芯片工藝流程演示文稿第一頁，共五十八頁。優選芯片工藝流程ppt第二頁，共五十八頁。單晶拉制（1）第三頁，共五十八頁。單晶拉制（2）第四頁，共五十八頁。單晶拉制（3）第五頁，共五十八頁。單晶拉制（4）第六頁，共五十八頁。單晶拉制（5）第七頁，共五十八頁。環境和著裝第八頁，共五十八頁。單項工藝-擴散(1)臥式4爐管擴散/氧化爐擴散/氧化進爐實景圖第九頁，共五十八頁。單項工藝-擴散(2)立式擴散/氧化爐擴散/氧化進爐實景圖第十頁，共五十八頁。單項工藝-擴散(3)擴散工序作業現場第十一頁，共五十八頁。單項工藝-光刻(1)先進光刻曝光設備第十二頁，共五十八頁。單項工藝-光刻(2)現場用光刻曝光設備第十三頁，共五十八頁。單項工藝-光刻(3)檢查用顯微鏡第十四頁，共五十八頁。單項工藝-光刻(4)清洗淀積/生長隔離層勻膠（SiO2Si3N4

金屬…）-HMDS噴淋（增加Si的粘性）-勻光刻膠第十五頁，共五十八頁。單項工藝-光刻(5)前烘對版勻膠-對每個圓片必須按要求對版-用弧光燈將光刻版上的圖案轉移到光刻膠上。-增加黏附作用-促進有機溶劑揮發第十六頁，共五十八頁。單項工藝-光刻(6)顯影/漂洗堅膜腐蝕-硬化光刻膠。-增加與硅片的附著性。-將圓片進行顯影/漂洗，不需要的的光刻膠溶解到有機溶劑。去膠-干法腐蝕/濕法腐蝕第十七頁，共五十八頁。單項工藝-光刻(7)光刻工藝過程第十八頁，共五十八頁。單項工藝-CVD（1）第十九頁，共五十八頁。單項工藝-CVD（2）初級離子氣體被吸收到硅片表面第二十頁，共五十八頁。單項工藝-CVD（3）初級離子氣體在硅片表面分解第二十一頁，共五十八頁。單項工藝-CVD（4）玻璃的解吸第二十二頁，共五十八頁。單項工藝-CVD（5）第二十三頁，共五十八頁。單相工藝-離子注入（1）第二十四頁，共五十八頁。單相工藝-離子注入（2）第二十五頁，共五十八頁。單相工藝-離子注入（3）第二十六頁，共五十八頁。單相工藝-蒸發（1）蒸發原理示意圖第二十七頁，共五十八頁。單相工藝-蒸發（2）濺射原理示意圖第二十八頁，共五十八頁。單相工藝-蒸發（3）第二十九頁，共五十八頁。單相工藝-清洗第三十頁，共五十八頁。基礎認知第三十一頁，共五十八頁。襯底材料擴散層外延層單晶片擴散片外延片第三十二頁，共五十八頁。一次氧化sio外延層第三十三頁，共五十八頁。基區光刻sio外延層第三十四頁，共五十八頁。干氧氧化sio外延層第三十五頁，共五十八頁。離子注入sio外延層雜質注入第三十六頁，共五十八頁?；鶇^擴散sio外延層基區第三十七頁，共五十八頁。發射區光刻sio外延層基區第三十八頁，共五十八頁。發射區預淀積sio外延層基區發射區集電區第三十九頁，共五十八頁。發射區擴散（*）sio外延層基區發射區集電區第四十頁，共五十八頁。發射區低溫氧化（*）sio外延層基區發射區集電區第四十一頁，共五十八頁。氫氣處理sio外延層基區發射區集電區第四十二頁，共五十八頁。N+光刻（適用于P型片）sio外延層基區發射區集電區第四十三頁，共五十八頁。N+淀積擴散（適用P型片）sio外延層基區發射區集電區第四十四頁，共五十八頁。N+低溫氧化（適用P型片）sio外延層基區發射區集電區第四十五頁，共五十八頁。氫氣處理（適用P型片）sio外延層基區發射區集電區第四十六頁，共五十八頁。3B光刻sio外延層基區發射區集電區第四十七頁，共五十八頁。鋁蒸發AL外延層基區發射區集電區第四十八頁，共五十八頁。四次光刻AL外延層基區發射區集電區第四十九頁，共五十八頁。氮氫合金AL外延層基區發射區集電區第五十頁，共五十八頁。AL上CVDSiO外延層基區發射區集電區2第五十一頁，共五十八頁。氮氣烘焙（適用N型片）SiO外延層基區發射區集電區2第五十二頁，共五十八頁。五次光刻SiO外延層基區發射區集電區2第五十三頁，共五十八頁。中測抽測SiO外延層基區發射區集電區2測試系統第五十四頁，共五十八頁。減薄、拋光SiO外延層基區發射區集電區2減薄和拋光部分第五十五頁，共五十八頁。蒸金/銀S