新型高效晶硅電池技術(shù)第1頁(yè)，課件共13頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月三洋HIT電池的發(fā)展第2頁(yè)，課件共13頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月至2008年世界HIT電池的研究現(xiàn)狀第3頁(yè)，課件共13頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月三洋雙面HIT電池結(jié)構(gòu)圖晶硅/非晶硅異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)增加開(kāi)路電壓，提高轉(zhuǎn)換效率第4頁(yè)，課件共13頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月HIT電池工藝制程1.硅片清洗制絨2.正面用PECVD制備本征非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜3.背面用PECVD制備本征非晶硅薄膜和N型非晶硅薄膜4.在兩面用濺射法沉積透明導(dǎo)電氧化物薄膜5.絲網(wǎng)印刷制備電極第5頁(yè)，課件共13頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第6頁(yè)，課件共13頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月HIT電池的優(yōu)點(diǎn)HIT電池具有較高的開(kāi)路電壓VOC，三洋規(guī)?；a(chǎn)效率可超過(guò)20%。良好的溫度特性。室外使用溫度經(jīng)常會(huì)達(dá)到70-80度，在同樣的高溫下，HIT電池比晶硅太陽(yáng)電池性能衰減更少。HIT電池工藝均在200度以下，對(duì)于襯底硅材料的要求較低。熱能投入少，同時(shí)對(duì)環(huán)境潔凈程度要求較低。全部在線式設(shè)備，易于實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化效率可以做到19%，與17%的常規(guī)電池效率相比，相當(dāng)于節(jié)省9%的成本溫度特性0.3%/Kvs.0.43%/K，增加4%的能量輸出，節(jié)省4%的成本。R&RHJT電池的優(yōu)點(diǎn)第7頁(yè)，課件共13頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月工藝對(duì)比第8頁(yè)，課件共13頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月三洋產(chǎn)能增長(zhǎng)緩慢近年三洋的電池產(chǎn)能排名不斷降低，到2009年已經(jīng)跌出前十。相似的壟斷技術(shù)企業(yè)FirstSolar和SunPower一直保持強(qiáng)勁的增長(zhǎng)。第9頁(yè)，課件共13頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月HIT技術(shù)難點(diǎn)非晶硅太陽(yáng)電池的研究，現(xiàn)在主要著重于改善非晶硅膜本身性質(zhì)，以減少缺陷密度。嚴(yán)格控制a-Si/c-Si界面質(zhì)量，不斷降低缺陷態(tài)密度。優(yōu)化光陷，降低反射率。提高透明導(dǎo)電膜的電導(dǎo)率，透射率。降低金屬柵線的接觸電阻。第10頁(yè)，課件共13頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月PECVD技術(shù)難點(diǎn)一等離子體的不穩(wěn)定性。等離子體的穩(wěn)定性是一個(gè)復(fù)雜的問(wèn)題。等離子體本身是由電子、離子等帶電電荷組成的準(zhǔn)中性氣體,因此,它的狀態(tài)容易受到外界條件的影響而發(fā)生變化。襯底表面的帶電狀態(tài)、反應(yīng)器壁的薄膜附著、電源的波動(dòng)、氣體的流速等都會(huì)改變等離子體的狀態(tài),改變其中活性粒子的種類(lèi)及數(shù)量,從而改變所沉積薄膜的性質(zhì);另外在大規(guī)模生產(chǎn)中,在較大的面積上保持等離子體的均勻性也是一件困難的事。這種差異的原因往往是隱性的,解決這一問(wèn)題需要精通等離子體的專業(yè)知識(shí)。第11頁(yè)，課件共13頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月PECVD技術(shù)難點(diǎn)二等離子體中電子及離子輻照對(duì)沉積薄膜結(jié)構(gòu)及電子學(xué)特性損傷。等離子體加工過(guò)程中另一方面的問(wèn)題是等離子體損傷,主要指離子轟擊及光子輻照,除了會(huì)降低沉積膜的質(zhì)量外,還對(duì)晶體Si襯底帶來(lái)?yè)p傷。光譜響應(yīng)的研究結(jié)果發(fā)現(xiàn)利用等離子體技術(shù)制備的HIT電池,在藍(lán)光區(qū),光譜響應(yīng)提高,而在紅光區(qū),光譜響應(yīng)降低,這一方面表明本征層的鈍化作用提高了藍(lán)光區(qū)的光量子效率,另一方面表明等離子體對(duì)器件的損傷深入到器件內(nèi)部,造成主要在Si體內(nèi)被吸收的紅光區(qū)的量子效率下降。為降低等離子體損傷,需要嚴(yán)格控制等離子體的放電功率,將其降低至最小,以能維持放電為準(zhǔn),這實(shí)際上降低了等離子