lte終端技術(shù)交流 天翼電信終端有限公司 2014.1,2,一、殊途同歸-無(wú)線(xiàn)通信制式演進(jìn)路線(xiàn),中國(guó)電信,中國(guó)聯(lián)通,隨著技術(shù)進(jìn)步，當(dāng)前主流的三種3g制式wcdma、cdma、td-scdma均將演進(jìn)到lte制式。,中國(guó)移動(dòng),3,二、高速、廣域、低延時(shí)-lte的技術(shù)特點(diǎn),lte(long term evolution,長(zhǎng)期演進(jìn))是3g的下一代演進(jìn)技術(shù)，其特點(diǎn)： 在20mhz頻譜帶寬能夠提供至少下行100mbps、上行50mbps的峰值速率； 降低系統(tǒng)延遲，用戶(hù)平面內(nèi)部單向傳輸時(shí)延低于5ms，控制平面從睡眠狀態(tài)到激活狀態(tài)遷移時(shí)間低于50ms，從駐留狀態(tài)到激活狀態(tài)的遷移時(shí)間小于 100ms； 支持100km半徑的小區(qū)覆蓋；改善小區(qū)邊緣用戶(hù)的性能；提高小區(qū)容量； 能夠?yàn)?50km/h高速移動(dòng)用戶(hù)提供100kbps的接入服務(wù),cdma,下行3.1mbps 上行1.8mbps,wcdma,下行384kbps 上行64kbps,td-scdma,下行384kbps 上行128kbps,lte 下行100mbps 上行50mbps,高帶寬、高品質(zhì)、實(shí)時(shí)性的業(yè)務(wù) 大容量高清實(shí)時(shí)視頻、電視 大型3d在線(xiàn)游戲,較低帶寬、實(shí)時(shí)性較差的業(yè)務(wù) 文字即時(shí)通訊 低畫(huà)質(zhì)、實(shí)時(shí)性差的社區(qū)應(yīng)用,4,三、lte對(duì)中國(guó)電信的影響,芯片,小眾,lte時(shí)代,芯片,主流,技術(shù),中國(guó)電信現(xiàn)狀,cdma是小眾群體，在世界范圍處于弱勢(shì)地位，產(chǎn)業(yè)鏈規(guī)模小，成本高,lte終端融入全球產(chǎn)業(yè)鏈，分?jǐn)傃邪l(fā)成本,實(shí)現(xiàn)語(yǔ)音與數(shù)據(jù)并發(fā)，同時(shí)保留話(huà)音音質(zhì)好、保密性強(qiáng),cdma芯片僅有兩家供應(yīng)商：高通和威盛,lte芯片供應(yīng)商有十幾家：,cdma,技術(shù),話(huà)音音質(zhì)好、保密性強(qiáng)、低輻射，但語(yǔ)音與數(shù)據(jù)不能并發(fā),其他制式,制式統(tǒng)一,5,可穿戴智能設(shè)備 隨拍隨傳高清視頻 移動(dòng)醫(yī)療監(jiān)控（心電等） 車(chē)載設(shè)備 實(shí)時(shí)更新路況、街景導(dǎo)航 高清實(shí)時(shí)lte終端 高清視頻點(diǎn)播、高清視頻下載 移動(dòng)高清視頻會(huì)議 大型3d在線(xiàn)互動(dòng)游戲,腕帶,車(chē)載,四、強(qiáng)大、便利-lte時(shí)代的終端與業(yè)務(wù),即攝即傳設(shè)備,6,五、強(qiáng)勁數(shù)據(jù)處理能力-lte時(shí)代的終端元器件1,芯片性能更加強(qiáng)大 28nm制程，更先進(jìn)工藝使得芯片功耗更低、面積更小 cortex a15架構(gòu)，更先進(jìn)的架構(gòu)技術(shù)使得芯片運(yùn)算效率更高、處理能力更強(qiáng) 4+1或4+4協(xié)處理器技術(shù)及真八核處理技術(shù)，多核并行處理，強(qiáng)化多任務(wù)能力 支持1080p直至4k*2k視頻編解碼，從而強(qiáng)化高清視頻表現(xiàn),存儲(chǔ)器規(guī)格提升 廣泛采用ddr3內(nèi)存直至ddr4內(nèi)存，新技術(shù)內(nèi)存的運(yùn)行頻率更高、數(shù)據(jù)存取速度更快，極大優(yōu)化數(shù)據(jù)吞吐能力 rom容量達(dá)到32gb乃至更高，同時(shí)采用class10等更高級(jí)別的存儲(chǔ)元件，讀寫(xiě)速度可達(dá)到10mb/s,五、高速數(shù)據(jù)存儲(chǔ)能力-lte時(shí)代的終端元器件2,五、更強(qiáng)力的電源-lte時(shí)代的終端元器件3,電池: 更高的能量密度，可達(dá)520wh/l 采用新技術(shù)，例如升壓4.35v，硅碳陽(yáng)極，納米陶瓷圖層等 最大充電電流能達(dá)到2a 一流 的供應(yīng)商 索尼、松下（三洋）、sdi、lgc等 充電器: 大的充電電流（2.0a） 出色的能量密度0.30w/cm3 出色的id設(shè)計(jì),五、更強(qiáng)大圖像處理能力-lte時(shí)代的終端元器件4,攝像頭注重平衡像素和效果 大光圈，高動(dòng)態(tài)范圍，提升低光時(shí)拍照效果 ultrapixel技術(shù)降低像素?cái)?shù)以獲得更好拍攝效果 88超高廣角前置攝像頭，使得拍照范圍更廣闊 強(qiáng)化后處理能力，提升用戶(hù)體驗(yàn),全景拍照,人臉識(shí)別,五、超強(qiáng)多媒體表現(xiàn)能力-lte時(shí)代的終端元器件5,屏幕更注重平衡尺寸和美觀 全高清fhd(1920*1080)分辨率 更高ppi帶來(lái)更細(xì)膩畫(huà)質(zhì) 屏幕超窄邊設(shè)計(jì)使得握持更容易 顯示層與觸控層集成：in-cell/on-cell/ogs，使得屏幕更輕薄,通過(guò)軟件處理使圖像呈現(xiàn)更真實(shí) 開(kāi)發(fā)圖像處理算法，提高圖像質(zhì)量和逼真度 根據(jù)以下幾方面建立一體式顯示解決方案: 顯示性能/算法/應(yīng)用場(chǎng)景,lte/cdma終端語(yǔ)音方案 lte/cdma終端數(shù)據(jù)方案 lte終端方案 lte終端芯片平臺(tái)方案,page 12,不同3g制式演進(jìn)到lte網(wǎng)絡(luò)時(shí)，均有fdd、tdd、fdd+tdd三種可能情況，采用不同lte演進(jìn)方案的運(yùn)營(yíng)商舉例如下。,3g與lte網(wǎng)絡(luò)組網(wǎng)情況,lte終端語(yǔ)音承載方案,cdma/lte組網(wǎng)一共有5種語(yǔ)音承載形式。,page 13,sv-lte 硬件：無(wú)改造要求 軟件：無(wú)改造要求,14,sv-lte網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)及軟硬件改造說(shuō)明,srlte 硬件：無(wú)改造要求 軟件：要求lte/epc網(wǎng)絡(luò)支持esr、承載掛起/恢復(fù)功能,15,srlte 網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)及軟硬件改造說(shuō)明,16,volte硬件最簡(jiǎn)單，單射頻芯片、基帶不需支持cdma svlte硬件最復(fù)雜，雙射頻芯片，基帶需支持cdma,不同語(yǔ)言方案lte終端硬件邏輯圖,lte/cdma終端語(yǔ)音方案 lte/cdma終端數(shù)據(jù)方案 lte終端方案 lte終端芯片平臺(tái)方案,ehrpd是lte和evdo互通的橋梁,page 19,lte/cdma終端語(yǔ)音方案 lte/cdma終端數(shù)據(jù)方案 lte終端方案 lte終端芯片平臺(tái)方案,page 20,中國(guó)電信lte終端要求：手機(jī),模式： 2000元以上：5模7頻，t+f+c+w+g，wcdma和gsm用于國(guó)際漫游 2000元以下：4模6頻， t+f+c+g， gsm用于國(guó)際漫游,頻段：,語(yǔ)音方案： svlte或srlte,page 21,中國(guó)電信lte終端要求：手機(jī),卡槽： 單卡手機(jī)或雙卡手機(jī)卡槽一尺寸要求為3ff，即 iphone 4s使用卡的大小 單卡手機(jī)或雙卡手機(jī)卡槽一鎖定中國(guó)電信卡 雙卡手機(jī)卡2不鎖卡，支持gprs數(shù)據(jù) 4g手機(jī)不要求兼容3g卡，插入3g卡要求提示用戶(hù)換卡。,國(guó)際漫游： 漫游使用wcdma或gsm 僅對(duì)不支持wcdma終端，在日韓地區(qū)要求支持cdma漫游 未來(lái)，考慮支持lte到gsm或wcdma的csfb,nfc： 必選支持,page 22,中國(guó)電信lte終端要求：mifi,模式： 5模7頻，t+f+c+w+g，wcdma和gsm用于國(guó)際漫游,頻段：,卡槽： 不鎖卡 不要求兼容3g卡,page 23,中國(guó)電信lte終端要求：數(shù)據(jù)卡,有線(xiàn)電腦接口：usb、pcmcia或minipci 卡槽： 不鎖卡 不要求兼容3g卡,模式： 3模4頻，t+f+c,頻段：,page 24,中國(guó)電信lte終端要求：cpe,cpe：customer premise equipment，客戶(hù)終端設(shè)備 中國(guó)電信4gcpe終端制式、頻段要求如下：,卡槽： 不鎖卡 不要求兼容3g卡,基帶芯片 gsm+lte/tds,用戶(hù)卡,天線(xiàn)開(kāi)關(guān),gsm 射頻芯片,lte/tds 射頻芯片,三家運(yùn)營(yíng)商的單卡終端方案,基帶芯片 lte/wcdma/gsm,lte/wcdma/gsm 射頻芯片,天線(xiàn)開(kāi)關(guān),用戶(hù)卡,用戶(hù)卡,基帶芯片 lte/td-scdma/gsm,lte/td/gsm 射頻芯片,基帶芯片 lte+cdma,用戶(hù)卡,天線(xiàn)開(kāi)關(guān),cdma 射頻芯片,lte 射頻芯片,天線(xiàn)開(kāi)關(guān),用戶(hù)卡,page 26,高通sv-lte終端平臺(tái)方案：?jiǎn)慰?sv-lte：lte和cdma雙待雙通。 左側(cè)射頻通路：lte 右側(cè)射頻通路：cdma 優(yōu)勢(shì)：cdma語(yǔ)音與lte數(shù)據(jù)雙通 劣勢(shì)：終端成本偏高,在國(guó)內(nèi)時(shí)，單卡終端實(shí)現(xiàn)cdma和lte雙待雙通。,page 27,高通sr-lte終端平臺(tái)方案：?jiǎn)慰?sr-lte：lte和cdma雙待單通。 射頻通路：lte或cdma，cdma優(yōu)先級(jí)高 優(yōu)勢(shì)：終端成本低 劣勢(shì)：cdma通話(huà)時(shí)無(wú)法使用lte，lte下載速率降低20%左右,在國(guó)內(nèi)時(shí)，單卡終端實(shí)現(xiàn)cdma和lte雙待雙通。,page 28,高通sv-lte終端平臺(tái)方案：雙卡,在國(guó)內(nèi)時(shí)，雙卡終端實(shí)現(xiàn)cdma、lte、gsm三待雙通，語(yǔ)音優(yōu)先。,基帶支持lte、cdma、gsm三待 兩套射頻最多支持雙通 左側(cè)射頻通路：gsm(卡2：異網(wǎng)卡)或lte(卡1：電信卡)，lte數(shù)據(jù)下載時(shí)監(jiān)聽(tīng)gsm，收到gsm尋呼切換至gsm 右側(cè)射頻通路：cdma(卡1：電信卡) 支持cdma+gsm雙通 支持cdma+lte雙通 支持evdo+gsm雙通,page 29,高通lte終端平臺(tái)方案總結(jié),單卡和雙卡終端在硬件上基本沒(méi)有區(qū)別，硬件成本差別不大 雙卡終端的lte數(shù)據(jù)性能由于射頻不斷監(jiān)聽(tīng)gsm尋呼有些許下降 由于語(yǔ)音優(yōu)先，雙卡終端在gsm和cdma同時(shí)通話(huà)時(shí)無(wú)法使用數(shù)據(jù)業(yè)務(wù),page 30,lte/cdma終端語(yǔ)音方案 lte/cdma終端數(shù)據(jù)方案 lte終端方案 lte終端芯片平臺(tái)方案,page 31,數(shù)據(jù)來(lái)源：isuppli,lte fdd基帶芯片市場(chǎng)份額（全球，2013 q3）,高通和三星占有l(wèi)te fdd基帶市場(chǎng)95%以上的市場(chǎng)份額。 高通市場(chǎng)占比超過(guò)75%，仍處于絕對(duì)領(lǐng)先地位。,page 32,數(shù)據(jù)來(lái)源：isuppli,lte tdd基帶芯片市場(chǎng)份額（全球，2013 q3）,lte tdd基帶芯片市場(chǎng)呈一大三小的格局，高通仍占主導(dǎo)地位。 展訊、marvell、海思三家約占市場(chǎng)50%的份額。,2核 1.2-1.4ghz lte fdd/tdd cat3 wcdma/gsm/td cdma 單卡,現(xiàn)有方案以高通方案為主，包括低端的8930、8930ab，高端的8960、8960pro、8974。 小s樣機(jī)以8930平臺(tái)為主，單卡設(shè)計(jì)，支持cdma+lte fdd的sv-lte。由于高通未提供基于8930、8960的qrd方案，因此只能有實(shí)力的廠(chǎng)商自行研發(fā)。 via+gct方案需要gct lte基帶、via cdma基帶、應(yīng)用處理器三顆芯片，成本較高。,2012 2013 q1 2013 q2 2013 q3 2013 q4,msm 8960,msm 8930,高檔 lte,中檔 lte,入門(mén)lte,lte終端芯片平臺(tái)方案：現(xiàn)有方案,msm 8930ab,msm 8974,單核ap,2核 1.5ghz lte fdd/tdd cat3 wcdma/gsm/td cdma 單卡,2核 1.7ghz lte fdd/tdd cat3 wcdma/gsm/td cdma 單卡,4核 2.2ghz lte fdd/tdd cat4 wcdma/gsm/td cdma 單卡,2核 1.7ghz lte fdd/tdd cat3 wcdma/gsm/td cdma 單卡,芯片上市,重點(diǎn)方案,2核 1.2-1.4ghz lte fdd/tdd cat3 wcdma/gsm/td cdma 單卡,page 34,2012年 2013 q3 2013 q4 2014 q1 2014 q2 2014 q3 2014 q4,msm 8960/pro,msm 8930,msm 8930ab,重點(diǎn)方案,lte終端芯片平臺(tái)方案：高通方案,高通2013年q4后推出的lte芯片均支持cdma+gsm雙待雙通，wcdma(gsm)+gsm雙待雙通 高通2013年q4后退出的lte芯片均為4核，支持lte cat4，即fdd最大速率150/50mbps 高通在中低端lte芯片8926/8928上開(kāi)發(fā)qrd方案。11底cs fdd的sv-lte方案（該版本無(wú)法升級(jí))，2014年2月中cs tdd的sv-lte方案，3月中cs fdd的sv-lte方案，4月cs雙卡sv-lte方案。,高檔 lte,中檔 lte,入門(mén)lte,2核 1.5-1.7ghz lte fdd/tdd cat3 wcdma/gsm/td cdma 單卡,4核 2.2ghz lte fdd/tdd cat4 wcdma/gsm/td cdma 單卡,2核 1.7ghz lte fdd/tdd cat3 wcdma/gsm/td cdma 單卡,4核 1.4-1.6ghz lte fdd/tdd cat4 wcdma/gsm/td cdma cdma+gsm dsda,20nm 4 core lte cat7 gsm+cdma dsda,4核 1.2ghz lte fdd/tdd cat4 wcdma/gsm/td cdma cdma+gsm dsda,cortex a53 4*1.2ghz lte fdd/tdd cat4 wcdma/gsm/td cdma sr-lte、c+g dsds,page 35,lte fdd lte tdd cdma gsm 2*a12+4*a7,應(yīng)用處理器,應(yīng)用處理器,重點(diǎn)方案,lte終端芯片平臺(tái)方案：非高通方案,非高通lte終端方案由威盛cdma基帶+lte基帶+應(yīng)用處理器組成，主要通過(guò)三芯片或雙芯片實(shí)現(xiàn)。 目前已上市三星方案和gct方案，分別用在三星手機(jī)和宇龍手機(jī)上