標準解讀

《YS/T 23-2016 硅外延層厚度測定 堆垛層錯尺寸法》與《YS/T 23-1992》相比，在內容和技術要求方面進行了更新和調整，以適應技術進步和行業需求的變化。具體變更點包括但不限于以下幾個方面：

  1. 范圍的明確化：新版標準更加清晰地定義了適用范圍，指明了該方法適用于單晶硅片上生長的硅外延層厚度的測量。

  2. 術語和定義部分的增加：為了提高文檔的一致性和理解性，《YS/T 23-2016》增加了專門的術語和定義章節，對關鍵術語如“堆垛層錯”、“外延層”等進行了詳細的解釋說明。

  3. 測試原理及程序的細化：對于如何通過堆垛層錯來確定硅外延層厚度的方法，《YS/T 23-2016》提供了更為詳盡的操作指南，包括樣品準備、顯微鏡觀察條件設定、數據記錄與處理等方面的具體步驟指導。

  4. 儀器設備要求的更新：隨著科學技術的發展，用于檢測的新技術和新設備不斷涌現。因此，《YS/T 23-2016》中關于所需使用的主要儀器（如光學顯微鏡）的技術規格也相應地進行了修訂或升級，確保能夠滿足當前技術水平下的準確度和精密度要求。

  5. 結果表示方式的變化：新版本還可能涉及到對外延層厚度測量結果表達形式上的調整，比如單位換算、有效數字保留規則等細節上的優化，使得最終報告更加規范統一。

這些變化體現了我國在半導體材料領域內標準化工作方面的持續努力與發展，旨在為相關企業提供更加科學合理的技術依據。


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....

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  • 2016-04-05 頒布
  • 2016-09-01 實施
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文檔簡介

ICS77.040

H21

中華人民共和國有色金屬行業標準

YST23—2016

代替

YS/T23—1992

硅外延層厚度測定堆垛層錯尺寸法

TestmethodforthicknessofepitaxiallayersStackingfaultsize

2016-04-05發布2016-09-01實施

中華人民共和國工業和信息化部發布

YST23—2016

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本標準代替硅外延層厚度測定堆垛層錯尺寸法本標準與相

YS/T23—1992《》。YS/T23—1992

比主要變動如下

,:

增加了術語和定義干擾因素見第章第章

———“”“”(3、5);

刪除了非破壞性測試方法

———;

在第章中增加了無鉻腐蝕液的配制見

———6B(6.9);

修改了第章測量儀器中的顯微鏡并去掉了測微標尺

———7;

在第章中增加了試樣制備方法二見

———8(8.3);

修改了第章測量步驟

———9;

修改了測量結果的計算公式用顯微鏡圖像處理技術的結果替代邊長計算

———,;

增加了外延層厚度T和堆垛層錯圖形邊長L的關系見附錄

———(A)。

本標準由全國有色金屬標準化技術委員會提出并歸口

(SAC/TC243)。

本標準起草單位南京國盛電子有限公司有研半導體材料有限公司上海晶盟硅材料有限公司

:、、。

本標準主要起草人馬林寶楊帆葛華劉小青孫燕徐新華

:、、、、、。

本標準所代替標準的歷次版本發布情況為

:

———YS/T23—1992。

Ⅰ

YST23—2016

硅外延層厚度測定堆垛層錯尺寸法

1范圍

本標準規定了利用堆垛層錯尺寸法測量硅外延層厚度的方法

。

本標準適用于在和晶向的硅單晶襯底上生長的硅外延層厚度的

<111>、<100><110>2μm~120μm

測量

。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導體材料術語

GB/T14264

重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法

GB/T14847

3術語和定義

界定的術語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4方法提要

外延層中存在著生長完整的堆垛層錯經化學腐蝕后可用干涉顯微鏡觀察在

,。<111>、<100>、<110>

三種低指數晶向的硅單晶襯底上生長的外延層中生長完全的堆垛層錯分別在外延層表面上呈現封閉

,

的等邊三角形正方形和等腰三角形由于硅單晶襯底有一定的晶向偏離實際觀察到的堆垛層錯的圖

、。,

形會稍有變形對上述三種低指數晶向的外延片外延層厚度T和堆垛層錯圖形邊長L的關系相互關

。,(

系參見附錄如表所述

A)1。

表1外延層厚度T和堆垛層錯圖形邊長L的關系

襯底取向

<111><100><110>

層錯圖形

等邊三角形正方形等腰三角形

T與L關系TLTLTL

=0.816=0.707=

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