標準解讀

GB/T 28275-2012《硅基MEMS制造技術 氫氧化鉀腐蝕工藝規范》是中國國家標準之一,旨在為采用氫氧化鉀(KOH)溶液進行硅基微機電系統(MEMS)結構加工時提供指導。該標準適用于以單晶硅作為基材的MEMS器件制造過程中涉及到的濕法刻蝕工藝,特別是當需要利用各向異性腐蝕特性來形成特定幾何形狀或圖案時。

根據文檔內容,其涵蓋了以下幾個方面:

  • 范圍:明確指出本標準適用的具體場景和技術條件。
  • 術語和定義:對關鍵概念如“各向異性腐蝕”、“掩模層”等給出了清晰定義。
  • 原理:介紹了氫氧化鉀溶液與硅材料之間化學反應的基本原理,以及這種反應如何導致不同晶面方向上的選擇性溶解。
  • 設備及材料要求:列出了執行KOH腐蝕所需的主要設備、化學品及其規格要求,包括但不限于腐蝕槽、加熱裝置、純凈水、氫氧化鉀固體等。
  • 操作步驟:詳細描述了從準備階段到實際腐蝕過程再到后續處理的一系列具體操作流程。這包括配制KOH溶液的方法、設定適當的溫度與時間參數、確保均勻攪拌等內容。
  • 安全注意事項:強調了在使用強堿性物質如KOH時必須遵守的安全規則,比如佩戴防護眼鏡和手套、保持良好通風等措施。
  • 質量控制:提供了評估腐蝕效果的方法,通過檢查腐蝕深度、表面平整度等因素來判斷是否達到預期目標,并給出了一些常見問題及其解決辦法。

這份文件對于從事相關領域研究開發的技術人員來說是非常有價值的參考資料,它不僅能夠幫助他們更好地理解并掌握KOH腐蝕技術的應用方法,還能夠在一定程度上保證實驗結果的一致性和可靠性。


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....

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  • 現行
  • 正在執行有效
  • 2012-05-11 頒布
  • 2012-12-01 實施
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GB/T 28275-2012硅基MEMS制造技術氫氧化鉀腐蝕工藝規范_第1頁
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文檔簡介

ICS31200

L55.

中華人民共和國國家標準

GB/T28275—2012

硅基MEMS制造技術

氫氧化鉀腐蝕工藝規范

Silicon-basedMEMSfabricationtechnology—

SpecificationforKOHetchprocess

2012-05-11發布2012-12-01實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局發布

中國國家標準化管理委員會

中華人民共和國

國家標準

硅基MEMS制造技術

氫氧化鉀腐蝕工藝規范

GB/T28275—2012

*

中國標準出版社出版發行

北京市朝陽區和平里西街甲號

2(100013)

北京市西城區三里河北街號

16(100045)

網址

:

服務熱線

/p>

年月第一版

201210

*

書號

:155066·1-45572

版權專有侵權必究

GB/T28275—2012

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本標準由全國微機電技術標準化技術委員會提出并歸口

(SAC/TC336)。

本標準起草單位中國科學院上海微系統與信息技術研究所重慶大學東南大學中國電子科技集

:、、、

團第四十九研究所中機生產力促進中心

、。

本標準主要起草人夏偉鋒熊斌馮飛戈肖鴻周再發李玉玲賀學鋒田雷劉偉

:、、、、、、、、。

GB/T28275—2012

硅基MEMS制造技術

氫氧化鉀腐蝕工藝規范

1范圍

本標準規定了采用氫氧化鉀腐蝕工藝進行器件加工時應遵循的工藝要求

MEMS。

本標準適用于氫氧化鉀腐蝕工藝和管理

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

微機電系統技術術語

GB/T26111—2010(MEMS)

產品幾何技術規范表面結構輪廓法表面粗糙度參數及其數值

GB/T1031—2009(GPS)

潔凈廠房設計規范

GB50073—2001

3術語和定義

界定的以及下列術語和定義適用于本文件

GB/T26111—2010。

31

.

潔凈度cleanliness

以單位體積空氣某粒徑粒子的數量來區分的潔凈程度

32

.

潔凈室cleanroom

空氣懸浮粒子濃度受控的房間它的建造和使用應減少室內誘入產生及滯留粒子室內其他有

。、。

關參數如溫度濕度壓力等按要求進行控制

、、。

33

.

濕法刻蝕wetetching

利用與待刻材料可產生化學反應的溶液對薄膜或器件結構進行腐蝕的技術

注在進行濕法刻蝕時將不需要腐蝕的一部分掩模暴露其余的部分然后將材料浸入反應溶液中可分為各向

:,,,。

同性刻蝕和各向異性刻蝕

定義

[GB/T26111—2010,3.5.17]

34

.

腐蝕劑escharotic

有腐

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