ICS77100

H11.

中華人民共和國國家標準

GB/T43331—2019

代替.

GB/T4333.1—1984

硅鐵硅含量的測定

高氯酸脫水重量法和氟硅酸鉀容量法

Ferrosilicon—Determinationofsiliconcontent—Perchloricaciddehydration

gravimetricmethodandpotassiumfluosilicatevolumetricmethod

2019-08-30發布2020-07-01實施

國家市場監督管理總局發布

中國國家標準化管理委員會

GB/T43331—2019

.

前言

硅鐵的分析方法分為部分

GB/T43339:

硅鐵硅含量的測定高氯酸脫水重量法和氟硅酸鉀容量法

———GB/T4333.1;

硅鐵化學分析方法鉍磷鉬藍光度法測定磷量

———GB/T4333.2;

硅鐵化學分析方法高碘酸鉀光度法測定錳量

———GB/T4333.3;

硅鐵鋁含量的測定鉻天青分光光度法滴定法和火焰原子吸收

———GB/T4333.4S、EDTA

光譜法

;

硅鐵硅錳鋁鈣鉻和鐵含量的測定波長色散射線熒光光譜法熔鑄

———GB/T4333.5、、、、X-(

玻璃片法

);

硅鐵鉻含量的測定二苯基碳酰二肼分光光度法

———GB/T4333.6;

硅鐵硫含量的測定紅外線吸收法和色層分離硫酸鋇重量法

———GB/T4333.7;

硅鐵化學分析方法原子吸收光譜法測定鈣量

———GB/T4333.8;

硅鐵碳含量的測定紅外線吸收法

———GB/T4333.10。

本部分為的第部分

GB/T43331。

本部分按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本部分代替硅鐵化學分析方法高氯酸脫水重量法測定硅量本部分與

GB/T4333.1—1984《》。

相比主要技術變化如下

GB/T4333.1—1984,:

增加了范圍見第章

———(1);

增加了規范性引用文件見第章

———(2);

增加了硫氰酸銨溶液見

———(3.2.10);

增加了設備和材料見

———(3.3);

增加了用硫氰酸銨溶液檢查洗滌沉淀至無鐵鎳離子見

———()(3.5.4.4);

修改了允許差的內容用統計得到的重復性限r和再現性限R代替了允許差見

———,“”(3.7,1984

年版的第章

6);

增加了方法二氟硅酸鉀容量法見第章

———(4);

增加了試驗報告的內容見第章

———(5);

增加了規范性附錄試樣分析結果接受程序流程圖見附錄

———“”(A)。

本部分由中國鋼鐵工業協會提出

。

本部分由全國生鐵及鐵合金標準化技術委員會歸口

(SAC/TC318)。

本部分起草單位鄂爾多斯市西金礦冶有限責任公司本鋼板材股份有限公司天津鋼鐵集團有限

:、、

公司鄂爾多斯市產品質量計量檢測所新余鋼鐵集團有限公司冶金工業信息標準研究院

、、、。

本部分主要起草人李鳳娟張薇馬寧于麗泓徐文高白雪松教濱王春光殷宏趙丹曾波

:、、、、、、、、、、、

于樹榮劉鵬太井超李月華張強陳剛呂芬崔玉文盧春生

、、、、、、、、。

本部分所代替標準的歷次版本發布情況為

:

———GB/T4333.1—1984。

Ⅰ

GB/T43331—2019

.

硅鐵硅含量的測定

高氯酸脫水重量法和氟硅酸鉀容量法

警示———使用本部分的人員應具有正規實驗室工作實踐經驗本部分未指出所有可能的安全問

。

題使用者有責任采取適當的安全和健康措施并保證符合國家有關法規規定的條件

,,。

1范圍

的本部分規定了采用高氯酸脫水重量法和氟硅酸鉀容量法測定硅鐵中的硅含量

GB/T4333。

本部分適用于硅鐵中硅含量的測定測定范圍質量分數

。():30.00%~98.00%。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

鐵合金化學分析用試樣的采取和制備

GB/T4010

測量方法與結果的準確度正確度與精密度第部分總則與定義

GB/T6379.1()1:

測量方法與結果的準確度正確度與精密度第部分確定標準測量方法重復

GB/T6379.2()2:

性與再現性的基本方法

分析實驗室用水規格和試驗方法

GB/T6682

數值修約規則與極限數值的表示和判定

GB/T8170

實驗室玻璃儀器分度吸量管

GB/T12807

3方法一高氯酸脫水重量法

31原理

.

試樣用碳酸鈉過氧化鈉混合熔劑熔融使硅轉化成硅酸鹽用鹽酸酸化以高氯酸二次冒煙使硅酸

-,,,

脫水經過濾洗滌后將沉淀于灼燒至恒量加氫氟酸使硅成四氟化硅揮發除去再

。,1050℃~1100℃,