DATE\@"yyyy/M/d"2005/3/15LITE-ONELECTRONICS,INC.光寶科技股份有限公司文件名稱：信賴性測試評估準則-PAGE1-信賴性測試評估準則(ReliabilityReviewGuideline)1目的：1.1為確保產品設計的信賴性，以及加強產品在市場之競爭力，建立〝零件額定使用率〞(ComponentStressTest)及〝機種預估壽命〞(MTBFPrediction)之信賴性準則，用以為廠內設計驗證之依據。1.2提早介入及加速產品之成熟度。1.3避免上市后之風險。范圍：凡是本公司電源事業部所開發之產品均適用之。3.權責：3.1零件額定使用率(ComponentStressTest)及機種預估壽命(MTBFPrediction)由信賴性工程師負責測試，ComponentStressDe-rating之定義由設計部及信賴性共同定義。3.2測試樣品由設計工程師負責提供，且須經過BenchTest測試，或有機種之驗證報告。3.3信賴性完成之測試報告須會簽設計部及其部門主管認可后，才可對外發行。3.4信賴性完成之測試報告文件，均須透過DOC才能對外發行。4.參考標準：4.1.零件額定使用率參考準則：ISO9001NPS-MD-P-013。4.2.機種預估壽命(MTBF)參考準則：MIL-STD-217F,BellcoreTR332ISSUE6。5.定義：MTBF(MeanTimeBetweenFailure)：平均間隔失效時間。MTBF=1/(FAILURERATE)HOURS6.作業流程圖：6.1信賴性測試評估作業流程圖如附件17.作業內容：7.1新產品導入會議(KickoffMeeting)：7.1.1新機種由業務主導之新產品會議中決定：.決定樣品(SAMPLE)及其它資料日期..BLUEBOOK發出之日期..信賴性工程師應于EVT階段開始執行評估,且必須于PilotrunPCB修改定案之前完成零件額定使用率之測試與評估,以符合量產及客戶的需求。7.2準備信賴性測試所須事項:7.2.1凡新機種樣品(Sample)送交QRA-REL部門評估時，信賴性工程師必須進行零件額定度之測試與評估；設計工程師須將附件2〝新機種信賴性測試須求事項〞中所列之項目準備給信賴性工程師。7.3檢查并確定客戶規格項目:7.3.1信賴性工程師于收到客戶規格后，需充分了解及確定客戶規格之需求項目，將其填入附件3〝客戶規格確定檢查表格〞中，并附件于〝零件額定使用率測試評估報告(KeyComponentStressTestReport)〞之中。7.4附件4為信賴性測試估評之儀器項目及其測試能力范圍。7.5零件額定使用率之測試與評估：7.5.1零件額定使用率測試評估之重要零件定義如附件5(根據文件ISO9001NPS-MD-P-013)以及含設計部特別要求項目。7.5.2測試儀器設備之校驗：信賴性測試之儀器設備中則由儀校室負責儀校準確度者如下：電源瓦特表,數字電表,儲存式示波器,電流放大測試器,交流電源供應器,電子負載器,直流電源供應器。在每次開機后之儀器自我校驗工作,校驗之方法如附件6。7.5.3測試評估之設定條件：測試評估之設定條件以客戶之規格書為主,若客戶無明確之規定以光寶之內部規定為設定條件，光寶測試設定條件如下：.ComponentStress:InputVoltage:LowHighLoadCurrent:Fullload. Temperature:AmbientTemperature,25℃.7.5.4測試零件溫升量測位置之確定:測試零件溫升量測位置之確定是為了統一量測位置及確實量到熱點之正確位置而訂定如附件77.5.5零件之測試評估項目及判定方式:零件之測試評估項目及判定方式主要參考電源事業部產品技術處所發出之文件名稱為設計準則(NPS-MD-P-013)并以下列零件所測到之值(含Peak,RMS,AVG),轉成判定所需之資料,加以判定。A).電阻(RESISTOR)：電壓測量為RMS值(VAC及VDC)后再以公式計算。B).電容(CAPACITOR)：ELE電壓測量為Peak值，電流測量值為RMS值。 MON,PEI,MEX,DIS,MEF電壓測量為Peak值。C).二極管(DIODE)：電壓測量為Peak值，電流測量值為AVG值，溫度之判定以Tj為標準。D).晶體管(TRANSISTOR)：電壓測量為Peak值，電流測量值為RMS值。溫度之判定以Tj為標準。E).場效晶體管(MOSFET)：Vgs，Vds之測量以Peak值，Id之測量以RMS值。溫度之判定以Tj為標準。F).齊納(ZENERDIODE)：電壓測量為RMS值，測量電流以RMS值。溫度之判定以Tj為標準。G).穩壓器(VOLTAGEREGULATOR)：電壓測量為Peak值，電流測量值為RMS值。溫度之判定以Tj為標準。H).變壓器及磁性組件(TRANSFORMER&CHOKE)：測量溫度，以安規之要求為準。I).IC類(MONOLITHIC)：電壓測量為Peak值，電流之測量以RMS值。溫度之判定以Tj為標準。J).光耦合器(PHOTO-COUPLE)：電壓測量為Peak值，電流之測量為RMS值。溫度之判定以Tj為標準。K).硅控整流器(SCR)：電壓測量為Peak值,電流之測量為RMS值,溫度之判定以Tj為標準。7.5.6零件額定使用率測試評估之判定方法：附件8為零件額定使用率測試評估之判定方法，若客戶有測試評估規范，則以客戶之測試評估規范為主.7.6發出零件額定使用率之測試評估報告。7.6.1信賴性工程師完成零件額定使用率之測試與評估之報告后測試評估報告之結果若判定為OK，應發〝零件額定使用率測試評估報告(KeyComponentStressTestReport)〞給設計工程師，若無疑問，則完成簽署流程后，存盤于技資中心。7.6.2零件額定使用率測試評估報告之版本是與機種之PartList版本一致，若PartList版本有變更時則應先確定變更之影響并測試完成后通知信賴性工程師，則信賴性工程師應對其之變更作評估。7.6.3零件額定使用率之測試評估之報告顯示出最嚴之測試條件結果于〝零件額定使用率測試評估報告(KeyComponentStressTestReport)〞中。7.7測試評估之缺點改善及確認對策(包含KeyComponentStressTest及MTBFTestReport）7.7.1若信賴性工程在零件額定使用率之測試與評估完成之機種中有不良項目，信賴性工程師發出〝信賴性評估不良項目報告〞表格如附件10給設計工程師，用以確定改善不良項目。7.7.2設計工程師于不良項目完成不良分析及對策確定后應先確定變更之影響，再將測試完成之樣品給信賴性工程師，重新確認后PASS,再發出報告。7.7.3電解電容器之使用壽命為配合其使用條件，以單一項目來判定是否合乎產品壽命規格。7.8機種預估壽命(MTBFPrediction)之測試與小時數之計算7.8.1新機種于產品驗證階段應做〝機種預估壽命之測試與小時數之計算〞(MTBFTestReport)之報告。7.8.2機種預估壽命之小時數之計算,是以美軍軍規規范MIL-STD-217F為標準，小時數之計算內容請參考附件9。 7.8.3測試設定條件(若客戶之規格無訂定時):InputVoltage:LowRange=115VAC/60Hz;LoadCurrent:Fullload. ;AmbientTemperature:25℃7.9測試評估報告存盤7.9.1信賴性工程師完成〝零件額定使用率測試評估報告(KeyComponentStressTestReport)〞及〝預估壽命之小時數(MTBFTestReport)〞報告,且完成簽署流程后，將報告存盤于技術資料中心,為新機種所有建文件資料之一部分。7.9.2新機種之測試評估資料以技術中心之存盤資料為主,其它單位若有需求,應以正常之資料申請程序申請,如客戶需求資料,應由業務提出申請,以正式文件方式申請之。7.9.3測試評估存盤資料有所變更,由信賴性工程師完成報告及變更版本后存盤于技術資料中心。7.10設計變更事項7.10.1設計工程師因客戶需求或設計改善進行設計變更時,應通知信賴性工程師,以導入〝設計變更測試評估〞之流程，且設計工程師應先確定變更后之影響及測試完成報告后，再將測試完成之樣品給信賴性工程師，由信賴性工程師重新評估確認后PASS,使再發出報告。7.11信賴性測試評估改進事項7.11.1信賴性工程師于完成一個機種之測試評估報告后，應將須改進之項目修正附件8〝零件額定使用率測試評估之判定方法及表格〞及附件9〝預估壽命之小時數〞(MTBFPrediction)中,使更趨于完善正確。8.附件1.信賴性測試評估流程圖2.新機種信賴性測試評估需求事項3.客戶規格確定檢查表格4.信賴性測試估評之儀器項目及其測試能力范圍5.零件額定使用率測試評估之重要零件定義6.測試評估儀器之校驗方法7.零件溫升量測位置訂定8.零件額定使用率測試評估之判定方法9.機種預估壽命之小時數之計算10.信賴性評估不良項目報告附件1信賴性測試評估流程圖REV.ACategorySales/PMP&TReliabilityEngineer新機種設計驗證提供信賴性測試所需文件及樣品Kickoff提供信賴性測試所需文件及樣品KickoffMeeting提供修改前后之差異,或樣品.提供修改前后之差異,或樣品.Issue信賴性評估不良項目報告Issue信賴性評估不良項目報告.P&T進行缺點改善,并于7日內回復對策.Comp.StressTestNGNGPASSPASS發行發行Comp.StresstestreportIssue信賴性評估不良項目報告Issue信賴性評估不良項目報告.P&T進行缺點改善,并于7日內回復對策.MTBFPredictionTestNGNG設計變更項目PASS設計變更項目PASS發行MTBFtestreport發行MTBFtestreport將測試檔案存入資料中心將測試檔案存入資料中心修改機種設計驗證附件2新機種信賴性測試評估須求事項項次信賴性測試評估須求事項數量1樣品(Sample)62線路圖(Schematic)13材料表(PartList)14客戶規格書(CustomerSpecification)15大板及小板之空板（PCBBoard）各16自動測試報告(BenchTestReport)or測試驗證報告17客戶特別需求(CustomerSpecialRequirement)8特殊連接負載之連結接口(ConnectionBoard)1附件表格3客戶規格確定檢查表格(CustomerSpecificationCheckList)項目Item內容Content備注NoteSpecificationRevision.DescribingthecontentsindifferencefromlastrevisionInput:(Vac/Iac/Frequency)LoadOutput:Vdc/IdcOperatingTemperatureComponentDe-ratingFollowLite-ON’sguidelineorCustomer’sspecialdemandsCapacitorLifetimeSPEC.FantypeornofanConditionMTBFHours附件4信賴性測試估評之儀器項目及其測試能力范圍Equipment:BrandModelCapacitor&PrecisionACSOURCEHP6813ARefertoSupplier’scatalogDCLOAD PRODIGIT3311RefertoSupplier’scatalogPOWERMETERYAKOGAWAWT110RefertoSupplier’scatalogCURRENTAMPLIFIER&PROBETEKAM503BRefertoSupplier’scatalogMULTIMETERHP34411ARefertoSupplier’scatalogOSCILLOSCOPEHP54602BRefertoSupplier’scatalogCOMPUTERPentium586RefertoSupplier’scatalog附件5零件額定使用率測試評估之重要零件定義TESTITEMPRIMARYRectifierBridgeDiode(INCLUDINGPFCCIRCUIT)FilterBulkCapacitors(ELE)SwitchingMainSwitchingMosfetAuxVoltageDiodeCapacitor(ELE)ResistorPWMControlPWMIC/PFCICSnubberDiodeResistorStartupResistorCompensationResistorResetDiodeResistorCurrentSenseResistorSECONDARYRectifierDiodeFilterCapacitorSnubberResistorCapacitorVoltageRegulatorRegulatorIC(7805,7812)LinearMosfetMosfetSCRSCRFeedbackControlPhotoCouplePhotoCoupleRegulatorRegulatorIC(TL431)Transformer&ChokeTransformerChoke(EXCEPTBeadCore,ColorInductor)附件7零件溫升量測位置訂定附件8TAIWANLITEONCOMPONENTDERATINGALLOWANCEREV.D PARTSTAIWANLITEONCOMPONENTDERATINGCRITERIANOTERESISTORPOWER(TESTDATA;W)<POWER(COMPONENTSPEC.;W)VOLT(TESTDATA;V)<VOLT(COMPONENTSPEC.;V)K:CheckwithPOWERVsTEMPERATUREDERATINGCURVE.(Shouldhave30%de-ratingwhileusedinhighvoltage)TEMP.(TESTDATA;℃)<TEMP.(COMPONENTSPEC.;℃)*K(Shouldbecheckedwiththeresistor'sde-ratingcurve)CERAMICANDPLASTICFILMMETALIIZEPLASTICCAP.VOLT(TESTDATA;V)<VOLT(COMPONENTSPEC.;V)*90%TEMP.(TESTDATA;℃)<TEMP.(COMPONENTSPEC.;℃)ALUMINUMELECTROLYTICCAPACITOR(LOWESR&HIGHTVOLTAGE)VOLT(TESTDATA;V)<VOLT(COMPONENTSPEC.;V)*85%VOLT(TESTDATA;V)<VOLT(COMPONENTSPEC.;V)*96%ifRATEDVOLTAGE<100VOLT(RATEDVOLTAGE>=100VOLT)Iftestripplecurrent>or=componentripplecurrentspecification.It'sacceptableasaqualifiedreliabilityperformance.TEMP.(TESTDATA;℃)<TEMP.(COMPONENTSPEC.;℃)RIPPLECURRENT(TESTDATA;A)<RIPPLECURRENT(COMPONENTSPEC.;A)DIODE(BRIDGE,POWERDIODE,HV&LVDIODE)Vr(TESTDATA;V)<Vr(COMPONENTSPEC.;V)*95%If(TESTDATA;A)<If(COMPONENTSPEC.;A)*KVrshouldnotexceed100%whileon/offtransient.K:CheckwithCURRENTVsTEMPERATUREDERATINGCURVE.Tj(TESTDATA;℃)<Tj(COMPONENTSPEC.;℃)Rth(j-c):ThermalResistance,Junctiontocase.Tj=Vf*If*Rth(j-c)+TEMP.(TESTDATA;℃)IC(OPAMP,PWM/PFC,ASIC)V(TESTDATA;V)<V(COMPONENTSPEC.;V)*95%I(TESTDATA;mA)<I(COMPONENTSPEC.;mA)*80%Tj(TESTDATA;℃)<Tj(COMPONENTSPEC.;℃)Rth(j-c):ThermalResistance,Junctiontocase.Tj=V*I(TESTDATA)*Rth(j-c)+TEMP(TESTDATA;℃)OPTO-ELECTRONICVce(Vr)(TESTDATA;V)<Vce(Vr)(COMPONENTSPEC.;V)*95%Ic(If)(TESTDATA;mA)<Ic(If)(COMPONENTSPEC.;mA)*80%P(TESTDATA;W)<P(COMPONENTSPEC.;W)Tj(TESTDATA;℃)<TEMP.(COMPONENTSPEC.;℃)*KTj=Vce(Vr)*Ic(If)(TESTDATA)*Rth(j-c)+TEMP(TESTDATA;℃)Rth(j-c):ThermalResistance,Junctiontocase.TRANSISTORVce(TESTDATA;V)<V(COMPONENTSPEC.;V)*95%Ic(TESTDATA;A)<I(COMPONENTSPEC.;A)*80%Vceshouldnotexceed100%whileon/offtransientTj(TESTDATA;℃)<Tj(COMPONENTSPEC.;℃)Rth(j-c):ThermalResistance,Junctiontocase.Tj=V*I*Rth(j-c)+TEMP.(TESTDATA;℃)MOSFETVds(TESTDATA;V)<Vds(COMPONENTSPEC.;V)*95%Id(TESTDATA;A)<Id(COMPONENTSPEC.;A)*80%Vdsshouldnotexceed100%whileon/offtransient.Tj(TESTDATA;℃)<Tj(COMPONENTSPEC.;℃)Vgs(TESTDATA;V)<Vgs(COMPONENTSPEC.;V)*90%Rth(j-c):ThermalResistance,Junctiontocase.Tj=P*Rth(j-c)+TEMP.(TESTDATA;℃)EAR/EAS(TESTDATA;mJ)<EAR/EAS(COMPONENTSPEC.mJ)VOLTAGEREGURATORV(TESTDATA;V)<V(COMPONENTSPEC.;V)*95%I(TESTDATA;mA)<I(COMPONENTSPEC.;mA)*80%(78XX,79XX,TL431)Tj(TESTDATA;℃)<Tj(COMPONENTSPEC.;℃)Rth(j-c):ThermalResistance,Junctiontocase.Tj=V*I(TESTDATA)*Rth(j-c)+TEMP(TESTDATA;℃)ZENERDIODEP(TESTDATA;mW)<P(COMPONENTSPEC.;mW)*90%Tj(TESTDATA;℃)<Tj(COMPONENTSPEC.;℃)TEMP.(TESTDATA;℃)<TEMP.(COMPONENTSPEC.;℃)Tj=V*I(TESTDATA)*Rth(j-c)+TEMP(TESTDATA;℃)MAGNETIC,CHOKETEMP.(TESTDATA;℃)<TEMP.(COMPONENTSPEC.;℃)*MeetSafetyRequirementinThermalLimitation.THERMISTORI(TESTDATA;A)<I(COMPONENTSPEC.;A)*80%TEMP.(TESTDATA;℃)<TEMP.(COMPONENTSPEC.;℃)TRIAC&SCRVrrm(TESTDATA;V)<Vrrm(COMPONENTSPEC.;V)*90%I(TESTDATA;A)<I(COMPONENTSPEC.;A)*80%Tj(TESTDATA;℃)<Tj(COMPONENTSPEC.;℃)Tj=P*Rth(j-c)+TEMP.(TESTDATA;℃)Note:AboveisaguidelinefordesignuseofLite-ONinternally,whichmightbeinadequateinsomewhere,thecustomer’sspecificationisrequiredsuchasIBM,Dell,HP…...附件9機種預估壽命之小時數之計算COMPONENTMTBFCALCULATORNOTERESISTORλp=λb*πR*πQ*πE*1000λp=Failures/109HoursPLASTICANDMETALIIZE,CERAMICCAPACITORλp=λb*πCV*πQ*πE*1000λb=BaseFailureALUMINUMELECTROLYTICCAPACITORπE=EnvironmentFactor(LOWESR&HIGHTVOLTAGE)πQ=QualityFactorDIODE(BRIDGE,POWERDIODE,HV&LVDIODE)λp=λb*πT*πS*πC*πQ*πE*1000πR=ResistanceFactorTRANSFORMERλp=λb*πQ*πE*1000πS=StressFactorTRANSISTORλp=λb*πT*πA*πR*πS*πQ*πE*1000