犐犆犛２９．０４５

犎８０

中華人民共和國國家標準

犌犅／犜４０５８—２００９

代替ＧＢ／Ｔ４０５８—１９９５

硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法

犜犲狊狋犿犲狋犺狅犱犳狅狉犱犲狋犲犮狋犻狅狀狅犳狅狓犻犱犪狋犻狅狀犻狀犱狌犮犲犱犱犲犳犲犮狋狊犻狀

狆狅犾犻狊犺犲犱狊犻犾犻犮狅狀狑犪犳犲狉狊

２００９１０３０發布２０１００６０１實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局

發布

中國國家標準化管理委員會

書

中華人民共和國

國家標準

硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法

ＧＢ／Ｔ４０５８—２００９

中國標準出版社出版發行

北京復興門外三里河北街１６號

郵政編碼：１０００４５

網址ｗｗｗ．ｓｐｃ．ｎｅｔ．ｃｎ

電話：６８５２３９４６６８５１７５４８

中國標準出版社秦皇島印刷廠印刷

各地新華書店經銷

開本８８０×１２３０１／１６印張１．２５字數３３千字

２０１０年１月第一版２０１０年１月第一次印刷

書號：１５５０６６·１３９５６７

如有印裝差錯由本社發行中心調換

版權專有侵權必究

舉報電話：（０１０）６８５３３５３３

書

犌犅／犜４０５８—２００９

前言

本標準代替ＧＢ／Ｔ４０５８—１９９５《硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法》。

本標準與ＧＢ／Ｔ４０５８—１９９５相比，主要有如下變化：

———范圍中增加了硅單晶氧化誘生缺陷的檢驗；

———增加了引用標準；

———增加了“術語和定義”章；

———將原標準中“表１四種常用化學拋光液配方”刪除，在第５章中對化學拋光液配比進行了修

改，刪除了乙酸配方；增加了鉻酸溶液Ａ的配制、Ｓｉｒｔｌ腐蝕液及Ｗｒｉｇｈｔ腐蝕液的配制；增加了

幾種國際上常用的無鉻、含鉻腐蝕溶液的配方、應用及適用性的分類對比表；

———采用氧化程序替代原標準中的氧化的操作步驟；增加了（１１１）面缺陷的顯示方法及Ｗｒｉｇｈｔ腐

蝕液的腐蝕時間，將（１１１）面和（１００）面缺陷顯示方法區分開了；（１００）面缺陷的顯示增加了

Ｗｒｉｇｈｔ腐蝕液腐蝕方法；

———在缺陷觀測的測點選取中增加了“米”字型測量方法。

本標準的附錄Ａ為資料性附錄。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。

本標準起草單位：峨嵋半導體材料廠。

本標準主要起草人：何蘭英、王炎、張輝堅、劉陽。

本標準所代替標準的歷次版本發布情況為：

———ＧＢ４０５８—１９８３、ＧＢ／Ｔ４０５８—１９９５；

———ＧＢ６６２２—１９８６、ＧＢ６６２３—１９８６。

Ⅰ

書

犌犅／犜４０５８—２００９

硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法

１范圍

本標準規定了硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法。

本標準適用于硅拋光片表面區在模擬器件氧化工藝中誘生或增強的晶體缺陷的檢測。

硅單晶氧化誘生缺陷的檢驗也可參照此方法。

２規范性引用文件

下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內容）或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據本標準達成協議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標準。

ＧＢ／Ｔ１５５４硅晶體完整性化學擇優腐蝕檢驗方法

ＧＢ／Ｔ１４２６４半導體材料術語

ＹＳ／Ｔ２０９硅材料原生缺陷圖譜

３術語和定義

ＧＢ／Ｔ１４２６４中規定的術語和定義適用于本標準。

４方法原理

模擬器件工藝的氧化條件，利用氧化來綴飾或擴大硅片中的缺陷，