基于低維β-Ga2O3

深紫外探測器匯報內容相關背景材料選擇文獻調研材料合成器件性能相關背景深紫外(DUV)：<280nm相關背景DUV火焰監測生物醫藥臭氧監測導彈制導相關背景相關背景5SSensi-tivitySignal-to-noiseratioSpectralselec-tivitySpeedStability匯報內容相關背景材料選擇文獻調研材料合成器件性能Eg(ev)=1240/λ(nm)材料選擇材料Eg/eV材料分析C-BN6.3帶寬過大，對深紫外波段的選擇性有限，分別為193、225、210nm，響應譜有缺失Diamond5.5AlN6.1β-Ga2O34.9對應波長245.7nm合適AlxGa1-xN~xx>0.45時性能嚴重下降MgxZn1-xO~xx<0.37方可合成，Eg=4.3eV材料選擇物理蒸鍍弧光放電激光燒蝕CVD材料選擇1DGa2O3的合成方法匯報內容相關背景材料選擇文獻調研材料合成器件性能文獻調研搜索關鍵字（主題）：

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nano*galliumoxideSCI數據庫Group

方法&產物前驅體氣氛電極P.FengCVD&NWGaN2AuY.B.LiCVD&NWGa2O3、石墨Ar、O2Ga2O3L.LiCVD&NBGaHe、O2Cr/AuR.J.ZouCVD&NWGaNAr碳化鎢文獻調研P.Fengetal.Appl.Phys.Lett.88,153107(2006)信噪比過低文獻調研NWLayerBridgedNWsQuartz電極與NW材料相同來自同一生長過程接觸勢壘很低Y.B.Lietal.Adv.Funct.Mater.2010,20,3972–3978單步CVD法：Ga2O3納米線堆疊組成薄層電極，其后向相鄰電極生長出橋接納米線VS與ZnO相反，β-Ga2O3納米線電子濃度極低使其受O2吸附-解吸作用所造成的影響很小文獻調研IndryairInargonNumber123Temperature/℃1000925800文獻調研DefectdensitiesGrowthtemperature文獻調研Individualnanobelts：width~1.6μm，thickness~100nmL.Lietal.Nanoscale,2011,3,1120–1126Rλ/AW-1QE

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/sIP~Pθ~102~102<0.3θ~0.85文獻調研Fermi-levelpinningrecombinationbarriernanostructuresizewidthtr/std/s3.3μm367.8800nm

<0.3<0.3文獻調研溫度暗電流響應度響應速度選擇性R.J.Zouetal.Nanotechnology24(2013)495701該探測器的各方面性能均有較好的熱穩定性可在惡劣環境下工作文獻調研參考文獻P.Fengetal.Appl.Phys.Lett.88,153107(2006)Y.B.Lietal.Adv.Funct.Mater.2010,20,3972–3978L.Lietal.Nanoscale,2011,3,1120–1126R.J.Zouetal