§2.3MOS場效應晶體管場效應管結型場效應三極管JFET絕緣柵型場效應三極管IGFETJunctiontypeFieldEffectTransistorInsulatedGateFieldEffectTransistor分類N溝道P溝道金屬氧化物半導體三極管MOSFET－

MetalOxideSemiconductorFET增強型耗盡型N溝道P溝道N溝道P溝道MOS管結構動畫2－3以N溝道增強型MOS管為例G－柵極（基極）S－源極（發射極）D－漏極（集電極）B－襯底N溝道增強型MOSFET基本上是一種左右對稱的拓撲結構，它是在P型半導體上生成一層SiO2

薄膜絕緣層，然后用光刻工藝擴散兩個高摻雜的N型區，從N型區引出電極柵源電壓VGS對iD的控制作用VGS<VTN時（VTN

稱為開啟電壓)VGS＞VTN時(形成反型層)(動畫2-4）當VGS=0V時，漏源之間相當兩個背靠背的二極管，在D、S之間加上電壓不會在D、S間形成電流。0＜VGS＜VTN時，SiO2中產生一垂直于表面的電場，P型表面上感應出現許多電子，但電子數量有限,不能形成溝道。當VGS＞VTN時，由于此時柵壓較強，P型半導體表層中將聚集較多的電子，可以形成溝道，將漏極和源極連通。如果此時加有漏源電壓，就可以形成漏極電流ID。在漏源電壓作用下開始導電時（即產生iD）的柵源電壓為開啟電壓VT

在柵極下方形成的導電溝道中的電子，因與P型半導體的多數載流子空穴極性相反，故稱為反型層。漏源電壓VDS對iD的控制作用(動畫2-5)VGS＞VT后,外加的VDS較小時，ID將隨著VDS的增加而增大。當VDS繼續增加時，由于溝道電阻的存在，溝道上將產生壓降，使得電位從漏極到源極逐漸減小，從而使得SiO2層上的有效柵壓從漏極到源極增大，反型層中的電子也將從源極到漏極逐漸減小。

當VDS大于一定值后，SiO2層上的有效柵壓小于形成反型層所需的開啟電壓，則靠近漏端的反型層厚度減為零，出現溝道夾斷，ID將不再隨VDS的增大而增大，趨于一飽和值。

轉移特性曲線iD=f(vGS)VDS=const輸入電壓與輸出電流間的關系曲線，對于共源電路，即：調制系數N溝道耗盡型MOS管結構示意圖在柵極下方的SiO2層中摻入了大量的金屬正離子。所以當VGS=0時，這些正離子已經在P型表面感應出反型層，在漏源之間形成了溝道。于是只要有漏源電壓，就有漏極電流存在。轉移特性曲線耗盡型與增強型MOS管的差異耗盡型：當VGS＝0

時，存在導電溝道，ID≠0

增強型：當VGS＝0

時，沒有導電溝道，ID＝0

電路符號PMOS場效應管PMOS管結構和工作原理與NMOS管類似，但正常放大時所外加的直流偏置極性與NMOS管相反。PMOS管的優點是工藝簡單，制作方便；缺點是外加直流偏置為負電源，難與別的管子制作的電路接口。PMOS管速度較低，現已很少單獨使用，主要用于和NMOS管構成CMOS電路。工作原理以N溝道PN結結型FET為例正常放大時外加偏置電壓的要求問題：如果是P溝道，直流偏置應如何加？VGS<0，使柵極PN結反偏，iG=0。VDS>0，使形成漏電流iD。柵源電壓對溝道的控制作用（動畫2－9）當VGS=0時，在漏、源之間加有一定電壓時，在漏源間將形成多子的漂移運動，產生漏極電流。當VGS＜0時，PN結反偏，形成耗盡層，漏源間的溝道將變窄，ID將減小。VGS繼續減小，溝道繼續變窄，ID繼續減小直至為0。當漏極電流為零時所對應的柵源電壓VGS稱為夾斷電壓VP。漏源電壓對溝道的控制作用當VGS=0,VDS=0時，漏電流ID=0當VGS=0,VDS增大時，漏電流ID也增大。此時由于存在溝道電阻，將使溝道內電位分布不均勻，其中d端與柵極間的反壓最高，沿著溝道向下逐漸降低，源端最低，從而使耗盡層成楔形分布。

當VDS繼續增大到使VGS-VDS=VP時，d端附近的溝道被夾斷，這稱為“預夾斷”。

出現預夾斷后，當VDS繼續增大時，夾斷長度會自上向下延伸，但從源極到夾斷處的溝道上溝道電場基本不隨VDS變化，ID基本不隨VDS增加而上升，趨于飽和值。N溝道增強型絕緣柵場效應管P溝道增強型

各類場效應三極管的特性曲線絕緣柵場效應管

各類場效應三極管的特性曲線N溝道耗盡型P溝道耗盡型結型場效應管

各類場效應三極管的特性曲線N溝道P溝道場效應管參數

當VGS=0時，VDS>|VP|時所對應的漏極電流。輸入電阻RGSMOS管由于柵極絕緣，所以其輸入電阻非常大，理想時可認為無窮大。飽和漏極電流IDSS場效應管參數低頻跨導指漏極電流變化量與柵壓變化量的比值，可以在轉移特性曲線上求取。最大漏極功耗PDM最大漏極功耗可由PDM=VDSID決定，與雙極型三極管的PCM相當。低頻跨導gm以MOS管為例BJT與FET的比較雙極型三極管場效應三極管結構NPN型，PNP型C與E不可倒置使用結型耗盡型：N溝道P溝道絕緣柵