μ- 兩臺工控電腦,DOS操作系統(tǒng)，主要負責測量數(shù)據(jù)的處理，機器動作的控制WINDOWS操作系統(tǒng)，wintau32操作軟件被二．微波光電導(dǎo)衰退法(Microwavephotoconductivitydecay)測試少子壽命，主要包括激光注入產(chǎn)生電子-空穴對和微波探測信號的變化這兩個過程。904nm的激光注入（對于硅，注入30um）產(chǎn)生電子-空穴對，導(dǎo)致樣品電導(dǎo)率的增加，當撤去外界光注入時，電μ-PCD測試的是少子有效壽命，它受兩個因素影響：體壽命和表面壽命。1

dd

diff

dππn,

τsurf=試壽命；dDn，Dp分別為電子和空穴的擴散系數(shù)；S1S1cm/s10cm/s1000μs數(shù)量級的體壽命，10cm/s或更小的情況下，對1000μs數(shù)量級高體壽命的樣品，測試壽命也能用來表示體壽命。LBICWT-2000LBIC4100um的LaserLaserBeamScatteredlightDirectreflectionLasercontrollerandlock-inSolarContact2：IQEQE LBIC

Ielectron/Iphoton其中RRecorderCalibrate/Flux菜單。LBIC頭將移直反射（directreflectance）統(tǒng)底端指定的位置，點擊Calibrate/directreflection并且依次輸入四種激光器常數(shù)(constantamplitude)34，輸入四種激光的偏差（offset）0。之后，直反射將自動校正。漫反射(scatteredrelectance)被定義,Calibrate/scatteredreflectionOK即可自動校正。SHRSHR探頭在中心有一個激光源，緊跟著有兩個同心圓環(huán)形電容電極，激光的頻率能被SHR信號并且它能向橫向擴散，內(nèi)外探頭獲取表面勢。材料的方塊電阻通過在兩 SHR

SHRSHRfunction\compensateSHR的真實值。functions\save,取文件名，保存較正文件。在晶體生長，加工或運輸過程中，F(xiàn)e是一種很容易沾污的金屬，－PCD能夠?qū)e的沾4所示。4FeBFeiSPVPCD這種大注入設(shè)備，F(xiàn)eBFei，在分解過程中，少子壽命升高，停止光照，F(xiàn)eiFeB，導(dǎo)致少子壽命降低并達到飽B濃度。這個過程5所示。5FeBFeB對分解前后的少子壽命，可通過式(3)Fe

=Cμ?PCD?

1? 其中：Cμ?PCD

?

aftermeasureinitializemeasure\options\loading下選擇樣品的形狀（wafershape）.參考面(orientedby)，找邊capacitanceconsolemeasure/loadsample上料。LBIC,要連接好金屬探針，（optical，微波（capacitance2.1)已Measure\waferfinderupcdLBIC,5．6．filesaveasfileexporthtml格式。windowspdf打印機，打印時點擊點擊Print/pdf即可。6：BoatFeBoatFe圖9：980nm405nm

10：IQE不要用手移動每天測量前，請用吸塵器清理設(shè)備中的贓物并用無塵布擦洗將機器為避免電腦中毒，最好不要用優(yōu)盤拷貝數(shù)據(jù)對于拋光過或表面特別均勻的腐蝕過，而且是表面沒有氧化層的樣片,5%HF