SiC MOSFET動態高溫高濕反偏(DH3RB)試驗方法-征求意見稿_第1頁
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1碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiCMOSFET）動態高溫高濕反偏(DH3TRB)試驗方法試驗方法，用于評估高溫高濕高dV/dt對內部結構快速充電GB/T4586-1994半導體器件分立器件第8部分：場效應3.1動態高溫高濕反偏dynamichigh-humidity,hige-temperaturereverDH3RB3.2漏源電壓上升速率risingrat3.3開態柵極電壓on-stategatesour3.4關態柵極電壓off-sategate3.5最大柵極電壓maximumgateso3.6推薦最小柵極電壓recommenedminimumgateGDSVDSVGS快速開通和關斷，柵極電壓保持不變。主動模式漏源電壓和柵源電壓均重復開通和關斷，圖2中DUT1為GDSVDSVGS高溫高濕DDUT1GVDSSVGSDDUT1GVDSSVGSGDDUT2S高溫高濕該試驗方法通過對樣品施加溫度、濕度和動態反偏電壓應力來評估器件的退化，試驗流程圖如圖3終點測量終點測量3開始開始選擇樣品中間測量測量初始值中間測量測量初始值施加動態反偏應力（實時監測漏電流）撤除動態反偏應力5.2樣品選擇5.3初始值測量壓VBR、漏源極導通電阻RDS(on)、體二極管正向壓降VF。推薦按照表1的試驗條件進行動態反偏試驗，根據產品的要求，其他試驗條件是可以接受的，可根據實際應用條件或最佳實踐進行調整，需在產品的詳細規范中指明試驗漏源電壓(VDS)VDS≥0.5VDS.maxdVDS?dt柵源電壓(VGS)方法1：被動模式：保持恒定，VGS=VGS.min.recom方法2：主動模式：VGS.off=VGS.min.recom，VGS.on=VGS.max注1：最大過沖不大于15%VDS.max。5.5應力波形在樣品上施加電壓和溫度應力。圖4和圖5分別顯示了被動模式和主動模式條件下的VGS和VDS電壓薦最小負柵壓與最大柵壓之間切換。漏源極電壓變化速率應不小于30V/ns（10%5VBR、漏源極導通電阻RDS(on)、體二極管正向壓降Vr。測試應按照產品的詳細規范進行。中間測量或終點測量應在器件從規定試驗條件下移出后的96h內完成，閾值電壓VGS(th)應在移出后的10h內完成，測RDS(on)）；VrVGS(th)）；IDSSIGSS選□主動模式VGS.off=VGS.on=漏源電壓VDS(V)dVDS?dt上升沿：v?ns下降沿：v?nsdVGS?dt（主動模式）上升沿：v?ns下降沿：v?ns上沖：%VDS.max下沖：%VDS.max預處理脈沖電壓：V預處理脈沖時間：RDS(on)(mΩ)VGS(th)(V)123…[1]AEC-Q101Fail[3]IEC60747-8-2010半導體器件分立器件第8部分：場效應晶體管（S

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