發明人

理查德.霍爾

項目介紹

美國富頓股份有限公司

用于光電器件封裝技術的

亞微米陶瓷/聚合物復合材料目錄前瞻目標和宗旨突破性技術技術驅動因素現況成功的技術應用降頻轉換器射頻開關技術優勢材料性能封裝優勢射頻器件封裝的比較技術應用機會總結獨特的機會領先全球超寬帶微電子技術（從毫米波到光波頻段）根據客戶電路設計,定制最佳介質性能的基板

（到現在為止，電路設計始終受到有限適用材料介電常數的限制）目標和宗旨成為下列OEM產品開發新技術的決勝技術光電器件毫米波器件便攜式器件定制模塊化器件（例如：光電轉換）突破性技術技術工藝：獨特的熱塑性聚合物粘合劑和無機介電粉末（占體積70-90％）制成的亞微米復合材料通過粉末細化技術獲得均勻的微觀和宏觀結構基板制作技術低溫單軸向縮成型產品：薄而硬，鏡面光潔度，均勻微粒子結構的基板,Tg(玻璃態轉換溫度)340oC技術驅動因素0到120千兆赫內最小集膚效應材料成本更低：達聚四氟乙烯基板的50%,達低溫共燒陶瓷基板的25%.定制介電常數：3至200低損耗角系數：二氧化硅0.002,氮化硼0.0003優良的金焊性能(熱超聲及熱壓絲焊)基體表面金屬化容易,無需額外的黏結劑可在同一基板上有不同電介值或不同材料目前的成功應用例子

兩個器件：18GHz射頻開關

28-34Ghz降頻轉換器

封裝設計建模和解決方案專利技術核心競爭力：工藝，材料，電腦模擬和微電子封裝成功的技術實踐0-18千兆赫射頻濾波器(已獲Qualcomm的好評)24-38GHz降頻轉換器-多芯片封裝結用于直流至18GHz的單片微波集成電路場效應晶體管射頻開關,已獲BAE肯定用于中心頻率1575兆赫發射器/接受器GPS的微帶天線亞微米級復合材料基板-已經過表面金屬化和光刻

降頻轉換器476X328X100密爾銅散熱核器件腔由銑加工而成多層電介質表面復有銅膜,器件完成后便于焊接封頂0.4密爾厚銅箔,上有鍍金導線多芯片封裝降頻轉換器的圖片射頻轉換器238X232X26密爾銅散熱器器件腔由銑加工而成0.4密耳厚銅箔,上有鍍金導線鍍鎳后鍍金,便于用于后繼工序金焊環氧蓋封頂UniqueTechnology–MaterialPerformance復合填料介電常數損耗系數其他聚四氟乙烯2.20.002二氧化硅3.50.002氧化鋁/聚四氟乙烯4.10.0013氮化硼4.70.0006熱導系數43瓦/米-K

二氧化硅/鈦酸鍶8.5-450.005鈦酸鋇75.5-80.40.083封裝技術優勢1密耳黃金熱聲楔焊具有平均拉力大于8克標準印刷電路板蝕刻和電鍍工藝容易采用真空鍍技術,適于用高頻電路亞微米復合材料很容易進行微量機加工技術比較-射頻器件本項技術聚四氟乙烯陶瓷單層封裝成本114可加工性優秀差昂貴真空鍍優秀不可好最高工作溫度oC340220-260600導熱率非常好差好倒裝焊接是難是現存制約目前封裝件尺寸受現有設備限制外包電鍍與薄膜淀積大批量加工能力需要進一步開發基板尺寸目前為2英寸直徑當前機遇

光電組件便攜式和無線器件包裝機電組件傳感器組件磁性應用進一步發展的方法和材料總結突破性技術