區(qū)熔單晶基礎(chǔ)知識(shí)北京天能運(yùn)通晶體技術(shù)有限公區(qū)熔單晶基礎(chǔ)知識(shí)1區(qū)熔硅單晶生產(chǎn)工藝的優(yōu)點(diǎn)區(qū)熔硅單晶工藝的優(yōu)點(diǎn):無(wú)污染,其產(chǎn)純度高,雜質(zhì)及氧碳含量低,電阻率高可用作大功率整流器各種規(guī)格的可控硅,探測(cè)器等器件區(qū)熔硅單晶生產(chǎn)工藝的優(yōu)點(diǎn)2區(qū)熔單晶基礎(chǔ)知識(shí)課件3區(qū)熔單晶基礎(chǔ)知識(shí)課件4懸浮區(qū)熔工藝的設(shè)備、區(qū)熔爐的種類外熱式區(qū)熔爐:因其高頻加熱時(shí)耦合松弛,功率損耗大,不易形成一個(gè)較窄的熔區(qū),增大單晶直徑受到限制等原因,現(xiàn)已被淘汰。懸浮區(qū)熔工藝的設(shè)備5區(qū)熔爐的種類2、內(nèi)熱式區(qū)熔爐1)內(nèi)熱料棒移動(dòng)式區(qū)熔爐:因電器參數(shù)穩(wěn)定,故障較小,高頻屏蔽好,目前均采用此法。2)線圈移動(dòng)式區(qū)熔爐電器參數(shù)不夠穩(wěn)定,故障較多,功率損耗較大,高頻屏蔽困難。區(qū)熔爐的種類6內(nèi)熱式區(qū)熔爐的結(jié)構(gòu)大體分為三個(gè)組成部分1、爐體部分:爐體、爐室、傳動(dòng)系統(tǒng)、水冷系統(tǒng)、潤(rùn)滑系統(tǒng)、真空系統(tǒng)和觀察裝置2、真空系統(tǒng):機(jī)械泵、油擴(kuò)散泵或分子泵;真空檢測(cè)裝置3、電控系統(tǒng):高頻爐、控制箱。內(nèi)熱式區(qū)熔爐的結(jié)構(gòu)7區(qū)熔單晶基礎(chǔ)知識(shí)課件8保護(hù)氣體般采用氫氣和氬氣氫氣:1是由于氫氣是易燃易爆氣體,比較危險(xiǎn)2是氫氣是有較大的擴(kuò)散速度和很高的導(dǎo)熱性拉出的單晶易脆,缺陷多,目前已被淘汰氬氣:由于是惰性氣體,導(dǎo)熱率比氫氣小7陪,單晶質(zhì)量易于控制,所以被廣泛使用※氬氣純度必須大于99999%,氧含量小于1×106ppM,露點(diǎn)-70C保護(hù)氣體9頻加熱線圈的形式及其工作原理高頻感應(yīng)加熱的優(yōu)點(diǎn)二、感應(yīng)加熱線圈的形式三、加熱線圈工作原理頻加熱線圈的形式及其工作原理10區(qū)熔單晶基礎(chǔ)知識(shí)課件11區(qū)熔單晶基礎(chǔ)知識(shí)課件12區(qū)熔單晶基礎(chǔ)知識(shí)課件13區(qū)熔單晶基礎(chǔ)知識(shí)課件14區(qū)熔單晶基礎(chǔ)知識(shí)課件15區(qū)熔單晶基礎(chǔ)知識(shí)課件16區(qū)熔單晶基礎(chǔ)知識(shí)課件17區(qū)熔單晶基礎(chǔ)知識(shí)課件18區(qū)熔單晶基礎(chǔ)知識(shí)課件19區(qū)熔單晶基礎(chǔ)知識(shí)課件20區(qū)熔單晶基礎(chǔ)知識(shí)課件