微納加工技術智慧樹知到期末考試答案+章節答案2024年哈爾濱工業大學離子在固體材料中散射，增大能量或減小離子質量，會增加離子穿透深度。（）

答案:對如果襯底材料是晶體，在某原子排列稀疏的方向上，離子可能“長驅直入”，這就是溝道效應。（）

答案:對雪花的形成過程是一種自組裝形成過程。（）

答案:對投影式曝光包括1:1投影式曝光和縮小投影曝光系統。（）

答案:對溝道效應不僅發生在晶體襯底材料中，還常發生在非晶襯底材料中。（）

答案:錯矢量掃描曝光的電子束不只在曝光圖形部分掃描。（）

答案:錯溶脫剝離的關鍵是光刻膠厚度遠厚于沉積薄膜的厚度、側壁沉積少和襯底不經歷高溫加熱。（）

答案:對光學曝光是最早用于半導體集成電路的微細加工技術。（）

答案:對熱壓成型是直接將模板浮雕圖形轉移到聚合物襯底材料上。（）

答案:對刻蝕法圖形轉移的基本要求是能夠將光刻膠掩模圖形完好地轉移到襯底材料中，并具有一定的深度和剖面形狀。（）

答案:對CVD是半導體工業中應用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術，包括大范圍的絕緣材料，大多數金屬材料和金屬合金材料。（）

答案:對聚焦離子束曝光技術，由于離子質量遠大于電子，在抗蝕劑中的散射范圍遠小于電子，幾乎沒有背散射效應。（）

答案:對模壓指微米尺寸以上的圖形轉移，一般以熱壓為主。（）

答案:對一般來說，化學濕法腐蝕的設備成本大大低于干法刻蝕。（）

答案:對通過自組裝過程形成的個體是疏松無序的狀態。（）

答案:錯大數值孔徑是高分辨率成像的必要條件。（）

答案:對溶脫剝離法是最普通的圖形轉移技術之一，尤其適用于金屬薄膜的制作。（）

答案:對壓印的對準與傳統接觸式光學曝光的對準相似，但對準精度更高。（）

答案:對Bosch工藝就是交替進行襯底刻蝕和邊壁鈍化。（）

答案:對微納加工過程對環境的要求不高，不需要特殊的潔凈環境。（）

答案:錯塑料微成型技術包括（）。

答案:熱壓###澆鑄###注塑離子在材料中的碰撞包括（）。

答案:非彈性碰撞###彈性碰撞原子力顯微鏡工作模式包括（）。

答案:非接觸模式###接觸模式紫外光固化納米壓印技術的過程包括（）。

答案:清除殘留層###壓印###紫外固化###脫模刻蝕方法包括：（）。

答案:其他腐蝕###化學濕法腐蝕###等離子體干法腐蝕光刻膠的分類包括（）。

答案:負型光刻膠###正型光刻膠熱蒸發式薄膜沉積方向性好，但沉積速率取決于（）。

答案:蒸發源與襯底的相對位置###蒸發源種類###蒸發源與襯底的距離光學曝光技術包括（）。

答案:投影式曝光###掩膜對準式曝光微納加工的基本過程包含（）。

答案:光刻###薄膜沉積###刻蝕電子束曝光的鄰近效應校正包括（）。

答案:圖形尺寸補償###背景曝光補償###劑量校正電子束與固體間的主要相互作用為（）。

答案:彈性碰撞和非彈性碰撞極紫外光刻技術使用（）在真空環境下產生紫外波長。

答案:激光等離子體刻蝕在微納加工領域的主要應用是（）。

答案:去除光刻膠未遮擋的襯底每立方英尺內0.5μm顆粒數量小于（）的為百級超凈間。

答案:100垂直抽減法利用的是SOI的（）的各向異性化學腐蝕和另一面的反應離子深刻蝕。

答案:正面（）技術可用于制備透射電鏡樣品。

答案:FIB納米球陣列法利用的是納米小球的（）。

答案:間隙h線曝光波長比i線曝光波長（）。

答案:長電子束曝光是通過抗蝕劑聚合物分子對電子能量的（）實現的。

答案:吸收“電子鄰近效應”的產生是由于電子（）對曝光圖形的影響造成的。

答案:散射硫醇類分子在表面形成SAM后可以實現固體表面功能化。（）

答案:對氫鍵是一種特殊的鍵，它具有一定的共價鍵特性即具有飽和性和方向性，但鍵合力遠小于共價鍵。（）

答案:對目前，分子自組裝納米加工的優勢是（）。

答案:組裝結構為分子尺度###低成本傳統的平面集成電路加工技術是（）技術，分子自組裝是（）技術。

答案:top-down;bottom-up橫向添加法用來獲得窄間隙結構，橫向抽減法用來獲得窄線條結構。（）

答案:對側壁沉積法中，沉積時應選擇各向同性沉積，而刻蝕時應選擇方向性好的各向異性刻蝕。（）

答案:對側壁沉積法獲得側壁時用到了（）

答案:刻蝕清除頂部和底部的二氧化硅###光刻和刻蝕制作支撐結構###熱氧化或CVD沉積薄膜氧化削尖工藝依賴于氫氟酸能腐蝕（）而不能腐蝕（）。

答案:二氧化硅，硅垂直抽減法制作納米通道和氧化橫向抽減法的氧化削尖都用到了熱氧化的工藝。（）

答案:對濕法腐蝕二氧化硅的特點是（）。

答案:各向同性傳統機械加工中的噴粉工藝一般噴的是（）粉末。

答案:氧化鋁反應離子刻蝕是離子轟擊輔助的化學反應過程，其主要過程可以概括為（）。

答案:離子反應###物理濺射###產生自由基###自由基反應飛秒激光加工是熱加工。（）

答案:錯與等離子體刻蝕不同，離子濺射刻蝕方法中等離子體產生區和樣品刻蝕區是分開的。（）

答案:對薄膜沉積方法有（）等。

答案:物理氣相沉積###分子束外延###化學氣相沉積圖形轉移分為（）。

答案:刻蝕法圖形轉移###沉積法圖形轉移沉積合金薄膜時，濺射法更優于熱蒸發法。（）

答案:對濺射法成膜質量好，而且襯底溫升較低，但方向性不如熱蒸發沉積。（）

答案:對溶脫剝離是薄膜沉積方法的目的之一。（）

答案:對正坡度印模結構最適于脫模，零坡度視印模側壁的表面粗糙度而定。（）

答案:對紫外光固化納米壓印一般采用透明的印模。（）

答案:對便于脫模，最易實施的方法是（）。

答案:模板內涂鍍高抗粘連的材料熱壓納米壓印技術工藝流程為（）。

答案:反應離子刻蝕去殘膠###脫模###壓印納米壓印包括陽模壓印和陰模壓印，陰模壓印相對容易。（）

答案:錯與STM相比，用AFM進行掃描探針局部氧化加工更合適。（）

答案:對STM通過（）對抗蝕劑曝光。

答案:場致發射電子蘸筆納米探針加工受（）等因素影響。

答案:表面化學吸附性###探針駐留時間###表面晶粒尺寸###環境濕度當AFM以STM方式工作時，也可以用AFM實現對抗蝕劑的曝光。（）

答案:對掃描探針顯微鏡工作模式包括（）。

答案:恒定電流模式###恒定間距模式離子源按工作原理可分為（）。

答案:場致電離型離子源###液態金屬離子源###電子轟擊型離子源###氣體放電型離子源垂直入射的離子可以獲得最大的離子濺射產額。（）

答案:錯聚焦離子束系統的聚焦系統與電子束系統大致相同。（）

答案:對LMIS穩定發射的關鍵是液態金屬與鎢絲的良好浸潤。（）

答案:對聚焦離子束系統存在空間電荷效應，可利用較小的發射電流來比避免該問題。（）

答案:對先進的電子束曝光機主要適用于（）以下的超微細加工。

答案:0.5微米電子槍包括發射電子的陰極和對發射電子聚束的電子透鏡。（）

答案:對曝光平面電子束斑包含各種像差，（）為主要像差。

答案:色差###球差電子束曝光的曝光效率（）光學曝光。

答案:遠小于光柵掃描是對整個曝光場掃描，但電子束曝光快門只在曝光圖形部分打開。（）

答案:對接觸式曝光分為（）。

答案:軟接觸###硬接觸光學曝光的目的是把掩模上的圖形成像到（）上。

答案:光刻膠分辨率就是能夠清晰分辨出間隔很近的特征圖形的能力。（）

答案:對軟接觸通過調整（）實現。

答案:壓力大小正膠在感光時，使聚合物發生交聯。（）

答案:錯光刻工藝的基本要素主要包括（）。

答案:光刻膠###對準系統###光源間接加工技術能夠繞過現有設備加工