材料科學(xué)基礎(chǔ)II智慧樹知到期末考試答案+章節(jié)答案2024年山東大學(xué)固體中的質(zhì)點(diǎn)擴(kuò)散往往具有各向同性和擴(kuò)散速率低的特點(diǎn)。（）

答案:錯(cuò)定義一次、二次、三次軸為低次軸，四次和六次軸為高次軸。()

答案:錯(cuò)

答案:錯(cuò)實(shí)際上，純固相反應(yīng)難以進(jìn)行到底。（）

答案:對(duì)只有離子價(jià)相同時(shí)，才可能形成連續(xù)置換型固溶體。()

答案:錯(cuò)

答案:錯(cuò)凝聚系統(tǒng)中不含氣相或者氣相可以忽略。()

答案:對(duì)有濃度梯度、化學(xué)位梯度、應(yīng)力梯度或其它梯度存在的條件下，擴(kuò)散可以發(fā)生，擴(kuò)散的方向與梯度的方向一致。（）

答案:錯(cuò)擴(kuò)散是指物質(zhì)內(nèi)部由于熱運(yùn)動(dòng)而導(dǎo)致的原子或分子的可逆遷移過(guò)程。（）

答案:錯(cuò)瘠性料的穩(wěn)定性不好，所以控制其穩(wěn)定性和流動(dòng)性是制品成型的關(guān)鍵。（）

答案:錯(cuò)鋪展是潤(rùn)濕的最高標(biāo)準(zhǔn)，能鋪展則必能附著和浸漬。（）

答案:對(duì)固體的表面越粗糙，越容易潤(rùn)濕，可提高相互之間的結(jié)合能力。（）

答案:錯(cuò)自由度就是可以獨(dú)立變化的變量。()

答案:錯(cuò)單純提高燒結(jié)溫度對(duì)于得到致密的燒結(jié)體是十分有利的。（）

答案:錯(cuò)二次在結(jié)晶與晶粒生長(zhǎng)本質(zhì)相同，不過(guò)是晶粒的異常長(zhǎng)大。（）

答案:錯(cuò)燒結(jié)是把粉末狀物料轉(zhuǎn)變?yōu)橹旅荏w的過(guò)程。（）

答案:對(duì)

答案:錯(cuò)金屬與陶瓷封接時(shí)，要使工件保持清潔，主要的目的是除去吸附膜，改善潤(rùn)濕性。（）

答案:對(duì)液態(tài)燒結(jié)的推動(dòng)力是液相的擴(kuò)散速率和溶解度高。（）

答案:錯(cuò)泰曼溫度是指發(fā)生明顯固相反應(yīng)的溫度。()

答案:錯(cuò)下面關(guān)于晶界說(shuō)法正確的是？（）

答案:晶界處的原子能級(jí)高，熔點(diǎn)比晶粒低;晶界上的原子排列疏松，容易受到化學(xué)腐蝕下列關(guān)于石英晶體與石英熔體的說(shuō)法中，正確的是()。

答案:石英晶體遠(yuǎn)程有序;石英熔體遠(yuǎn)程無(wú)序刃型位錯(cuò)的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)有()

答案:在位錯(cuò)周圍形成應(yīng)力場(chǎng);在位錯(cuò)的周圍引起晶體的畸變肖特基缺陷的特點(diǎn)是()

答案:正離子空位和負(fù)離子空位同時(shí)產(chǎn)生;晶體體積增加晶粒生長(zhǎng)的影響因素有（）

答案:晶界的移動(dòng)速率;氣孔;晶界上的液相;雜質(zhì)燒結(jié)過(guò)程中外加劑的作用有（）

答案:與燒結(jié)主體形成固溶體;與主體形成化合物;阻止多晶轉(zhuǎn)變固體表面力可以分為（）

答案:化學(xué)力;范德華力

答案:范德華鍵;共價(jià)鍵下面有關(guān)粘土離子交換的說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）

答案:陽(yáng)離子半徑越小，交換能力越大;H離子的離子交換能力最小下面有關(guān)說(shuō)法正確的是（）

答案:固相反應(yīng)受熱力學(xué)和動(dòng)力學(xué)兩方面的影響;純固相反應(yīng)只有放熱反應(yīng)才能進(jìn)行二次再結(jié)晶的影響因素有（）

答案:晶界數(shù);燒結(jié)溫度;起始物料顆粒大小

答案:重建型轉(zhuǎn)變,位移型轉(zhuǎn)變;重建型轉(zhuǎn)變,可逆轉(zhuǎn)變

答案:共頂;共棱空間占有率最小的球體堆積方式有()

答案:六方緊密堆積;面心立方緊密堆積

答案:X=0.76;Y=3.24試根據(jù)原子半徑R計(jì)算六方晶胞的體積()

答案:

答案:X射線衍射

答案:2/3試根據(jù)原子半徑R計(jì)算面心立方晶胞的體積()

答案:

答案:0.46負(fù)離子缺位，氧空位的濃度和氧分壓的()次方成正比。

答案:-1/6

答案:E1E3:轉(zhuǎn)熔線E2E3:共熔線

答案:

答案:網(wǎng)絡(luò)形成劑

答案:3個(gè)下列幾種擴(kuò)散，擴(kuò)散速率最快的是（）

答案:表面擴(kuò)散

答案:Y1＜Y2肖特基缺陷的缺陷反應(yīng)可以用下式()表示。

答案:F’-色心的形成與()有關(guān)。

答案:負(fù)離子缺位設(shè)原子半徑為R，試計(jì)算體心立方堆積結(jié)構(gòu)的（100）面的面間距()

答案:1.155R測(cè)定固體材料中的有關(guān)擴(kuò)散系數(shù)，可以通過(guò)什么方法？（）

答案:擴(kuò)散薄膜解閃鋅礦晶體結(jié)構(gòu)中，Z=__。()

答案:4在相同條件下，彎曲液面與平面的蒸氣壓的關(guān)系是（）

答案:高嶺石結(jié)構(gòu)中，單網(wǎng)層與單網(wǎng)層之間以()相連。

答案:氫鍵聚合物的形成是以硅氧四面體為基礎(chǔ)單位，組成大小不同的聚合體，可分為_(kāi)_個(gè)階段。()

答案:3影響置換型固溶體的固溶度的條件中首要的是要考慮()

答案:離子尺寸因素

答案:氧化鋯制品容易開(kāi)裂的一個(gè)原因是單斜形與四方形之間的轉(zhuǎn)變

答案:68.52%鋪展?jié)櫇襁^(guò)程中三個(gè)界面張力的平衡關(guān)系為（）

答案:粘土礦物中，影響粘土泥漿流動(dòng)性的為（）

答案:自由水關(guān)于相的說(shuō)法，正確的是()

答案:相與相之間有界面，可用物理方法分開(kāi)四面體配位的陽(yáng)、陰離子半徑比為_(kāi)_。()

答案:0.225

答案:E2為低共熔點(diǎn)L?B+S+C

答案:陽(yáng)離子空位

答案:30

答案:立方體

答案:E1:低共熔點(diǎn)E2:低共熔點(diǎn)E3：雙降點(diǎn)凝聚系統(tǒng)三元相圖中液相面、分界曲線其自由度是多少()

答案:液相面自由度為2，分界曲線自由度為1對(duì)于沒(méi)有液相或氣相參與的固相反應(yīng)，反應(yīng)朝哪個(gè)方向進(jìn)行？（）

答案:?H＜0

答案:2點(diǎn)的液相消失點(diǎn)在E2點(diǎn)等軸晶系第Ⅱ方向的取向?yàn)?)

答案:a+b+c下面哪種屬于表面分析技術(shù)？（）

答案:X光電子能譜

答案:石英、鱗石英與方石英之間的轉(zhuǎn)變屬于一級(jí)轉(zhuǎn)變所有化學(xué)鍵中鍵合最弱的為()

答案:范德華鍵物料以其表面能轉(zhuǎn)變?yōu)榫Ы缒芏_(dá)到穩(wěn)定存在，利用該推動(dòng)力進(jìn)行的過(guò)程，稱為（）

答案:固態(tài)燒結(jié)下列原子在體心立方體鐵中的擴(kuò)散活化能最高的是（）

答案:C半徑為R的球，相互接觸排列成體心立方結(jié)構(gòu)，試計(jì)算能填入其空隙中的最大小球半徑r__。體心立方結(jié)構(gòu)晶胞中最大的空隙的坐標(biāo)為（0，1/2，1/4）。()

答案:0.3049R

答案:69.5

答案:I

答案:設(shè)原子半徑為R，試計(jì)算體心立方堆積結(jié)構(gòu)的（111）面的面排列密度__。()

答案:0.340

答案:0.5074纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)中，Z=__。()

答案:6陶瓷經(jīng)過(guò)燒結(jié)后在宏觀上的變化表述不正確的是（）

答案:致密度減少下列過(guò)程中，哪一個(gè)能使燒結(jié)產(chǎn)物強(qiáng)度增大而不產(chǎn)生致密化過(guò)程（）

答案:蒸發(fā)-凝聚燒結(jié)過(guò)程包含氣孔率降低，致密度增加，固結(jié)，有機(jī)物分解等過(guò)程。（）

答案:錯(cuò)可以通過(guò)蒸發(fā)-凝聚傳質(zhì)過(guò)程提高燒結(jié)體的致密度和降低氣孔率。（）

答案:錯(cuò)

答案:燒成是燒結(jié)的一部分，就是燒結(jié)的完成階段。（）

答案:錯(cuò)

答案:固相反應(yīng)開(kāi)始的溫度遠(yuǎn)低于反應(yīng)物的熔點(diǎn)或系統(tǒng)的低共熔溫度。（）

答案:對(duì)加入少量礦化劑可促進(jìn)固相反應(yīng)加速進(jìn)行，其原因的表述不正確的是（）

答案:與反應(yīng)物形成非化學(xué)計(jì)量化合物金斯特林格方程并非適用于所有的擴(kuò)散控制的固相反應(yīng)。（）

答案:對(duì)范特霍夫規(guī)則可適用于所有的固相反應(yīng)。（）

答案:錯(cuò)擴(kuò)散的根本推動(dòng)力是化學(xué)位梯度。（）

答案:對(duì)氧化鋯晶體中典型的非化學(xué)計(jì)量空位屬于哪種類型？（）

答案:氧離子空位型穩(wěn)定擴(kuò)散是指擴(kuò)散速度保持不變的擴(kuò)散過(guò)程。（）

答案:錯(cuò)間隙機(jī)構(gòu)與間隙原子的尺寸有密切關(guān)系。（）

答案:對(duì)影響擴(kuò)散的因素主要有（）

答案:結(jié)構(gòu)缺陷;化學(xué)鍵;溫度;晶體組成

答案:4

答案:O為一個(gè)三相點(diǎn);oa為水的蒸發(fā)曲線

答案:C初晶區(qū)內(nèi)的析晶終點(diǎn)為E點(diǎn)

答案:W(S):W(L)=ac:bc壓力升高時(shí)，單組分體系的沸點(diǎn)將如何變化()。

答案:升高三組分系統(tǒng)最多同時(shí)存在五個(gè)相。()

答案:對(duì)三元系統(tǒng)相圖中（）

答案:重心規(guī)則可以用來(lái)判斷無(wú)量變點(diǎn)的性質(zhì)有a、b兩種物質(zhì)，則以下情況可視為一個(gè)相的為()。

答案:a、b進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)完全生成了化合物ab關(guān)于二元凝聚系統(tǒng)的相圖的描述中，正確的是()

答案:二元凝聚系統(tǒng)中可能存在的平衡共存的相數(shù)最多為3個(gè)恒定壓力下，根據(jù)相律得出某一系統(tǒng)的F=1，則該系統(tǒng)的溫度只有一個(gè)唯一確定的值。（）

答案:錯(cuò)泥漿膠溶必須具備的條件有:()

答案:氧化鋁屬于瘠性料，可以通過(guò)控制料漿的pH值來(lái)控制其懸浮。（）

答案:對(duì)一般情況下，由于同晶置換導(dǎo)致粘土帶正電荷。（）

答案:錯(cuò)粘土粒子由于邊棱斷鍵引起的電荷與pH有關(guān)，在堿性介質(zhì)中邊棱帶何種電荷？（）

答案:負(fù)電荷粘土的陽(yáng)離子交換順序?yàn)椋海ǎ?/p>

答案:固體表面吸附氣體后，其表面能（）

答案:降低吸附是一種物質(zhì)的原子或分子與表面發(fā)生置換的現(xiàn)象。（）

答案:錯(cuò)影響潤(rùn)濕的因素有（）

答案:吸附膜;表面粗糙度晶界應(yīng)力的存在會(huì)顯著影響材料的機(jī)械和介電性能。（）

答案:對(duì)表面能與表面張力表達(dá)的是同一個(gè)物理量，只是名稱不同。（）

答案:錯(cuò)在玻璃形成的過(guò)程中（）

答案:單鍵強(qiáng)度小于250kJ/mol的氧化物可以改變玻璃的性質(zhì);玻璃網(wǎng)絡(luò)形成體的單鍵強(qiáng)度大于350kJ/mol以下哪些為玻璃的通性？（）

答案:各向同性;熔融態(tài)向玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化的可逆與漸變性;介穩(wěn)性;物理化學(xué)性質(zhì)變化的連續(xù)性關(guān)于熔體的描述，下列說(shuō)法正確的是()

答案:分化過(guò)程中的低聚合物可通過(guò)縮聚形成級(jí)次較高的聚合物下列關(guān)于黏度-組成的關(guān)系的說(shuō)法中，正確的是()

答案:CaO對(duì)熔體黏度的影響隨溫度以及含量不同而變化

答案:溫度高時(shí)更有利于硅酸鹽熔體的分化解聚;低聚物濃度隨溫度的升高而升高

答案:X=0.86,Y=3.14,Z=4,R=2.43

答案:下列對(duì)于玻璃熔體的特定黏度溫度的描述中，正確的是()

答案:退火點(diǎn)是消除玻璃中應(yīng)力的上限溫度熔體的內(nèi)部存在著近程有序的區(qū)域。()

答案:對(duì)晶體熔融后才能形成熔體，非晶體不能形成熔體。()

答案:錯(cuò)

答案:可以形成連續(xù)固溶體少量雜質(zhì)原子進(jìn)入晶體不會(huì)對(duì)晶體的性質(zhì)產(chǎn)生什么影響。()

答案:錯(cuò)

答案:置換型固溶體產(chǎn)生的“組分缺陷”與熱缺陷是相同的。()

答案:錯(cuò)雜質(zhì)原子進(jìn)入溶劑中晶格_什么位置生成的是間隙型固溶體，溶質(zhì)離子__溶劑中的一些溶劑離子所形成的固溶體稱之為置換型固溶體。()

答案:間隙、置換溶質(zhì)與溶劑兩種晶體可以以任意比例無(wú)限制的固溶生成的固溶體為無(wú)限固溶體。（）

答案:對(duì)在固溶體中不同組分的結(jié)構(gòu)基元之間是以分子尺度相互混合的，這種混合并不破壞原有晶體的結(jié)構(gòu)。()

答案:錯(cuò)以下哪一項(xiàng)不是影響置換型固溶體中溶質(zhì)離子溶解度的因素()

答案:溶劑與溶質(zhì)中的離子比例以下哪幾種是常見(jiàn)的間隙性固溶體？()

答案:陽(yáng)離子填隙;原子填隙;陰離子填隙固溶體的相組成是__，化合物的相組成為_(kāi)_，機(jī)械混合物的相組成為_(kāi)_()

答案:均勻單相、單相、兩相有界面

答案:0.956

答案:置換式雜質(zhì)原子點(diǎn)缺陷在MgO晶體中，肖特基缺陷的生成能為6ev，且MgO晶體中，含有百萬(wàn)分之一mol的Al2O3雜質(zhì)，則在1600℃時(shí)，MgO晶體中是熱缺陷占優(yōu)勢(shì)還是雜質(zhì)缺陷占優(yōu)勢(shì)()

答案:雜質(zhì)缺陷

答案:減小，減小對(duì)某晶體的缺陷測(cè)定生成能為84KJ/mol，計(jì)算該晶體在1000K時(shí)的缺陷濃度()

答案:6.4×10-3滑移方向與位錯(cuò)線垂直的位錯(cuò)稱為刃型位錯(cuò)。位錯(cuò)線與滑移方向相互平行的位錯(cuò)稱為螺型位錯(cuò)。（）

答案:對(duì)如果正常格點(diǎn)上原子，熱起伏后獲得能量離開(kāi)平衡位置，躍遷到晶體的表面，在原正常格點(diǎn)上留下空位，這種缺陷稱為弗倫克爾缺陷。()

答案:錯(cuò)以下缺陷中，能引起位置增殖的缺陷有()

答案:在MX晶體中，間隙原子的表示符號(hào)為()

答案:

答案:3

答案:錯(cuò)每個(gè)NaCl晶胞中，分子數(shù)Z=()

答案:4陽(yáng)離子交換是高價(jià)陽(yáng)離子取代低價(jià)陽(yáng)離子。()

答案:錯(cuò)

答案:螢石型以下物質(zhì)中具有NaCl型結(jié)構(gòu)的是()

答案:MnO;MgO在氧離子面心立方密堆積結(jié)構(gòu)中，對(duì)于獲得穩(wěn)定結(jié)構(gòu)各需何種價(jià)離子，填滿所有的八面體空隙需要()

答案:2價(jià)陽(yáng)離子2n個(gè)等徑球體作六方緊密堆積，其空間占有率為()

答案:74.05%硅酸鹽礦物按照硅氧四面體的連接方式進(jìn)行分類可以分為()種。

答案:5配位場(chǎng)理論認(rèn)為：認(rèn)為在晶體結(jié)構(gòu)中，中心陽(yáng)離子與配位體之間是離子鍵，不存在電子軌道的重迭，并將配位體作為點(diǎn)電荷來(lái)處理的理論。()

答案:錯(cuò)等徑球體六方緊密堆積的六方晶胞的軸比c/a≈__。()

答案:1.633面心立方緊密堆積中的八面體和四面體空隙的位置和數(shù)量分別為_(kāi)，_。()

答案:1，2n個(gè)等徑球體作六方緊密堆積，其空間占有率為_(kāi)_。()

答案:74.05%同一化學(xué)組成在不同外界條件下（溫度、壓力、pH值等），結(jié)晶成為兩種以上不同結(jié)構(gòu)晶體的現(xiàn)象稱為()

答案:同質(zhì)多晶配位體：晶體結(jié)構(gòu)中與某一個(gè)陽(yáng)離子形成配位關(guān)系的各個(gè)陰離子中心連線所構(gòu)成的多面體。()

答案:錯(cuò)MgO（NaCl型）晶體（100）晶面的面排列密度為_(kāi)_。()

答案:0.785臨界半徑比的定義是：緊密堆積的陰離子恰好互相接觸，并與中心的陽(yáng)離子也恰好接觸的條件下，陽(yáng)離子半徑與陰離子半徑之比。即每種配位體的陽(yáng)、陰離子半徑比的下限。下列配位的臨界半徑比最大的是__。()

答案:立方體配位MgO（NaCl型）晶體（110）晶面的面排列密度為_(kāi)_。()

答案:0.555MgO（NaCl型）晶體（111）晶面的面排列密度為_(kāi)_。()

答案:0.907一個(gè)四方晶系的晶面，其上的截距分別為3a、4b、6c，求該晶面的晶面指數(shù)()

答案:(432)晶體共有__種點(diǎn)群和__種空間群。()

答案:32230表示晶胞的形狀和大小