ICS31.080.01L40中華人民共和國國家標準GB/T20516—2006/IEC60747-4:2001半導體器件分立器件第4部分：微波器件Semiconductordevices-Discretedeyices-Part4:Microwavedevices（IEC60747-4:2001,IDT)2006-10-10發布2007-02-01實施中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局愛布中國國家標準化管理委員會

GB/T20516-2006/IEC60747-4:2001三次前言第I篇總則引言2范圍文字符號第Ⅱ篇變容二極管、階躍二極管和快速開關肖特基二極管第1節變容二極管概述2術語和文字符號基本額定值和特性3側試方法第2節階躍二極管和肖特基二極管221術語和文字符號……221基本額定值和特性22測試方法………4_23第加篇混頻二極管和檢波二極管第1節雷達用混頻二極管概述……………….282術語和文字符號·293基本額定值和特性·4_30第2節通信用混頻二極管概述……422術語和文字符號………42基本額定值和特性342測試方法…43第3節檢波二極管（在考患中）

GB/T20516-2006/IEC60747-4:2001第V篇雪崩二極管第1節雪崩二極管放大器1概述……442術語和文字符號…44基本額定值和特性·46第2節雪崩二極管振蕩器(在考慮中)第V篇體效應二極管概述……….1482術語和文字符號·48基本額定值和特性·348測試方法…………448第篇雙極型晶體管(在考慮中）第山篇場效應晶體管512術語和文字符號………3基本額定值和特性…53第加篇評價和可靠性特特殊要求電試驗條件·652接收試驗的判定失效的特性和失效判據……………可靠性試驗的判定失效的特性和失效判據3試驗出現差錯時的程序…......65表1666表2附錄NA(資料性附錄）本標準對IEC60747-4:2001所作的編輯性修改及其原因668

GB/T20516-2006/IEC60747-4:2001本標準是半導體器件分分立器件系列國家標準之一。下面列出本系列已出版的國家標準,以及代替的國家標準：GB/T4589.1-2004半導體器件分立器件和集成電路總規范(IEC60747-10:1991.IDT.代替GB/T4589.1-1989)半導體器件GB/T12560-1999分立器件分規范（idtIEC60747-11:1985,代替GB/T12560—1990)-GB/T17573-1998分分立器件和集成電路華導體器件第1部分：總則(idtIEC60747-1:1983)GB/T4023-1997華導體器件分立器件和集成電路第2部分：整流二極管（eqvIEC60747-2：1983）分立器件GB/T6571-1995半導體器件第第3部分：信號(包括開關)和調整二極管(idtIEC60747-3：1985）GB/T20516-2006半導體器件：分立器件：第4部分：微波器件(idtIEC60747-4:2001）-GB/T15291一1994半導體器件第6部分：晶閘管（eqvIEC60747-6：1991)GB/T4587—1994半導體器件分立器件和集成電路第7部分：雙極型品體管（eqvIEC60747-7:1988.代替GB/T4587-1984和GB/T6801-1986）GB/T6217—1998半導體器件分立器件第7部分：雙極型晶體管第一篇高低頻放大環境額定的雙極型品體管空白詳細規范(eqvIEC60747-7-1:1989.代替GB/T6217—1986)GGB/T7577—1996低頻放大管殼額定的雙極型品體管空白詳細規范(eqvIEC60747-7-2:1989.代替GB/T7577-1987）-B/T6218—1996開關用雙極型晶體管空白詳細規范（eqvIEC60747-7-3:1991,代替GB/T6216-1986)GB/T7576-1998半導體器件分分立器件第7部分：雙極型品體管第四篇高頻放大管殼額定雙極型品體管空白詳細規范(eqvIEC60747-7-4:1991,代替GB/T7576—1987）-GB/T4586—1994半導體器件分立器件第8部分：場效應品體管(eqvIEC60747-8:GB/T6219—1998半導體器件第一篇分立器件第8部分：場效應品體管1GH5W以下單柵場效應晶體管空白詳細規范(eavIEC60747-8-1：1987.代替GB/T6219一1986）-GB/T15449—1995管殼額定開關用場效應晶體管空白詳細規范(eqvIEC60747-8-3:1995)本標準等同采用國際標準IEC60747-4:2001《半導體器件分立器件第4部分：微波器件》1.2版（英文版）。本標準等同翻譯IEC60747-4:2001(英文版）由于IEC60747-4存在印刷錯誤和疏漏，本標準在采用該國際標準時進行了編輯性修改，并在本標準附錄NA中給出了這些編輯性修改的一覽表.以供參考。本標準的附錄NA為資料性附錄。本標準由中華人民共和國信息產業部提出本標準由全國半導體器件標準化技術委員會歸口本標準起草單位：中國電子科技集團公司第五十五研究所本標準主要起草人：黃玉英、金鎮銓。

GB/T20516-2006/IEC60747-4:2001半導體器件分立器件第4部分：微波器件第I篇總則1引育本標準通常需要與GB/T17573—1998一起使用,在GB/T17573—1998中可找到關于以下各方面的基礎資料：術語：文字符號：基本額定值和特性；測試方法；接收和可靠性本標準各章的編排順序符合GB/T17573—1998第Ⅱ篇2.1的規定2范圍本標準給出了以下門類分立器件的標準：-變容二極管、階躍二極管和快速開關肖特基二極管(用于調譜、上變頻器或譜波倍頻器、開關、限幅器、移相器、參量放大器等)混頻二極管和檢波二極管雪崩二極管(用于譜波發生器、放大器等)體效應二極管（用于振蕩器、放大器等)雙極型品體管(用于放大器、振蕩器等)場效應晶體管（用于放大器、振蕩器等）3文字符號通常,在術語的標題中加進了文字符號。當一個術語有幾個不同的文字符號時,只給出最通用的第工篇變容二極管、階躍二極管和快速開關肖特基二極管第1節變容二極管