存儲器概述及主存儲器演示文稿當前1頁，總共34頁。存儲器概述及主存儲器當前2頁，總共34頁。1、存儲器概述 外部特性，性能參數，層次結構2、靜態存儲器和動態存儲器存儲單元構成一位存儲單元及存儲陣列，多端口SRAM，讀寫時序3、半導體ROM存儲器

MROM，PROM，EPROM，EEPROM，FLASH4、存儲器芯片構成以及存儲器主要技術指標5、存儲器擴展技術 位、字、字位擴展6、數據校驗碼奇偶校驗碼，海明碼，CRC碼本章安排當前3頁，總共34頁。本章將解決的主要問題1、半導體存儲器的分類、組成及組成部件的作用及工作原理、讀/寫操作的基本過程。2、SRAM芯片的組成特點、工作過程、典型芯片的引腳信號。3、半導體存儲器的主要技術指標、芯片的擴充、CPU與半導體存儲器間的連接。當前4頁，總共34頁。在現代計算機中,存儲器處于全機中心地位,其原因是:(1)

當前計算機正在執行的程序和數據(除了暫存于CPU寄存器的)均存放在存儲器中。CPU直接從存儲器取指令或存取數據。(2)

計算機系統中輸入輸出設備數量增多，數據傳送速度加快，因此采用了直接存儲器存取(DMA)技術和I/O通道技術，在存儲器與輸入輸出系統之間直接傳送數據。(3)

共享存儲器的多處理機的出現，利用存儲器存放共享數據，并實現處理機之間的通信，更加強了存儲器作為全機中心的地位。

由于中央處理器都是由高速器件組成，不少指令的執行速度基本上取決于主存儲器的速度。所以，計算機解題能力的提高、應用范圍的日益廣泛和系統軟件的日益豐富，無一不與主存儲器的技術發展密切相關。簡介當前5頁，總共34頁。第七講存儲器（一）當前6頁，總共34頁。存儲器分類存儲器概述存儲器的層次結構存儲器的技術指標主存儲器(一)本講主要內容當前7頁，總共34頁。存儲器概述1、存儲器：是計算機系統中的記憶設備，用來存放程序和數據。2、存儲元：存儲器的最小組成單位，用以存儲1位二進制代碼。3、存儲單元：是CPU訪問存儲器基本單位，由若干個具有相同操作屬性的存儲元組成。8051是8位單片機，一個存儲單元是8位(一個字節)，8051是按字節編址計算機：可編址的最小單位是字節的計算機。4、單元地址：簡稱地址，在存儲器中用以表識存儲單元的唯一編號，CPU通過該編號訪問相應的存儲單元。5、存儲空間：即系統中存儲設備的總容量一、幾個基本概念當前8頁，總共34頁。當前9頁，總共34頁。二、存儲器分類1.按存儲介質分類(1)半導體存儲器(2)磁表面存儲器(3)磁芯存儲器(4)光盤存儲器易失TTL、MOS磁頭、載磁體硬磁材料、環狀元件激光、磁光材料非易失當前10頁，總共34頁。(1)存取時間與物理地址無關（隨機訪問）順序存取存儲器磁帶4.12.按存取方式分類(2)存取時間與物理地址有關（串行訪問）隨機存儲器只讀存儲器直接存取存儲器磁盤在程序的執行過程中可讀可寫在程序的執行過程中只讀當前11頁，總共34頁。磁盤、磁帶、光盤高速緩沖存儲器（Cache）FlashMemory存儲器主存儲器輔助存儲器MROMPROMEPROMEEPROMRAMROM靜態RAM動態RAM3.按在計算機中的作用分類4.1當前12頁，總共34頁。高低小大快慢輔存寄存器緩存主存磁盤光盤磁帶光盤磁帶速度容量價格位／1.存儲器三個主要特性的關系三、存儲器的層次結構CPUCPU主機4.1當前13頁，總共34頁。

名稱

高速緩沖存儲器

主存儲器

外存儲器

簡稱

Cache主存

外存

用途高速存取指令和數據

存放計算機運行期間的大量程序和數據

存放系統程序和大型數據文件及數據庫

特點

存取速度快，但存儲容量小

存取速度較快，存儲容量不大

存儲容量大，位成本低存儲器的用途和特點當前14頁，總共34頁。緩存CPU主存輔存2.緩存主存層次和主存輔存層次緩存主存輔存主存虛擬存儲器10ns20ns200nsms虛地址邏輯地址實地址物理地址4.1（速度）（容量）（現在訪問時間已大大縮短）單片機里沒有緩存，高端CPU里才有主存儲當前15頁，總共34頁。主存儲器一、概述1.主存的基本組成存儲體驅動器譯碼器MAR控制電路讀寫電路MDR地址總線數據總線讀寫……………當前16頁，總共34頁。2.主存和處理器

的聯系微處理器主存讀數據總線地址總線寫4.2當前17頁，總共34頁。(2)存儲速度4.主存的技術指標(1)存儲容量(3)存儲器的帶寬主存存放二進制代碼的總位數

讀出時間寫入時間存儲器的訪問時間

存取時間存取周期讀周期寫周期

連續兩次獨立的存儲器操作（讀或寫）所需的最小間隔時間

位/秒4.2當前18頁，總共34頁。芯片容量二、半導體存儲芯片簡介1.半導體存儲芯片的基本結構譯碼驅動存儲矩陣讀寫電路1K×4位16K×1位8K×8位片選線讀/寫控制線地址線…數據線…地址線（單向）數據線（雙向）1041411384.2當前19頁，總共34頁。二、半導體存儲芯片簡介1.半導體存儲芯片的基本結構譯碼驅動存儲矩陣讀寫電路片選線讀/寫控制線地址線…數據線…片選線讀/寫控制線（低電平寫高電平讀）（允許讀）4.2CSCEWE（允許寫）WEOE當前20頁，總共34頁。存儲芯片片選線的作用用16K×1位的存儲芯片組成64K×8位的存儲器

32片當地址為65535時，此8片的片選有效8片16K×1位8片16K×1位8片16K×1位8片16K×1位4.2當前21頁，總共34頁。0,015,015,70,7

讀/寫控制電路

地址譯碼器

字線015……16×8矩陣………07D07D位線讀/寫選通A3A2A1A0……2.半導體存儲芯片的譯碼驅動方式(1)線選法4.200000,00,7…0…07…D07D讀/寫選通

讀/寫控制電路

當前22頁，總共34頁。A3A2A1A0A40,310,031,031,31

Y地址譯碼器

X地址譯碼器

32×32矩陣……A9I/OA8A7A56AY0Y31X0X31D讀/寫……(2)重合法4.200000000000,031,00,31……I/OD0,0讀當前23頁，總共34頁。

基本存儲元是組成存儲器的基礎和核心,它用來存儲一位二進制信息0或1。六管基本存儲單元電路

三、隨機存取存儲器(RAM)

1.靜態RAM(SRAM)

當前24頁，總共34頁。(1)靜態RAM基本電路A′觸發器非端1T4T~觸發器5TT6、行開關7TT8、列開關7TT8、一列共用A

觸發器原端T1~T4T5T6T7T8A′A寫放大器寫放大器DIN寫選擇讀選擇DOUT讀放位線A位線A′列地址選擇行地址選擇4.2T1~T4當前25頁，總共34頁。A′T1

~T4T5T6T7T8A寫放大器寫放大器DIN寫選擇讀選擇讀放位線A位線A′列地址選擇行地址選擇DOUT

①靜態RAM基本電路的讀

操作行選

T5、T6開4.2T7、T8開列選讀放DOUTVAT6T8DOUT讀選擇有效當前26頁，總共34頁。T1~T4T5T6T7T8A′ADIN位線A位線A′列地址選擇行地址選擇寫放寫放讀放DOUT寫選擇讀選擇

②靜態RAM基本電路的寫

操作行選T5、T6開兩個寫放DIN4.2列選T7、T8開（左）

反相T5A′（右）

T8T6ADINDINT7寫選擇有效T1~T4當前27頁，總共34頁。當前28頁，總共34頁。當前29頁，總共34頁。當前30頁，總共34頁。ABCSDOUTOE地址有效地址失效片選失效數據有效數據穩定高阻(3)靜態RAM讀時序tAtCOtOHAtOTDtRC片選有效4.2讀周期

tRC

地址有效下一次地址有效讀時間

tA

地址有效數據穩定tCO

片選有效數據穩定tOTD

片選失效輸出高阻tOHA

地址失效后的數據維持時間tOOtOO

OE有效輸出數據穩定當前31頁，總共34頁。ACSWEDOUTDIN(4)靜態RAM(2114)寫

時序tWCtWtAWtDWtDHtWR寫周期

tWC

地址有效下一次地址有效4.2寫時間

tW

寫命令WE

的有效時間tAW地址有效片選有效的滯后時間tWR片選失效下一次地址有效tDW數據穩定

WE失效tDH

WE失效后的數據維持時間當前32頁，總共34頁。存儲速度TA的時間約幾nS~幾十nS存取時間

使用此SRAM，處理器從給出地址到從數據總線上取數的時間TA'，不能少于55nS，其他時間參數也不能少于存儲器數據表中的值(因此叫異步存儲器