標準解讀
《T/CIE 121-2021 逆導型IGBT的熱阻測試方法》是一項由中國電子學會(CIE)發布的團體標準,旨在規范逆導型絕緣柵雙極型晶體管(RC-IGBT)的熱阻測試流程與方法。該標準詳細描述了如何準確測量和評估RC-IGBT器件在運行過程中產生的熱量以及其散熱性能,這對于確保電力電子設備的安全性和可靠性至關重要。
根據此標準,首先定義了幾個關鍵術語,包括但不限于“結溫”、“殼溫”、“熱阻”,這些概念對于理解整個測試過程非常重要。其中,“熱阻”是指從半導體芯片到散熱器或環境之間傳遞單位功率時溫度升高的度量值,它是評價器件散熱能力的一個重要參數。
標準中還規定了進行熱阻測試所需的基本條件,比如環境溫度、濕度等,并且明確了測試設備的要求,如必須使用精度高、穩定性好的溫度傳感器來監測不同位置的溫度變化。此外,還提供了詳細的實驗步驟說明,包括預處理階段如何準備樣品、如何連接測試儀器以及具體的數據采集方法等。
對于數據處理部分,《T/CIE 121-2021》給出了計算公式及圖表制作指南,幫助工程師們能夠基于所獲得的原始數據計算出準確的熱阻值,并通過繪制曲線圖等方式直觀展示結果。同時,也強調了重復性和再現性的重要性,要求每個測試至少需要執行三次以保證結果的有效性和可靠性。
最后,該標準還討論了一些可能影響測試結果的因素,例如接觸不良、電源波動等,并提出了相應的解決措施,為從事相關工作的技術人員提供了寶貴的參考信息。
如需獲取更多詳盡信息,請直接參考下方經官方授權發布的權威標準文檔。
....
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- 現行
- 正在執行有效
- 2021-11-22 頒布
- 2022-02-01 實施





文檔簡介
ICS3108001
CCSL.40.
團體標準
T/CIE121—2021
逆導型IGBT的熱阻測試方法
TechnicalmethodforthermalresistancetestofreverseconductingIGBT
RC-IGBT
()
2021-11-22發布2022-02-01實施
中國電子學會發布
中國標準出版社出版
T/CIE121—2021
目次
前言
…………………………Ⅲ
引言
…………………………Ⅳ
范圍
1………………………1
規范性引用文件
2…………………………1
術語和定義
3………………1
測試系統
4…………………2
通則
4.1…………………2
熱電偶
4.2………………2
測試電路
4.3……………2
測試電路要求
4.4………………………3
恒溫平臺
4.5……………3
K系數校準裝置
4.6……………………3
測試條件
5…………………3
加熱電流
5.1……………3
加熱電壓
5.2……………3
測試電流
5.3……………3
測試時序
5.4……………4
測試延遲時間t
5.5(MD)…………………4
測試程序
6…………………5
基準點溫度
6.1…………………………5
K值的確定
6.2…………………………5
熱阻測試
6.3……………6
數據記錄
7…………………8
通則
7.1…………………8
產品詳細規范和測試報告中的數據
7.2………………8
測試報告中記錄的數據
7.3……………8
Ⅰ
T/CIE121—2021
前言
本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規則的規定
GB/T1.1—2020《1:》
起草
。
請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發布機構不承擔識別專利的責任
。。
本文件由中國電子學會可靠性分會提出并歸口
。
本文件起草單位工業和信息化部電子第五研究所電子科技大學北京工業大學中國振華集團永
:、、、
光電子有限公司西安衛光半導體有限公司
、。
本文件主要起草人陳媛來萍何小琦馮士維劉宇李彥鋒王嘉蓉田文燕孟繁新陳義強
:、、、、、、、、、、
付志偉賀志遠周斌劉昌
、、、。
Ⅲ
T/CIE121—2021
引言
對于新型逆導型器件在同一個芯片中集成了和續流二極管在導通初期的小電流情
IGBT(IGBT)
況下集電極和發射極電壓V隨電流增加迅速增大當大于特定值V時V會突然陡降電流密度
,(CE),p,CE,
則陡增I-V特性曲線上出現一段負阻區這種現象稱為回跳現象如果電流繼續增加
,,(snap-back)。,
I-V曲線上還會出現一系列的小幅回跳現象由于回跳現象逆導型采用傳統電學法測量的熱
。,IGBT
阻并不準確現有標準采用小電流的集電極發射極電壓作為熱敏參數測量器件或模塊結殼熱阻由于
。-,
逆導型在小電流小電壓時處于回跳危險區無法準確測量逆導型的熱阻另外由于其內
IGBT,IGBT。,
部結構與傳統的不同測試時的噪聲參數高于標準值也會帶來較大的測量誤差因此本文件以
IGBT,。,
中體二極管導通電壓為熱敏參數建立適用于逆導型器件的熱阻測試電路和方法規范逆
IGBT,IGBT,
導型的熱阻測試流程提高測試準確性
IGBT,。
Ⅳ
T/CIE121—2021
逆導型IGBT的熱阻測試方法
1范圍
本文件描述了逆導型絕緣柵雙極型晶體管器件以下簡稱器件的穩態熱阻和瞬態熱阻的
(IGBT)()
電學法測試的基本原理和方法
。
本文件適用于逆導型器件的熱阻測試
IGBT。
2規范性引用文件
下列文件中的內容通過文中的規范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文
。,
件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于
,;,()
本文件
。
半導體分立器件文字符號
GB/T11499
微電子器件試驗方法和程序
GJB548C
半導體分立器件試驗方法
GJB128A
3術語和定義
和中界定的以及下列術語和定義適用于本文件
GJB548C、GJB128AGB/T11499。
31
.
穩態熱阻steadystatethermalresistance
R
th
器件加熱時間足夠長在芯片發熱與管殼散熱達到熱平衡后結溫與參考點溫度差值與加熱功率
,,
之比
。
32
.
瞬態熱阻抗transientthermalimpedance
Z
th
器件加熱后在芯片發熱與管殼散熱尚未達到熱平衡時的熱阻為瞬態熱阻抗
,。
注由于器件芯片和底座熱時間常數的差異可以通過選擇加熱脈寬時間使之大于芯片而小于底座的時間常數進
:,
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