1、頁面設置：A4 ,上邊距2.5cm,下邊距2.0cm,左右邊距1.8cm,頁眉1.6cm,頁腳0cm,研究與試制正文雙欄，兩欄之間8mm（或2字）;題名小二黑居中，20字以內；作者姓名小4號黑,多位（最好不超過5位）作者姓名之間用逗號，兩字姓名之間用空格；單位小5號楷體，電子元件與材料稿件修改規范王？ 1,2，陳？ j 李？ j 楊？ J 任？ 2（1.中國科學院上海高等研究院薄膜光電工程技術研究中心，上海201210 ； 2.大連理工大學 電氣工程學院，摘要、關鍵詞：抬頭遼寧黑，大正文小1052號楷體，通欄排摘要：研究成果論文應按三要素（研究的問題，過程和方法，結論），突岀創新性，寫岀200

2、字左右的信息性摘要。綜述文章可寫指示性或信息 /指示性摘要，150字左右。摘要請注意不要有引用及公式。關鍵詞：關鍵詞之間用；中文關鍵詞盡量用使用中文，要求直扣主題，6個為宜，綜述文章第三個關鍵詞“綜述”文章編號：1001-2028 （2017）稿號doi: 10.14106/ki.1001-2028.2017.01.001中圖分類號：TN304文獻標識碼：A5號Times粗體，姓前明后，姓英文題名3號Times粗體，首字母和縮寫單詞大寫，其他小寫；英文作者姓名 全大寫，名第一個字母大寫；英文單位小 5號Times，非省會城市加省名Porous silicon distributed by si

3、lver nanoparticles for performanceenhancement of silicon-based MSM photodetectors1 2 1 1 1 2WANG Jiwei , CHEN Haiyan , LI Dongdong , YANG Kang , REN Wei(1. Research Center of Thin Film Optoelectronic Engineering, Shanghai Advanced Research Institute, Chinese Academy ofScience, Shanghai 201210, China

4、; 2. School of Electrical Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116023, Liaoning Province, China)Abstract: Porous silicon (PS) was prepared by metal-assistedly etching the single crystal silicon surface. Light absorbance in the prepared PS is significantly increased in a broad spectra

5、l range due to light trapping effect by the surfacenanostructures. Effects of Ag nanoparticles on the performance of porous silicon based metal-semiconductor-metalphotodetectors (MSM-PDs) were investigated.metal-assisted etchingKey words: porous silicon; silver nanoparticles; light absorbance; local

6、ized surface plasma resonance; photodetectors;英文關鍵詞除專有名詞外，全部小寫，之間用“；”隔開，縮寫詞請注明全稱金屬-半導體-金屬型光電探測器） MSM-PDs ） 是由兩個金屬電極直接沉積在半導體材料表面形成 的平板型光電探測器，光暗電導比和光響應度是衡 量MSM-PDs性能的重要指標 。硅基MSM-PDs藝簡單，成本較低，容易跟硅基集成電路集成。但 由于晶體硅表面對可見光及紅外光的高反射率導致正在的問題，引岀本研究的主題與及特色。，制約了 在表面制備單收稿日期：2016-09-09通訊作者：楊康基金項目：國家自然科學基金資助項目（No. 11

7、174308; No. 51201108）；澧科院知識要新工言要結論不能重復N。. KGCX2-EW-315 ）作者簡介：楊康）1981）,男，山東荷澤人，助理研究員，主要從事熱離子材料及器件的研究，E-mail: yangk ；一王繼偉）1990）,男，山東荷澤人，研究生，研究方向為熱（子器件：外文E字母新符號iw必須分清大小寫m正斜體、上下標。也符號016量符.號用斜體哪位符號用正網絡出版時間：2016-10-28 14:04:38網絡出版地址:http:/wWW，體，相同符號表示不同量時，可用下標或括號加以區分。為避免 岀錯，請您標好。圖、表、公式請全文連續編號）層或多層的光學減反膜提高

8、硅材料吸收率的方法相 比，在硅表面制備多孔硅的方法有助于提咼在寬光譜 范圍內的陷光效果，因而多孔硅（PS）近幾年來被廣泛用于高靈敏光電傳感器、太陽能電池3-4。圖1不同濺射功率下CIGS薄膜的原子比23Fig.1 Atomic ratios of CIGS films prepared at different sputtering powers圖題：六號，宋體。曲線圖請給出計算機軟件（Origin,Word繪圖軟件）繪制的黑白或灰度插圖文件；刻度線的刻度要朝內， 右側縱坐標線無用時，將其連同上框線一起刪除。曲線圖總尺一級標題小四，黑體，居左1 實驗表1為應用田口實驗設計的L9（34）混合直交

9、表5，研究AZO薄膜的鍍制條件。觀察濺鍍參數：射 頻功率（P）、濺射壓強（p）、靶材-基板距離（s）、 沉積時間（t）對AZO薄膜光電性質、表面微結構、 X-ray結晶相的影響。結合灰關聯分析求得本系統最 佳鍍膜參數組合。表1 L9 （34）混合直交表Tab.1 L9 （34） orthog onal array with four colum ns and nine rows粒線線分布在.4|820躺磅內左平均粒徑大小為13 nm。圖2 （ b）為所制備的多孔硅（PS）的表面電鏡照片。實驗序號工藝參數序號Ppst1111121222313334212352231623127313283213

10、93321注：P =射頻功率（W） ； p=濺射壓E強（Pa）； s=基板到靶材距離 （cm）； t=沉積時間（min）表格優先米用三線表。表頭：六號，黑體，取中。表文：六 號，宋體。（注：表題為中英文對照，文字和符號的標注應與正文相同）（a）單晶硅表面的金薄膜退火后所形成的金納米顆粒；（b）多孔硅的表面；圖2金屬輔助刻蝕法所制備樣品的SEM照片Fig.2 SEM photos of the samples prepared by metal-assisted etch ing also in cluded for comparis on2結果與討論2.1物相分析二級標題五號，黑體Bai等23

11、研究了直流濺射功率 （50400 W）對室 溫下生長CIGS薄膜成分分布的影響：隨著濺射功率 的增加，平均沉積速率逐漸增加，而且薄膜由富Cu態轉變為貧Cu態（如圖1所示），與Yu等24報道的 結果一致。0.400.160.32測試儀器或數碼相機攝制的照片， 請提供原照片（不 用掃描圖片）；電子版照片，要求300 dpi，JPG、EPS 均可。儀器繪圖請給岀原圖（或經過計算機處理） 。照片應有標尺（非放大倍數）。標尺置于照片的右下 角，圖中各分圖的序號置于左上角。所有標注以文本框形式加注于照片上，不能一起保存為圖片，便于排 版修改。（注：圖序號為全文連續編號，圖題為中英文對照， 圖中文字和符號用

12、英文表示，標注應與正文相同）3 高尚，裴蔣，田郭，等.包埋Pt納米粒子對金屬-半導體-金屬結構ZnO紫外光電探測器性能的影響J.物理學報，2015, 64(6): 067802.4 郭雨.一種制備CIGS薄膜的方法及CIGS薄膜：中國， CN104319305A P. 2015-01-28. MATUR U C，AKYOL S，BAYDOGAN N，et al. The characteristic behaviors of solgel-derived CIGS thin films exposed to the specific environmental conditions M/Ene

13、rgy Systems and Management. Germany: Springer International Publishing，2015: 179-191.6 SU Y, LI S，WU 乙 et al. High responsivity MSM black silicon photodetector J. Mater Sci Semic ond Process，2013, 16(3): 619-624.(編輯：)參考文獻書寫以 GB /T 7714 2015為基礎，有少許修正。 參考文獻的序號左頂格對齊，并用數字加方括號表示，如 1，2，.，應與正文中引用時的序號格式一致。中

14、英文作者的 姓名著錄格式統一為：姓（全部大寫）名（首字母大寫，可縮寫），女口： WESTCOTT B S，MA Jianguo 或 MA J G。著作格式要求可通過本刊官網下載（ 下載中心），上例 為代表性參考文獻的著錄格式；注意參考文獻的標識、責任者、 頁碼等不能缺項。圖4（玄）和（b）分別為單晶硅片、PS及APS的光暗電導比（Iph/ldark）和在3 V偏壓下不同波長的 響應度（R）。光響應度由如下公式算出：計 （1）opt式中：Iph為光電導；Popt為入射光的功率密度。公式用word 2003公式編輯器編輯，在工具欄 尺寸一定義”內選擇，標準 10.5磅，下標6.5 磅數理公式中，磅

15、字符須分清正斜次符號其中磅。編3!個其值不 變右數請常數注意正n本卜）上下角有定義的確標注函數（cos，tan， exp，lg，ln等）； 已定義的算子符號（df/dx中的d; Ax 中的）;有特殊含義的縮寫詞（max，min，Re，Im，T，ASA等）;5個特殊的集符號，必須用正體。使用規定的量符號（必要時可加上下標或括號注釋），不用英文縮寫。公式轉行 最好在緊靠其中記號：=,+,，土，X, 或/后斷開，而在下一行開頭不再重復這一記號。記 號具有“運算”和“連式”的雙重作用。3 結論禾U用金屬輔助刻蝕的方法制備了多孔硅，在寬 光譜范圍內顯著增加了光吸收率，通過在多孔硅表 面負載銀納米顆粒，光吸收率得到進一步提高。分 別制備了單晶硅片、多孔硅、多孔硅表面負載銀納 米顆粒的 MSM-PDs，在420 nm波長處 APS制備的 MSM-PDs具有最高的光暗電導比，420，450，500，550,600 nm波長處 APS制備的 MSM-PDs的光響應 度均高于單晶硅片以及PS制備的 MSM-PDs。 APS制備的 MSM-PDs性能的提高源自表面缺陷對暗電 導的降低作用及銀納米顆粒在光場中的LSPR效應對光電導的提升作用，說明了多孔硅表面納米結構 及銀納米顆粒產生的LSPR效應對提升硅基材料MSM型光電探測器性能的重要作用，為提高硅基