1+X集成電路理論考試模擬題（含參考答案）一、單選題（共39題，每題1分，共39分）1.“5s”中第4個s是（）。A、整頓B、清掃C、清潔D、安全正確答案：C答案解析：“5S”中第1個S是整理，第2個S是整頓，第3個S是清掃，第4個S是清潔，第5個S是修養。2.通常情況下，一個內盒中裝入的DIP管裝芯片()顆。A、3000B、1000C、5000D、2000正確答案：D答案解析：一般情況下，一個內盒中裝入的DIP管裝芯片2000顆。3.當測壓手臂未吸起芯片，經檢查有芯片在入料梭上后，需按“()”鍵繼續吸取一次。A、SKIPB、RESTARTC、RETRYD、STOP正確答案：C答案解析：當測壓手臂未吸起芯片，經檢查有芯片在入料梭上后，需按“RETRY”鍵繼續吸取一次。4.若遇到需要編帶的芯片，在測試完成后的操作是()。A、測試B、上料C、編帶D、外觀檢查正確答案：C答案解析：轉塔式分選機的操作步驟一般為：上料→測試→編帶→外觀檢查→真空包裝。5.在半自動探針臺進行扎針調試時，當針尖懸于待測點上方，先調節()旋鈕。A、X軸B、Y軸C、Z軸D、X-Y-Z微調正確答案：B答案解析：在半自動探針臺上進行扎針調試時，當針尖懸于待測點上方，先用Y軸旋鈕將探針退后少許，再用Z軸旋鈕下針，最后用X軸旋鈕。6.晶圓切割的作用是（）。A、對晶圓邊緣進行修正B、將完整的晶圓分割成單獨的晶粒C、在完整的晶圓上劃出切割道的痕跡，方便后續晶粒的分離D、切除電氣性能不良的晶粒正確答案：B答案解析：晶圓切割將整片晶圓切割成一顆顆獨立的晶粒，用于后續集成電路的制造。7.對準和曝光過程中，套準精度是指形成的圖形層與前層的最大相對位移大約是關鍵尺寸的（）。A、二分之一B、三分之一C、四分之一D、五分之一正確答案：B答案解析：版圖套準過程有了對準規范，也就是常說的套準容差或套準精度。具體是指要形成的圖形層與前層的最大相對位移。一般而言大約是關鍵尺寸的三分之一。8.窄間距小外形封裝的英文簡稱為（）。A、SIPB、SOPC、SSOPD、QFP正確答案：C答案解析：SIP-單列直插式封裝；SOP-小外形封裝；SSOP-窄間距小外形封裝；QFP-四側引腳扁平封裝。9.探針臺上的()處于()狀態時不能進行其他操作，容易引起探針臺死機，導致晶圓撞擊探針測試卡。A、紅色指示燈、亮燈B、指示燈、亮燈C、綠色指示燈、亮燈D、紅色指示燈、滅燈正確答案：B答案解析：探針臺上的指示燈處于亮燈狀態時不能進行其他操作，容易引起探針臺死機，導致晶圓撞擊探針測試卡。其中紅色指示燈表示下降，綠色指示燈表示上升，當至少有一盞指示燈處于亮燈狀態時不能進行其他操作。10.轉塔式分選機常見故障不包括（）。A、真空吸嘴無芯片B、測試卡與測試機調用的測試程序錯誤C、料軌堵塞D、IC定位錯誤正確答案：D11.分選機選擇依據是（）。A、芯片的應用等級B、芯片封裝類型C、芯片的電氣特性D、芯片的管腳數量正確答案：B12.芯片粘接過程中點銀漿之后進入（）步驟。A、框架上料B、芯片拾取C、框架收料D、銀漿固化正確答案：B答案解析：芯片粘接流程為：放置引線框架和晶圓→參數設置→框架上料→點銀漿→芯片拾取→框架收料→銀漿固化（烘烤箱內進行）。13.()即方形扁平無引腳封裝，表面貼裝型封裝之一。現在多稱為LCC。封裝四側配置有電極觸點。A、QFNB、QFPC、LGAD、DIP正確答案：A答案解析：QFN即方形扁平無引腳封裝，表面貼裝型封裝之一。現在多稱為LCC。封裝四側配置有電極觸點，由于無引腳，貼裝占有面積比QFP小，高度比QFP低。14.扎針測試時，完成晶圓信息的輸入后，需要核對()上的信息，確保三者的信息一致。A、MAP圖、測試機操作界面、晶圓測試隨件單B、MAP圖、探針臺界面、晶圓測試隨件單C、MAP圖、軟件檢測程序、晶圓測試隨件單D、MAP圖、軟件版本、晶圓測試隨件單正確答案：A答案解析：扎針測試時，完成測試機操作界面的晶圓信息輸入后，需要核對MAP圖、測試機操作界面、晶圓測試隨件單上的信息，確保三者的信息一致。15.激光打標文本內容和格式設置好之后，需要（）。A、選擇打標文檔B、點擊保存按鈕C、點擊開始打標按鈕D、調整光具位置正確答案：B答案解析：打標文本內容編輯好后點擊“保存”即可，然后開始調整光具位置準備打標。16.在光刻過程中，完成涂膠后需要進行質量評估，以下不屬于涂膠質量評估時，光刻膠覆蓋硅片的質量缺陷的是（）。A、光刻膠脫落B、光刻膠中有針孔C、光刻膠起皮D、光刻膠的回濺正確答案：A17.PE板函數：_set_drvpin()函數原形：void_set_drvpin(char*logic，unsignedintPin，...)；函數功能：設置輸出（驅動）管腳的邏輯狀態；參數說明：*logic——邏輯標志（“H”，“L”），H：高電平，L：低電平，pin，...——管腳序列（1，2，3，…64），管腳序列要以0結尾；現設定PIN1，3，5輸出高電平，實例代碼為：（）。A、_sel_drv_pin(“H”，1，3，5，0)；B、_sel_drv_pin(“L”，1，3，5，1)；C、_sel_drv_pin(“H”，1，5，3，0)；D、_sel_drv_pin(“L”，1，5，3，1)；正確答案：A18.風淋的作用是（）。A、清除進入車間的人或物體表面的灰塵B、檢測進入車間人員的體重與生態狀況C、降低人體衣物表面的溫度D、使衣物保持潔凈、平整正確答案：A答案解析：風淋的操作是針對芯片處于裸露狀態工藝的車間設計的，其目的是為了清除進入車間的人或物體表面的灰塵，保證車間內的無塵環境不被破壞。19.金屬鎢在集成電路中通常用于（）。A、填充塞B、金屬連線C、阻擋層D、焊接層正確答案：A答案解析：金屬鎢在集成電路中通常用于鎢填充塞。20.裝片機上料區上料時，是將（）的引線框架傳送到進料槽。A、最頂層B、最底層C、任意位置D、中間層正確答案：B21.以全自動探針臺為例，關于上片的步驟，下列所述正確的是：()。A、打開蓋子→花籃放置→花籃下降→花籃到位→花籃固定→合上蓋子B、打開蓋子→花籃放置→花籃到位→花籃下降→花籃固定→合上蓋子C、打開蓋子→花籃放置→花籃下降→花籃固定→花籃到位→合上蓋子D、打開蓋子→花籃放置→花籃固定→花籃下降→花籃到位→合上蓋子正確答案：D答案解析：以全自動探針臺為例，上片的步驟為：打開蓋子→花籃放置→花籃固定→花籃下降→花籃到位→合上蓋子。22.晶圓檢測工藝中，在進行上片之前需要進行()操作。A、導片B、加溫、扎針調試C、扎針測試D、打點正確答案：A答案解析：晶圓檢測工藝流程：導片→上片→加溫、扎針調試→扎針測試→打點→烘烤→外檢→真空入庫。23.載帶的預留長度一般是()。A、50-70cmB、70-90cmC、30-50cmD、10-30cm正確答案：A24.請根據下列圖片判斷哪幅圖片是合格針跡？（）A、圖片B、圖片C、圖片D、圖片正確答案：A25.SOP封裝的芯片因其體積小等特點，一般采用()。A、料盤包裝B、編帶包裝C、料管包裝D、散裝正確答案：B答案解析：SOP封裝的芯片因其體積小等特點，一般采用編帶包裝。26.轉塔式分選機設備芯片檢測工藝流程中，上料之后的環節是()。A、測試B、分選C、編帶D、外觀檢查正確答案：A答案解析：轉塔式分選機設備芯片檢測工藝的操作步驟一般為：上料→測試→編帶→外觀檢查→真空包裝。27.()是使硅片上的局部區域達到平坦化。A、平滑處理B、部分平坦化C、局部平坦化D、全局平坦化正確答案：C答案解析：局部平坦化是將硅片表面局部進行平坦化處理，使其達到較高的平整度。28.在cadence軟件中可以按先后次序保存（）個命令在系統中，一旦超出將不會執行。A、7B、10C、5D、3正確答案：C29.先進的平坦化技術有()。A、反刻法B、高溫回流法C、旋涂玻璃法D、化學機械拋光法正確答案：D答案解析：反刻法、高溫回流法、旋涂玻璃法屬于傳統平坦化技術,化學機械拋光法屬于先進平坦化技術。30.使用轉塔式分選設備進行芯片測試時，其測試環節的流程正確的是（）。A、測前光檢→測后光檢→測試→芯片分選B、測前光檢→測后光檢→芯片分選→測試C、測前光檢→測試→測后光檢→芯片分選D、芯片分選→測前光檢→測后光檢→測試正確答案：C31.引線鍵合機內完成鍵合的框架送至出料口的引線框架盒內，引線框架盒每接收完一個引線框架會（）。A、保持不動B、自動上移一定位置C、自動下移一定位置D、自動后移一定位置正確答案：C答案解析：完成引線鍵合的框架由傳輸裝置送進出料口的引線框架盒內。框架盒每接收完一個引線框架，自動下移一定位置，等待接收下一個引線框架。32.單晶硅生長完成后，需要進行質量檢驗，其中熱探針法可以測量單晶硅的（）參數。A、電阻率B、少數載流子壽命C、導電類型D、直徑正確答案：C33.晶圓檢測工藝中，在進行打點之前，需要進行的操作是()。A、外檢B、扎針調試C、打點D、扎針測試正確答案：D答案解析：晶圓檢測工藝流程：導片→上片→加溫、扎針調試→扎針測試→打點→烘烤→外檢→真空入庫。34.通常一個花籃中最多裝（）片晶圓。A、30B、25C、20D、15正確答案：B35.編帶檢查完后，需要以最小內盒數為單位拆批打印標簽，一式()份。A、1B、2C、3D、4正確答案：C答案解析：編帶檢查完后，需要以最小內盒數為單位拆批打印標簽，一式三份。36.轉塔式分選機日常維護包括（）。A、不易保養的部位進行拆卸檢查B、更換磨損部件C、緊固螺絲，電氣電路的檢查D、ABC選項都包括正確答案：D37.打開安裝好的keil軟件，點擊工具欄“魔術棒”按鈕，點擊（）選項，選擇目標芯片。A、TargetB、C/C++C、DebugD、Device正確答案：D38.平移式分選機進行芯片分選時，吸嘴從()上吸取芯片。A、收料盤B、待測料盤C、入料梭D、出料梭正確答案：D答案解析：平移式分選機進行芯片分選時，吸嘴從出料梭上吸取芯片。39.料盤檢查完后，需要以最小內盒數為單位拆批打印標簽，一式()份。A、1B、2C、3D、4正確答案：B答案解析：料盤檢查完后，需要以最小內盒數為單位拆批打印標簽，一式兩份。二、多選題（共26題，每題1分，共26分）1.以下刻蝕方法中，不屬于各向同性的刻蝕是（）。A、濕法刻蝕B、濺射刻蝕C、等離子體刻蝕D、反應離子刻蝕正確答案：BD答案解析：濕法刻蝕和等離子體刻蝕是各向同性的，濺射刻蝕和反應離子刻蝕屬于各向異性。2.輔助運放測試法的注意事項包括以下哪些（）。A、電阻為的平衡電阻（減少輸入電流對測量的影響），所以和需精密配對B、與的精度決定測試精度C、測量時被測運放應在指定條件（依據芯片數據手冊要求）下工作D、被測芯片的失調電壓不超過幾毫伏正確答案：ABC3.在單片機程序裝載中，使用SW串口下載程序需注意（）。A、需要在魔法棒按鈕的debug中選setting設置地址范圍B、需要在魔法棒按鈕的outout中設置生成batch文件C、需要在魔法棒按鈕的debug中選擇sw串口而不是j-linkD、需要在魔法棒按鈕的output中設置生成hex文件正確答案：AB4.平移式分選機的分選機構主要由()組成。A、出料梭B、吸嘴C、料盤D、收料架正確答案：ABCD答案解析：平移式分選機的分選機構主要由出料梭、吸嘴、料盤、收料架組成。5.LK32T102單片機編寫程序并燒錄的過程中可能會用到的軟件有（）。A、Keil-mdkB、VC++C、串口助手D、Matlab正確答案：AC6.在原理圖編輯器內，執行Tools→FootprintManager命令，顯示封裝管理對話框，在該對話框的元件列表（ComponeneList）區域，顯示原理圖內的所有元件，鼠標選擇每一個元件可以（）當前選中元件的封裝。A、添加B、刪除C、編輯D、復制正確答案：ABC7.探針卡焊接沒到位的情況有（）。A、探針卡針焊不到位。B、探針卡布線斷線或短路。C、背面有突起物，焊錫線頭。D、基板上銅箔剝落，針焊接不牢固，或焊錫沒有焊好而造成針虛焊。正確答案：ABCD8.在使用信號發生器的注意事項包括（）。A、示波器探頭接入時，宜用力接入，避免接插端口松動B、注意儀器通道接口靜電防護C、嚴格限制接入信號幅度，有大信號接入示波器時,需要先預估信號電平,并選用合適的衰減器對信號進行衰減,防止大信號燒毀示波器輸入通道D、注意使用環境，避免在灰塵過大環境使用設備正確答案：BCD9.5mil的墨管常用于（）的晶圓。A、6英寸B、12英寸C、8英寸D、5英寸正確答案：AD10.塑封工序需要的設備有（）。A、裝片機B、轉塔式分選機C、顯微鏡D、排片機E、高頻預熱機F、注塑機正確答案：DEF答案解析：裝片機-芯片粘接工序；轉塔式分選機-芯片檢測工藝；顯微鏡-第二道光檢和第三道光檢；排片機、高頻預熱機、注塑機-塑封工藝。11.集成電路的品種很多，總的可分為（）。A、模擬電路B、數字電路C、數模混合電路D、單獨元器件的單元電路正確答案：ABC12.以下屬于抽真空質量不合格的情況的是()。（多選題）A、防靜電鋁箔袋破損B、防靜電鋁箔袋褶皺C、防靜電鋁箔袋周邊存在空氣殘留D、防靜電鋁箔袋外形整齊正確答案：ABC答案解析：如果發現真空包裝好的卷盤不整齊或不光滑，有彎曲、變形現象或鋁箔袋周邊存在明顯的空氣殘留、褶皺、破損等現象，需要重新抽真空。13.在8個LED燈閃爍實驗中“PB->OUT=0xff00;”表示（）。A、PB0~PB7為輸出B、PB8~PB15為輸出C、輸出高電平，點亮LED燈D、輸出低電平，點亮LED燈正確答案：AD14.在薄膜制備的過程中，需要檢驗薄膜的質量，以下屬于氧化層表面缺陷的是（）。A、白霧B、斑點C、層錯D、針孔正確答案：AB15.ESD防靜電門禁支持（）的靜電測試。A、手指B、手掌C、左腳D、右腳E、人臉正確答案：ACD答案解析：ESD防靜電門禁支持左右腳和手指靜電測試。16.在繪制總體電路圖的過程中，對電路圖的要求是（）。A、清楚地反映出電路的組成B、反映出電路的工作原理C、表現出各個信號的流向D、表現出電路各部分的關系正確答案：ABCD17.封裝工藝中，電鍍的主要目的是增強暴露在塑封體外面的引線的（）。A、耐高溫能力B、抗氧化性C、抗蝕性D、防水性正確答案：BC18.晶圓檢測過程中，若其車間內潔凈度不達標，則可能會導致（）。A、測試良率降低B、探針測試卡上出現異物C、探針測試卡報廢D、晶圓報廢正確答案：ABCD答案解析：當車間潔凈度不達標時生產中電路質量和設備將受到影響。比如在晶圓檢測過程中，可能會使探針測試卡上出現異物，嚴重時會導致探針測試卡損毀、晶圓報廢，因此導致測試良率降低、測試不穩定，帶來巨大損失，故A、B、C、D均正確。19.下列描述正確的是（）。A、開環增益越大越好B、共模抑制比越大越好C、靜態電源電流越大越好D、輸入失調電壓越大越好正確答案：AB20.以下是晶圓扎針測試完成后，對于不合格的管芯完成的打點圖，請選擇合格打點的管芯（）。A、圖片B、圖片C、圖片D、圖片正確答案：AB21.單晶硅生長過程中，無位錯正常生長的標志有()、()。A、晶棱隨細頸轉為寬平B、有反光或細頸某一側向外鼓起C、長出規定尺寸的細頸D、界面出現抖動的光圈正確答案：AB答案解析：晶棱隨細頸縮小轉為寬平，并可見有反光或細頸某一側面向外鼓起，這都是無位錯單晶正常生長的標志。長出規定尺寸的細頸是縮頸這一過程。界面出現抖動的光圈是在引晶的過程中，籽晶與多晶硅液面熔接后會出現的情況，熔接后出現抖動的光圈說明溫度太高。22.編帶由()和()組成。A、載帶B、蓋帶C、塑料帶D、薄膜正確答案：AB答案解析：編帶由蓋帶和載帶組成，將待編芯片放入載帶內，再對載帶上的蓋帶進行熱封，防止芯片散落。23.下列有關輸出高低電平測試描述正確的是（）。A、測量VOL時測試機向被測芯片輸出管腳施加正電流B、測量VOH時測試機向被測芯片輸出管腳施加正電流C、測量VOL時測試機向被測芯片輸出管腳施加負電流D、測量VOH時測試機向被測芯片輸出管腳施加負電流正確答案：AD24.封裝工藝前期的晶圓研磨的主要目的是（）和（）。A、減小晶圓體積，節省空間B、提高晶圓散熱性C、降低后續工藝中的設備損害和原料成本D、使晶圓表面保持光滑規整正確答案：BC答案解析：晶圓磨片后不僅可以提高晶圓散熱性，而且可以降低對切割機造成的損害以及降低引線鍵合和塑料封裝過程中原材料成本。25.進入風淋室之前，要確定（）后，在進入。A、風淋室內部無人B、身上無灰塵C、風淋室運行正常D、腳上無鞋子正確答案：AC答案解析：進入風淋室前，確認風淋室內無人且運行正常后，打開風淋室外門，進入其內，進行風淋除塵，此時穿有無塵鞋。26.去飛邊的工藝方法有（）。A、水去飛邊B、等離子體去飛邊C、介質去飛邊D、溶劑去飛邊正確答案：ACD三、判斷題（共35題，每題1分，共35分）1.抽真空操作時，可以不用踩真空包裝機的踏板。A、正確B、錯誤正確答案：B答案解析：抽真空時，腳踩踏板進行抽真空操作。2.經轉塔式分選機測試的芯片都需要進行編帶。A、正確B、錯誤正確答案：B答案解析：TO封裝的芯片不需要進行編帶。3.以全自動探針臺為例，在上片過程中，需注意花籃位置放置準確，否則有可能導致晶圓探針錯位、破片。A、正確B、錯誤正確答案：A4.作為與加工線之間的接口文件，制版文件主要內容包括芯片的基本信息和工藝層次等。A、正確B、錯誤正確答案：A5.無鉛電鍍是在暴露于塑封體外部的引線框架表面鍍上濃度高于95.99%的高濃度錫，采用無鉛電鍍主要是因為其生產成本相對較低。A、正確B、錯誤正確答案：B答案解析：無鉛電鍍采用的錫濃度高于99.95%，采用無鉛電鍍主要是為了減少鉛對環境的污染。6.使用并行測試的重力式分選設備進行芯片測試時，只能選擇2sites進行測試。A、正確B、錯誤正確答案：B7.由于電源線、地線非常重要，因此可以盡量增加它們的寬度，以避免電壓降和電遷移問題。A、正確B、錯誤正確答案：A8.進入芯片檢測車間前需要換上無塵衣、發罩等。A、正確B、錯誤正確答案：B答案解析：芯片檢測工藝通常在常規千級無塵車間內進行，進入車間前穿戴防靜電服和發罩即可，無需穿無塵衣。9.對晶圓的背面也需要進行外觀檢查，檢查是否有沾污、受損等情況。A、正確B、錯誤正確答案：A10.氮化硅薄膜作為集成電路芯片的鈍化保護層，可以保護芯片避免劃傷，降低芯片對外界環境的敏感性。A、正確B、錯誤正確答案：A11.外驗和外觀檢查是同一個部門，為了保證外檢的合格率，需要進行抽檢。A、正確B、錯誤正確答案：B答案解析：由于外驗和外觀檢查是由兩個部門完成的，進行外驗一是根據隨件單信息與實物進行核對并進行抽檢，二是為了對前面的工序進行驗證。12.防靜電點檢在刷員工上崗證時，需要站在地上保持接，身份證通過后，開始檢測靜電。A、正確B、錯誤正確答案：B答案解析：防靜電點檢時，雙腳站在防靜電測試儀指定位置，在刷卡位置刷員工上崗證，此時系統會對人員身份進行自動識別。刷員工上崗證時，雙腳需要站在防靜電測試儀的指定位置，不能直接站在地上。13.編帶外觀檢查時，若發現該批次的不良品率超標，則將該批次的芯片全部報廢。A、正確B、錯誤正確答案：B答案解析：編帶外觀檢查采用抽檢的方式，若本次不良品率超標，則需要對整批芯片進行外觀檢查。14.晶圓具有各向異性特點，切片時要按照一定的方向進行。A、正確B、錯誤正確答案：A答案解析：晶圓具有各向異性的特點，切片時要按照一定的方向進行，晶圓才能滿足集成電路的需求，而且也不易破片。15.光刻過程中，如果涂膠不好，特別是HMDS涂得不好，膠與硅片粘附性差，會造成局部區域的膠脫落，導致圖形不完整。A、正確B、錯誤正確答案：A16.在將原理圖信息導入到新的PCB之前，請確保所有與原理圖和PCB相關的庫都是可用的。A、正確B、錯誤正確答案：A17.封裝工藝中，激光打標可以留下永久性標記。A、正確B、錯誤正確答案：A18.CMOS集成電路制作工藝中，P阱是用于制作PMOS管的。A、正確B、錯誤正確答案：B19.進行編帶外觀檢查時，需要用周轉盤將檢查好的編帶進行回卷。A、正確B、錯誤正確答案：A20.完成二氧化硅薄膜的制備后，需要對薄膜厚度進行檢測