MOOC數字集成電路設計-三江學院中國大學慕課答案集成電路簡稱是什么？1、問題：集成電路的英文簡稱是什么？選項：A、icB、ITC、SiD、IC正確答案:【IC】數字集成電路設計流程數字集成設計方法1、問題：常用的光刻工藝所使用的光是（）選項：A、紅外光B、太陽光C、可見光D、深紫外光正確答案:【深紫外光】2、問題：數字集成電路設計流程是（）選項：A、自右向左B、自下向上C、自頂向下D、自左向右正確答案:【自頂向下】3、問題：下面哪個是現在在使用的特征工藝尺寸（）選項：A、180nmB、0.5nmC、32nmD、7nm正確答案:【180nm#32nm#7nm】4、填空題：集成電路的簡稱正確答案:【IC】5、填空題：電子設計自動化的英文簡稱正確答案:【EDA】6、填空題：常用數字集成電路的襯底材料的元素的全稱（英文）是正確答案:【silicon】7、填空題：寄存器傳輸級的英文簡稱正確答案:【RTL】8、填空題：指令窗口英文簡稱正確答案:【CIW】9、填空題：解決時序驅動設計英文簡稱正確答案:【TDD】10、填空題：防止天線效應英文簡稱正確答案:【PAE】11、填空題：進行信號完整性分析（或稱為噪聲分析）英文簡稱正確答案:【SI】12、填空題：可制造性設計英文簡稱正確答案:【DFM】13、填空題：統計靜態時序分析英文簡稱正確答案:【SSTA】14、填空題：布局的英文正確答案:【floorplan】15、填空題：靜態時序分析的英文簡稱正確答案:【STA】16、填空題：電源網絡的英文正確答案:【powergrid】17、填空題：簽核的英文正確答案:【sign-off】18、填空題：最差英文簡稱正確答案:【WC】19、填空題：建立時間的英文正確答案:【setuptime】20、填空題：保持時間的英文正確答案:【holdtime】21、填空題：設計規則違反檢查英文簡稱正確答案:【DRV】22、填空題：物理綜合的英文正確答案:【physicalsynthesis】23、填空題：掩模板的英文正確答案:【mask】24、填空題：多芯片封裝英文簡稱正確答案:【SiP】25、填空題：標準時序約束英文簡稱正確答案:【SDC】26、填空題：知識產權英文簡稱正確答案:【IP】找出第2副圖的DRC違例的地方，圈出閂鎖效應（N多公司的面試題目）標記圖層2.5邏輯單元庫的建立的作業第2章測試1、問題：λ一般是特征尺寸的（）選項：A、1B、1/2C、2D、1/3正確答案:【1/2】2、問題：GDSII數據是現階段通用的一種標志版圖描述語言，采用（）記錄版圖信息，選項：A、自然語言B、VerilogHDLC、二進制D、ASIC碼正確答案:【二進制】3、問題：GDSII數據的文件后綴是.（）。選項：A、libB、vC、gdsiiD、gds正確答案:【gds】4、問題：晶圓代工廠提供給設計者用于后端版圖設計，叫庫交換格式，它是描述庫單元的物理屬性，包括端口位置、層定義和通孔定義。它抽象了單元的底層幾何細節，提供了足夠的信息，以便允許布線器在不對內部單元約束來進行修訂的基礎上進行單元連接。包含了工藝的技術信息，如布線的層數、最小的線寬、線與線之間的最小距離以及每個被選用cell，BLOCK，PAD的大小和pin的實際位置。這個庫的后綴是.（）選項：A、gdsB、lefC、scsD、lay正確答案:【lef】5、問題：戒指的英文ring，它是一個（）的布局。選項：A、圓形B、方形C、多邊形D、環形正確答案:【環形】6、問題：填充單元的英文選項：A、fillerB、fullcellC、fillcellD、fillercell正確答案:【fillercell】7、問題：電源線和地線軌道的英文選項：A、powerB、VCCGNDC、VDDVSSD、powerrails正確答案:【powerrails】8、問題：形式驗證的英文選項：A、formalverificationB、verificationC、formalD、FV正確答案:【formalverification】9、問題：well-tapcell的作用（）。選項：A、減少閂鎖效應B、防止天線效應C、防護D、省面積正確答案:【減少閂鎖效應】10、問題：在數字集成電路芯片內部的完整單元庫分為（）選項：A、標準單元B、模塊宏單元C、輸入輸出單元D、standardcellE、macrocellF、I/OpadcellG、反相器H、inverter正確答案:【標準單元#模塊宏單元#輸入輸出單元#standardcell#macrocell#I/Opadcell】11、問題：標準單元分為（）選項：A、時序邏輯電路B、組合邏輯電路C、功能電路D、測試電路正確答案:【時序邏輯電路#組合邏輯電路】12、問題：在數字集成電路中常用的工藝角為（）。選項：A、ttB、BCC、WCD、TC正確答案:【BC#WC#TC】13、填空題：襯底的英文單詞。正確答案:【substrate】14、填空題：阱的英文。正確答案:【well】15、填空題：擴散的英文。正確答案:【diffusion】16、填空題：離子注入的英文。正確答案:【ionimplantation】17、填空題：有源區的英文。正確答案:【activeregion】18、填空題：接觸孔（金屬1與下面的連接孔）的英文。正確答案:【contact】19、填空題：通孔（金屬之間的）的英文。正確答案:【via】20、填空題：晶圓正確答案:【wafer】21、填空題：閂鎖效應的英文。正確答案:【latchupeffect】22、填空題：LVS分兩步完成：第一步“（）；第二步（）。正確答案:【抽取比較】23、填空題：LVS檢查的內容可概括為亮點：（）正確答案:【信號的電氣連接關系是否一致器件類型尺寸是否一致】24、填空題：7種I/O單元：（）。正確答案:【輸入I/O、輸出I/O、雙向輸入輸出I/O、供電I/O、接地I/O、I/O的拐角單元、I/O填充單元。】25、填空題：時序電路設計的一個關鍵問題是（）。正確答案:【時鐘樹】26、填空題：時間偏差的英文是（）正確答案:【skew】27、填空題：芯片電路的延時有（）和（）兩部分組成。正確答案:【器件互聯線】28、填空題：PTV條件含有（）（寫英文）條件。正確答案:【process、temperature，voltage】29、填空題：隔離單元的英文。正確答案:【isolation】30、填空題：開關單元的英文。正確答案:【switchcell】31、填空題：物理庫交換格式的英文。正確答案:【LEF】32、填空題：功耗-延時積的英文。正確答案:【PDP】33、填空題：工藝設計錦囊的英文。正確答案:【PDK】34、填空題：光學鄰近矯正的英文。正確答案:【OPC】35、填空題：多角多模的英文。正確答案:【MMMC】所有你所知道的下圖圖形的中文和英文名稱。3.1、3.2、3.3測試題目1、問題：PR的中文意思是（）選項：A、布局布線B、布局布圖C、設置與運行D、拼圖正確答案:【布局布線】2、問題：在整個芯片設計中，從布圖規劃到完成布局一般需要占據整個物理實施的（）時間。選項：A、1/3B、1/2C、1/4D、1/5正確答案:【1/3】3、問題：模塊的輸入輸出I/O為？選項：A、pinB、padC、I/OD、block正確答案:【pin】4、問題：I/O單元可分為（）和電源兩種選項：A、信號接口B、powerC、ringD、block正確答案:【信號接口】5、問題：電源層，縱向是（）選項：A、偶數層B、奇數層C、非M1層D、全部金屬層正確答案:【偶數層】6、問題：LEF文件包含哪些資料選項：A、LayerTypesB、CellTypesC、PinTypesD、PlacementRulesE、MacroSizeF、PinLocationG、RoutingRulesH、BlockageI、PinAreaJ、RingK、PadTypes正確答案:【LayerTypes#CellTypes#PinTypes#PlacementRules#MacroSize#PinLocation#RoutingRules#Blockage#PinArea】7、問題：Achip-levelfloorplanisabout?選項：A、Coresize,shapeandplacementrowB、IO,power,cornerandfillerpadcelllocationsC、MacrocellplacementD、Standardcellplacementconstraints(blockages)E、Powergrid(rings,straps,rails)F、Routing正確答案:【Coresize,shapeandplacementrow#IO,power,cornerandfillerpadcelllocations#Macrocellplacement#Standardcellplacementconstraints(blockages)#Powergrid(rings,straps,rails)】8、問題：Corebox≥diebox選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】9、問題：die是死亡的意思。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】10、問題：輸入輸出單元較多而內部邏輯較少且一般為I/O單元限制型設計時，一般選用窄的I/O單元選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】11、填空題：flip-chips的中文意思？正確答案:【倒置封裝】12、填空題：SDC的中文意思正確答案:【標準時序約束】13、填空題：芯片大小的英文是（）正確答案:【diesize】14、填空題：端口的文件的后綴一般用（）正確答案:【.io】15、填空題：信號端口的關鍵是（）正確答案:【選擇驅動的大小】16、填空題：電源環路的英文（）正確答案:【powerring】17、填空題：電源條線的英文（）正確答案:【powerstripe】18、填空題：全局電源網絡連接的英文（）正確答案:【globalnetconnect】19、填空題：標準單元的供電網絡與核心電源網格總連接設計稱為（）（復數）。正確答案:【followpins】20、填空題：芯片核心的英文是（）正確答案:【core】21、填空題：布局的主要工作是（）的布局正確答案:【標準單元】3.4、3.5、3.6、3.7測試題目1、問題：在innovus中刪除power采用的指令是editDelete-type（）選項：A、SpecialB、PowerC、stripeD、Ring正確答案:【Special】2、問題：scanchain的規則在（）文件中。選項：A、DEFB、LEFC、libD、io正確答案:【DEF】3、問題：dc生成的netlist的格式是（）選項：A、VerilogHDLB、二進制C、VHDLD、net正確答案:【VerilogHDL】4、問題：create_clock-period3.0[get_portsclk]這句語句中表示的是clk時鐘頻率是（）選項：A、333MHzB、333HzC、3MHzD、300MHz正確答案:【333MHz】5、問題：followpins是金屬()層。選項：A、1B、2C、3D、最上面的那層正確答案:【1】6、問題：掃描鏈的目標是（）。選項：A、減小掃描的走線長度B、節約布線空間C、好看D、降低布通率。正確答案:【減小掃描的走線長度#節約布線空間】7、問題：DEF含有（）。選項：A、連接關系B、芯片面積C、布圖規劃區域D、電源域E、標準單元行F、標準單元位置屬性G、端口位置信息H、布線內容I、層的含義J、設計規則正確答案:【連接關系#芯片面積#布圖規劃區域#電源域#標準單元位置屬性#端口位置信息#布線內容】8、問題：打開dc的指令（）。選項：A、design_vision-topoB、design_visionC、dcD、dc_shellE、ddc正確答案:【design_vision-topo#design_vision#dc_shell】9、問題：布局需要考慮setuptime的違例即可。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】10、問題：place_opt_design指令含有scanchain內容。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】11、問題：place_design指令含有scanchain內容選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】12、問題：DEF文件是二進制代碼。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】13、填空題：阻塞或者擁塞的英文單詞（）正確答案:【congestion】14、填空題：掃描鏈是英文（）正確答案:【scanchain】15、填空題：DEF的中文（）正確答案:【設計交換格式】16、填空題：dc編譯到門級器件的指令是（）正確答案:【compile_ultra】17、填空題：在dc中清除前面的約束用的指令是（）正確答案:【reset_design】18、填空題：檢查時序的指令是（）正確答案:【check_timing】19、填空題：addWellTap-cellTAP2HJ-cellInterval115-prefixWELLTAP-checkerBoard該指令是為了避免（）效應對芯片的損傷。正確答案:【latchup】20、填空題：芯片設置中高電位一般設置為VCC，那么低電位是（）正確答案:【GND】21、填空題：芯片設置中高電位一般設置為VDD，那么低電位是（）正確答案:【VSS】22、填空題：在退出時的指令是（）。正確答案:【exit】時鐘信號STAMeasuresPathDelaysThroughaCircuit4.1-4.3測試1、問題：在時鐘約束的定義中體現時鐘頻率的一個英文單詞（）(小寫！)選項：A、periodB、skewC、frequencyD、jitter正確答案:【period】2、問題：在VerilogHDL語言中，定義時間單位的變量是（）選項：A、timescaleB、modelC、inputD、time正確答案:【timescale】3、問題：實際的時鐘信號跳變時間是不可能為零的，所以我們可以用()去模擬這個跳變時間選項：A、set_clock_transitionB、set_clockC、set_transitionD、set_clock_rest正確答案:【set_clock_transition】4、問題：在大規模集成電路中，大部分時序元件的數據傳輸是由時鐘同步控制的時鐘頻率決定了數據處理和傳輸的速度，（）是電路性能的最主要的標志。選項：A、時鐘頻率B、功耗C、面積D、價格正確答案:【時鐘頻率】5、問題：隨著晶體管尺寸的減小，（）不斷提高。選項：A、組合邏輯電路的開關速度B、時鐘偏斜C、設置余量D、上升沿正確答案:【組合邏輯電路的開關速度】6、問題：在時鐘綜合前已經完成的是（）選項：A、powerringB、powerstripeC、blockringD、flowerpinE、routingF、DFT正確答案:【powerring#powerstripe#blockring#flowerpin】7、問題：在時鐘約束的定義中體現時鐘延時的一個英文單詞是延遲（latency），由（）構成。選項：A、最大外部時鐘延時B、內部時鐘延時C、jitterD、skew正確答案:【最大外部時鐘延時#內部時鐘延時】8、問題：在時鐘約束的定義中體現時鐘不確定性的一個英文單詞不確定性（uncertainty），它有（）組成選項：A、jitterB、skewC、setupmarginD、jiter正確答案:【jitter#skew#setupmargin】9、問題：在集成電路進入深亞微米階段，決定時鐘頻率的主要因素有兩個，是（）選項：A、組合邏輯部分的最長電路延時B、同步元件內的時鐘偏斜(clockskew)C、設計余量D、時鐘的上升沿等正確答案:【組合邏輯部分的最長電路延時#同步元件內的時鐘偏斜(clockskew)】10、問題：調節時鐘時序的器件有（）選項：A、時鐘緩沖單元B、延時緩沖單元C、二極管單元D、填充單元正確答案:【時鐘緩沖單元#延時緩沖單元】11、問題：在VerilogHDL語言中，延時時間可以隨心寫（）。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】12、問題：Clk時鐘信號可以用芯片生成一部分。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】13、問題：在集成電路進入深亞微米階段，時鐘樹綜合的主要目的是減小時鐘偏斜。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】14、問題：在數字集成電路后端設計中，可以隨意更改器件內部延時。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】15、問題：時鐘樹綜合中分析的延時就是芯片的真實延時。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】16、填空題：在數字集成電路設計過程中的腳本文件的后綴是（）不含點正確答案:【tcl】17、填空題：create_clock-period10.000-waveform{0.0006.000}-nameclk6040[get_ports{clk}]的中文意義。正確答案:【占空比為60%的時鐘周期為10的clk6040時鐘連接clk端口】18、填空題：set_clock_uncertainty0.3的中文含義正確答案:【設置時鐘的不確定性為0.3】19、填空題：占空比的英文正確答案:【dutycycle】20、填空題：時鐘樹綜合前沒有延時的是（）（英文，全小寫）正確答案:【idealclock】4.4-4.6測試1、問題：指觸發器的時鐘信號上升沿到來以后，數據穩定不變的時間。選項：A、setuptimeB、arrivaltimeC、holdtimeD、requiredtime正確答案:【holdtime】2、問題：決定該觸發器之間的組合邏輯的最大延遲是（）。選項：A、setuptimeB、arrivaltimeC、requiredtimeD、holdtime正確答案:【setuptime】3、問題：ICC在placement階段提供了一個命令（）選項：A、place_optB、clock_optC、route_optD、placement正確答案:【place_opt】4、問題：ICC在時鐘樹綜合階段也提供了一個命令（）選項：A、clock_optB、clockoptC、clock-optD、clockopt正確答案:【clock_opt】5、問題：Innovus中時鐘樹綜合的命令選項：A、ccopt_design-CTSB、ccopt-CTSC、design-CTSD、ccopt_design_CTS正確答案:【ccopt_design-CTS】6、問題：時鐘樹上的功耗由（）組成。選項：A、靜態功耗B、短路功耗C、跳變功耗D、斷路功耗正確答案:【靜態功耗#短路功耗#跳變功耗】7、問題：時間路徑通常有()。選項：A、基本輸入到基本輸出B、基本輸入到寄存器數據端口C、寄存器時鐘端口到基本輸出D、寄存器時鐘端口到寄存器數據端口正確答案:【基本輸入到基本輸出#基本輸入到寄存器數據端口#寄存器時鐘端口到基本輸出#寄存器時鐘端口到寄存器數據端口】8、問題：數據到達時間（DataArrivalTime）：輸入數據在有效時鐘沿后到達所需要的時間。主要分為（）選項：A、時鐘到達寄存器時間（Tclk1）B、寄存器輸出延時（Tco）C、數據傳輸延時（Tdata）D、時鐘抖動（Tskew）正確答案:【時鐘到達寄存器時間（Tclk1）#寄存器輸出延時（Tco）#數據傳輸延時（Tdata）】9、問題：時鐘周期包括：（）選項：A、寄存器的門延時B、兩個寄存器組合邏輯電路中最壞的延時C、建立時間D、時鐘偏差正確答案:【寄存器的門延時#兩個寄存器組合邏輯電路中最壞的延時#建立時間#時鐘偏差】10、問題：在數字集成電路后端設計中，時鐘樹綜合采用的軟件是（）選項：A、ICCB、InnovusC、SPICED、Layout正確答案:【ICC#Innovus】11、問題：clocktree常用的名稱選項：A、routpinB、sinkpinC、leafnetD、leafpinE、trunknetF、trunkpin正確答案:【routpin#sinkpin#leafnet#trunknet】12、問題：時鐘偏差的存在，導致時鐘頻率降低，損失性能。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】13、問題：降低工作頻率，能夠解決由于時鐘偏差所導致的保持時間違例。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】14、問題：violation是合法。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】15、問題：功能仿真：不包含延時信息，只關注實現功能的理想條件下的仿真。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】16、問題：ICC在時鐘樹綜合階段是根據設計者的設置和約束自動完成時鐘樹綜合的工作。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】17、填空題：skew的中文正確答案:【偏差】18、填空題：建立時間的英文正確答案:【setuptime】19、填空題：保持時間的中文。正確答案:【holdtime】20、填空題：轉換時間的英文正確答案:【transitiontime】21、填空題：STA的中文正確答案:【靜態時序分析】寫出自己知道的DRC規則。Intel面試題目之1-金屬層面試題目之-25.1、5.2測試1、問題：工藝天線效應的英文選項：A、PAEB、PDKC、SID、TTE正確答案:【PAE】2、問題：納米規則通過（）文件進行定義和控制選項：A、LEFB、DFTC、LIBD、V正確答案:【LEF】3、問題：Routing的布通率是()選項：A、100%B、95%-100%C、大于90%即可D、大于60%正確答案:【100%】4、問題：數字集成電路中各邏輯單元和模塊間的相互關系是通過節點（）來實現。選項：A、netB、wireC、busD、route正確答案:【net】5、問題：數字集成電路中對同一節點的要求是（）選項：A、全部要連B、openC、shortD、不可連上正確答案:【全部要連】6、問題：布線中實施過程中，包括：（）選項：A、globalroutingB、detailroutingC、searchandrepairD、Place正確答案:【globalrouting#detailrouting#searchandrepair】7、問題：橫向布線是哪些層。選項：A、1B、2C、3D、4E、5F、6G、7正確答案:【1#3#5#7】8、問題：預防工藝天線效應是措施？選項：A、天線二極管B、跳轉到上一層金屬C、減少布線的層數D、增加通孔正確答案:【天線二極管#跳轉到上一層金屬】9、問題：全局布線的目的選項：A、使總連線最短B、布線分數均勻C、不引起局部擁塞D、使關鍵路徑延時最小E、避免串擾F、避免DRC正確答案:【使總連線最短#布線分數均勻#不引起局部擁塞#使關鍵路徑延時最小#避免串擾】10、問題：詳細布線的要求：選項：A、理解所有設計規則B、自動切換并綜合利用多層金屬作連線C、遵守時序規則D、對總連線長度進行優化正確答案:【理解所有設計規則#自動切換并綜合利用多層金屬作連線#遵守時序規則#對總連線長度進行優化】11、問題：詳細布線是局部布線。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】12、問題：詳細布線必須遵循DRC。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】13、問題：布線間距的英文是pick。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】14、問題：DSM芯片可以用到通孔疊砌選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】15、問題：在化學機械打平工藝中，對每層的互聯線金屬在單位區間內達到一定的密度。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】16、填空題：短路的英文。正確答案:【short】17、填空題：開路的英文正確答案:【open】18、填空題：違例的英文正確答案:【violation】19、填空題：終端的英文正確答案:【terminal】20、填空題：網線的英文正確答案:【net】第5章測試21、問題：NanoRoute是（）選項：A、詳細布線B、全局布線C、Special布線D、細節布線正確答案:【詳細布線】2、問題：實驗布線的指令是（）選項：A、earlyGlobalRouteB、sRouteC、FcrouteD、NanoRoute正確答案:【earlyGlobalRoute】3、問題：電源布線采用的菜單是（）選項：A、SpecialRouteB、NanoRouteC、arlyGlobalRouteD、sRoute正確答案:【SpecialRoute】4、問題：Flipchiprouting的指令是（）選項：A、fcrouteB、FcrouteC、FCouteD、routing正確答案:【fcroute】5、問題：在Innovus中修改部分violation后再進行布線采用的指令（）選項：A、ecoRouteB、ecorouteC、EcoRouteD、route_opt正確答案:【ecoRoute】6、問題：預防和修復串擾的方法是：（）選項：A、增加走線間隔B、將關鍵信號線屏蔽C、縮短平行走線的長度D、轉換到另一層連線E、加入緩沖器正確答案:【增加走線間隔#將關鍵信號線屏蔽#縮短平行走線的長度#轉換到另一層連線#加入緩沖器】7、問題：納米設計規則包括（）選項：A、paralleloverlapcutspacingB、EOLC、minimumstepmaximumedgeD、maximumfloatingarea正確答案:【paralleloverlapcutspacing#EOL#minimumstepmaximumedge#maximumfloatingarea】8、問題：Specialrouting包括選項：A、ringB、followpinsC、stripesD、clocknet正確答案:【ring#followpins#stripes】9、問題：布線的算法有（）選項：A、通道布線B、面積布線C、任意布線D、DRC布線正確答案:【通道布線#面積布線】10、問題：route_opt這個命令完成（）選項：A、routesignalnetsB、optimizeC、floorplanD、ring正確答案:【routesignalnets#optimize】11、問題：Innovus有（）繞線。選項：A、earlyGlobalRouteB、sRouteC、FcrouteD、NanoRoute正確答案:【earlyGlobalRoute#sRoute#Fcroute#NanoRoute】12、問題：在深納米設計中頂層幾層金屬可以用45度方向的規則來實現。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】13、問題：布線中先布clock，再布signal。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】14、問題：時鐘樹布線的優先權高些。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】15、問題：運行完route_opt，就可以直接流片了。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】16、問題：earlyGlobalRoute的速度快于NanoRoute。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】17、填空題：布線修正的英文是正確答案:【searchandrepair】18、填空題：總線的英文是正確答案:【bus】19、填空題：setRouteMode-earlyGlobalMaxRouteLayer6-earlyGlobalMinRouteLayer2的意義正確答案:【earlyGlobal62】20、填空題：Fanout的中文正確答案:【扇出】21、填空題：加權布線可以用（）文檔去控制。正確答案:【DEF】第7章作業1第7章測試11、問題：芯片的功耗分析與()有關選項：A、電源網絡的電壓降B、信號網絡的電壓降C、速度D、溫度正確答案:【電源網絡的電壓降】2、問題：當反相器輸入由1到0變化時，PMOS（）NMOS（）選項：A、導通，截止B、截止，導通C、導通，導通D、截止，截止正確答案:【導通，截止】3、問題：當柵極輸入電壓小于閾值電壓時由于亞閾值傳導所產生的靜態電流，此時器件工作在（），有電流從漏極流向源極，此電流叫亞閾值電流。選項：A、弱反型區B、反型區C、截止區D、飽和區正確答案:【弱反型區】4、問題：門柵感應漏極泄漏電流的英文是（）選項：A、GIDLB、GIDCC、MIDLD、GDDL正確答案:【GIDL】5、問題：在亞閾值下的漏電流，主要是()引起的。選項：A、溝道內的載流子擴散B、溝道內的載流子漂移C、柵中的載流子擴散D、柵中的載流子漂移正確答案:【溝道內的載流子擴散】6、問題：芯片的功耗分析有（）選項：A、動態分析B、靜態分析C、瞬態分析D、直流分析正確答案:【動態分析#靜態分析】7、問題：深壓微米工藝是（）選項：A、0.5umB、1umC、65nmD、45nm正確答案:【65nm#45nm】8、問題：(),動態功耗必須分析。選項：A、65nmB、9nmC、25nmD、14um正確答案:【65nm#9nm#25nm】9、問題：功耗計算有（）。選項：A、向量法B、無向量法C、分析法D、統計法正確答案:【向量法#無向量法】10、問題：動態功耗包括（）選項：A、開關功耗B、短路功耗C、內部功耗D、外部功耗正確答案:【開關功耗#短路功耗#內部功耗】11、問題：靜態功耗主要是由（）組成。選項：A、反向偏置的PN結二極管電流B、亞閾值電流C、門柵感應漏極泄露電流D、門柵泄露電流產生的功耗正確答案:【反向偏置的PN結二極管電流#亞閾值電流#門柵感應漏極泄露電流#門柵泄露電流產生的功耗】12、問題：反相器輸入由1到0變化時，NMOS導通PMOS截止，輸出從1到0，負載對地放電操作。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】13、問題：反相器的PMOS和NMOS只能一個導通。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】14、問題：亞閾值電流成指數形式增長。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】15、問題：柵極電流產生的原因主要有兩個：一是柵氧化層兩端PN結的隧穿效應；二是熱電子注入效應。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】16、問題：開關功耗與電路的工作頻率成正比，與負載電容成正比，與電壓成正比選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】17、填空題：電路處于等待或不激活狀