5.2放大器的頻率特性放大器電路中包含的非線性元件主要有：不同類型的電容的在不同頻率下所呈現(xiàn)的容值相差很大耦合電容旁路電容結(jié)電容引線分布電容5-2-1放大器的低頻響應(yīng)單管共射放大電路的頻率響應(yīng)→Av

與f無關(guān)；與電路中電阻構(gòu)成RC

高通電路；高頻段：三極管極間電容并聯(lián)在電路中→

Av

降低。中頻段：各種電抗影響忽略低頻段：隔直電容壓降增大→

Av降低構(gòu)成RC低通電路共射極阻容耦合放大器電路低頻小信號等效電路電路簡化：假設(shè)輸入側(cè)的簡化：輸入側(cè)的等效電容：輸出側(cè)的簡化：簡化電路：低頻增益:低頻響應(yīng)的轉(zhuǎn)折頻率放大器的下限頻率：阻容耦合放大器的低頻響應(yīng)分析方法:（1）首先畫出小信號等效電路并進(jìn)行簡化；（2）求（3）找到頻率響應(yīng)的轉(zhuǎn)折頻率，取所有轉(zhuǎn)折頻率中值最大的一個(gè)作為①靜態(tài)工作點(diǎn)例5.2試求解：②畫低頻小信號等效電路③電路變換結(jié)論：⑤輸出回路：諾頓戴維南⑥求頻響表達(dá)式⑦確定

f

L（BW）5.2.2放大器的高頻響應(yīng)（三極管的頻率參數(shù)）1．共發(fā)射極放大器的高頻響應(yīng)①模型的引出1）晶體三極管的頻率參數(shù)②模型簡化模型參數(shù)的獲得(1)2個(gè)電容

fT—特征頻率，查手冊(2)2個(gè)電阻(3)互導(dǎo)gm的頻率響應(yīng)由H參數(shù)可知低頻時(shí)在有效頻段內(nèi)，的幅頻響應(yīng)令2）密勒定理和密勒電容（1）密勒定理利用密勒定理將跨接在輸入輸出端的阻抗單向化近似，可大大簡化放大電路頻率特性的分析

其對輸入端、輸出端的影響可用并接在輸入端的Y1(s)和輸出端的Y2(s)來等效（2）密勒電容密勒電容CM1：密勒倍增因子：3）共發(fā)射極放大器的高頻響應(yīng)例5.3已知:分析過程：①求靜態(tài)工作點(diǎn)②畫小信號等效電路(保留電容)f(Hz)Xc1Xcb’eXcb’c131856805M318471M10318.5681M31847M10031.8568.1M3185M1k3.26.81M319M10k0.32681k31.9M100k0.03268.1k3.19M1M3.2m6.81k319k10M0.32m68132k100M0.03m68.13.2k計(jì)算電容的電抗：中頻區(qū)隔直電容短路（X0）結(jié)電容開路（X）低頻區(qū)：（低頻響應(yīng)）隔直電容必須考慮結(jié)電容開路（X）C

fL

BW高頻區(qū)：（高頻響應(yīng)）隔直電容短路（X0）結(jié)電容必須考慮C

fH

BW③電路變換(a)Rb=300k>>

Rs=500密勒電容CM密勒效應(yīng)(d)輸出回路：諾頓戴維南④確定

fH、fL

（BW）⑤求頻響表達(dá)式高頻增益中頻增益⑥完整的頻響表達(dá)式及波特圖完整的頻響表達(dá)式及波特圖增益帶寬積GBW：定義：中頻區(qū)增益與頻帶寬度乘積的絕對值評價(jià)放大器性能的另一指標(biāo)5.4負(fù)反饋放大器的頻率響應(yīng)和穩(wěn)定性5.4.1負(fù)反饋對放大電路頻率特性的影響引入負(fù)反饋會造成放大器中頻增益的減小，卻能有效地拓展放大器的帶寬。引入負(fù)反饋以后，放大器的通頻帶變?yōu)?5.4.2負(fù)反饋放大電路的穩(wěn)定性1.負(fù)反饋放大電路自激振蕩的條件1)自激振蕩現(xiàn)象放大電路即使沒有外加輸入信號也有輸出信號，放大電路的這種狀態(tài)稱為自激振蕩。引入負(fù)反饋正反饋?信號

f

結(jié)電容的RC低通電路

相位滯后（附加相移

）中頻區(qū)的負(fù)反饋

高頻區(qū)的正反饋噪聲和干擾

——

包含寬廣的頻率成分2)產(chǎn)生原因3)自激振蕩條件閉環(huán)增益2.