電子科學與技術專業第一篇：電子科學與技術專業電子科學與技術專業主要課程:電子線路、計算機語言、微型計算機原理、電動力學、量子力學、理論物理、固體物理、半導體物理、物理電子與電子學、微電子學等。專業實驗:物理電子技術實驗、光電子技術實驗、半導體器件與集成電路實驗等.學制:4年.授予學位:工學學士.相近專業:電子信息工程.就業方向:主要到該領域內從事各種電子材料、元器件、集成電路乃至集成電子系統和光電子系統的設計、制造和相應的新產品、新技術、新工藝的研究、開發工作.就業形勢:根據有關資料統計,近幾年該專業畢業生就業率在70%左右,重點名牌高校就業率在90%左右.根據對國內外電子科學與技術行業的現狀和發展趨勢分析，美國、西歐、日本、韓國、臺灣地區的電子科學與技術產業已經步入上升軌道。中國隨著市場開放和外資的不斷涌入，電子科學與技術產業開始煥發活力。中國“十一五”規劃的建議書將信息產業列入重點扶植產業之一，中國軍事和航天事業的蓬勃發展也必然帶動電子科學與技術行業的發展和內需。中國電子科學與技術產業將有一個明顯的發展空間，高科技含量的自主研發的產品將進入市場，形成自主研發和來料加工共存的局面；中國大、中、小企業的分布和產品結構趨于合理，出口產品將穩步增加；高技術含量產品將向民用化發展，必然促進產品的內需和產量。隨著社會需求會逐步擴大，電子科學與技術專業總體就業前景看好。畢業生面臨“再學習”過程跟發達國家相比，我國目前在微電子領域的高等教育水平還比較低。清華大學微電子學研究所王志華教授在接受《中國電子報》記者采訪時表示，大學工科學科研究的重要目的是解決工業界期望解決而沒有解決（至少是沒有解決好）的科學和技術問題，這就是工科領域的創新。因此，大學中工科學科的研究水平一定與所在國家相關工業的發展水平密切相關。如果國家相關工業水平在世界上處于落后地位，相關工程學科的研究水平整體上不可能領先世界，即便能取得一些世界領先的成果，也一定是鳳毛麟角。與此相關的是，高水平工程技術的人才培養，與受教育者在大學中研究經驗的積累密切相關，在工業落后的情況下，高等工程教育的整體水平不可能領先世界。我國微電子產業與教育的現狀和趨勢恰好印證了王教授的這個觀點。在看清楚差距之后，加大對高校微電子專業科研的投入就顯得尤為必要，因為高素質的人才一定是通過科研實踐活動培養出來的。“這必須是國家行為。”王志華教授強調說，“高校的科研不應該是與企業競爭，大學從事的創新性研究可能會面對失敗，高水平人才的培養過程中也常常要面臨各種形式的失敗，但這種失敗所付出的社會成本比在企業中失敗要小得多，這是對全社會都有利的；當然，高等院校在國家支持下所取得的科研成果應該由全社會分享。”在王志華教授看來，高等院校在工科技術人才培養方面至少應該做好兩件事，第一是基礎學科的教育，包括基本的數學知識、物理知識和工程知識等；第二是盡可能地為學生提供全面的工程訓練。對于研究型大學，還要培養學生的創新能力。“客觀地講，要完全達到上述目標難度非常大?！蓖踅淌诼詭нz憾地說。中國高校的招生規模已經從1977年恢復高考時的27萬人擴大到20XX年的近600萬人，對于高校本科畢業生而言，中國的高等教育已經不再是當年的精英教育，高校所培養的是一般意義上的勞動者，他們在大學里掌握的是從事各種工作所需要的基本技能、繼續學習所需要基礎知識及思維方法。王教授認為，作為教學機構，高等院校不可能為各家企業量身定制他們所需的人才，因此，即便是具有很強專業技能的碩士畢業生，在其進入企業以后也將經歷一個“再學習”的過程，這個任務，客觀上需要企業自己完成。電子信息科學與技術專業本專業培養系統地掌握電子信息科學與技術的基本理論、基本知識和基本技能，受到良好的現代化電子信息系統方面的科學研究訓練的高級專門人才.主要課程設置：電子科學與技術、計算機科學與技術、電子技術基礎、數字系統與邏輯設計、微機原理與應用、信號與系統、信息理論與編碼、電磁場與電磁波、通信原理、信息處理技術及其應用。本專業畢業生能夠在電子信息科學技術、計算機科學與技術及相關領域和行業，從事研究、教學、科技開發、工程設計和管理工作。學習這個專業的基本要求：1.具有較扎實的數理基礎；2.掌握電子學、信息科學、計算機科學等的基本理論、基本方法和技能；3.具有在信息的獲取、傳遞、處理及應用等方面從事理論研究和解決實際問題的能力；4.了解電子信息學科的理論前沿、應用前景和最新發展動態，以及電子信息產業的發展狀況；5.掌握文獻檢索、資料查詢以及應用現代信息技術獲取相關信息的基本方法；6.具有良好的口頭和書面表達能力，以及較強撰寫科學論文的能力，并能熟練運用一門外語進行溝通和交流；7.具有良好的人文素養和科學素養、較好的心理素質、較強的創新精神。主干學科：電子科學與技術、計算機科學與技術。主要課程：高等數學、工程數學、大學物理、C語言程序設計、電路理論、模擬電子技術、數字電路與邏輯設計、信號與系統、微機原理、單片機與嵌入式系統、通信電子線路、數字信號處理、信息論與編碼、通信原理、可編程器件原理、DSP技術與應用、數字語音處理、數字圖象處理等。主要專業實驗：物理實驗、電子線路實驗、數字電路實驗等。就業單位：國有企業、民營及私營企業，IT企業，信息與計算科學專業的畢業生進入IT企業是一個重要的就業方向，它們可以在這些企業非常高效的從事計算機軟件開發、信息安全與網絡安全等工作。信息產業對人才的需求首先是基本的“技能”，包括計算機編程的基本能力，要求具有良好的數據庫和計算機網絡的知識和使用技能，熟悉基本的軟件開發平臺。由于信息產業進入“應用”為主流的時代，高水平的從業人員不僅要掌握基本的“技能”，關鍵還要具備將實際問題提煉為計算問題以及求解該問題的能力，這正是信息與計算科學專業學生的優勢所在，也是近幾年來國內大型IT企業“搶購”知名高校計算數學專業畢業生的原因所在。電子信息科學與技術專業就業前景專業就業前景：這一行業的前景是十分廣闊的，將來的分工也會越來越細，未來中國需要大量這方面的專業人員。目前不僅沒有飽和，而且需求會越來越大。不過要有真本事，將來的競爭肯定也會越來越激烈。主要到應用光學、光電子學及相關的電子信息科學、計算機科學等領域(特別是光機電算一體化產業)從事科學研究、教學、產品設計、生產技術或管理工作。隨著計算機技術廣泛深入地應用于人類社會生活，以及全球信息產業的迅速崛起，二十一世紀的中國將向知識經濟時代邁進，教育、科研、社會、經濟等各個領域需要越來越多的信息與計算科學的人才，信息與計算科學的研究和應用將邁向更深入和更廣泛的領域?？梢灶A計，信息科學與技術在今后較長時間里仍然是極具生命力的領域。畢業生就業面寬，適應能力強，適宜到科技、教育、經濟和管理部門從事科研、開發、管理及教學工作，特別是與數學、計算機應用和經濟管理相關的工作，可以繼續攻讀數學、計算機科學、經濟管理和一些相關學科的碩士學位研究生。三、基本要求本專業主要學習電子信息科學的基本理論、基本方法、基本知識，掌握扎實的電子技術與信息理論基礎，具備在電子信息及相關領域內從事科學研究、應用開發的能力。畢業生應獲得以下幾方面的知識和能力：1.掌握較扎實的數學、物理等自然科學和一定的社會科學基礎知識，具有較強的運用外語的能力；2.較系統地掌握本專業所必需的電子技術信息的基本理論與技能；3.能熟練使用計算機（包括常用語言、工具及一些專用軟件）進行信息處理，具有基本的算法分析、設計能力和較強的編程能力；4.掌握必要的相關學科和相關專業的知識，包括智能信息處理、文字語音視覺圖象處理、光電信息處理等領域的基本知識；5.掌握文獻檢索、資料查詢的基本方法，具有較強的分析、解決實際問題的能力和從事科研的初步能力。預言半導體產業四大趨勢第一大趨勢：30年河“西”，30年河“東”?；赝w管誕生這60年，我們可以明顯看到半導體產業明顯向東方遷移的趨勢，特別是從80年代末開始。1987年臺積電這個純晶圓代工廠的成立，宣告著半導體制造業開始從西方向東方遷移；90年代初，三星成為全球最大的DRAM廠商，隨后，再成為全球閃存的最大廠商；90年代中，臺灣智原、聯發科、聯詠等一批IC公司從聯電分離出來，吹響了東方IC公司挑戰西方IC公司的號角；進入21世紀，中芯國際帶動中國大陸代工業成長起來，成為另一個制造中心，并且也帶動了中國IC設計業的成長；最后，德州儀器、飛思卡爾、英飛凌、LSI以及ADI等眾多傳統的IDM廠商轉向輕資產模式，放棄獨自建造45nm工廠，而分別與臺積電、特許和聯電等合作研制，20XX年，在集成電路誕生50周年的這一年，這些傳統IDM公司的45nm產品都將亮相，但是，不是在這些IDM自己的工廠生產，而是在以上亞洲的代工廠里生產。90nm是一個轉折點，當臺積電等代工廠突破了這個節點后，它們已將先進工藝的大旗從IDM手中接了過來，未來，臺灣晶圓代工廠在半導體工藝技術上將領先全球，并且成為全球IC產量最大的基地。雖然英特爾仍主宰著PC產業，并繼續IDM模式和領導最先進的工藝，但是，半導體產業的推動力已由PC轉向消費電子。展望未來，不論是在應用推動還是在技術創新上東方都將取代西方成為產業的領導著。全球半導體產業將演義30年河“西”，30年河“東”的歷史大戲。第二大趨勢：有更多的私募基金加入半導體行業，且IC公司之間的整合加速。半導體行業將會越來越遵循大者恒大的定律。恩智浦半導體大中華區區域執行官葉昱良指出：“私募基金加入半導體行業是一個趨勢，這個趨勢源起于IC公司會有愈來愈多的整合需求，基于大者恒大的定論，在IC產業通常也只有前5強才能生存。”在大者恒大定律的驅動下，會有更多半導體公司的整合。其中最值得期待的是中國臺灣與大陸半導體公司之間的整合。義隆電子董事長葉儀晧指出：“因臺灣沒有具經濟規模的市場，故不易培養出可以主導新應用的產品規格的大型OEM，而沒有這些有品牌的系統廠商配合時，臺灣IC設計公司新產品開發的策略，很自然地大多以跟隨者為主。但中國大陸擁有廣大的市場及具規模的系統廠商，所以臺灣IC設計公司與大陸市場及系統公司合作是未來的趨勢。”促成更多半導體公司整合的另一個重要原因是IP需求，隨著半導體產業向高端SoC發展，對IP的需求巨增。但是，對于IP的獲得卻會越來越難。一些擁有豐富IP的半導體廠商并不希望將IP授權出去，正如NXP的葉昱良表示：“事實上，一個公司光靠授權IP是很難長期發展的，所以我們的策略是如何加快我們自己的SoC研發，并且更加靈活的和partner合作。我們擁有大量優秀的IP，我們的挑戰就是如何將這些IP最快地轉化為IC?！保▽τ贏RM來說可能是例外，ARM是只靠授權獲取利潤獲得很好發展的公司）因此，中小歐美半導體廠商之間整合也會越來越頻繁。希圖視鼎總裁兼CEO劉錦湘分析道：“和10年前相比，硅谷的公司生態環境發生了很大變化。很多公司相互合并，或者大公司把小公司吃掉，很多公司面臨嚴重的生存危機。公司規模越來越大，但公司數量越來越少，每一個市場最終生存下來不會超過三個公司?！钡谌筅厔荩簹W美廠商不再輕易放棄低利潤市場。未來10年，半導體產業會逐漸成為一個成熟的產業，一個微利的產業。半導體產業年增長率會從兩位數降到單位數，IC總產量和總銷售額會繼續增加，但利潤率會下降。在利潤率逐漸下降的趨勢下，歐美半導體廠商不再輕易放棄低利潤的市場。義隆電子董事長葉儀晧說道：“以前歐美日大廠IC的毛利率如果低45%時，他們通常會放棄而漸由臺灣IC設計公司取代，他們會轉移到更高毛利的新興應用市場上。但這幾年殺手級的產品并不多，那些大廠不再輕易放棄，且會進行各種CostDown規劃，以維持市占率及產品的毛利率，讓臺灣IC設計公司的競爭愈來愈辛苦。未來，隨著亞洲成為全球的應用創新與消費中心，歐美廠商在該市場將與中國大陸和臺灣的眾多IC公司爭奪一些關鍵領域，而利潤會越來越低。最典型的將是移動多媒體處理器，也稱為應用處理器。此外，模擬IC的利潤也會越來越低。圣邦微電子總裁張世龍表示：“在模擬IC領域，相對技術門檻正在逐年降低。越來越多的臺灣和大陸公司開始涉足這一領域。隨著模擬器件市場競爭越來越激烈，傳統歐美公司在模擬器件市場上越來越難以維持其競爭力，只能向更高的系統集成度發展?！钡谒拇筅厔荩悍志帽睾希暇帽胤?。在20XX年前后，眾多的半導體廠商從母公司剝離，包括英飛凌、科勝迅、杰爾、NEC、飛思卡爾以及NXP等。但是剝離出來后的獨立半導體公司活得并不如預期的好，其中不少是連續多年虧損。最典型的是杰爾，不斷出售產品線，最后被被LSI收購。雖然他們有著令人羨慕的技術積累與IP積累，但分離出來后，他們仍嚴重依賴每公司，在開拓新的大牌OEM客戶方面做得并不好。其實，最重要的是，由于SoC向高系統集成發展，在開發大規模的LSI時，仍需要IC公司與OEM的緊密合作。瑞薩半導體管理(中國)有限公司CEO山村雅宏表示：“在開發大規模LSI方面，我們認為與大型OEM和服務商合作是一個方向?！比鹚_在開發3G手機芯片時就是與六家公司聯合開發的，包括日本最大的電信運營商NTTDocomo和幾家手機制造商。很明顯，聯合開發將帶來IP、開發成本以及開發時間的優勢。“目前半導體制造商難以獨自開發領先的技術。我們必須利用過去的研發資本包括IP、與OEM合作伙伴以及第三方的關系?！币虼?，展望未來，大型半導體廠商與OEM會再度整合，但可能是一種松散的組合。合久必分，分久必合，這一遠古的名言，用于半導體產業再合適不過。今年是“十二五”開局之年，也是集成電路產業迎來新一輪發展的大好時機，20XX年10月十七屆五中全會的決議，把新一代新意技術列為七大戰略性新興產業之首，明確指出要增強科技創新能力，在核心電子器件等集成電路細分領域攻克一批核心關鍵技術。今年1月12日，國務院召開的常務會議研究部署進一步鼓勵軟件產業和集成電路產業發展政策措施，會議指出，軟件產業和集成電路產業是國家戰略性新興產業，是國民經濟和社會信息化的重要基礎，這一切充分體現了國家對集成電路產業發展的高度重視，而且繼續給予大力支持。集成電路產業的戰略基礎地位和國家的高度重視，為產業發展營造了良好的發展環境，我們行業同仁們受到了極大的鼓舞?；厥仔屡f世紀之交，國務院18號文的頒布，開辟了產業發展的新歷程，迎來了產業歷史上最好的十年的發展時期，這期間所取得的成就為產業快速發展奠定了難能可貴的基礎。產業規模繼續擴大，產業銷售收入從20XX年僅僅186億元到20XX年為700億元，到20XX年現在根據預估有望實現同比增長28%以上，銷售收入超過1400億元。同時，技術創新取得進展，產業結構改善，企業在國際競爭中迅速成長，以集成電路企業為例，20XX年大家知道全球金融危機，全球集成電路產業由此深度下滑，但是在這種情況下，我們的設計業實現了近15%的正增長，09年銷售收入過億元的設計企業有40家，最高的達到41億元。剛過去的20XX年，設計業又實現大幅度增長，過億元的企業數量和整個設計業的銷售額還將進一步大幅度增加，各種跡象表明我國集成電路設計企業在經歷了成功與挫折，磨難與考驗之后，正在進入快速發展階段，他們所積累聚集的能量正在迸發出來，我們完全有信心期待更好的發展前景，我們也完全有信息期待更多的公司在眾多產品的工藝技術領域有更好的發展前景。第二篇：電子科學與技術專業《半導體照明技術及其應用》課程教學大綱（秋季）一、課程名稱：半導體照明技術及其應用SemiconductorLightingTechnologyandApplications二、課程編碼：三、學時與學分：32/2四、先修課程:微積分、大學物理、固體物理、半導體物理、微電子器件與IC設計五、課程教學目標：半導體照明是指用全固態發光器件LED作為光源的照明，具有高效、節能、環保、壽命長、易維護等顯著特點，是近年來全球最具發展前景的高新技術領域之一，是人類照明史上繼白熾燈、熒光燈之后的又一場照明光源的革命。本課程注重理論的系統性﹑結構的科學性和內容的實用性，在重點講解發光二極管的材料、機理及其制造技術后，詳細介紹器件的光電參數測試方法，器件的可靠性分析、驅動和控制方法，以及各種半導體照明的應用技術，使學生學完本課程以后，能對半導體照明有深入而全面的理解。六﹑適用學科專業：電子科學與技術七、基本教學內容與學時安排：緒論（1學時）半導體照明簡介、學習本課程的目的及要求第一章光視覺顏色（2學時）光的本質光的產生和傳播3人眼的光譜靈敏度4光度學及其測量5作為光學系統的人眼6視覺的特征與功能7顏色的性質國際照明委員會色度學系統9色度學及其測量第二章光源（1學時）太陽月亮和行星人工光源的發明與發展4白熾燈5鹵鎢燈6熒光燈7低壓鈉燈高壓放電燈9無電極放電燈10發光二極管11照明的經濟核算第三章半導體發光材料晶體導論（2學時）1晶體結構2能帶結構3半導體晶體材料的電學性質4半導體發光材料的條件第四章半導體的激發與發光（1學時）PN結及其特性2注入載流子的復合輻射與非輻射復合之間的競爭4異質結構和量子阱第五章半導體發光材料體系（2學時）砷化鎵2磷化鎵3磷砷化鎵4鎵鋁砷5鋁鎵銦磷6銦鎵氮第六章半導體照明光源的發展和特征參量（1學時）發光二極管的發展發光二極管材料生長方法3高亮度發光二極管芯片結構4照明用LED的特征參數和要求第七章磷砷化鎵、磷化鎵、鎵鋁砷材料生長（3學時）磷砷化鎵氫化物氣相外延生長（HVPE）2氫化物外延體系的熱力學分析3液相外延原理4磷化鎵的液相外延5鎵鋁砷的液相外延第八章鋁鎵銦磷發光二極管（2學時）AlGaInP金屬有機物化學氣相沉積通論2外延材料的規模生產問題3電流擴展4電流阻擋結構5光的取出6芯片制造技術器件特性第九章銦鎵氮發光二極管（2學時）GaN生長2InGaN生長3InGaNLED4提高質量和降低成本的幾個重要技術問題第十章LED芯片制造技術（3學時）1光刻技術2氮化硅生長3擴散4歐姆接觸電極5ITO透明電極6表面粗化7光子晶體8激光剝離（LaserLiftoff，LLO）9倒裝芯片技術垂直結構芯片技術11芯片的切割LED芯片結構的發展第十一章白光發光二極管（2學時）1新世紀光源的研制目標2人造白光的最佳化3熒光粉轉換白光LED4多芯片白光LED第十二章LED封裝技術（3學時）LED器件的設計2LED封裝技術第十三章發光二極管的測試及可靠性（2學時）發光器件的效率2電學參數3光電特性參數——光電響應特性4光度學參數5色度學參數6熱學參數（結溫、熱阻）7靜電耐受性8LED可靠性概念9LED的失效分析10可靠性試驗11壽命試驗可靠性篩選例行試驗和鑒定驗收試驗第十四章有機發光二極管（2學時）OLED4有機發光56白光OLED發展趨勢和實用化預測第十五章半導體照明驅動和控制（2學時）LED驅動技術2LED驅動器LED集成驅動電路4控制技術第十六章半導體照明應用技術、市場現狀和展望（1學時）1半導體照明應用產品開發原則2LED顯示屏3交通信號燈4景觀照明5手機應用6汽車用燈LCD顯示背光源8微型投影機9通用照明光源效率和照明系統整體效率11LED外延12LED芯片技術13LED封裝技術LED發光效率的發展15市場現狀和預測16半導體照明發展目標八﹑教材及參考書方志烈編著，《半導體照明技術》，電子工業出版社，20XX九、參考書1、史光國編著，《半導體發光二極管及固體照明》，科學出版社，20XX2、陳元燈編著，《LED制造技術與應用》，電子工業出版社，20XX3、肖志國編著，《半導體照明發光材料及應用》，工學工業出版社，20XX4、毛興武等編著，《新一代綠色光源LED及其應用技術》，人民郵電出版社，20XX十、考核方式：開卷考試第三篇：電子科學與技術專業描述電子科學與技術專業描述首發外貿電子科學與技術專業描述本專業培養具備物理電子、光電子與微電子學領域內寬廣理論基礎、實驗能力和專業知識，能在該領域內從事各種電子材料、元器件、集成電路、乃至集成電子系統和光電子系統的設計、制造和相應的新產品、新技術、新工藝的研究、開發等方面工作的高級工程技術人才。業務培養要求：本專業學生主要學習數學、物理、物理電子、光電子、微電子學領域的基本理論和基本知識，受到相關的信息電子實驗技術、計算機技術等方面的基本訓練，掌握各種電子材料、工藝、零件及系統的設計、研究與開發的基本能力。畢業生應獲得以下幾方面的知識和能力：1．具有堅實的自然科學基礎，較好的人文社會科學基礎，并熟練掌握一門外語；2．系統地掌握本專業領域必需的較寬的技術基礎理論；3．具有較強的本專業領域的實驗能力，計算機輔助設計與測試能力和工程實踐能力；4．了解本專業領域的理論前沿和發展動態；5．掌握文獻檢索、資料查詢的基本方法，具有一定的科學研究和實際工作能力。主干課程電子科學與技術主要課程：電子線路、計算機語言、微型計算機原理、電動力學、量子力學、理論物理、固體物理、半導體物理、物理電子與電子學以及微電子學等方面的專業課程。主要實踐性教學環節：包括電子工藝實習、電子線路實驗、計算機語言和算法實踐、課程設計、生產實習、畢業設計等。一般安排20XX修業年限：四年授予學位：工學學士相近專業：微電子學自動化電子信息工程通信工程計算機科學與技術電子科學與技術生物醫學工程電氣工程與自動化信息工程信息科學技術軟件工程影視藝術技術絡工程信息顯示與光電技術集成電路設計與集成系統光電信息工程廣播電視工程電氣信息工程計算機軟件電力工程與管理智能科學與技術數字媒體藝術計算機科學與技術探測制導與控制技術電氣工程及其自動化數字媒體技術信息與通信工程建筑電氣與智能化電磁場與無線技術首發外貿第四篇：電子科學與技術專業問卷調查問卷調查你好，我們是的學生，耽誤你幾分鐘，做一份關于我們專業的調查報告，在此承諾對于你的答案我們會做好保密工作，謝謝你的配合。1.您的性別是？（）A.男B.女2.您現在是？（）A.已畢業工作的大學生B.正在工作的大學生C.高中畢業或仍在高中學習的準大學生3.您學的（想學的）專業是？（）A.理工科方面的B.商業方面的C.傳媒新聞方面的D.醫學方面的E.創意方面的F.其它方面4.您對您所學（將學）的專業的未來信心如何？（）A.很有信心，覺得自己一定可以在該專業領域取得成就B.不看好，可以以后會從事其它工作。C.順其自然，畢業后能找到專業工作就找專業工作，找不到不在乎快專業。電子科學與技術是以電子器件及其系統應用為核心，重視器件與系統的交叉與融合，面向微電子、光電子、光通信、高清晰度顯示產業等國民經濟發展需求，培養在通信、電子系統、計算機、自動控制、電子材料與器件等領域具有寬廣的適應能力、扎實的理論基礎、系統的專業知識、較強的實踐能力、具備創新意識的高級技術人才和管理人才，并掌握一定的人文社會科學及經濟管理方面的基礎知識，能從事這些領域的科學研究、工程設計及技術開發等方面工作。5.你對電子科學技術有一定了解么？（）A.不是很了解B.有一定的了解C.很是了解6.你身邊是否有人從事通信或者電子產業的工作？（）A有B沒有7.他們反響如何？（接上題，如果上題選B此題可以不解答）（）A就業情況良好，薪水也較可觀B就業前景一般，薪水方面也一般。C就業前景堪憂，推薦換份新專業或工作。8.你認為如今的電子產品吸引顧客的方面是？（多選）（）A外觀B功能C品牌D價格E售后服務F輔助功能G其他9.電子科學領域畢業，你認為在當下從事哪項工作會更有希望成功？（）A電子工程師B軟件工程師C項目主管D質量管理E銷售10.你認為發展該專業需要哪些必備的能力？（）A表達溝通技巧B英語水平C物理數學能力D動手能力E創新能力F邏輯能力G其它能力謝謝你的配合，祝你生活愉快！第五篇：電子科學與技術專業外語翻譯Figure1-1】圖1－1給出了在三種材料中一些重要材料相關的電阻值（相應電導率ρ≡1/δ)。However】然而鍺不太適合在很多方面應用因為溫度適當提高后鍺器件會產生高的漏電流。Foragiven】對于給定的半導體，存在代表整個晶格的晶胞，通過在晶體中重復晶胞組成晶格。Thisstructure】這種結構也屬于金剛石結構并且視為兩個互相貫穿的fcc亞點陣結構，這個結構具有一個可以從其它沿立方對角線距離的四分之一處移動的子晶格（位移/4）Mostof】多數Ⅲ-Ⅴ半導體化合物具有閃鋅礦結構，它與金剛石有相同結構除了一個有Ⅲ族Ga原子的fcc子晶格結構和有Ⅴ族As原子的另一個。.Forexample】例如，孤立氫原子的能級可由玻爾模型得出：式中m0代表自由電子質量,q是電荷量,ε0是真空中電導率,h是普朗克常數，n是正整數稱為主量子數。Furtherdecrease】空間更多減少將導致能帶從不連續能級失去其特性并合并起來，產生一個簡單的帶。Asshown】如圖1－4（a）能帶圖所示，有一個大帶隙。注意到所有的價帶都被電子充滿而導帶中能級是空的Asaconsequence】結果，半滿帶的最上層電子以及價帶頂部電子在獲得動能（外加電場）時可以運動到與其相應的較高能級上Atroom】在室溫和標準大氣壓下，帶隙值硅（1.12ev）砷化鎵（1.42ev）在0K帶隙研究值硅（1.17ev）砷化鎵（1.52ev）Thus】于是，導帶的電子密度等于把N(E)F(E)dE從導帶底Ec（為簡化起見設為0）積分到導帶頂EtopFigure1-5】圖1-5從左到右示意地表示了本征半導體的能帶圖,態密度(N(E)~E1/2),費米分布函數,本征半導體的載流子濃度Inanextrinsic】在非本征半導體中，一種載流子類型增加將會通過復合減少其它類型的數目；因此，兩種類型載流子的數量在一定溫度下保持常數Forshallow】對硅和砷化鎵中的淺施主,在室溫下,常常有足夠的熱能電離所有的施主雜質,給導帶提供等量的電子Weshall】我們先討論剩余載流子注入的概念。剩余載流子在非平衡條件下會增加，這就是說，載流子的濃度的乘積p*n不等于平衡時ni*ni的值Thethermal】作熱的運動單一電子可以形象的當做是原子晶格或雜質原子或其他散射中心碰撞產生的連續隨即散射。就像所闡述的Whenexcess】當載流子濃度過度時就引入一個直接能隙半導體，這在電子和空穴將再直接復合時是很有可能的，因為導帶底和價帶頂是整隊的和沒有足夠躍遷過能隙的額外的晶體動力Thesep-n】這些PN結是根本功能表現如整流,增幅,開關,和另外一些電路元器件Theremust】在這個PN結之間一定存在一些經過完整的數學處理將使簡單的PN結的活動物理特征難理解；另一方面，在統計時，一個完整的定性分析將沒用However】但是，因為結的偏壓的增加導致電場的增大，導致靜電流。如果我們明白這4中電流組成的本質，無論有沒有偏壓，一個合理的PN結理論都成立Withthe】有了前一節的背景知識，電流流動的基本特征理解起來相對簡單，而這些定性的概念形成了對結中的正向和反向電流的分析性描述的基礎Butinmost】但是，在大多數的p-n結型器件中，與它的面積相比，每個區域的長度是很小的，而摻雜通常是中等到重度摻雜；因此每個中性區的電阻是很小的，在空間電荷（過渡）區外，只有很小的電壓降能被維持Ifthedoping】如果p區域摻雜大于1019cm-3，那么這種結構無疑就是p+-n，因為np型比pn型要小五個數量級以上。既然這種結構在科技設備上這么普遍應用，我們將在下面做更多的討論舉例來說，當空穴在Xno被電勢場領域的p邊在整個聯接被掃射的時候，在n材料空穴分布有一個傾斜度存在，而且在n區域的空穴向結點擴散。重要的是，雖然方向相反的電流發生在結點由于載流子的漂移，這個電流由每邊中間區域的兩邊的少數載流子流入的Theresistivity】一個好的導體電阻率數量級為10－6ohm*cm，對一個半導體而言，數量級的范圍為10－3到10（6）ohm*cm，對絕緣體，可能是10（10）ohm*cm或更大Abovethe】以上費米能級，入住概率（一個狀態是由一個電子）接近零，低于該標準。因此，費米能級是一種“頂面”的電子對分布，類似于一個容器一個面對面的液體Ofgreat】極重要的是漂移運動是關于載流子濃度和電場兩個變量的函數，而擴散運動是關于濃度梯度一個變量的函數Therate】速率的變化密度承運人在一個點（或積累的運營商在一個地區），可以由等同于向合并的影響，交通運輸，發電，并在重組這一點（或附近地區），其結果是一個延續性方程Earlyinthe1950s】早在20XX50年代，shockley提出了用附屬雙極來描述他新設想的器件，因為兩種載流子類型在晶體管作用機理里起重要作用。相反，他描述在場效應的期間中（他所提出的就實用具體器件而言）都是單極的，因為晶體管的工作原理主要還是依賴于單種載流子類型。TheindividualBJTs】分立的雙極結型晶體管通過靈活互聯可形成具有一定功能的實用化電路，由此可以把含有十萬個以上器件的電路集成在同一個硅芯片上。SincetheBJT】由于晶體管是一個三接線端的器件，其中一端作為輸入端和輸出端的公共端，其他兩端獨立并與對應端相聯系。Itisacurious】這是一個難以理解的事實，在發射極和集電極區域的均勻摻雜，且有時也會均勻摻雜在基區突變結，現在技術越來越接近應用最簡單分析的觀點Inspiteofthe】盡管基極電流比較小，但它是非常重要的。因為正如我們所看到的，它是提供給共射極晶體管輸入端的控制電流Forexample,inaMESFET】半導體場效應晶體管器件中必須減小柵極長度以提高截止頻率，必須減少源極和漏極的接觸電阻以使頻率響應不受RC的限制。Therangeoflight】可見光范圍近似為0.4μm到0.7μm,紫外光范圍為0.01μm到0.4μm,紅外光范圍為0.7μm到1000μm.這章中主要感興趣的范圍是從近紫外(~0.3μm)到近紅外(~1.5μm)。Toconvertthe】用下式可把波長轉換為光子能量，上式中c是真空中的光速，v是光的頻率，h是普朗克常數，hv是光子能量，單位為電子伏特，Therearebasically】光和固體中電子的相互作用基本上有三個過程；吸收，自發輻射和受激輻射。Thedominantoperation】發光二極管中主要的過程是自發輻射；激光器中主要的過程是受激輻射，光電探測器和太陽能電池中主要的過程是吸收。Forexample,anelectron】例如導帶邊的電子和價帶邊的空穴復合，發射一個能量為禁帶寬度的光子theBJTsis】雙極結型晶體管是最常用的共發射極配置，這意味著輸入信號施加到基于終端，輸出信號從集電極和發射極端子接線，共同投入輸出端口Theepitaxialprocessoffersanimportantmeansofcontrollingthedopingprofilessothatdeviceandcircuitperformancescanbeoptimized】外延工藝提供了控制摻雜分布的重要手段，使設備和電路性能可以得到優化Undertheseconditions,anoverpressureofarsenicisestablished(1)tocausethetransportofarsenicvaportothegalliummelt,convertingitintogalliumarsenicvaportothegalliummelt,convertingitintogalliumarsenide,and(2)topreventdecompositionofthegalliumarsenidewhileitisbeingformedinthefurnace】在這種條件下，砷過壓的形成（1）是使砷氣體輸送到鎵熔體，使之從砷化鎵氣體轉化到鎵熔體，轉化為砷化鎵，（2）防止砷化鎵在（反應爐中）合成過程中分解Thed