的涂布在 Wafer 的外表。 ？何謂 Soft Bake?答：上完光阻之后，要進行 Soft Bake ，其主要目的是通過 Soft Bake 將光 阻中 的溶劑蒸發(fā)， 并控制光阻的敏感度和將來的線寬， 同時也將光阻 中的剩余內應力 釋放。 ?何謂

4、曝光 ?答：曝光是將涂布在 Wafer 外表的光阻感光的過程， 同時將光罩上的圖 形傳遞到 Wafer 上的過程。 ?何謂 PEB(Post Exposure Bake)?答： PEB 是在曝光結束后對光阻進行控制精密的 Bake 的過程。其目的在 于使被 曝光的光阻進行充分的化學反響，以使被曝光的圖形均勻化。 ? 何謂顯影 ?答：顯影類似于洗照片，是將曝光完成的 Wafer 進行成象的過程，通過這 個過程， 成象在光阻上的圖形被顯現(xiàn)出來。 ?何謂 Hard Bake?答： Hard Bake 是通過烘烤使顯影完成后殘留在 Wafer 上的顯影液蒸發(fā)， 并且固 化顯影完成之后的光阻的圖形的過程

5、。 ?何為 BARC 何? 為 TARC 它? 們分別的作用是什幺？ ?答： BARC=BottomA nti Reflective Coating, TARC=TopA nti Reflective Coating. BARC 是被涂布在光阻下面的一層減少光的反射的物質， TARC 那么是被涂布在光 阻 上外表的一層減少光的反射的物質。 他們的作用分別是減少曝光過程 中光在光阻 的上下外表的反射， 以使曝光的大局部能量都被光阻吸收。 ? 何謂 Iline ？ ?答：曝光過程中用到的光， 由 Mercury Lamp( 汞燈 ) 產生， 其波長為 365nm ， 其波 長較長，因此曝光完成后圖

6、形的分辨率較差，可應用在次重要的層 次。 ?何謂 DUV ？? 答：曝光過程中用到的光，其波長為 248nm ，其波長較短，因此曝光完成 后的圖 形分辨率較好，用于較為重要的制程中。 ?I-line 與 DUV 主要不同處為何 ? 答：光源不同，波長不同，因此應用的場合也不同。 I-Line 主要用在較落后的制程微米以上 或者較先進制程 微米以下 的 Non-Critical layer 那么 DUV 用在先進制程的 Critical layer 上。 ?何為 Exposure Field? 答：曝光區(qū)域，一次曝光所能覆蓋的區(qū)域 ? 何謂 Stepper? 其功能為何 ? 答：一種曝光機，其曝

7、光動作為 Step by step 形式 , 一次曝整個 exposure field, 一個一個曝過去 ?何謂 Scanner? 其功能為何 ? 答：一種曝光機，其曝光動作為 Scanning and step 形式 , 在一個 exposure field 曝光時 , 先 Scan 完整個 field, Scan 完後再 移到下一個 field.? 何為象差？ ?答：代表透鏡成象的能力 , 越小越好 .? Scanner 比 Stepper 優(yōu)點為何？ ? 答：Exposure Field 大，象差較小 ? 曝光最重要的兩個參數是什幺？ ? 答： Energy 曝光量 , Focus 焦距

8、 。如果能量和焦距調整的不好， 就不能得到 要 求的分辨率和要求大小的圖形， 主要表現(xiàn)在圖形的 CD 值超出要求的范圍。 因 此要求在生產時要時刻維持最正確的能量和焦距， 這兩個參數對于不同 的產品會有 不同。 ?何為 Reticle?答： Reticle 也稱為 Mask ，翻譯做光掩模板或者光罩， 曝光過程中的原始 圖形的 載體，通過曝光過程，這些圖形的信息將被傳遞到芯片上。 ? 何為 Pellicle?答： Pellicle 是 Reticle 上為了防止灰塵 dust 或者微塵粒子 Particle 落 在 光罩的圖形面上的一層保護膜。 ?何為 OPC 光罩？ ?答： OPC Opti

9、cal Proximity Correction 為了增加曝光圖案的真實性，做了 一 些修正的光罩，例如，微米以下的Poly, Metal layer 就是 OPC 光罩。 ?何為 PSM 光罩？ ?答： PSM Phase Shift Mask 不同于 Cr mask, 利用相位干預原理成象，目 前大 都應用在 contact layer 以及較小 CD 的 Critical layer 如 AA ， POLY ， METAL 1 以增加圖形的分辨率。 ?何為 CR Mask ？ ?答：傳統(tǒng)的鉻膜光罩,只是利用光訊 0與 1 干預成像 ,主要應用在較不Critical 的 layer?光罩編

10、號各位代碼都代表什幺？ ?答：例如 003700-156AA-1DA, 0037 代表產品號， 00 代表 Special code,156 代 表 layer,A 代表客戶版本，后一個 A 代表 SMIC 版本， 1 代表 FAB1 ， D 代 表DUV 如果是J,那么代表l-line ,A代表ASML機臺如果是 C,那么代表 Canon 機臺 ? 光罩室同時不能超過多少人在其中？ ?答： 2 人,為了防止產生更多的 Particle 和靜電而損壞光罩。 ? 存取光罩 的根本原那么是什幺？ ?答： 1 光罩盒翻開的情況下, 不準進出 Mask Room, 最多只準保持 2 個 人 2 戴 上

11、手套 3 輕拿輕放 ?如何防止靜電破壞 Mask？? 答：光罩夾子上連一導線到金屬桌面,可以 將產生的靜電導出。 ? 光罩 POD 和 FOUP 能放在一起嗎？它們之間至少 應該保持多遠距離？ ? 答：不能放在一起, 之間至少要有 30 公分的距離, 防止搬動 FOUP 時碰撞光罩 Pod 而損壞光罩。 ?何謂 Track?答：Photo制程中一系列步驟的組合， 其包括：Wafer的前、后處理，Coating 上 光阻 ,和 Develop 顯影 等過程。ln-line Track 機臺有幾個 Coater 槽，幾個 Developer 槽？ ? 答：均為 4 個 ? 機臺上亮紅燈的處理流程？

12、 ? 答：機臺上紅燈亮起的時候說明機臺處于 異常狀態(tài)， 此時已經不能 RUN 貨，因此 應該及時 Call 進行處理。假設 EE 現(xiàn)在無法立即解決，那么將機臺掛DOW。N?何謂WEE?其功能為何?答： Wafer Edge Exposure 。由于 Wafer 邊緣的光阻通常會涂布的不均勻， 因此 一般不能得到較好的圖形， 而且有時還會因此造成光阻 peeling 而 影響其它局部 的圖形，因此 將 Wafer Edge 的光阻曝光，進而在顯影的時 候將其去除，這樣便 可以消除影響。 ?何為 PEB ？其功能為何？?答： Post Exposure Bake ，其功能在于可以得到質量較好的圖形

13、。 消除 standing waves ?PHOTO POLYIMID 所 E 用的光阻是正光阻還是負光阻 ? 答：目前正負光阻都有， SMIC FAB 內用的為負光阻。 ? RUN 貨結束后如 何判斷是否有 wafer 被 reject ？ ?答：查看 RUN 之前 lot 里有多少 Wafer, 再看 Run 之后 lot 里的 WAFER 是 否有少 掉，如果有少，那么進一步查看機臺是否有 Reject 記錄。 ? 何謂 Overlay? 其功能為何 ?答：迭對測量儀。 由于集成電路是由很多層電路重迭組成的， 因此必須 保證每一 層與前面或者后面的層的對準精度， 如果對準精度超出要求范

14、圍內， 那么可能造成 整個電路不能完成設計的工作。 因此在每一層的制 作的過程中， 要對其與前層的 對準精度進行測量， 如果測量值超出要求， 那么必須采取相應措施調整 process condition.?何謂 ADI CD?答： Critical Dimension ，光罩圖案中最小的線寬。曝光過后，它的圖形也被 復 制在 Wafer 上，通常如果這些最小的線寬能夠成功的成象， 同時曝光 的其它的圖 形也能夠成功的成象。 因此通常測量 CD 的值來確定 process 的條件是否適宜。 ? 何謂 CD-SEM? 其功能為何 ? 答：掃描電子顯微鏡。是一種測量用的儀器，通常可以用于測量 CD

15、以及觀察圖PRS 的制程目的為何？ ?答： PRS ( Process Release Standard ) 通過選擇不同的條件(能量和焦距) 對Wafer 曝光，以選擇最正確的 process condition 。 ? 何為 ADI ？ ADI 需檢查的 工程有哪些？ ?答： After Develop Inspection ，曝光和顯影完成之后，通過 ADI 機臺對所產 生 的圖形的定性檢查，看其是否正常，其檢查工程包括： Layer ID,LockingCorner,Vernier,Photo Macro Defect?何為 OOC, OO ，S OCA？P ?答： OOC=out o

16、f control,OOS=Out of Spec,OCAP=out of control action plan?當需要 追貨的時候，是否需要將 ETCH 沒有下機臺的貨追回來？ ? 答：需要。 因為通常是 process 出現(xiàn)了異常，而且影響到了一些貨，因此為了減 少 損失，必須把還沒有 ETCH 的貨追回來， 否那么 ETCH 之后就無法挽回損失。 PHOTO AD 檢 I 查的 SITE 是每片幾個點？ ?答： 5 點，Wafer 中間一點，周圍四點。 ?PHOTO OVERLA 檢 Y 查的 SITE 是每片幾個點？ 答： 20?PHOTO AD 檢 I 查的片數一般是哪幾片？ ?答

17、：#1，#6，#15， #24; 統(tǒng)計隨機的考量 ?何謂答：RTMS ，其主要功能是什幺？ ?RTMS (Reticle Management System) 光罩管理系統(tǒng)用于 trace 光罩的History,Status,Location,and Information 以便于光罩管理PHOTO 區(qū)的主機臺進行 PM 的周期？ ?答：一周一次 ?PHOTO 區(qū)的控片主要有幾種類型 ?答： (1) Particle : 作為 Particle monitor 用的芯片 ,使用前測前需小於 10 顆 (2) Chuck Particle :作為 Scanner 測試 Chuck 平坦度的專用芯

18、片 , 其平坦度要求非常高 (3) Focus : 作為 Scanner Daily monitor best 的 wafer(4) CD : 做為 photo 區(qū) daily monitor CD 穩(wěn)定度的 wafer(5) PR thickness : 做為光阻厚度測 量 的 wafer(6) PDM : 做為 photo defect monitor 的 wafer?當 TRACK 剛顯示光阻用完時，其實機臺中還有光阻嗎？? 答：有少量光阻?當 TRACK 剛顯示光阻用完時，其實機臺中還有光阻嗎？? 答：有少量光阻?WAFER SORTE 有 R 讀 WAFER 刻號的功能嗎？ 答：有

19、?光刻部的主要機臺是什幺 ? 它們的作用是什幺 ? 答：光刻部的主要機臺是 : TRACK 涂膠顯影機 , Sanner 掃描曝光機 ? 為什幺說光刻技術最象日常生活中的照相技術 ?答： Track 把光刻膠涂附到芯片上就等同于底片 , 而曝光機就是一臺最高 級的照 相機 . 光罩上的電路圖形就是 人物 . 通過對準 ,對焦 ,翻開快門 , 讓 一定量的 光照過光罩 , 其圖像呈現(xiàn)在芯片的光刻膠上 , 曝光后的芯片被 送回 Track 的顯 影槽 , 被顯影液浸泡 , 曝光的光刻膠被洗掉 , 圖形就顯 現(xiàn)出來了 .? 光刻技術的英文是什幺 ?答： Photo Lithography?常聽說的

20、.18 或點 13 技術是指什幺 ?答：它是指某個產品 , 它的最小 CD 的大小為 or . 越小集成度可以越高 , 每個 芯片上可做的芯片數量越多 , 難度也越大 . 它是代表工藝水平的重 要參數 .? 從點 18 工藝到點 13 工藝到點零 9. 難度在哪里 ?答：難度在光刻部 , 因為圖形越來越小 , 曝光機分辨率有限 .? 曝光機的 NA 是什幺 ?答： NA 是曝光機的透鏡的數值孔徑 ; 是光罩對透鏡張開的角度的正玹值 . 最大是 1; 先進的曝光機的 NA 在 之間 .?曝光機分辨率是由哪些參數決定的 ?答：分辨率 =k1*Lamda/NA. Lamda 是用于曝光的光波長 ;N

21、A 是曝光機的透 鏡的數 值孔徑 ; k1 是標志工藝水準的參數 , 通常在之間 .? 如何提高曝光機的分辨率呢 ?答：減短曝光的光波長 , 選擇新的光源 ; 把透鏡做大 ,提高 NA.? 現(xiàn)在的生 產線上 , 曝光機的光源有幾種 , 波長多少 ?答：有三種 : 高壓汞燈光譜中的 365nm 譜線 , 我們也稱其為 I-line; KrF 激光 器, 產生 248 nm 的光 ; ArF 激光器 , 產生 193 nm 的光 ;?下一代曝光機光源是什幺 ?答： F2 激光器 . 波長 157nm?我們可否一直把波長縮短 ,以提高分辨率 ? 困難在哪里 ? 答：不可以 . 困 難在透鏡材料 .

22、能透過 157nm 的材料是 CaF2, 其晶體很難生長 . 還未發(fā) 現(xiàn)能透過更短波長的材料 .? 為什幺光刻區(qū)采用黃光照明？ ?答：因為白光中包含 365nm 成份會使光阻曝光 , 所以采用黃光 ; 就象洗 像的暗房 采用暗紅光照明 .?什幺是 SEM?答：掃描電子顯微鏡 (Scan Electronic Microscope) 光刻部常用的也稱道 CDS EM. 用它來測量 CD?如何做 Overlay 測量呢 ?答：芯片 (Wafer) 被送進 Overlay 機臺中 . 先確定 Wafer 的位置從而找到 Overlay MARK. 這個 MARK 是 一個方塊 IN 方塊的結構 .

23、大方塊是前層 , 小 方塊是當層 ; 通過小方塊是否在大方塊中心來確定 Overlay 的好壞 .? 生產 線上最貴的機器是什幺 ?答：曝光機 ;5-15 百萬美金 / 臺 ? 曝光機貴在哪里 ? 答：曝光機貴在它的光學成像系統(tǒng) ( 它的成像系統(tǒng)由 15 到 20 個直徑在 200 300MM 的 透鏡組成 .波面相位差只有最好象機的5%. 它有精密的定位系統(tǒng) ( 使用 激光工作臺 )?激光工作臺的定位精度有多高 ? 答：現(xiàn)用的曝光機的激光工作臺定位的 重復精度小于 10nm? 曝光機是如何保證 Overlay50nm? 答：曝光機要保證每層的圖形之間對準精度 50nm. 它首先要有一個精準

24、的激光 工作臺 , 它把 wafer 移動到準確的位置 . 再就是成像系統(tǒng) , 它帶 來的圖像變形 以上的圖層 (LAYER)?KrF scanner 的工作范圍是多少 ?答： CD 以上的圖層 (LAYER)?ArF scanner 的工作范圍是多少 ?答： CD 以上的圖層 (LAYER)?什幺是 DUV SCANNER?答：DUVS CANNER是 指所用光源為D eep Ultra Voliet,超紫外線.即現(xiàn)用 的 248nm,193nm Scanner?Scanner 在曝光中可以到達精確度宏觀理解： ? 答： Scanner 是一個集機， 光，電為一體的高精密機器；為控制 ive

25、rlay40nm, 在曝光過程中，光罩和Wafer的運動要保持很高的同步性.在250nm/秒的掃描曝光時，兩者同步位置 10nm .相當于兩架時速 1000 公里小時的波音 747 飛機前后 飛行，相距小于 10 微米?光罩的結構如何？ ? 答：光罩是一塊石英玻璃，它的一面鍍有一層鉻膜 (不 透光 ) 在制造光罩時， 用電子束或激光在鉻膜上寫上電路圖形 ( 把部 分鉻膜刻掉， 透光 ) 在距鉻膜 5mm 的地方覆蓋一極薄的透明膜 ( 叫 pellicle ) ，保護鉻膜不受外界污染 .?在超凈室 ( cleanroom ) 為什幺不能攜帶普通紙 ? 答：普通紙張是由大量短 纖維壓制而成， 磨擦

26、或撕割都會產生大量微小塵埃 ( particle ) 進 cleanroom 要帶專用的 Cleanroom Paper.?如何做 CD 測量呢 ?答：芯片 (Wafer) 被送進 CD SEM 中 . 電子束掃過光阻圖形 (Pattern). 有光 阻的 地方和無光阻的地方產生的二次電子數量不同 ; 處理此信號可的圖 像 . 對圖像進 行測量得 CD.?什幺是 DOF?答： DOF 也叫 Depth Of Focus, 與照相中所說的景深相似 . 光罩上圖形會在 透 鏡的另一側的某個平面成像 , 我們稱之為像平面 (Image Plan), 只有將 像平面 與光阻平面重合 (In Focus

27、) 才能印出清晰圖形 . 當離開一段距離后 , 圖像模糊 . 這一可清晰成像的距離叫 DOF?曝光顯影后產生的光阻圖形 ( Pattern ) 的作用是什幺？ ? 答：曝光顯影后 產生的光阻圖形有兩個作用： 一是作刻蝕的模板， 未蓋有光阻的 地方 與刻蝕氣體反響，被吃掉去除光阻后，就會有電路圖形留在芯片上另 一 作用是充當例子注入的模板 ?光阻種類有多少？ ? 答：光阻種類有很多可根據它所適用的曝光波長分為 I-line 光阻 ,KrF 光 阻和 ArF 光阻 ?光阻層的厚度大約為多少？ ? 答：光阻層的厚度與光阻種類有關 I-line 光阻最厚， to 3um. KrF 光阻 ArF 光阻?

28、哪些因素影響光阻厚度？答：光阻厚度與芯片(WAFER )的旋轉速度有關，越快越薄，與光阻粘稠度 有關 ?哪些因素影響光阻厚度的均勻度？ 答：光阻厚度均勻度與芯片 ( WAFER 的旋轉加速度有關，越快越均勻，與旋轉加減速的時間點有關.?當顯影液或光阻不慎濺入眼睛中如何處理？答：大量清水沖洗眼睛，并查閱顯影液的CSDS Chemical Safety DataSheet,把它提供給醫(yī)生，以協(xié)助治療？FAC?根據工藝需求排氣分幾個系統(tǒng)?答：分為一般排氣General 、酸性排氣Scrubbers 、堿性排氣Ammonia 和有機排氣Solvent 四個系統(tǒng)。？高架地板分有孔和無孔作用?答：使循環(huán)空

29、氣能流通，不起塵，保證潔凈房內的潔凈度；防靜電；便于HOOK-UP?離子發(fā)射系統(tǒng)作用？答：離子發(fā)射系統(tǒng)，防止靜電？SMIC潔凈等級區(qū)域劃分？答： Mask Shop class 1 & 100Fab1 & Fab2 Photo and process area: Class 100Cu-line Al-Line OS1 L3 OS1 L4 testing Class 1000? 什幺是制程工藝真空系統(tǒng) PV?答：是提供廠區(qū)無塵室生產及測試機臺在制造過程中所需的工藝真空；如真空吸筆、光阻液涂布、吸芯片用真空源等。該系統(tǒng)提供一定的真空壓力真空度大于80 kpa和流量，每天 24小時運行？什幺是MA

30、UMake Up Air Unit,新風空調機組作用 ？答：提供潔凈室所需之 新風，對新風濕度，溫度，及潔凈度進行控制，維持潔凈室正壓和濕度要求。？House Vacuum System 作用？答：HVHouseV acuum系統(tǒng)提供潔凈室制程區(qū)及回風區(qū)清潔吸取微塵粒子 之真空源，其真空度較低。使用方法為利用軟管連接事先已安裝在高架 地板下或柱子內 的真空吸孔，翻開運轉電源。此系統(tǒng)之運用可減低清潔 時的污染。？Filter Fan Unit SystemFFU作用？答：FFU系統(tǒng)保證潔凈室內一定的風速和潔凈度，由 Fan 和 Filter(ULPA) 組成。 ? 什幺是 Clean Room

31、潔凈室系統(tǒng) ? 答：潔凈室系統(tǒng)供給給制程及機臺設備所需之潔凈度、 溫度、濕度、正壓、 氣流條件等環(huán)境要求。 ?Clean room spec: 標準?了、寸、4 OIO OI OI答： Temperature 23 C 1 C(Photo:23 C C)Humidity 45% 5%(Photo:45% 3% )Class 100Overpressure +15paAir velocity s s ? Fab 內的 safety shower 的日常維護及使用監(jiān)督由誰來負責 ?答：Fab內的Area Owner (假設出現(xiàn)無水或大量漏水等可請廠務水課(19105)協(xié)助) ?工程師在正常跑貨用純

32、水做 rinse 或做機臺維護時，要注意不能有酸或有 機溶劑 ( 如 IPA 等)進入純水回收系統(tǒng)中，這是因為： ?答：酸會導致 conductivity( 導電率 )升高，有機溶劑會導致 TOC 升高。兩者 均會影響并降低純水回收率。 ?假設在 Fab 內發(fā)現(xiàn)地面有水滴或殘留水等，應如何處理或通報 ? 答：先檢 查是否為機臺漏水或做 PM 所致，假設為廠務系統(tǒng)那么通知廠務中控室( 12222 ) ?機臺假設因做 PM 或其它異常，而要大量排放廢溶劑或廢酸等應首先如何通報 ? 答：通知廠務主系統(tǒng)水課的值班 ( 19105) ?廢水排放管路中酸堿廢水 /濃硫酸 /廢溶劑等使用何種材質的管路? 答

33、：酸堿廢水/高密度聚乙烯(HDPE)濃硫酸/鋼管內襯鐵福龍(CS-PTFE)廢溶 劑 / 不琇鋼管 (SUS)?假設機臺內的 drain 管有接錯或排放成分分類有誤，將會導致后端的主系統(tǒng) 出現(xiàn)什幺問題 ?答：將會導致后端處理的主系統(tǒng)相關指標處理不合格， 從而可能導致公 司排放口 超標排放的事故。 ?公司做水回收的意義如何 ?答： (1) 節(jié)約用水，降低本錢。重在環(huán)保。 (2) 符合 ISO 可持續(xù)開展的精 神和公司環(huán)境保護暨平安衛(wèi)生政策。 ?何種氣體歸類為特氣 (Specialty Gas)? 答： SiH2Cl2?何種氣體由 VMB Stick 點供到機臺 ? 答： H2? 何種氣體有自燃性

34、 ?答： SiH4? 何種氣體具有腐蝕性 ?答： ClF3? 當機臺用到何種氣體時，須安裝氣體偵測器 ? 答： PH3?名詞解釋 GC, VMB, VMP?答： GC- Gas Cabinet 氣瓶柜 VMB- Valve Manifold Box 閥箱，適用于危險性 氣 體。 VMP- Valve Manifold Panel 閥件盤面，適用于惰性氣體。 ? 標準大氣環(huán) 境中氧氣濃度為多少？工作環(huán)靜氧氣濃度低于多少時人體會感覺不 適？ ?答： 21%? 什幺是氣體的 LEL? H2 的 LEL 為多少？ ?答： LEL- Low Explosive Level 氣體爆炸下限 H2 LEL-

35、4%.?當 FAB 內氣體發(fā)生泄漏二級警報 ( 既 Leak HiHi ) ，氣體警報燈 ( LAU) 會如 何動 作？ FAB 內工作人員應如何應變？ ?答： LAU 紅、黃燈閃爍、蜂鳴器叫聽從 ERC 播送命令，立刻疏散。 ? 化 學供給系統(tǒng)中的化學物質特性為何 ?答： (1) Acid/Caustic 酸性 /腐蝕性 (2) Solvent 有機溶劑 (3) Slurry 研磨液 ? 有機溶劑柜的安用保護裝置為何 ?答： (1) Gas/Temp. detector; 氣體 /溫度偵測器 (2) CO2 extinguisher; 二氧化 碳 滅火器 ?中芯有那幾類研磨液 (slurry

36、) 系統(tǒng) ? 答： (1) Oxide (SiO2) (2) Tungsten (W) 鵭?設備機臺總電源是幾伏特 ? 答： 208V OR 380V?欲從事生產 /測試 /維護時 ,如無法就近取得電源供給,可以無限制使用延 長線 嗎 ?答：不可以 ?如何選用電器器材 ? 答：使用電器器材需采用通過認證之正規(guī)品牌 ? 機臺開關可以任意分 / 合嗎? 答：未經確認不可隨意分 / 合任何機臺開 關 ,以免造成生產損失及人員傷害 .? 欲從事生產 / 測試/ 維護時 ,如無法就 近取得電源供給 ,也不能無限制使用延長線 , 對嗎?答：對 ?假設斷路器啟斷容量為 16 安培導線線徑 , 電源供給電壓單

37、相 220 伏特, 假設使用單 相 5000W 電器設備會產生何種情況 ?答：斷路器跳閘 ? 當供電局供電中斷時 , 人員仍可安心待在 FAB 中嗎 ? 答：當供電局供電中斷時 ,本廠因有緊急發(fā)電機設備 ,配合各相關監(jiān)視系 統(tǒng) , 仍然 能保持 FAB 之 Safety, 所以人員仍可安心待在 FAB 中 .?ETCH?何謂蝕刻 (Etch)? 答：將形成在晶圓外表上的薄膜全部，或特定處所去除 至必要厚度的制程。 ? 蝕刻種類 :?答： (1) 干蝕刻 (2) 濕蝕刻 ? 蝕刻對象依薄膜種類可分為 :? 答： poly,oxide, metal?半導體中一般金屬導線材質為何 ? 答：鵭線 (W

38、)/ 鋁線 (Al)/ 銅線 (Cu)? 何謂 dielectric 蝕刻 ( 介電質蝕刻 )? 答： Oxide etch and nitride etch? 半導體中一般 介電質材質為何 ? 答：氧化硅 / 氮化硅 ? 何謂濕式蝕刻 ? 答：利用液相 的酸液或溶劑 ; 將不要的薄膜去除 ? 何謂電漿 Plasma? 答：電漿是物質 的第四狀態(tài) . 帶有正 ,負電荷及中性粒子之總和 ; 其中包含電子 , 正離子 , 負離子 ,中性分子 , 活性基及發(fā)散光子等 ,產生電漿的方法可使用高溫或 高電壓 .?何謂干式蝕刻 ?答：利用 plasma 將不要的薄膜去除 ? 何謂 Under-etchin

39、g( 蝕刻缺乏 )? 答： 系指被蝕刻材料，在被蝕刻途中停止造成應被去除的薄膜仍有殘留 ? 何 謂 Over-etching( 過蝕刻 )?答：蝕刻過多造成底層被破壞 ? 何謂 Etch rate( 蝕刻速率 )? 答：單位時間 內可去除的蝕刻材料厚度或深度 ? 何謂 Seasoning( 陳化處理 )? 答：是在蝕刻室的清凈或更換零件后， 為要穩(wěn)定制程條件， 使用仿真 ( dumm ) y 晶 圓進行數次的蝕刻循環(huán)。 ?Asher 的主要用途 :? 答：光阻去除 ? Wet bench dryer 功用為何 ? 答：將晶 圓外表的水份去除 ? 列舉目前 Wet bench dry 方法 :?

40、 答： (1) Spin Dryer (2) Marangoni dry (3) IPA Vapor Dry?何謂 Spin Dryer? 答：利用離心力將晶圓外表的水份去除 ? 何謂 Maragoni Dryer?答：利用外表張力將晶圓外表的水份去除 ? 何謂 IPA Vapor Dryer?答：利用IPA(異丙醇)和水共溶原理將晶圓外表的水份去除？測Particle時,使用何種測量儀器 ?答： Tencor Surfscan？ 測蝕刻速率時 , 使用何者量測儀器 ？ 答：膜厚計 , 測量膜厚差值 ？何謂 AEI？答： After Etching Inspection 蝕刻后的檢查 ？AEI

41、 目檢 Wafer 須檢查哪些工程 :？答： (1) 正面顏色是否異常及刮傷 (2) 有無缺角及 Particle (3) 刻號是否正確 ？ 金屬蝕刻機臺轉非金屬蝕刻機臺時應如何處理 ？ 答：清機防止金屬污染問題 ？ 金屬蝕刻機臺 asher 的功用為何 ？ 答：去 光阻及防止腐蝕 ？金屬蝕刻后為何不可使用一般硫酸槽進行清洗 ？ 答：因為金屬線會溶于 硫酸中 ？Hot Plate 機臺是什幺用途 ？答：烘烤 ？Hot Plate 烘烤溫度為何 ？答： 90120 度 C？何種氣體為 Poly ETCH 主要使用氣體 ？答： Cl2, HBr, HCl？用于 Al 金屬蝕刻的主要氣體為 ？答： Cl2, BCl3? 用于 W 金屬蝕刻的主要氣體為 ?答： SF6?何種氣體為 oxide vai/contact ETCH 主要使用氣體 ? 答： C4F8, C5F8, C4F6? 硫酸槽的化學成份為 :?答： H2SO4/H2O2?AMP 槽的化學成份為 :?答： NH4OH/H2O2/H2O?UV curing 是什幺用途 ?答：利用 UV 光對光阻進行預處理以加強光阻的強度 ?UV