半導(dǎo)體器件模擬試題一半導(dǎo)體器件模擬試題一半導(dǎo)體器件模擬試題一7．P型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流于是_______。

A．電子B．空穴C．電荷D．電流5．半導(dǎo)體的導(dǎo)電才能在不同條件下有很大差異，假設(shè)_______導(dǎo)電才能會(huì)減弱A．摻雜非金屬元素B．增大光照C．降低環(huán)境溫度D．摻雜金屬元素C6．在PN結(jié)的兩端通過(guò)一塊電流表短接，回路中無(wú)其它電源，當(dāng)用光照射該半導(dǎo)體時(shí)，電流表的讀數(shù)是_______。

A．增大B．減小C．為零D．視光照強(qiáng)度而定B8．N型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流于是_______。

A．自由電子B．空穴C．電荷D．電流AC9．在晶體硅鍺中，參于導(dǎo)電的是_______。

A．離子B．自由電子C．空穴D．B和CD12．半導(dǎo)體的導(dǎo)電方式的最大特點(diǎn)是_______。

A．自由電子導(dǎo)電B．離子導(dǎo)電

C．空穴導(dǎo)電D．A和C10．關(guān)于P型半導(dǎo)體的以下說(shuō)法，錯(cuò)誤的選項(xiàng)是_______。A．在二極管中，由P型半導(dǎo)體引出的線是二極管的陽(yáng)極B．空穴是多數(shù)載流子C．在NPN型晶體管中，基區(qū)是P型半導(dǎo)體D．在純潔的硅晶體中摻入五價(jià)元素磷可形成P型半導(dǎo)體D11．關(guān)于N型半導(dǎo)體的以下說(shuō)法，錯(cuò)誤的選項(xiàng)是_______。A．自由電子是多數(shù)載流子B．在二極管中由N型半導(dǎo)體引出的線是二極管的陰極C．在純潔的硅晶體中摻入三價(jià)元素硼，可形成N型半導(dǎo)體D．在PNP型晶體管中，基區(qū)是N型半導(dǎo)體DC13．在半導(dǎo)體兩端加上外電壓時(shí)，半導(dǎo)體中出現(xiàn)的電流是____。

A．自由電子電流B．空穴電流

C．離子電流D．A和BD14．關(guān)于P型、N型半導(dǎo)體內(nèi)參與導(dǎo)電的粒子，以下說(shuō)法正確的選項(xiàng)是_______。A．無(wú)論是P型還是N型半導(dǎo)體，參與導(dǎo)電的都是自由電子和空穴B．P型半導(dǎo)體中只有空穴導(dǎo)電C．N型半導(dǎo)體中只有自由電子參與導(dǎo)電D．在半導(dǎo)體中有自由電子、空穴、離子參與導(dǎo)電A15．N型半導(dǎo)體中，主要靠_______導(dǎo)電，_______是少數(shù)載流子。

A．空穴／空穴B．空穴／自由電子

C．自由電子／空穴D．自由電子／自由電子C16．P型半導(dǎo)體中，主要靠_______導(dǎo)電，_______是少數(shù)載流子

A．空穴／空穴B．空穴／自由電子

C．自由電子／空穴D．自由電子／自由電子B17．以下PN結(jié)兩端的電位值，使PN結(jié)導(dǎo)通的是_______。A．P端接十5V，N端經(jīng)電阻接十7VB．N端接十2V，P端經(jīng)電阻接十7VC．P端接一3V，N端經(jīng)電阻接十7VD．P端接十1V，N端經(jīng)電阻接十6VB18．在半導(dǎo)體PN結(jié)兩端加_______就可使其導(dǎo)通

A．正向電子流B．正向電壓

C．反向電壓D．反向電子流B19．用萬(wàn)用表測(cè)二極管時(shí)，正反方向電阻都很大，說(shuō)明_

_。

A．管子正常B．管于短路C．管于斷路D．都不對(duì)C20．電路如圖4—1所示，設(shè)二極管正向壓降忽略不計(jì)，二極管處于_______狀態(tài)，電流表的讀數(shù)是_______。

A．導(dǎo)通／1．8AB．導(dǎo)通／0．6AC．截止／0．6AD．截止／0A21．電路如圖4—2所示，電壓表的讀數(shù)為_(kāi)______，二極管處________狀態(tài)。

A．18V／導(dǎo)通B．6V／導(dǎo)通

C．6V／截止D．0V／截止BC圖4－1圖4－222．電路如圖4—3所示，輸出電壓Uo等于_______。(設(shè)二極管的正向壓降為0．7V)A．12VB．0VC．0．7VD．11．3VB23．電路如圖4—4所示，設(shè)二極管正向壓降為0．7V，則輸出電壓U0=。A．12VB．0VC．0．7VD．11．3VD圖4－3圖4－424．關(guān)于二極管的功能，以下說(shuō)法錯(cuò)誤的選項(xiàng)是_______。A．整流B．濾波C．鉗位D．小范圍穩(wěn)壓B25．二極管加反向電壓時(shí)，形成很小的反向電流，在電壓不超過(guò)某一定范圍時(shí)，二極管的反向電流是_______。A．隨反向電壓的增加而減少B．隨反向電壓的增加而增大C．隨反向電壓的增加而根本不變D．隨反向電壓的減小而減小C26．二極管的反向電流隨著溫度的_________而________。A．升高／減小B．降低／減小C．升高／不變D．升高／根本不變B27．對(duì)于晶體二極管來(lái)說(shuō)，以下說(shuō)法錯(cuò)誤的選項(xiàng)是_______。A．正向電阻很小B．具有單向?qū)щ娦訡．正向電壓越大，流過(guò)二極管的電流越大D．無(wú)論加多大反向電壓都不會(huì)導(dǎo)通D28．關(guān)于二極管的反向電流，以下說(shuō)法錯(cuò)誤的選項(xiàng)是_______。A．反向電流隨溫度的上升而增長(zhǎng)很快B．在反向電壓不超過(guò)一定范圍時(shí)，反向電流根本不變C．在反向電壓不超過(guò)一定范圍時(shí)，反向電流與反向電壓的上下無(wú)關(guān)D．反向電流隨反向電壓的增加而增加D29．硅二極管導(dǎo)通時(shí)的正向壓降為_(kāi)______，死區(qū)電壓在常溫下為_(kāi)______。

A．0．5V／0．2VB．0．6—0．7V／0．2VC0．2—0．3V／0．2VD．0．6~0．7V／0．5VD31．如圖4—6所示電路，設(shè)輸入電壓ui＝10sin314t，E＝5V，二極管正向壓降忽略不計(jì)，則輸出電壓u0介于_______。A.0與10V之間B．一5V與10V之間C．十5V與十10V之間D．十10V與一5V之間5V30．如圖4—5所示電路，設(shè)輸入電壓ui為正弦電壓，ui=1sinoωtV，二極管的正向壓降為0．6V，則輸出電壓u0介于_______。A．0與＋6V之間B．一0．6V與＋0．6V之間C．一0．6V與0之間D．0與1V之間BC圖4－5圖4－632．對(duì)于晶體二極管來(lái)說(shuō)，以下說(shuō)法錯(cuò)誤的選項(xiàng)是________。A．正向電阻很小B．反向電阻很大C．無(wú)論加多大的反向電壓，都不會(huì)導(dǎo)通D．所加正向電壓大于死區(qū)電壓時(shí)，二極管才真正導(dǎo)通C33．用萬(wàn)用表歐姆擋測(cè)量二極管時(shí)，通常將量程選在______擋。

A．R×1ΩB．R×10ΩC．R×100ΩD．R×lokΩC34．穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓功能是利用_______特性實(shí)現(xiàn)的。

A．PN結(jié)的單向?qū)щ夿．PN結(jié)的反向擊穿

C．結(jié)電容使波形平滑D．PN結(jié)的正向?qū)˙35．穩(wěn)壓管在正常穩(wěn)壓工作區(qū)域里，它的電流幅度_______，而電壓_______。

A．變化很大／變化很小B．變化大／不變

C．變化小／變化很大D．變化小／不變通A36．穩(wěn)壓管在電路中作穩(wěn)壓時(shí)接法應(yīng)是_______。

A．陽(yáng)極接正，陰極接負(fù)B．陰極接正，陽(yáng)極接負(fù)

C．串接電阻后任意連接D．串電容后任意連接B37．穩(wěn)壓管作穩(wěn)壓工作時(shí)，其兩端應(yīng)加______。

A．正向電壓B．零電壓C．反向電壓D．A或BC38．晶體管有_______個(gè)PN結(jié)。

A．1B．2C．3D．4B39．晶體三極管中的“β〞參數(shù)是指_______。A．電壓放大系數(shù)B．電流放大系數(shù)C．功率放大系數(shù)D．集電極最大功耗40．晶體管具有放大作用主要表達(dá)在_______。A．電壓放大B．電流放大C．正向放大D．反向放大BB42．電路如固4—17所示，該輸入電壓ui＝12sin314tV．DZ為雙向限幅穩(wěn)壓管，其穩(wěn)定電壓UZ＝6V，則輸出電壓U0在_______之間。A．一12V與+6VB．+6V與+12VC．—12V與+12VD．-6V與+6V41．圖4—16所示電路中穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓值UZ＝5V，硅二極管正向壓降為0．7V，由圖可知U0＝_________。

A．20VB．10VC．5．7VD．1．4VCD圖16圖1745．測(cè)得某個(gè)NPN型晶體管E、B、C三個(gè)電極電位分別為0．4V、0．2V和1．5V可判斷該管處于________工作狀態(tài)。

A．完全截止B．完全導(dǎo)通C．線性放大D．飽和導(dǎo)通43．一晶體管的E、B、C三個(gè)極的電位分別為0．5V、1．2V、5.6V，此管工作于_______狀態(tài)，此管屬_______型。A．飽和／NPNB．放大／NPNC．飽和／PNPD．放大／PNPB44．測(cè)得某PNP型晶體管三個(gè)極的電位分別為Vc＝0．4V、VB＝1.5V、VE＝1．2V，可判斷該管工作于________狀態(tài)。

A．截止B．飽和導(dǎo)通C．線性放大D．非線性放大AA46．晶體管工作在什么狀態(tài)，取決于________。

A．負(fù)載大小B．電流放大系數(shù)的大小

C．電壓放大倍數(shù)的大小D．基極電流的大小D49．晶體管處于飽和狀態(tài)時(shí)，其集電結(jié)________偏，發(fā)射結(jié)________偏。

A．正／反B．反／正C．正／正D．反／反47．晶體管具有電流放大才能，而放大能源來(lái)自于放大電路中的_______。A．晶體管本身B．信號(hào)源C．負(fù)載輸入D．直流電源D48．晶體管具有放大作用時(shí)，它的集電結(jié)________偏，發(fā)射結(jié)________偏。

A．正／反B．反／正C．正／正D．反／反BC50．晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，其集電結(jié)________偏，發(fā)射結(jié)________偏。

A.正／反B．反／正C．正／正D．反／反D53．晶體管工作時(shí)，當(dāng)溫度升高其死區(qū)電壓________，輸入特性曲線________。

A．減小／右移B．減小／左移

C．增大／右移D．增大／左移51．NPN型三極管處于放大狀態(tài)時(shí)，三個(gè)極的電位關(guān)系為_(kāi)