標準解讀

《GB/T 21548-2021 光通信用高速直接調制半導體激光器的測量方法》與《GB/T 21548-2008 光通信用高速直接調制半導體激光器的測量方法》相比，在內容上進行了多方面的更新和完善。主要變化包括但不限于以下幾個方面：

  1. 范圍調整：新版標準可能對適用范圍進行了更明確或擴展性的定義，以適應當前技術發展需求。
  2. 術語和定義：針對近年來出現的新技術和新概念，增加了相關術語及其定義，同時對于已有的術語進行了修訂或刪除不再適用的部分。
  3. 測試條件：考慮到測試環境和技術手段的進步，對原有的一些測試條件進行了優化或新增了某些特定條件下（如溫度、濕度等）的要求。
  4. 性能參數：隨著光通信領域的發展，對于半導體激光器的關鍵性能指標提出了更高要求，因此在新版本中可能會增加一些新的性能參數或者提高了部分已有參數的標準。
  5. 測量方法：為了提高測量精度及效率，引入了更加先進的測量技術和設備，并詳細規定了具體的操作流程。
  6. 安全性和可靠性：增強了關于產品使用安全性以及長期工作穩定性的考量，制定了更為嚴格的安全性評估程序。

這些修改旨在更好地滿足當前乃至未來一段時間內光通信行業中對于高速直接調制半導體激光器的需求，同時也反映了該領域最新研究成果的應用情況。


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....

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  • 現行
  • 正在執行有效
  • 2021-04-30 頒布
  • 2021-08-01 實施
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GB/T 21548-2021光通信用高速直接調制半導體激光器的測量方法-免費下載試讀頁

文檔簡介

ICS31260

M31.

中華人民共和國國家標準

GB/T21548—2021

代替

GB/T21548—2008

光通信用高速直接調制半導體激光器的

測量方法

Methodsofmeasurementofthehighspeedsemiconductor

lasersdirectlymodulatedforopticalfibercommunicationsystems

2021-04-30發布2021-08-01實施

國家市場監督管理總局發布

國家標準化管理委員會

GB/T21548—2021

目次

前言

…………………………Ⅰ

范圍

1………………………1

規范性引用文件

2…………………………1

術語和定義

3………………1

縮略語

4……………………4

測量方法

5…………………5

附錄資料性附錄半導體激光器組件結構

A()…………11

GB/T21548—2021

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本標準代替光通信用高速直接調制半導體激光器的測量方法本標準與

GB/T21548—2008《》,

相比主要技術變化如下

GB/T21548—2008,:

修改了范圍描述見第章年版的第章

———(1,20081);

刪除了系列標準和

———GB/T17626、YD/T701—1993、YD/T1111.2—2001、YD/T767—1995

的引用增加引用了和見第章

IEC62007-2,GB/T15651—1995GB/T31359—2015(2,2008

年版的第章

2);

刪除了峰值波長和中心波長閾值電流光功率驅動電流線性度分布反饋光譜寬度多量子

———、、-、、、

阱分布反饋邊模抑制比載噪比組合二階互調組合三階差拍的定義修改了半導體激光器

、、、、,

及其組件的定義見第章年版的

(3,20083.2);

刪除了模擬帶寬等多個縮略語增加了的縮略語見第章年版的

———,PAM4(4,20083.1);

刪除了激光器特性及分類見年版的

———(20085.2);

增加了對波分復用半導體激光器組件測量方案的描述見

———(5.1);

修改了環境條件要求以及測量儀器要求見和年版的

———(5.25.3,20085.3.1);

刪除了測量設備和儀表要求見年版的

———(20085.3.1.2、5.3.2.1、5.3.3.1、5.3.4.1、5.3.5.1、5.3.6.1、

5.3.7.1、5.3.8.1、5.3.9.1、5.3.10.1、5.3.11.1、5.3.12.1);

修改了閾值電流的測量方法見年版的

———(5.4.2,20085.3.3);

增加了斜率效率的測量方法見

———(5.4.2);

增加了四電平脈沖幅度調制的眼圖測量方法描述見

———(5.4.6);

修改了S參數的測量見年版的

———11(5.4.7,20085.3.8);

修改了波長溫度漂移系數的測量見年版的

———-(5.4.10,20085.3.11);

修改了相對強度噪聲的測量方法見年版的

———(5.4.11,20085.3.12);

刪除了載噪比組合二階互調和組合三階差拍的測量方法可靠性試驗和分類和產品檢驗方法

———、,

見年版的附錄附錄附錄和附錄

(2008A、B、CD);

增加了單通道半導體激光器組件封裝結構和波分復用激光器組件封裝結構示意圖見附錄

———(

A)。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發布機構不承擔識別這些專利的責任

。。

本標準由中華人民共和國工業和信息化部提出

。

本標準由全國通信標準化技術委員會歸口

(SAC/TC485)。

本標準起草單位烽火科技集團有限公司中興通訊股份有限公司中國信息通信研究院深圳新飛

:、、、

通光電子技術有限公司

。

本標準主要起草人江毅李世瑜馬衛東羅飚武成賓趙文玉陳悅龔雪曹麗何萬暉

:、、、、、、、、、。

本標準所代替標準的歷次版本發布情況為

:

———GB/T21548—2008。

Ⅰ

GB/T21548—2021

光通信用高速直接調制半導體激光器的

測量方法

1范圍

本標準規定了光通信用高速直接調制激光器及其組件的分類和測量方法

。

本標準適用于光傳送網光接入網及數據中心等光通信系統中所用高速直接調制激光器及其組件

、

的光電特性測量模擬光通信系統和其他光系統中所用激光器及其組件的光電特性測量也可參考使用

,。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導體器件分立器件和集成電路第部分光電子器件

GB/T15651—19955:

半導體激光器測試方法

GB/T31359—2015

3術語和定義

界定的以及下列術語和定義適用于本文件

GB/T15651—1995。

31

.

半導體激光器semiconductorlaser

采用族化合物半導體異質結構材料制作的激光器

Ⅲ-Ⅴ。

注族化合物半導體異質結構材料如

:Ⅲ-Ⅴ(GaAlAs/GaAs、InGaAsP/InP、InAlGaAs/InP)。

32

.

半導體激光器組件semiconductorlasersubassembly

由半導體激光器芯片外圍連接元件背光探測器微透鏡光隔離器耦合光纖管殼等組成的混合

、、、、、、

集成件

。

33

.

光強度直接調制directlymodulationofopticalpowerdensity

調制電信號直接控制激光器驅動電流

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