1、江蘇省鹽城市 20082009學(xué)年度高三摸底考試 物理試題 一、單項(xiàng)選擇題：本題共 5小題，每小題3分，共計(jì)15分。每小題只有一個(gè)選項(xiàng)符合題意。 1. 木塊沿斜面上滑，后又返回到出發(fā)點(diǎn)。下列各圖象中能夠比較正確反映該木塊運(yùn)動(dòng)過程 的是( D 小車克服摩擦力所做的功為f s 2. 宇宙中有相距較近，質(zhì)量可以相比的兩顆星球，其它星球?qū)λ麄兊娜f有引力可以忽略不 計(jì)。它們在相互之間的萬有引力作用下，圍繞連線上的某一固定點(diǎn)做同周期的勻速圓周 運(yùn)動(dòng)。下列說法中正確的是( A .它們的速度大小與質(zhì)量成正比 B 它們的速度大小與軌道半徑成正比 C. 它們的速度大小相等 D. 它們的向心加速度大小相等 3某學(xué)生

2、設(shè)計(jì)出下列四種邏輯電路，當(dāng)A端輸入高電壓時(shí)，電鈴能發(fā)出聲音的是( m的彈 R I1 a b (2) M點(diǎn)和N點(diǎn)距Li的高度。 (2) 小球落到C點(diǎn)時(shí)速度的大小。 14. (16分)如圖所示，電阻忽略不計(jì)的、兩根兩平行的光滑金屬導(dǎo)軌豎直放置，其上端接 一阻值為3 Q的定值電阻R。在水平虛線 L!、L2間有一與導(dǎo)軌所在平面垂直的勻強(qiáng)磁 場B，磁場區(qū)域的高度為 d=0.5m。導(dǎo)體棒a的質(zhì)量 mokg、電阻Ra=3 Q；導(dǎo)體棒b 的質(zhì)量mb=0.1kg、電阻Rb=6 Q,它們分別從圖中M、N處同時(shí)由靜止開始在導(dǎo)軌上無 摩擦向下滑動(dòng)，且都能勻速穿過磁場區(qū)域，當(dāng)b剛穿出磁場時(shí)a正好進(jìn)入磁場.設(shè)重力 加速度

3、為g=10m/s2。(不計(jì)a、b之間的作用)求： (1 )在整個(gè)過程中，a、b兩棒克服安培力分別做的功; 15. (16分)在一個(gè)很小的矩形半導(dǎo)體薄片上，制作四個(gè)電極E、F、M、N，它就成了一個(gè) 霍爾元件(如圖)，在E、F間通入恒定的電流I,同時(shí)外加與薄片垂直的磁場 B,在M、 N間出現(xiàn)了電壓 Uh，稱為霍爾電壓。 (1)電流和磁場方向如圖中所示，載流子是電子，M、N兩端中哪端電勢較高？ (2 )試證明: Uh =K IB (3) 為了提高霍爾元件的靈敏度，可采用哪些方法? 參考答案 單選題 題號 1 2 3 4 5 答案 A B B C D 多選題 題號 6 7 8 9 答案 BD AD A

4、C AC 簡答題：本題分必做題(第10、11題)和選做題(第 12題)兩部分，共計(jì) 42分。請 將解答填寫在答題卡相應(yīng)的位置。. 10. 11. (1) 0220 Q(23.9 mA(2) 2 (1) aAD -5m/s ak =1.39m/s (2 )如圖所示 A (1)增加 690J (2) 變小 放熱 M總g P0 : (3) 0大氣壓可看作是由空氣重量產(chǎn)生的, 分子總數(shù) n總 M總 一 M。 Na =1.9 1042 個(gè) B (1) C , A (2) 1s 上 (3) 2r C (1) BD (2) 0.1 不變 (3) 4.3 ( ).1) X1014Hz -34 (6.2 6.8

5、) X10 Js 四、解答題：本題共 3小題，共計(jì)47分。解答時(shí)請寫出必要的文字說明、方程式和重要的 演算步驟。只寫出最后答案的不能得分。有數(shù)值計(jì)算的題，答案中必須明確寫出數(shù)值和 單位。 13. (1) AB過程：重力做功 W1=mgh2分 1 2 h= gti2分 2 平均功率P=W2分 ti 由得P二g； (2)設(shè)BC間的水平位移為s,初速度為- 0 1 2 m 0 mgh2分 由于傾角為45，平拋運(yùn)動(dòng)的豎直位移也為s 1 2 S=gt22 分 2 st1分 全過程：末速度為： 1 2 mg(h s) m 2 分 2 由以上各式得：=.10gh1分 14. (1) Wa=magd =1.0J Wb=mbgd =0.5J (2) b在磁場中勻速運(yùn)動(dòng)時(shí)：速度為 b,總電阻 R1=7.5 Q b中的電流I b BL b R1 由以上各式得: = mbg 2 2 B L b Ri 天星 同理，a棒: 二 mag 由以上各式得， b _ 3 a4 .2 = 2gh hb 9 ha _16 -a 二 b gt R2 1分 1分 1分 1分 由得 4 Ha= m 3 3 Hb= m 4 15. (1) M點(diǎn)電勢高 (2 )設(shè)前后兩個(gè)表面相距為 1分 1分 1分 3分 L,電子所受的電場力等于洛侖茲力 UH e=e B2分 L 設(shè)材料單位體積內(nèi)電子的個(gè)