中國芯片國產(chǎn)化比例分析報告contents02二、分渠道國產(chǎn)化現(xiàn)狀分析0303三、主要挑戰(zhàn)0404四、未來展望與建議0505五、結(jié)語mm,進(jìn)程特點(diǎn)分析發(fā)展趨勢與影響進(jìn)程特點(diǎn)分析發(fā)展趨勢與影響不同領(lǐng)域差異顯著不同領(lǐng)域差異顯著22PARTPART因技術(shù)、兼容性等問題滲透率低。應(yīng)用開發(fā)不足。手機(jī)主芯片手機(jī)主芯片國內(nèi)企業(yè)在中低端市場有一定份額，信號鏈/電源管理射頻模組射頻模組aao晶閘管/二極管二極管量產(chǎn)，車規(guī)級SiCMOSFET預(yù)計2024年進(jìn)入國產(chǎn)化元年，技術(shù)進(jìn)步快。國內(nèi)企業(yè)技術(shù)水平提升，但高端產(chǎn)品性能、可靠性差距大，需加大研發(fā)投入，提升產(chǎn)品質(zhì)磁/慣性傳感器磁/慣性傳感器02刻蝕/薄膜沉積北方華創(chuàng)、中微公司中端設(shè)備市場國產(chǎn)化率約40%，高端設(shè)備（如02刻蝕/薄膜沉積北方華創(chuàng)、中微公司中端設(shè)備市場國產(chǎn)化率約40%，高端設(shè)備（如EUV）仍空白，技術(shù)難度大。國內(nèi)企業(yè)技術(shù)水平提升，但高端產(chǎn)品性能、穩(wěn)定性差距大，需加大研發(fā)投入，提升產(chǎn)品競爭力。光刻機(jī)國內(nèi)企業(yè)面臨技術(shù)封鎖、專利訴訟研發(fā)03零部件03零部件33PARTPART高端制程7nm以下制程尚未突破，技術(shù)難度大，研發(fā)投入高，國內(nèi)企業(yè)面臨技術(shù)封鎖、專利壁壘。國際先進(jìn)制程技術(shù)領(lǐng)先，國內(nèi)企業(yè)需長期投入研發(fā)，提升技術(shù)水平，突破技術(shù)瓶頸。先進(jìn)封裝發(fā)投入高，國內(nèi)企業(yè)面臨技術(shù)封鎖、專利壁壘。先進(jìn)封裝對芯片性能提升至關(guān)重要，國內(nèi)企業(yè)需加大研發(fā)投入，提升技術(shù)水平。核心設(shè)備EUV光刻機(jī)等核心設(shè)備未國產(chǎn)化，技術(shù)難度大，研發(fā)投入高，國內(nèi)企業(yè)面臨技術(shù)封鎖、專利壁核心設(shè)備是芯片制造關(guān)鍵，國內(nèi)企業(yè)需加大研發(fā)投入，提升技術(shù)水平，實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化突破。設(shè)備零部件材料信任度低市場競爭國際競爭國際競爭技術(shù)封鎖44PARTPART加大研發(fā)補(bǔ)貼產(chǎn)業(yè)政策扶持加強(qiáng)產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟加強(qiáng)產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟擴(kuò)大民用市場滲透率加強(qiáng)應(yīng)用推廣吸引海外人才回流吸引