南通同方半導體有限公司

LED產業訓練教材本套LED產業訓練教材由南通同方半導體有限公司銷售中心、外延技術部、芯片部、品質部與技術中心共同主辦。本教材共五章，第一章、第二章由童敬文副總監編寫，第三章由莊曜勵總監編寫，第四章由吳東海博士編寫，第五張由蔡佩芳總監編寫。同時感謝光源與器件項目組副總郭天宇、銷售中心馬楠副總監的熱心指導，在此深致謝忱。前言第一章LED襯底第二章LED外延第四章LED器件封裝第三章LED芯片設計及製作目錄第五章LED品控檢測1.1藍寶石結構1.3晶棒制作1.4晶片制作1.5干法刻蝕制作PSS1.6干法刻蝕制作PSS1.2晶體生長第一章LED襯底

藍寶石，又稱白寶石、剛玉，即單晶氧化鋁α-Al2O3。

作為LED襯底，藍寶石晶體的C面(0001)和GaN的C面(001)結構相近。藍寶石晶體的C面(0001)藍寶石晶體的C面(0001)1.1藍寶石結構晶體生長晶棒制作晶片制作PSS制作SAPMAC法，即冷心放肩微量提拉法。爐內結構剖面圖1.2晶體生長晶棒制作晶片制作PSS制作晶體生長

定向：XRD定向C面，確保掏出的晶棒方向正確；

掏棒：利用中空鉆刀掏取晶棒(2、4、6inch)；

滾磨：磨削至精確尺寸。1.3晶棒制作晶片制作PSS制作晶體生長晶棒制作

定向：精確定向C面；

切片：將晶棒切成晶片，430μm；

研磨：去除切割損傷層及改善晶片平坦度；

倒角：將晶片邊緣修整為圓弧狀；

拋光：改善晶片粗糙度。切片機研磨機拋光機1.4晶片制作PSS，即圖形化藍寶石基板，此技術可有效減少位錯密度提升出光率。ICP，電感耦合式等離子體刻蝕，又稱干法刻蝕。PRcoatingexposureDevelopingHardMaskEtchPhotoEtchingPRRemoveHMRemoveHMEtching干法刻蝕ICPICPEtchHardMaskHMFlatSapphireHMcoatingUVlightHMFlatSapphirePRFlatSapphireFlatSapphireRemovePRPSSRemoveHardMaskPSS1.5干法刻蝕制作PSS1.6濕法刻蝕制作PSS①SiO2在濃硫酸和濃磷酸中被高溫腐蝕時是各向同性的；②Al2O3因為其結構的原因被腐蝕時是各向異性的。SiO2removedFlatsapphireSiO2沉積黃光圖形BOE刻蝕PR去除SapphireEtchingSiO2加熱濕法刻蝕濕法刻蝕實現PSS原理：2.6GaN基LED外延的晶體評測技術2.1Ⅲ/Ⅴ族氮化物概述2.2GaN材料的特性2.3GaN基LED的基本結構2.4GaN基LED外延生長技術及設備簡介2.5GaN基LED外延生長工藝流程第二章LED外延ⅢABAlGaInTiVANBiSbAsPⅢ-Nitrides：GaN，InN，AlN，InGaN，AlGaN，AlInGaN

。InN帶隙為0.77eV，GaN為3.2eV，AlN為6.2eV，其禁帶寬度覆蓋了紅光到紫外光間的光譜2.1Ⅲ/Ⅴ族氮化物概述常溫常壓下Ⅲ/Ⅴ族氮化物半導體具有密集堆積的穩態纖鋅礦結構六方相和亞穩態閃鋅礦結構立方相兩種晶體結構形式(如下圖)。其中閃鋅礦結構的Ⅲ/Ⅴ族氮化物具有更好的P型摻雜效率，同時作為量子阱發光材料時也具有更好的光增益系數，但在高溫下容易相變，阻止了材料的制備與器件的發展。因此，目前用于器件的GaN材料都是纖鋅礦結構。在直接帶隙中的電子躍遷前后只有能量變化，而無位置變化，于是便有更大的幾率將能量以光子的形式釋放出來。間接帶隙半導體中的電子在躍遷時K值會發生變化，會極大的幾率將能量釋放給晶格，轉化為聲子，變成熱能釋放掉。GaN基材料屬于直接帶隙半導體材料：GaN直接帶隙圖2.2GaN材料的特性GaN基材料的物理化學特性高的硬度熔點高很高的電子飽和漂移速度高熱導率能適用很多惡劣環境十分良好的抗腐蝕性能高的擊穿電場具有獨特的發光特性2.2.1GaN基材料的物理化學特性典型的GaN基LED通常由藍寶石襯底、GaN緩沖層、n型GaN、GaN/InGaN多量子阱有源層、p型GaN以及電極構成。2.3GaN基LED基本結構

HVPE(氫化物氣相外延)ALE(原子層外延)MOCVD(金屬有機化學氣相沉積）生長速率快，生長大面積的GaN襯底器件生長MBE(分子束外延)GaN基器件實現了大規模的產業化1.生長速度相對快，外延生長質量高；2.可以獲得超薄層結構；3.工藝靈活性大，可以生長出各種復雜的結構；4.不需要超高真空，維護簡單；5.反應室規模容易擴展。德國AIXTRON美國VEECO2.4GaN基LED外延生長技術及設備簡介2.4.1GaN基半導體材料生長方法介紹名稱符號用途TMGa(三甲基鎵)(CH3)3Ga提供鎵源TMIn(三甲基銦)(CH3)3In提供銦源TMAl(三甲基鋁)(CH3)3Al提供鋁源Ammonia(氨氣)NH3提供氮源硅烷SiH4N型摻雜源二茂鎂Cp2MgP型摻雜源氮氣N2載體氫氣H2載體2.4.2GaN外延生長所需物料在藍寶石基板上(Al2O3)上生成氮化鎵（GaN）薄膜。主要以反應腔體(ReactorChamber)上游進口處以N2(氮氣)或H2(氫氣)為承載氣體(carriergas)，以攜帶MOSource:(TMGa、TEGa、TMIn、TMAl、CP2Mg、SiH4等)及NH3一起流進裝有襯底的告訴旋轉石墨底座(susceptor/WaferrCarrier)。并在下方裝有可產生高熱之加熱線圈(filament)反應腔體內進行高溫反應，下游處并裝有抽氣PUMP及控制閥可保持所須之流量大小及壓力，可以讓氣體作一連串連續后順利排出于廠務端。2.4.3MOCVD生長示意圖MOCVD外延設備2.4.4MOCVD設備簡介MOCVD外延設備2.4.4MOCVD設備簡介VEECOK465IVEECOC4外延生長原理2.4.5外延生長原理2.5GaN基LED外延生長工藝流程2.5GaN基LED外延生長工藝流程2.5GaN基LED外延生長工藝流程2.5GaN基LED外延生長工藝流程2.5GaN基LED外延生長工藝流程2.5GaN基LED外延生長工藝流程2.5GaN基LED外延生長工藝流程2.5GaN基LED外延生長工藝流程2.5GaN基LED外延生長工藝流程2.5GaN基LED外延生長工藝流程外延后p-padn-padMOCVDProcessMOCVD外延生長LaserMark激光打標Photoluminescence光致發光檢測X-rayDiffractionXRD檢測Activation活化Storage入庫Microscope顯微鏡檢測Electroluminescence電致發光檢測2.5GaN基LED外延生長工藝流程測量：

組分

周期厚度

半波寬X射線衍射技術2.6GaN基LED外延的晶體評測技術光致發光技術光譜中重要參數：發光強度、峰值波長(WLP)、主波長(WLD)、半峰寬(FWHM)

2.6GaN基LED外延的晶體評測技術電致發光技術電致發光與光致發光類似，不同的是電致發光是在PN結加電壓，產生少數載流子而復合發光的。EL主要測試內容：外延片點測波長、電壓、亮度的測試。2.6GaN基LED外延的晶體評測技術Electroluminescence電致發光檢測2.7外延亮度未來努力方向第三章LED芯片3.1LED芯片材料體系3.2LED芯片總流程3.2.1前制程工藝流程3.2.2中制程工藝流程3.2.3

后制程工藝流程藍光450~475nm綠光500~530nm紅光610~640nm黃光580~597nm橙光595~612nm黃綠光565~580nmInGaN產品（以藍寶石為襯底）InGaAlP產品（以GaAs為襯底）3.1LED芯片材料體系YellowOrangeRedOrangeRedY=Yellow(InGaAlP)587nmO=Orange(InGaAlP)605nmA=Org.Red(InGaAlP)617nmS=Super-Red(InGaAlP)630nmH=Hyper-Red(GaAlAs)645nmBlueGreenB=Blue(InGaN)470nmV=VerdeGreen505nmT=TrueGreen(InGaN)525nmP=PureGreen(InGaAlP)560nmG=Green(InGaAlP)570nmB=Blue(GaN)466nmInGaAlPInGaN/GaNW=White(x=0.32/y=0.31)3.1LED芯片材料體系3.2LED芯片總流程LED生產外延芯片A前制程清洗站黃光站刻蝕站蒸鍍站B中制程研磨站劃裂站測試站分選目檢C后制程3.2.1前制程工藝流程3.2.1前制程工藝流程目的：去除Wafer表面的金屬雜質和有機雜質①.ITO蒸鍍前清洗3.2.1前制程工藝流程②.ITO蒸鍍ITO蒸鍍PSS襯底外延層ITOPSS襯底外延層目的：通過蒸鍍作業在GaN芯片上形成透明導電層，鍍膜厚度為2400?±120?。原理：在高真空的作業環境里，讓腔體加熱到300℃，通過電子束的轟擊使ITO源直接升華，并讓升華的ITO分子與O2反應后遵照某一規則均勻可控的覆蓋到基片的表面。ITO源：呈淡青色圓柱狀主要成分：氧化銦錫（90wt%In2O3+10wt%SnO)3.2.1前制程工藝流程③.MesaPhotoITOPSS襯底外延層

PRMesaPhoto(上膠、曝光、顯影)剖面圖PR：正膠原理：如左圖所示，陰影部分為掩膜板上的鉻，紫

外光無法透過，而被光照區域的光刻膠被顯

影液除去，留下刻蝕區域。3.2.1前制程工藝流程ITOPSS襯底外延層PR

④.ITO蝕刻1將欲刻蝕區域采用ITO腐蝕液進行腐蝕。3.2.1前制程工藝流程ITOPSS襯底外延層PRN-GaN層⑤.GaN干蝕刻利用ICP刻蝕機，主要氣體為CL2和BCL3,主要作用離子為氯離子，刻蝕深度1.2微米左右。3.2.1前制程工藝流程ITOPSS襯底外延層⑥.光阻去除去光阻后片上圖形，紫紅色區域為ITO。3.2.1前制程工藝流程⑦.ITO熔合熔合目的：主要是使ITO材料更加密實，增加透光率，降低電壓，使ITO層和GaN襯底形成良好的歐姆接觸。熔合條件：溫度500℃，20min3.2.1前制程工藝流程

PR

ITOPSS襯底外延層ITOPhoto(上膠、曝光、顯影)剖面圖PR：正膠將所需P區圖形留出，待下一步去除P區ITO。⑧.ITOPhoto3.2.1前制程工藝流程PR

ITOPSS襯底外延層

⑨.ITO蝕刻23.2.1前制程工藝流程ITOPSS襯底外延層⑩.光阻去除3.2.1前制程工藝流程SiO2ITOPSS襯底外延層?.沉積SiO2采用設備：PECVD主要氣體：SiH4/N2OSiO2作用：形成一層鈍化層，保護芯片，增加亮度3.2.1前制程工藝流程?.MetalPhotoSiO2ITOPSS襯底外延層PRMetalPhoto(上膠、曝光、顯影)剖面圖PR：負膠，未光照區域光刻膠被顯影液去掉，留下電極蒸鍍區域3.2.1前制程工藝流程SiO2ITOPSS襯底外延層PRMetal蒸鍍Cr/AuSiO2ITOPSS襯底外延層光阻去除P電極N電極SiO2ITOPSS襯底外延層PR撕金SiO2ITOPSS襯底外延層PRMetal蒸鍍蝕刻SiO23.2.1前制程工藝流程ITOSubstrateN-GaNP-GaNCBLPRUVPRCBLITOSubstrateN-GaNP-GaNCBLPRUVPRITOSubstrateN-GaNP-GaNCBLITOSubstrateN-GaNP-GaNCBLITOSubstrateN-GaNP-GaNCBLITOSubstrateN-GaNP-GaNCBL前工藝CBL+ITO蒸鍍MESA+ITOETCHPASSIVATIONMetalPAD3.2.1前制程工藝流程利用蠟將晶片固定于陶瓷盤上。滴蠟放晶片陶瓷盤加壓，冷卻，固定使用設備:上臘機固定晶片研磨拋光劃片裂片點

測3.2.2中制程工藝流程

通過工作盤與研磨砂輪在一定壓力下的相對運動對加工表面進行精整加工，將晶圓背部的GaN襯底減薄。使用設備:研磨機固好晶圓的陶瓷盤研磨砂輪3.2.2中制程工藝流程固定晶片研磨拋光劃片裂片點

測通過工作盤與銅盤在一定壓力下的相對運動及拋光液的作用下對粗磨表面進行細整加工，增加晶圓背部的光潔度和平整度。銅盤陶瓷盤（有晶片一面朝下）壓重塊使用設備:拋光機3.2.2中制程工藝流程固定晶片研磨拋光劃片裂片點

測使用設備:激光劃片機激光劃片是利用高能激光束照射在晶粒與晶粒之間的切割道表面時釋放的能量來達到切割的目的，從而在晶圓上留下一定深度與寬度的劃痕。激光切割道3.2.2中制程工藝流程固定晶片研磨拋光劃片裂片點

測使用設備:劈裂機

劈裂機是利用劈刀沿晶圓的劃痕背面位置適當力度的敲擊,使晶粒沿著劃痕完全裂開，從而變成單顆的晶粒。劈刀敲擊3.2.2中制程工藝流程固定晶片研磨拋光劃片裂片點

測拋光可以使背表面更光滑，切割裂片研磨拋光陶瓷盤晶片背面朝上AA0234YBBT18AA0234YBBT18AA0234YBBT18切割研磨研磨是減薄厚度的主要來源拋光從晶片背面劈裂，劈開后晶粒完全分開裂片激光切割后的切割線3.2.2中制程工藝流程切割裂片研磨拋光陶瓷盤晶片背面朝上AA0234YBBT18AA0234YBBT18AA0234YBBT18切割研磨拋光從晶片背面劈裂，劈開后晶粒完全分開通過研磨使襯底厚度從450μm減少至100μm拋光可以使背表面更光滑，并且可以減少內應力裂片激光切割后的切割線3.2.2中制程工藝流程載入晶圓測試掃描取出晶圓得出晶粒總顆數并對每顆晶粒給予坐標定位測試出晶粒的光電特性使用設備:點測機利用高解析CCD、高速影像擷取卡，影像辨識定位軟件等功能以達到對晶圓上單顆晶粒精準的對位，從而對其光電性進行測試。3.2.2中制程工藝流程固定晶片研磨拋光劃片裂片點

測3.2.2中制程工藝流程電性名詞:VF1(V) Forwardvoltage,OperatedvoltageLED在特定電流操作下所需施加的順向直流電壓V2,3(V) Cut-involtage,Turn-onvoltageLED產生微小初始電流時所需施加的順向直流電壓IR(uA) Reversecurrent,LeakagecurrentLED在特定逆向電壓衝擊下所產生之逆向漏電流值VZ1(V) Reversevoltage,BreakdownvoltageLED在特定逆向電流衝擊下所產生之逆向崩潰電壓值Rs(ohm,VF2)SeriesresistanceLED在符合歐姆定律(V=I/R)操作範圍下之串聯電阻波長:WP1 Peakwavelength LED發光頻譜函數關係中發生最大強度的波長值WD1 Dominatewavelength LED發光頻譜經CIE座標轉換後在特定參考光源下所計算之波長WX1,WY1 Colorcoordinates LED發光頻譜藉由匹配函數轉換成CIEDIAGRAM上的對應座標值Purity(%) Colorpurity LED色座標參考光源座標與主波長座標間的距離比例關係HW1 FWHMBW LED發光頻譜之半高波寬(最大強度一半時之頻潽寬度)光強度:Φe(mW)Radiantflux LED在特定操作電流下所有波長波長範圍下幅射通量總合 Φv(lm) Luminousflux LED在特定操作電流下在可見光波長範圍內光通量總合LOP1(mcd) Luminousintensity LED在特定操作電流下在單位視角內所通過之光通量名詞定義分

選目檢3.2.3

后制程工藝流程3.2.3

后制程工藝流程分

選目檢第四章LED封裝4.6南通半導體封裝實驗線4.1LED封裝概述4.2LED封裝工藝流程4.3LED封裝元件介紹4.4LED封裝關鍵技術4.5LED電性參數簡介1.1LED芯片為什么要封裝LED芯片只是一塊很小的固體，兩個電極也只有在顯微鏡下才能觀察到，我們通過兩個電極給LED芯片加入電流之后才會發光。因此需要封裝焊線工藝將LED芯片的正、負電極引出，以便于對LED器件的通電操作。在封裝制作工藝上，除了要對LED芯片的兩個電極進行焊接，從而引出正、負電極之外，同時還需要考慮對LED芯片以及兩個電極進行保護。LED封裝即是將芯片與電極引線、支架和熒光粉等通過一定工藝技術結合在一起，使之成為可直接使用的發光器件的過程。4.1LED封裝概述1.2LED封裝的作用（1）實現電信號的輸入;（2）保護LED芯片的正常工作;（3）輸出可見光的功能;（與普通半導體分離器件封裝的最大區別）

其中既有電參數又有光參數的設計及技術要求，是一個涉及到多學科的研究課題，需要對光、電、熱、結構等性能統一考慮。4.1LED封裝概述1.3LED封裝方式的選擇

因為LEDPN結區發出的光子是非定向的，即向各個方向發射有相同的幾率，因此并不是芯片產生的所有光都可以發射出來。能發射多少光，取決于半導體材料的質量、芯片結構、幾何形狀、封裝內部材料與包裝材料。因此，對LED封裝，要根據LED芯片的大小、功率大小來選擇合適的封裝方式。4.1LED封裝概述1.3LED封裝方式的選擇常用的LED芯片封裝方式包括：（1）引腳式封裝（2）平面式封裝（3）表貼封裝（SMD）（4）食人魚封裝（5）功率型封裝引腳式封裝平面式封裝表貼式封裝食人魚封裝功率型封裝集成COB封裝4.1LED封裝概述1.4LED封裝元件的構成金線保護膠熒光粉LED芯片固晶層支架(熱沉)芯片——亮度、可靠性支架——亮度、可靠性膠水——亮度、可靠性熒光粉——亮度、光色、可靠性金線——焊線工藝是封裝關鍵工藝材料及影響：芯片支架膠水金線熒光粉4.1LED封裝概述LED封裝主要工藝流程介紹（以SMDLED為例）固晶焊線點膠包裝分光烘烤剝料4.2LED封裝工藝流程2.1固晶固晶是先用點膠機在LED支架上點上銀膠/絕緣膠，然后用真空吸嘴將LED晶片吸起移動位置，再安置在相應的支架位置上。固晶機支架已擴晶藍膜點固晶膠吸嘴:吸取晶片支架點固晶膠從藍膜吸取芯片，放置于固晶膠上。完成固晶動作ChipChip吸嘴吸嘴4.2LED封裝工藝流程2.2焊線在壓力、熱量和超聲波能量的共同作用下，使金絲在芯片電極和外引線鍵合區之間形成良好的歐姆接觸，完成內外引線的連接。4.2LED封裝工藝流程2.3點膠利用空壓、螺桿或噴墨方式將SiliconeorEpoxy膠定量流入膠杯中，點膠前的預烤動作可以降低bublle。4.2LED封裝工藝流程2.4烘烤固晶后烘烤、點膠后烘烤開門烤箱階梯式烤箱4.2LED封裝工藝流程2.5分光分色測試LED的光電參數，根據客戶要求對LED產品進行分選。分Bin項目亮度（LuminousIntensity，Iv）波長（WaveLength，WL）順向電壓（ForwardVoltage，Vf）光色（CIEx/y）……振動盤分光資料收集滿Bin元件光電測試4.2LED封裝工藝流程2.6包裝將LED封裝成品進行計數包裝，一般需要防靜電包裝。4.2LED封裝工藝流程3.1LED封裝元件—直插式LED（Lamp）鋼盔子彈頭草帽蝴蝶Lamp圓頭內凹平頭方形4.3LED封裝元件介紹3.1LED封裝元件—ChipLED一般統稱方法是以組件的長度和寬度來稱呼。1.1206(120milLx60milW),>=3.2mmLx1.6mmW2.0805(80milLX50milW),>=2.0mmLx1.25mmW3.0603(60milLx30milW),>=1.6mmLx0.8mmW4.0402(40milLx20milW),>=1.0mmLx0.5mmW4.3LED封裝元件介紹3.1LED封裝元件—SMDLED

一般SMDLED器件長度、寬度來命名。SMD3528(3.5*2.8*1.9mm)SMD3014(3.0*1.4*0.8mm)SMD4014(4.0*1.4*0.65mm)SMD5050(5.0*5.0*1.6mm)4.3LED封裝元件介紹3.1LED封裝元件—集成COBCOB是ChipOnBoard(板上芯片直裝)的英文縮寫，是一種通過粘膠劑或焊料將LED芯片直接粘貼到PCB板上，再通過引線鍵合實現芯片與PCB板間電互連的封裝技術。PCB板材料有以下幾種：1.低單價FR42.高導熱金屬銅基板或鋁基板3.燒結銀線路陶瓷基板功率：5W-7WRa:80光效：120lm/W用途：球泡燈，蠟燭燈等功率：80W-150WRa:70光效：100m/W用途：投光燈，路燈，工礦燈等功率：10W-30WRa:70光效：90lm/W用途：泛光燈，筒燈4.3LED封裝元件介紹3.2LED封裝元件主要應用領域4.3LED封裝元件介紹3.2LED封裝元件主要應用領域——小尺寸背光產品名稱產品尺寸圖片驅動電流搭配芯片主要用途小尺寸背光LED0603白光1.6*0.8*0.3mm5mA/20mA07*09/8*12工業儀器儀表及黑白家電等背光1.6*0.8*0.7mm010白光3.8*1.0*0.4mm20mA10*16/09*28/

11*32/11*36移動通訊終端機、可視電話、MP3、MP4、掌上電腦、GPS、DVD、照相機、數碼相框等背光020白光3.8*1.2*0.6mm20mA10*16/09*28/

11*32/11*364.3LED封裝元件介紹3.2LED封裝元件主要應用領域——中尺寸背光產品名稱產品尺寸圖片驅動電流搭配芯片主要用途中尺寸背光LED3014白光3.0*1.4*0.8mm20mA10*16/09*2410*23/9*28筆記本電腦、桌面顯示器、中小尺寸液晶電視背光等3020白光3.0*2.0*1.2mm20mA10*16/09*24

09*28/11*324014白光4.0*1.4*0.65mm60mA09*28/11*3212*28/14*284.3LED封裝元件介紹3.2LED封裝元件主要應用領域——大尺寸背光產品名稱產品尺寸圖片驅動電流搭配芯片主要用途大尺寸背光LED5630白光5.6*3.0*0.9mm120mA14*28/18*3522*35/23*45大尺寸液晶電視、網絡電視等背光7020白光7.0*2.0*0.8mm120mA14*28/18*3522*35/23*457030白光7.0*3.0*0.8mm120mA14*28/18*3522*35/23*454.3LED封裝元件介紹3.2LED封裝元件主要應用領域——通用照明（1）產品名稱產品尺寸圖片驅動電流搭配芯片主要用途通用照明3528白光3.5*2.8*1.9mm20-30mA8*12/10*1609*24/09*28室內照明（LED日光燈）、柔性燈帶裝飾照明3014白光3.0*1.4*0.8mm30mA(帶熱沉)09*24/09*28室內照明（LED日光燈）、柔性燈帶裝飾照明5050白光5.0*5.0*1.6mm20mA(三晶)8*12/10*16柔性燈帶裝飾照明4014白光4.0*1.4*0.65mm60mA11*32/14*28室內照明（LED日光燈）,球泡燈,筒燈4.3LED封裝元件介紹3.2LED封裝元件主要應用領域——通用照明（2）產品名稱產品尺寸圖片驅動電流搭配芯片主要用途通用照明2835白光3.5*2.8*0.8mm60mA150mA11*32/14*2818*35/23*45室內照明（LED日光燈）,球泡燈,筒燈5630白光5.6*3.0*0.9mm150mA14*28/18*3522*35/23*45室內照明（LED日光燈）,球泡燈,筒燈1W大功率白光——350mA35*35/45*45路燈,射燈,工礦燈COB白光——30-100mA9*28/11*3214*28/23*45球泡燈、筒燈4.3LED封裝元件介紹3.3LED封裝元件應用實例（1）—ChipLED系列4.3LED封裝元件介紹3.3LED封裝元件應用實例（2）—Sideview系列4.3LED封裝元件介紹3.3LED封裝元件應用實例（3）—TopLED系列4.3LED封裝元件介紹4.1應用領域對LED光源的要求（1）更高的發光效率（lm/W）（2）更好的光學特性（光指向性、色溫、顯色）（3）更高的可靠性（更低的失效率、更長的壽命）（4）更低的光通量成本（lm/￥

）Metric2010201220152020CoolWhiteEfficacy（lm/W）134176224258WarmWhiteEfficacy（lm/W）96141202253Datasource:2011,DOERoadmap