半導體產業政策分析歷史復盤：政策持續扶持，促進國內半導體產業發展政策梳理：站在國家戰略高度，多管齊下助力半導體產業發展2000年以來，國家不斷提升半導體行業的戰略地位，通過各種政策持續大力扶持國內半導體產業的發展。2000年，國務院發布《鼓勵軟件產業和集成電路產業發展的若干意見》，對國內集成電路行業首次提出稅收優惠；2006年，國務院發布《國家中長期科學和技術發展規劃綱要（2006-2020年）》，正式提出01專項和02專項的概念；2013年，發改委發布《戰略性新興產業重點產品和服務指導目錄》，將集成電路測試設備列入戰略性新興產業重點產品目錄；2015年，國務院發布《中國制造2025》，將集成電路及專用裝備作為“新一代信息技術產業”納入大力推動發展的重點領域；2020年，發改委、國務院發布《鼓勵外商投資產業目錄（2020年版）》，鼓勵外資向半導體相關領域投資；2021年，全國兩會發布《中華人民共和國國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和2035年遠景目標綱要》，提出加強在人工智能、量子計算、集成電路前沿領域的前瞻性布局；2022年，教育部、財政部、發改委聯合發布《關于深入推進世界一流大學和一流學科建設的若干意見》，提出加強集成電路、人工智能等領域人才的培養。綜合來看，國家持續對半導體產業推出各項鼓勵政策，站在國家戰略高度對產業的發展提出頂層規劃，自上而下地進行多角度、全方位的扶持，加速產業的發展，具體措施包括財稅政策、研發項目支持、產業投資、人才補貼等。1、財稅政策：集成電路各板塊均享受所得稅優惠政策，其中IC設計類企業優惠力度最大國家對集成電路產業的稅收優惠始于2000年，近二十年來持續扶持，彰顯發展決心。2000年6月，國家經貿委政策司與信息產業部組成聯合小組起草形成的《鼓勵軟件產業和集成電路產業發展的若干政策》，是我國首次針對集成電路提供稅收優惠，俗稱“18號文”，覆蓋IC設計、軟件、及部分IC制造企業。2011年，18號文到期后，國務院再次發布新政策（4號文）將優惠期延續至2017年底，并提高部分IC制造企業的優惠力度。2015年，政府將所得稅優惠政策的受益范圍擴大至“封測、關鍵材料、關鍵設備”。2018年，進一步延長IC生產企業的政策優惠年限，提高2018年后新成立IC設計企業的優惠標準，同時新設立項目也可以享受稅收優惠。2019年以來，我國針對集成電路產業繼續出臺多項優惠政策，包括設計、裝備、材料、封裝、測試企業和軟件等環節，彰顯政府對集成電路產業的高度重視和發展決心。目前集成電路各板塊均享受所得稅優惠政策，其中重點IC設計類企業優惠力度最大。根據歷年優惠政策梳理，我們總結出當前時點集成電路各板塊的所得稅優惠情況，包括：1）IC設計：自2020年1月1日起，國家鼓勵的重點集成電路設計企業，自獲利年度起，第一年至第五年免征企業所得稅，接續年度減按10%的稅率征收企業所得稅；2）IC制造：新老企業標準不同，以新企業為例，門檻較高的企業享受“五免五減半”，門檻較低的享受“兩免三減半”等；3）封測、材料、設備：2020年1月1日起，國家鼓勵的集成電路設計、裝備、材料、封裝、測試企業，自獲利年度起，第一年至第二年免征企業所得稅，第三年至第五年按照25%的法定稅率減半征收企業所得稅（“兩免三減半”）。多家上市公司多年來持續享受相關優惠政策，半導體設計及軟件上市企業適用稅率最為優惠。我們統計了板塊部分上市公司歷年來的所得稅優惠稅率情況，2019-2021年間絕大多數上市公司享受了所得稅優惠政策。上市公司中，半導體設計公司多滿足國家規劃布局內重點企業標準，適用10%的所得稅率，享受最優惠稅率，部分子公司滿足“兩免三減半”標準；較為先進的半導體制造企業如中芯國際子公司適用“五免五減半”、“三免兩減半”和“十年免稅”等標準，適用于0%、10%、12.5%或15%等優惠稅率；半導體封測、材料、設備公司主要適用于15%的優惠稅率。2、重大專項：專注于核心技術突破和構建，加速構建集成電路自主產業鏈國家科技重大專項為集成電路技術發展發揮了重要作用。2006年，國家組織大批頂尖專家，研究編制《國家中長期科學和技術發展規劃綱要（2006-2020）》，并通過規劃確定了我國到2020年科技發展的16個重大專項，其中涉及集成電路的有2項，分別是“核心電子器件、高端通用芯片及基礎軟件產品”（“01專項”或“核高基專項”）和“極大規模集成電路制造裝備與成套工藝”（“02專項”）。——01專項的目標：到2020年，我國在高端通用芯片、基礎軟件和核心電子器件領域基本形成具有國際競爭力的高新技術研發與創新體系，并在全球電子信息技術與產業發展中發揮重要作用；我國信息技術創新與發展環境得到大幅優化，擁有一支國際化的、高層次的人才隊伍，形成比較完善的自主創新體系，為我國進入創新型國家行列做出重大貢獻。根據2017年“核高基”國家科技重大專項成果發布會公布的數據，在重大專項支持下，我國核心電子器件關鍵技術取得重大突破，總體技術水平實現了跨越發展，核心電子器件與國外差距由15年以上縮短到5年，成功構建了系列高端技術平臺，核心電子器件長期依賴進口的“卡脖子”問題得到緩解，支撐裝備核心電子器件自主保障率從不足30%提升到85%以上。——02專項的目標：“十一五”期間（2006－2010年），重點實現90納米制造裝備產品化，若干關鍵技術和元部件國產化；研究開發出65納米制造裝備樣機；突破45納米以下若干關鍵技術。“十二五”期間（2011－2015年），重點實施的內容和目標包括：重點進行45-22納米關鍵制造裝備攻關，開發32-22納米CMOS工藝、90-65納米特色工藝，開展22-14納米前瞻性研究，形成65-45納米裝備、材料、工藝配套能力及集成電路制造產業鏈，進一步縮小與世界先進水平差距，裝備和材料占國內市場的份額分別達到10%和20%，開拓國際市場。專項的實施周期為2006-2021年，歷時十五年，相關企業、科研單位承擔了眾多技術專項，完成了諸多技術環節的突破。不同于產業自發的技術進步和產業升級，02專項系統地分析了集成電路產業鏈的各個環節，明確了重要的薄弱環節，由相關企業、單位集中進行技術突破，通過科學審慎的統籌規劃，極大地加速了集成電路自主化產業鏈的建設，縮短了追趕周期，為集成電路產業進一步的發展提供了重要的技術基礎和產業基礎。我們統計了“02專項”的重點投資領域，重點支持的對象為半導體設備公司、半導體材料公司及半導體晶圓制造和封測公司。3、融資支持：大基金直投+撬動地方資金，為產業鏈關鍵企業提供資金支持大基金直接投資集成電路產業關鍵企業，提供資金支持，覆蓋芯片全產業鏈。國家大基金是指國家集成電路產業投資基金，成立于2014年9月24日，目標為推進中國芯片產業發展直接進行產業投資。項目一期投資期限為5年，即2014-2019年，項目二期已于2019年10月注冊。大基金投資項目覆蓋了芯片全產業鏈，包括設計、晶圓、封測、裝備、材料等。其中，大基金一期投資超千億，撬動資金超6500億，聚焦制造、設計環節；大基金二期募資規模超2000億元，資金來源更加多樣化，增加材料、設備、下游應用端投資。大基金一期投資超千億，撬動資金超6,500億，聚焦制造和設計環節。大基金一期初期募資987億元，主要股東為國家財政部（36.47%）、國開金融有限責任公司（22.29%）、中國煙草總公司（11.14%）、亦莊國投（10.13%）等，后續募資規模提升至1,387億元，實際投資超千億元，主要投資于各產業鏈環節中的龍頭企業和特色企業，總計約60家，撬動超6,500億元資金進入芯片產業。根據“芯思想”匯總，從投資分布上看，大基金一期投向聚焦IC制造（63%）、IC設計（20%）、封裝測試（10%）和設備材料（7%）等環節。大基金二期募資規模超2,000億元，資金來源更加多樣化，增加材料、設備、下游應用端投資。大基金二期于2019年10月成立，注冊資本達2,041.5億元，相比一期，股東資金來源更為多樣化，多個國內集成電路產業重鎮積極參與，主要股東包括財政部（11.02%）、國開金融有限責任公司（10.78%）、重慶戰略性新興產業股權投資基金合伙企業（7.35%）、浙江富浙集成電路產業發展有限公司（7.35%）、武漢光谷金融控股集團有限公司（7.35%）、上海國盛有限公司（7.35%）、成都天府國集投資有限公司（7.35%）等。大基金二期會繼續承接一期的芯片產業鏈，提升設備與材料領域的投資比重，同時積極響應國家戰略和新興行業發展規劃，加大對下游應用端的投資，比如智能汽車、智能電網、人工智能、物聯網、5G等領域，以需求推動產業發展，爭取實現國內集成電路產業的技術創新。截至2022年3月31日，大基金二期已宣布投資38家公司，累計協議出資790億元，涵蓋芯片設計工具（EDA，電子設計自動化）、芯片設計、晶圓制造、封裝測試、集成電路裝備、零部件、材料及應用等產業鏈多個環節。——其中制造領域投資晶圓制造（包括晶圓廠、IDM垂直整合制造、存儲）環節依然是大基金投資的重頭，占比達75%，先后投資了長江存儲二期，中芯國際及公司旗下中芯南方、中芯北方、中芯深圳、中芯東方，長鑫存儲母公司睿力集成，華潤微旗下潤西微電子（重慶）有限公司，富芯半導體，士蘭微（旗下士蘭集科）等。——大基金二期投資的第一家集成電路設備零部件公司為萬業企業旗下浙江鐠芯，投資的第一家光掩模公司為廣州新銳光掩模科技有限公司，投資的第一家光刻膠材料公司是南大光電，投資的第一家電子特氣公司為中船（邯鄲）派瑞特種氣體股份有限公司（派瑞特氣），投資的第一家MES軟件商為上揚軟件（上海）有限公司。——在裝備及零部件、材料及軟件領域，大基金二期還投資了EDA軟件初創公司上海合見工業軟件集團有限公司、電子化學品公司興發集團旗下興福電子、封裝載板公司深南電路等。此外，在芯片設計領域，大基金二期還投資了紫光展銳、慧智微、思特威等公司；在設備領域，大基金二期投資了至純科技（旗下至微半導體），繼續扶持了北方華創、中微公司、長川科技等公司，并參與了格科微、翱捷科技等公司的IPO戰略配售。4、其他配套政策：重點地區出臺相關政策，針對各環節出臺激勵措施半導體產業重點地區亦紛紛出臺相關補貼政策、成立地方專項基金，推進各地區集成電路產業發展。2022年以來，為了扶持當地集成電路產業，各地方紛紛出臺相關文件，對本地區半導體產業（包括設計、制造、設備、零部件、材料等環節）提供政策、資金補助、土地優惠、項目獎勵和人才激勵等支持條件，強化在地化半導體產業集群的競爭力。——北京市：針對設計企業開展批量驗證流片及關鍵技術研發進行獎勵；針對集成電路企業購買符合條件的EDA設計工具軟件進行獎勵；針對相關公司進行資金支持；針對人才提供落戶服務、住房服務、子女入學、醫療服務等方面保障。——上海市：給予集成電路設計、設備、材料和EDA研發團隊獎勵。——廣州市：加強組織領導，統籌安排集成電路行業的落地并解決問題；加大財稅支持力度，財政專項資金向集成電路產業傾斜，積極落實國家高新技術企業所得稅優惠政策；加強人才培育引進，引進一批國內外半導體與集成電路領域人才。——深圳市：對半導體與集成電路重大項目投資獎勵；裝備、大力培育引進半導體與集成電路設備、材料企業，開展核心設備及零部件、關鍵材料的研發及產業化；鼓勵企業間驗證服務，提供首臺套裝備、首批次新材料提供驗證服務。——遼寧省：鼓勵重點企業以商招商，積極引進省外具有獨立法人資格的集成電路裝備整機及關鍵零部件配套企業；對首次銷售自主研制的集成電路裝備整機或核心零部件產品進行獎勵；支持企業投資項目建設給予補助；支持企業研發投入，給予企業研發補助。綜合來看，這些年從國家到地方先后出臺多項更有針對性、更有力度的扶持政策，推進半導體產業的發展。從宏觀層面上來看，在各級政府統一規劃和部署下，扶持政策聚焦高端芯片、集成電路裝備和工藝技術、集成電路關鍵材料、集成電路設計工具、先進存儲、先進計算、先進制造、高端封裝測試、關鍵裝備材料、新一代半導體技術等關鍵“卡脖子”領域，推動半導體產業高質量發展，全面提升產業鏈核心環節、加速突破基礎支撐環節、聚力增強產業發展動能、構建高質量人才保障體系等內容，以實現提高全要素生產率，提升產業鏈供應鏈韌性和安全水平。從微觀層面上來看，扶持政策深入財稅、融資、平臺、對外開放、進出口政策、產業園區建設、產業鏈孵化器等諸多細化抓手，對同等條件下優先使用國產半導體設備的廠商給予補助和支持，推進高質量企業培育，按照孵化培育、成長扶持、推動壯大不同階段，給予差別化、全生命周期政策支持。這些宏觀和微觀上的政策為半導體產業的高質量發展提供了可實際操作的行動指南。產業現狀：中低端環節實現國產替代，部分高端核心環節仍待突破受益于國家在財稅優惠、重大專項、融資支持及其他配套政策，半導體產業國產化進程加速推進。在國內全方位、多角度的產業支持下，國內半導體國產化水平不斷提升，特別是2018年以來美國縮緊對華半導體產業制裁，國產替代持續加速。在制造端和設備端，近5年來IC設計、晶圓制造、封裝測試、設備材料等各環節中均有部分細分賽道的國產化率實現快速提升，自主化產業鏈初具雛形。但也需要注意到，在關鍵芯片及設備領域，如芯片端的CPU、GPU、DRAM、NANDFlash，設備端的光刻機、涂膠顯影設備等國產化率仍處于較低水平，有待在新一輪的政策支持下，國產公司實現相關產業突破。國內先進制程半導體領域在設計、設備、材料、晶圓制造和封測等環節國產化率均有較大提升空間。高端環節國產替代是重點任務。1）設計：多而不強，高端數字芯片待突破。根據中國半導體行業協會集成電路設計分會年會數據，2021年（截至12月1日）我國擁有2810家芯片設計企業，較2020年末增加了592家，同比+26.7%，較2017年末的1380家實現翻倍以上增長；2021年我國集成電路設計銷售額約4326.9億元，同比+17%，從地域分布上看，我國集成電路設計公司產值規模主要集中在上海、北京、深圳三座城市，分別為1200/839/697億元，對應占比28%/19%/16%，其余廣泛分布于杭州、無錫、南京、西安、成都、武漢、珠海等城市；從產品分布上看，2021年通信/智能卡/計算機/多媒體/導航/模擬/功率/消費類分別占比21%/4%/14%/3%/3%/15%/9%/32%，整體集中在中低端領域，如傳統消費電子、普通工控安防、智能設備周邊芯片等，但在先進CPU、GPU、FPGA及對應的高端服務器、計算機、算力設備等應用仍較為薄弱。2）設備：國產化加速，但高端仍任重道遠。根據國內部分晶圓廠設備招標采購數據測算，部分推進國產化較快的典型晶圓廠（以長江存儲、華虹集團為例）的設備國產化率（設備數量口徑）已經能夠從2018年的10.34%提升到2022年上半年的24.38%，其中化學機械拋光、清洗、氧化擴散/熱處理、測試、刻蝕、薄膜沉積設備2022H1國產化率分別為50.0%/48.0%/35.3%/33.3%/31.8%/23.8%。根據我們測算，2022年中國大陸半導體設備產值有望達到超過200億元，而中國大陸的內資晶圓廠（去除外商投資廠房）半導體設備需求在1500億元左右，對應國產化率（金額口徑）在13%左右，尚有較大提升空間。然而，半導體設備市場全球前15名均為美日歐廠商，中國大陸廠商在全球市場占比僅約2%。國產替代能力從高到低大致排序：化學機械拋光、爐管、清洗、離子注入、薄膜(PVD/CVD)、刻蝕、量測、光刻，其中量測和光刻環節國產化替代最為迫切。其中核心設備光刻機國產化率僅為1.1%，國產廠商快速追趕，28nmArFi光刻機正在研發。根據中國國際招標采購網站展示的2015-2022年長江存儲、華力集成、華虹無錫等晶圓廠的公開招標數據，共招標光刻機93臺，國產廠商中上海微電子僅于2021年初于長江存儲中標1臺，國產化率約為1.1%，尚處于較低水平。從技術實力上看，國產光刻機尚與國際先進水平存在較大差距，主要體現在制程覆蓋上，但處于快速追趕階段。目前國內僅有上海微電子可以量產光刻機，其最先進的產品為ArFDry光刻機，型號為SSA600/20，采用1:4鏡頭倍率，采用自適應調焦調平技術，可支持90nm制程；同時其正在研究28nmArFi光刻機。第五代EUV光刻機方面，國內長春光機所有布局相關研發，從上世紀90年代開始，長春光機所先后主導和參與了多項EUV相關科研項目，積累了大量相關經驗和優秀人才。3）材料：細分眾多，大硅片等積極推進。集成電路制造材料包括硅晶圓、掩模、電子氣體、工藝化學品、光刻膠、拋光材料、靶材、封裝材料等。高端材料方面我國綜合實力不足。我們匯總了國內主要晶圓廠的半導體材料供應商，其中日本廠商約占30%，美國廠商約占20%，國產化率在20%~30%。部分核心材料如光刻膠，國內產業仍有較大差距。4）制造：國內代差逐步縮小，晶圓代工廠建設蓬勃發展。目前全球領先的芯片制造廠商臺積電已具備3nm芯片量產能力，并逐步向2nm/1.4nm先進制程研發突破，我國大陸廠商近年來取得高速發展，和國際先進水平的代差逐步縮短。根據公司公告，中芯國際已具備14nmFinFET量產能力，并持續推進研發。除中芯國際、華虹半導體、長江存儲等第一梯隊廠商外，還有一批地方政府推進項目，如合肥晶合、廣東粵芯和中芯紹興等。5）封測：差距縮小，中國大陸進入第一梯隊，高端待加強。目前5G、物聯網、高性能運算等先進芯片依賴于先進封裝，國內封測廠商受益先進封裝需求快速增加，有望實現快速增長。國內四大封測廠目前的先進技術涵蓋FC、SiP、晶圓級封裝、2.5D/3D，其中晶圓級封裝、2.5D/3D的技術與國際一線廠商相比仍然不足，長電科技為國內先進技術涵蓋范圍最廣的廠商，同時也具有國內領先實力；通富微電主打CPU/GPU的先進封裝；華天科技晶圓級產品以晶圓級CIS為主并涵括射頻SiP；晶方科技以晶圓級2.5D/3D傳感器為發展主軸。整體而言，中國的先進封裝仍在快速發展期，長電科技領先，通富微電、華天科技及晶方科技次之。經驗參考：全球多地區半導體產業及國內新能源汽車產業，政策加速產業發展為了進一步對國內半導體的政策進行分析，我們復盤美日韓、中國臺灣省等對當地半導體產業的扶持政策及國內新能源汽車行業的政策，從過往經驗中學習。可以總結出，政府政策引導、優秀人才培養、下游產業集群、持續資金投入是不可或缺的要素。從海外經驗觀察，中國大陸半導體處在奮起追趕的發展黃金窗口期，產業發展任重道遠。美國：試圖通過補貼政策及打擊挑戰者保持半導體產業的長期領先地位從歷史發展來看，美國政府采取了較大力度的補貼措施，長期支持半導體產業發展。美國半導體補貼政策可從全球半導體產業發展變化趨勢的角度，區分為支持技術起步和商業化、進行貿易競爭、強化生態建設、保護供應鏈安全四個歷史階段。美國試圖通過半導體補貼政策長期保持全球發達半導體產業集聚區地位，并力圖在當前各個環節占據半導體市場領導地位。第一階段（1950~1970年）：美國通過國防研發支持和政府采購支持半導體技術起步并實現領先。20世紀40~50年代，晶體管和集成電路在美國誕生并在軍事領域應用，美國國防和航空航天的政府研發投入和采購早期占據約一半的市場份額。20世紀60~80年代，美國實施半導體稅收補貼政策促進半導體產業商業化。在此階段，美國政府實施了以稅收優惠為主的政策，并進一步出臺相關措施完善產業發展環境，包括推動政府采購多元化，減少市場門檻，支持中小企業發展等。第二階段（1980～1999年）：美國與競爭對手簽訂貿易協議遏制半導體產業轉移并促進本土產業發展。20世紀80年代，日本半導體產業迅速發展并超越美國。為扭轉競爭力下降趨勢，美國成立美國半導體行業協會（SIA），協調制定半導體貿易管制政策的半導體研究聯盟（SRC）組織半導體商業化研發。同時，美國打擊日本半導體產業，美國政府于1985年對日本進行301調查，指控日本公司傾銷DRAM等產品。經談判，日本在1986年同美國簽署第一次《半導體協議》，規定日本停止在美國市場的傾銷，且要求日本企業購買美國產品，美國企業在日本的市場份額達到20%。1991年，美國以美國企業在日本的市場份額不足20%為由與日本簽訂了第二次《半導體協議》。1996年，美國在日本市場份額超過30%，在全球市場份額也達到30%，超越日本重新成為世界半導體第一大國。第三階段（2000～2018年）：美國采取“軟硬結合”政策，強化半導體生態建設保持半導體產業全球領先地位。美國半導體產業在20世紀90年代再次取得全球領先后，積極借助個人電腦、互聯網等發展時機，因勢利導，充分發揮美國在軟件、互聯網等領域優勢，通過產業生態建設推動美國半導體產業發展。一方面，充分發揮市場競爭機制，降低市場障礙，鼓勵企業通過市場競爭提升競爭力；另一方面，把握移動互聯網、云計算等發展機遇，并進一步鞏固其在計算、通信等領域的領先優勢。總體上，在這個階段，美國更多地通過市場機制推動半導體產業發展。第四階段（2018年至今）：美國通過擴大財政資助，吸引制造業回流保護半導體供應鏈安全。2018年以來，亞洲半導體制造和封測產業崛起。美國政府為應對半導體產業“空心化”，在持續通過提供研發資金支持外，陸續出臺相關法令激勵制造業回流和遏制海外競爭對手。在研發支持方面，美國國防部、能源部等多部門將半導體視為優先發展領域；在立法方面，2015年，奧巴馬政府將“企業研發稅收抵免”由周期性變為永久性以鼓勵半導體企業加大對長期研發的投入。特朗普政府通過加大出口管制和提出制造業法案來鞏固美國半導體的領先優勢。2019年以來，美國通過將華為列入實體管制清單、修改外國直接產品規則限制華為供貨、加大半導體設備和高端芯片的出口管制等一系列措施對全球供應鏈造成沖擊。2022年8月9日，美國總統拜登簽署《2022年最高法院安全資金法案》（又稱《2022年芯片和科學法案》）使之正式生效，該項立法向美國半導體產業提供約527億美元巨額補貼，鼓勵半導體企業在美國建廠。美國的半導體產業補貼具有以下幾個特點:一是美國聯邦政府以研發補貼為主，側重于基礎性研究和部分應用研究，開發及生產性流程研發投入有限。從補貼形式看，美國聯邦政府對半導體產業的研發支持多數集中在研發環節，側重于對基礎科學研究、基礎技術和部分應用研究的政策支持。美國能源部、國防部、國家科學基金等通過與企業合作設立研發項目，分攤研發成本，加大助力先進技術的突破。二是有效利用國防、政府采購服務等世界貿易組織規則例外空間的措施支持本國產業發展。早期的美國國防部系列采購安排為美國半導體產業降低產品進入市場的風險、擴大市場需求、促進產業迭代升級發揮了重要作用，相關采購行為由于可以援引國家安全例外，能夠豁免于世界貿易組織規則。三是美國州政府補貼形式豐富，側重于生產和制造環節。美國政府對企業的補貼方式多數以稅收優惠為主，主要集中在研究和制造環節。2022年5月，美國政府通過法案，將為美國本土的半導體制造項目提供約520億美元的財政援助，同時積極推進為集成電路制造項目提供最高25%的減稅政策，鼓勵英特爾、三星等企業建廠。四是美國采取貿易投資限制等變相支持措施，單邊主義和保護主義色彩較重。例如，美國對日本、中國等發起301調查，通過關稅和貿易政策阻礙公平貿易；限制產品出口或對相關企業實施懲罰，擴大實體清單企業數量，包括限制服務器用的微處理器出口，對中興通訊、晉華進行禁運，把華為及其70個附屬公司以及中科曙光等中國企業列入出口管制實體清單。企業獲益：英特爾是全球半導體行業的龍頭企業，也是美國政府補貼以及州和地方政府補貼的最大受益者之一，1989～2020年共獲得補貼235億美元。據美國“goodjobsfirst”網站統計，1989～2020年英特爾獲得的64億美元補貼中，63億美元來自各州政府，包括俄勒岡州的26.7億美元、新墨西哥州的26.6億美元、亞利桑那州的1億美元。英特爾接受的政府補貼總體上以稅收優惠為主，具體形式包括“戰略投資計劃”、“工業稅收債券”、“對外貿易區”等，部分措施較有代表性，通過隱蔽的政策設計，為英特爾的生產銷售、參與國際競爭提供了重要支持。例如，英特爾廠區所在的俄勒岡州華盛頓郡希爾斯伯勒（Hillsboro），提供英特爾房屋和地價稅優惠減免，替英特爾節省逾11億美元。其他國家/地區：政府引導+技術研發+市場化實現上世紀80年代迅速崛起日本：政府引導集中資源重視研發，大規模投資生產參與全球競爭。（1）集中研發高投入，從國外引進技術到產官學自主研發。（2）參與市場化競爭，成本質量優勢取勝。（3）正值大型機時代及家電興起，下游需求潮流帶動產業的發展。日制DRAM在質量、價格和交貨時間方面均獲得很高評價，使得80年代日制DRAM在全球市場中所占份額不斷上升，1982年超過美國，1987年達到頂峰80%。1985年美國針對日本半導體產業發起301調查，于1986年達成第一次半導體協議，1987年美國再次指責日本向第三國傾銷，于1991達成簽訂第二次半導體協議。兩次協議簽訂使得日本半導體廠商的價格優勢喪失，份額逐漸受到韓國及中國臺灣省新興廠商的侵蝕。目前日本半導體公司在設備、材料領域具有較強優勢。目前日本廠商主要針對NANDFlash、CIS（CMOS圖像傳感器）、汽車電子、功率分立器件等細分品類，在高端數字電路方面涉足不多。而半導體設備材料廠商由于良好的工業基礎和持續的技術積累，至今仍在全球市場占據非常重要的地位。韓國：半導體產業發展具有明顯的政府和財團主導特點，政府扶持企業逆周期擴產實現趕超。20世紀80年代，政府強力干預，韓國選擇DRAM作為發展重點，半導體產業飛速發展，三星、現代、LG等財團參與DRAM為主的大規模芯片生產。1999年后三星成為韓國第一大集團，韓國DRAM市占率超過日本。其中，20世紀80年代DRAM市場景氣不佳，到1986年底，三星半導體累計虧損達3億美元，盡管美日多家公司縮減產能或退出市場，三星仍依靠政府扶持逆周期投資。2000-2010年，三星電子從韓國政府獲得稅收減免共約87億美元。從三星的經驗來看，集成電路產業需時以十年計，數以每年千億計的高投入。當前產業逆全球化趨勢下，多地區頒布政策，保障本土供應安全。如：歐盟委員會于2022年2月8日推出《歐洲芯片法案》，擬動員超過430億歐元（約480億美元）的公共和私人投資強化歐洲的芯片研究、制造，目標是到2030年將歐盟的芯片產能全球占比從目前的10%提高到20%。日本于2022年1月初亦通過一項芯片補貼法案，總計6000億日元（約52億美元）的預算將用于支持芯片制造商，其中向臺積電提供4000億日元（約34.7億美元）的補貼。2021年5月，韓國發布“K半導體戰略”，宣布未來十年將攜手三星電子、SK海力士等153家韓國企業，投資510萬億韓元（約4510億美元），目標是將韓國建設成全球最大的半導體生產基地，引領全球的半導體供應鏈。2021年12月，印度政府批準一項約100億美元的激勵計劃，旨在吸引全球芯片及顯示器制造商進入印度。國內新能源汽車產業：政策+補貼+免稅推動高速發展，在全球汽車產業彎道超車近年來，國務院、財政部、工業和信息化部、科技部、發展改革委等多部門都陸續印發了支持、規范新能源汽車行業的發展政策，內容涉及新能源汽車的稅率減免、購車補貼、產業鏈企業扶持等內容，有力推動了國內新能源汽車行業的進步和發展。我們總結新能源汽車行業的歷史政策，對于行業的補貼涉及多個產業鏈環節，舉措包括直接補貼及減免購置稅等，使消費者和生產企業直接受益。國家自2001年以來推行的新能源汽車政策主要包括：1）生產端給予汽車制造企業補貼，2）消費端消費者購車免購置稅、購買汽車給補貼，3）在配套環節方面，充電站執行大工業電價、暫免收取基本電費等多項措施。通過一系列產業扶持與財稅補貼政策，我國新能源汽車產業經歷了從無到有的飛躍式發展。2013-2019年產銷量呈整體上升趨勢。2015年我國超過美國成為全球最大的新能源汽車生產國，2021年銷量突破350萬輛。目前我國的新能源汽車產銷量占據全球產銷量的半壁江山，所生產、銷售的新能源汽車車型有70%以上都是純電動汽車，其余多為插電混合汽車。國內半導體產業政策展望與分析1、頂層設計：統籌規劃，制定統一目標，組織協調強化頂層設計，統一規劃國內技術發展路徑，強化部門協調，強化區域聯動，形成集聚效應。1）強化頂層設計，可統一規劃技術發展路徑，設定技術目標節點。強化攻關決策和統籌協調，制定國家半導體發展戰略。確定產業鏈短板環節，制定技術節點和商業化進度的目標。2）強化部門協調、區域聯動。在關鍵環節和核心技術領域，可推動加強共性技術研發，聯合企業、科研機構攻關協調。可以跨部門協調人、財、物、政策等科技資源。可通過下設辦公室，負責聘用產業界和學術界的科學家擔任項目經理人，遴選關鍵核心技術和領軍人才、攻關計劃監督與落實、攻關目標考核、制定支持政策等事項。3）聚焦大平臺建設，有助于提升產業集聚力和協同創新效率。如上海、無錫和杭州已建成國家集成電路產業化基地，南京、合肥與蘇州等城市也在優勢區域規劃半導體集聚區，謀劃區域整體發展。發揮長三角的輻射效應：面對美國對我國半導體產業的肆意打壓（華為、中興、中芯國際等企業被美國商務部列入實體清單），而長三角產業鏈上下游企業應積極圍繞關鍵環節與核心技術領域，加強共性技術研發、聯合攻關協調創新，提升產業整體競爭力。2、引導投資：引導產業基金長期投資，進一步完善半導體企業融資渠道，優化考核指標過去幾年科創板的設立和國家/地方產業基金對產業發展起到了一定引導作用。未來可在合理有效設定基金考核目標（如長期技術目標可能與投資回報相悖）、貸款信用擔保、完善風險投資體系等方面進一步優化。1）合理設定考核指標，有效發揮政府引導基金對行業發展的支持作用。有序推進市場化政策工具——政府產業引導基金在半導體產業的投入，建立與真正有潛力企業的長效對接機制，主要體現在政府需繼續發揮帶頭作用，定期鼓勵民資、外資攜手加大對企業的長期資本投入力度，結合投后管理讓潛力企業形成更為高效的長期成長機制。政府產業引導基金一定要帶來“有效”的投資，即區分不同類型細分行業和項目的投資目的，且對于不同環節不同重要性的項目考核要盡量靈活。例如對于“卡脖子”環節相關項目的投資，由于高科技“卡脖子”環節本身發展難度較大的主要原因就是前期投入較大、產出周期長、失敗概率高，在市場機構不愿意主動參與此類項目投資的情況下，需要財政資金積極作為。而當前產業基金（例如“大基金”和各地的集成電路產業基金）的考核中收益是非常重要的內容之一，但針對“卡脖子”重點項目的基金投資考核，不能以收益作為衡量標準，更多靠考核項目的成果轉化、商業落地等情況。因此需要結合投資項目本身的特點，為政府引導基金建立多維度和動態的評價體系，以實現精準施策，并保持一定政策彈性，從而實現對行業發展的有效支持。2）完善半導體產業信用擔保政策。半導體行業屬于資金密集型行業，加之消費者對于產品的性能要求越來越高，相關產品的更新迭代速度非常快，企業對于資金的需求量很大。當前半導體企業的資金來源渠道主要來自政府補貼與投資，以京東方為例，根據《置身事內》整理，政府補貼多次幫助京東方及時籌措到了產線建設必需的資金，幫助公司跨過了面板行業的壁壘，助力京東方在多個主流液晶顯示領域出貨量穩居全球第一（根據Omdia數據）。而半導體的研發屬于風險性較高的項目，因而半導體公司更容易出現壞賬，于銀行貸款角度，信貸的風險偏高，放貸審核相對較為慎重。因此，政府可完善相應的產業信用擔保政策，用財政資金補貼銀行的方式建立半導體公司資金貸款的擔保機制。3）健全完善我國的風險投資機制體系。從半導體行業發展過程來看，其資金的來源是多元化的，僅是財政與銀行信貸還遠遠不夠，完善我國的風險投資機制體系對于吸引更多的民間資本、國外資本等大有裨益。此外，政府也可以帶頭參與風險投資中，以安徽合肥為例，合肥建投、合肥產投及其旗下的基金，通過設立母子基金等形式，吸引社會資本共同發展，使高新技術產業的融資效應有所增加。3、人才支持：培養產業人才，給予國內人才稅收優惠，海外人才國民待遇黨的二十大報告指出：“教育、科技、人才是全面建設社會主義現代化國家的基礎性、戰略性支撐。”人才是高新技術的基石，教育是人才培養的關鍵，更要推動“產、學、研、用”全鏈條體系的建立。1）針對科研體系，加大基礎研究，完善科研、教育體系機制。可以以國家半導體產業發展需求為導向，啟動國家大科學工程研究探索計劃；可以通過設置半導體基礎研究經費（例如以國內半導體產值的10%為標準匹配），鼓勵各研究型高校成立半導體學院，為半導體基礎研究增設科研基金項目和創新研究群體等人才類項目；此外，可以在全國設立半導體物理基礎科學研究中心，資助半導體創新群體和研究組，以人才團隊效應帶動基礎研究向半導體領域回流。2）吸引全球半導體產業優秀人才，壯大半導體基礎研究隊伍，便利入籍通道，給予國民待遇。在集成電路產業的發展進程中，需要高度重視科學家的力量，加快科技人員的培養，鼓勵企業建立科研院所，利用來自世界各地的人才，并吸引更多的優質人才。現階段，美國政府為了使本國所擁有的專利技術得到更多保護，半導體公司在聘用中國人時已經逐漸放緩了步伐，這也為中國吸納優秀人才回國創造了機會。為此，可以引入對集成電路產業高科技人才專項獎勵計劃，構建出立體化的人才吸引機制。針對性設置相關人才項目科技項目，大力實施人才的“引留并舉”，革新人才應用思維，建立健全芯片產業高層次人才引進機制，精準施策，面向高層次人才要力爭做到“一人一策”。3）考慮到半導體行業是高度的人才密集型行業，建議可以考慮實施個人所得稅優惠與企業所得稅優惠相互結合的稅收政策。半導體產業的研發過程本質上是高科技人才參與企業的創新制造，尤其當前國內半導體行業的人才不僅需要國內培養，也需要對外引進優秀人才。因此可以對參與高新技術的研發的科研人員進行一定的個稅減免優惠，有利于國內人才團隊的壯大且激勵個人創造創新。此外，對企業的高管也可以進行一定的稅收優惠，以此作為激勵的一種手段。企業高管在半導體的商品市場化中起到關鍵的領導作用，對其進行一定程度的稅收激勵，有助于管理者更好服務于企業。具體操作來說，一方面通過個人專利申報或重要的管理職能等等外部信息的公開透明評選，篩選國家半導體行業重要人才，通過建立人才庫實現針對高精尖人才的全部個稅減免。另一方面可以鼓勵各城市建立省一級的對應人才庫，對于沒有入選國家高精尖人才庫的重要個人可評選省級人才庫，入庫之后實現個人所得稅中地稅部分的減免，兩者作為補充和結合。同時，也可以進一步細化機制，例如如何建立評選制度，如何進行人才庫的動態更新，以實現對人才的有效激勵。4、攻關機制：成立國家級科研機構，以企業為主體科研攻關采用以企業為主體的攻關機制，完善“揭榜掛帥”等組織模式，可針對薄弱環節統一制定攻關計劃，以企業為主體，有針對性支持，推動企業高效地實現技術攻關。1）建立關鍵技術項目攻關機制，聯合開展核心技術攻關，拓展系統化應用。半導體產業鏈長且廣，上游包括EDA軟件/IP模塊、半導體設備和材料，中游是芯片設計、制造、封裝和測試，下游是各類電子產品，涉及大量材料、設備和配件、軟件和IP模塊。王陽元院士指出，半導體產業鏈上游的任何一種材料、一種設備甚至一個配件都可能成為制約競爭者的手段。建議梳理產業鏈的關鍵技術、“卡脖子”技術，企業牽頭，委托高校院所或企業高校聯合體，探索采取“揭榜掛帥”、“定向研發合作制”等方式，針對“卡脖子”環節進行專項補貼，推動半導體產業整體技術的進步。貫通半導體產業鏈的上下游，同時完善創新成果轉化收益分配機制，建立以成果轉化為導向的科技創新評價體系，突破制約半導體產業發展的技術瓶頸問題。2）充分發揮半導體領域的國家級科研機構、具有學科優勢的高校以及科技創新型企業的作用。進一步加強高校集成電路和軟件專業建設，加快推進集成電路一級學科設置工作；鼓勵有條件的高校采取與集成電路企業合作的方式，加快推進示范性微電子學院建設；鼓勵地方按照國家有關規定表彰和獎勵在集成電路和軟件領域做出杰出貢獻的高端人才以及高水平工程師和研發設計人員，完善股權激勵機制；加強行業自律，引導集成電路和軟件人才合理有序流動，避免惡性競爭。集中優勢力量加快研發和創新速度，實現我國在半導體領域的科技自立自強。5、財稅政策：加大優惠力度，結合多種稅收優惠實現補貼目前針對集成電路產業已有“兩免三減半”、“五免五減半”、“十年免稅”、“設計公司減按10%征收”等所得稅優惠政策，未來可以針對上游環節（如設備、材料、零部件等）和卡脖子核心環節加大優惠力度，結合多種稅收（例如增值稅等）優惠方式鼓勵行業發展。1）當前的稅收優惠政策主要集中在企業所得稅方面，后續還可以結合多種稅收優惠方式鼓勵行業發展。當前半導體行業的優惠稅收政策主要集中在企業所得稅的減免，如2020年7月，國務院頒布了《新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展的若干政策》中提到對“國家鼓勵的集成電路設計、裝備、材料、封裝、測試企業和軟件企業，自獲利年度起，第一年至第二年免征企業所得稅，第三年至第五年按照25%的法定稅率減半征收企業所得稅。”此后財政部等四部委在2020年、2021年、2022年發布了相應的稅收支持政策，明確根據國家鼓勵的不同類型的集成電路生產企業或項目制定相應的稅收優惠政策。部分電子行業公司企業所得稅減稅對2021年的凈利潤影響彈性測算（詳見附錄表16），可以看出降低一定的所得稅率（例如3%），企業的凈利潤將增長相近比例（3%左右），長期來看對公司凈利潤帶來較大提升力度。2）可以考慮通過增值稅的稅收優惠帶動國內全產業鏈發展。增值稅是我國第一大稅種，尤其