ICS23160

CCSJ7.8

團體標準

T/CIE132—2022

磁控濺射設備薄膜精度測試方法

Testmethodsforthinfilmthicknessofmagnetronsputteringequipment

2022-08-10發布2022-08-10實施

中國電子學會發布

中國標準出版社出版

T/CIE132—2022

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規范性引用文件

2…………………………1

術語和定義

3………………1

測試方法

4…………………2

設備基本條件測試

4.1…………………2

鍍膜精度測試

4.2………………………3

Ⅰ

T/CIE132—2022

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規則的規定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由中國電子學會提出并歸口

。

本文件起草單位北京航空航天大學合肥致真精密設備有限公司合肥致真智能裝備有限公司

:、、、

北京維開科技有限公司北京北方華創微電子裝備有限公司致真存儲北京科技有限公司深圳亙存

、、()、

科技有限責任公司

。

本文件主要起草人趙巍勝張博宇程厚義彭守仲許涌

:、、、SylvainEIMER、、、PierreVALLOBRA、

王子路姚宇暄許人友葛繼堯杜寅昌杜鴻基李殿浦楊玉杰王戈飛劉宏喜郭瑋何帆

、、、、、、、、、、、。

Ⅲ

T/CIE132—2022

磁控濺射設備薄膜精度測試方法

1范圍

本文件規定了磁控濺射設備薄膜精度的測試方法測試原理被測件測試環境和測試程序等

,,,。

本文件適用于磁控濺射設備沉積薄膜精度的驗證

。

2規范性引用文件

本文件沒有規范性引用文件

。

3術語和定義

下列術語和定義適用于本文件

。

31

.

磁控濺射magnetronsputtering

利用電場和磁場束縛等離子體并通過來自等離子體的高能量離子將靶材原子撞擊出來的技術

,。

注該技術具有沉積速度高基片溫升低和薄膜損傷小的優點

:、。

32

.

薄膜thinfilms

一般按是否可以獨立存在分為兩種本文件所述的是可以依附于其他物體表面的二維體系其厚度

,,

通常為納米量級

。

33

.

真空鍍膜vacuumcoating

通過真空泵使封閉腔體達到真空狀態而后將膜材氣化并沉積到固體襯底上形成薄膜的技術

,。

34

.

真空度vacuumdegree

低于一個大氣壓的氣體狀態與大氣狀態相比分子的密度較為稀薄分子之間碰撞的幾率更

。,,

低氣體分子從一次碰撞到下一次碰撞所飛行的距離即分子的平均自由程更長

,,。

35

.

磁控濺射陰極magnetronsputteringcathode

是磁控濺射設備的重要配件內置磁鐵組件水冷組件饋電組件絕緣組件和靶材固定組件等

。、、、。

注也稱靶槍

:。

36

.

磁隧道結magnetictunneljunctionMTJ

;

為磁隨機存儲器的基本存儲單元它的核心部分是由兩個鐵磁金屬層夾著一個隧穿勢壘層而形成

。

的三明治結構