1晶閘管(SCR)晶體閘流管簡稱晶閘管,也稱為可控硅整流元件(SCR),是由三個PN構導致的一種大功率半導體器件。在性能上,晶閘管不僅具有單向導電性,并且還具有比硅整流元件更為可貴的可控性,它只有導通和關斷兩種狀態。晶閘管的長處諸多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數高達幾十萬倍;反應極快,在微秒級內開通、關斷;無觸點運行,無火花、無噪聲;效率高,成本低等。因此,尤其是在大功率UPS供電系統中,晶閘管在整流電路、靜態旁路開關、無觸點輸出開關等電路中得到廣泛的應用。晶閘管的弱點:靜態及動態的過載能力較差,輕易受干擾而誤導通。晶閘管從外形上分類重要有:螺栓形、平板形和平底形。2一般晶閘管的構造和工作原理晶閘管是PNPN四層三端器件,共有三個PN結。分析原理時,可以把它看作是由一種PNP管和一種NPN管所構成,其等效圖解如圖1(a)所示,圖1(b)為晶閘管的電路符號。圖1

晶閘管等效圖解圖2.1晶閘管的工作過程晶閘管是四層三端器件,它有J1、J2、J3三個PN結,可以把它中間的NP提成兩部分,構成一種PNP型三極管和一種NPN型三極管的復合管。當晶閘管承受正向陽極電壓時,為使晶閘管導通,必須使承受反向電壓的PN結J2失去阻擋作用。每個晶體管的集電極電流同步就是另一種晶體管的基極電流。因此是兩個互相復合的晶體管電路,當有足夠的門極電流Ig流入時,就會形成強烈的正反饋,導致兩晶體管飽和導通。設PNP管和NPN管的集電極電流分別為IC1和IC2,發射極電流對應為Ia和Ik,電流放大系數對應為α1=IC1/Ia和α2=IC2/Ik,設流過J2結的反相漏電流為ICO,晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和:

Ia=IC1+IC2+ICO

=α1Ia+α2Ik+ICO

(1)若門極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為:Ik=Ia+Ig。因此,可以得出晶閘管陽極電流為:

(2)硅PNP管和硅NPN管對應的電流放大系數α1和α2隨其發射極電流的變化而急劇變化。當晶閘管承受正向陽極電壓,而門極未接受電壓的狀況下,式(1)中Ig=0,(α1+α2)很小,故晶閘管的陽極電流Ia≈ICO,晶閘管處在正向阻斷狀態;當晶閘管在正向門極電壓下,從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經NPN管的發射結,從而提高放大系數α2,產生足夠大的集電極電流IC2流過PNP管的發射結,并提高了PNP管的電流放大系數α1,產生更大的集電極電流IC1流經NPN管的發射結,這樣強烈的正反饋過程迅速進行。當α1和α2隨發射極電流增長而使得(α1+α2)≈1時,式(1)中的分母1-(α1+α2)≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia。這時,流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定,晶閘管已處在正向導通狀態。晶閘管導通后,式(1)中1-(α1+α2)≈0,雖然此時門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持本來的陽極電流Ia而繼續導通,門極已失去作用。在晶閘管導通后,假如不停地減小電源電壓或增大回路電阻,使陽極電流Ia減小到維持電流IH如下時,由于α1和α2迅速下降,晶閘管恢復到阻斷狀態。2.2

晶閘管的工作條件由于晶閘管只有導通和關斷兩種工作狀態,因此它具有開關特性,這種特性需要一定的條件才能轉化,此條件見表1。表1

晶閘管導通和關斷條件(1)晶閘管承受反向陽極電壓時,無論門極承受何種電壓,晶閘管都處在關斷狀態。(2)晶閘管承受正向陽極電壓時,僅在門極承受正向電壓的狀況下晶閘管才導通。(3)晶閘管在導通狀況下,只要有一定的正向陽極電壓,無論門極電壓怎樣,晶閘管保持導通,即晶閘管導通后,門極失去作用。(4)晶閘管在導通狀況下,當主回路電壓(或電流)減小到靠近于零時,晶閘管關斷。3

晶閘管的伏安特性和重要參數3.1

晶閘管的伏安特性晶閘管陽極A與陰極K之間的電壓與晶閘管陽極電流之間關系稱為晶閘管伏安特性,如圖2所所示。正向特性位于第一象限,反向特性位于第三象限。圖2

晶閘管伏安特性參數示意圖(1)反向特性當門極G開路,陽極加上反向電壓時(見圖3),J2結正偏,但J1、J2結反偏。此時只能流過很小的反向飽和電流,當電壓深入提高到J1結的雪崩擊穿電壓后,同步J3結也擊穿,電流迅速增長,如圖2的特性曲線OR段開始彎曲,彎曲處的電壓URO稱為“反向轉折電壓”。此后,晶閘管會發生永久性反向擊穿。

圖3

陽極加反向電壓

圖4

陽極加正向電壓(2)正向特性當門極G開路,陽極A加上正向電壓時(見圖4),J1、J3結正偏,但J2結反偏,這與一般PN結的反向特性相似,也只能流過很小電流,這叫正向阻斷狀態,當電壓增長,如圖2的特性曲線OA段開始彎曲,彎曲處的電壓UBO稱為“正向轉折電壓”。由于電壓升高到J2結的雪崩擊穿電壓后,J2結發生雪崩倍增效應,在結區產生大量的電子和空穴,電子進入N1區,空穴進入P2區。進入N1區的電子與由P1區通過J1結注入N1區的空穴復合。同樣,進入P2區的空穴與由N2區通過J3結注入P2區的電子復合，雪崩擊穿后，進入N1區的電子與進入P2區的空穴各自不能所有復合掉。這樣，在N1區就有電子積累，在P2區就有空穴積累，成果使P2區的電位升高，N1區的電位下降，J2結變成正偏，只要電流稍有增長,電壓便迅速下降，出現所謂負阻特性，見圖2中的虛線AB段。這時J1、J2、J3三個結均處在正偏，晶閘管便進入正向導電狀態——通態,此時，它的特性與一般的PN結正向特性相似，如圖2的BC段。(3)觸發導通在門極G上加入正向電壓時(如圖5所示),因J3正偏,P2區的空穴進入N2區,N2區的電子進入P2區,形成觸發電流IGT。在晶閘管的內部正反饋作用(如圖2)的基礎上,加上IGT的作用,使晶閘管提前導通,導致圖2中的伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快。圖5

陽極和門極均加正向電壓3.2晶閘管的重要參數(1)斷態反復峰值電壓UDRM門極開路,反復率為每秒50次,每次持續時間不不小于10ms的斷態最大脈沖電壓,UDRM=90%UDSM,UDSM為斷態不反復峰值電壓。UD