標(biāo)準(zhǔn)解讀
GB/T 17007-1997 是一項(xiàng)針對絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的測試方法制定的國家標(biāo)準(zhǔn)。該標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了IGBT性能評估的各項(xiàng)試驗(yàn)條件、測試步驟及相應(yīng)的評估指標(biāo),旨在為IGBT的生產(chǎn)、應(yīng)用及質(zhì)量控制提供統(tǒng)一的測試指導(dǎo)。以下是該標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容的概述:
標(biāo)準(zhǔn)范圍
本標(biāo)準(zhǔn)適用于額定電壓大于等于600V的絕緣柵雙極型晶體管,明確了在常溫及規(guī)定溫度范圍內(nèi)的測試要求,包括但不限于直流特性和交流特性測試。
術(shù)語和定義
標(biāo)準(zhǔn)首先明確了相關(guān)的專業(yè)術(shù)語和定義,確保測試過程中概念的一致性和準(zhǔn)確性。
測試環(huán)境與設(shè)備
- 環(huán)境條件:規(guī)定了測試時(shí)的環(huán)境溫度、濕度等要求,以減少外界因素對測試結(jié)果的影響。
- 測試設(shè)備:詳細(xì)說明了用于各項(xiàng)測試所需儀器的精度等級和校準(zhǔn)要求,如直流電源、電子負(fù)載、示波器、溫度控制系統(tǒng)等。
直流測試
- 開啟電壓(VGE(th)):測量IGBT在開始導(dǎo)通時(shí)所需的最小柵極電壓。
- 飽和壓降(VCE(sat)):在規(guī)定條件下,評估IGBT導(dǎo)通時(shí)集電極到發(fā)射極之間的電壓降。
- 漏電流(ICEO):在關(guān)斷狀態(tài)下,測量IGBT從集電極到發(fā)射極的泄漏電流。
交流測試
- 開關(guān)時(shí)間:包括上升時(shí)間、下降時(shí)間和存儲(chǔ)時(shí)間,評估IGBT的開關(guān)速度。
- 浪涌電流能力:測試IGBT承受瞬間大電流的能力,評估其在開關(guān)過程中的可靠性。
- 短路耐受能力:評估IGBT在短路狀態(tài)下的耐受時(shí)間,反映其過載保護(hù)性能。
溫度特性測試
規(guī)定了在不同工作溫度下重復(fù)進(jìn)行直流和交流測試的方法,以評估IGBT的溫度穩(wěn)定性。
動(dòng)態(tài)特性測試
涉及IGBT在高頻工作條件下的性能評估,如開關(guān)損耗、米勒電荷等,這對于高頻應(yīng)用尤為重要。
耐久性與可靠性測試
包括長期工作壽命測試和特定應(yīng)力條件下的可靠性驗(yàn)證,以確保IGBT在預(yù)期使用周期內(nèi)的穩(wěn)定表現(xiàn)。
測試報(bào)告
要求詳細(xì)記錄測試條件、測試數(shù)據(jù)及任何異常情況,為產(chǎn)品質(zhì)量控制和故障分析提供依據(jù)。
如需獲取更多詳盡信息,請直接參考下方經(jīng)官方授權(quán)發(fā)布的權(quán)威標(biāo)準(zhǔn)文檔。
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- 廢止
- 已被廢除、停止使用,并不再更新
- 1997-10-05 頒布
- 1998-08-01 實(shí)施



文檔簡介
TCs.31.080.30K46中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)CB/T17007-一1997絕緣柵雙極型晶體管測試方法Measuringmethodsforinsulated-gatebipolartransistor1997-10-05發(fā)布1998-08-01實(shí)施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布
GB/T17007-1997前本標(biāo)準(zhǔn)是參考IC有關(guān)文件和工業(yè)發(fā)達(dá)國家標(biāo)準(zhǔn),并通過必需的試驗(yàn)驗(yàn)證制訂產(chǎn)生的。這些測試方法的實(shí)施將用來保證絕緣柵雙極型品體管的主要參數(shù)在貿(mào)易和技術(shù)交流中有統(tǒng)一的量度和方法。標(biāo)準(zhǔn)的第2章是對測試的一般要求。這部分內(nèi)容將使測試工作者使用本標(biāo)準(zhǔn)時(shí)感到完整、方便本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國機(jī)械工業(yè)部提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口。本標(biāo)準(zhǔn)由西安電力電子技術(shù)研究所、西安電力整流器廠起草。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:苗宏、白長生、鄧奎。
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)絕緣柵雙極型晶體管測試方法GB/T17007-1997Measuringmethodsforinsulated-gatebipolartransistor1范圍本標(biāo)準(zhǔn)適用于N溝道絕緣柵雙極型品體管(IGBT,以下簡稱器件)的電、熱特性測量和額定值檢驗(yàn)P溝道絕緣柵雙極型晶體管的測試方法,只要進(jìn)行適當(dāng)?shù)臉O性變換和考惠象限特性,也可參照使用武試驗(yàn)的一般要求2.1本標(biāo)準(zhǔn)所有電、熱參數(shù)測試方法,在無特別說明時(shí),均系指對單個(gè)器件的測量或試驗(yàn)。測量準(zhǔn)確度與電源阻抗、電路參數(shù)、儀表、負(fù)載和電路類型等因素有關(guān)。應(yīng)正確考慮和選擇這些電路條件。2.2試驗(yàn)電源和儀表2.2.1交流電源頻率(50士1)Hz,波形為正弦波,諧波含最不超過10%。2.2.2電路中的直流電源和脈沖電源的性能指標(biāo)應(yīng)滿足測量準(zhǔn)確度要求。2.2.3測試電路中的電源應(yīng)根據(jù)具體情況采用箱位措施,以保護(hù)被測試器件在通斷、調(diào)整和測量時(shí)不至由于瞬態(tài)過壓、過流而引起損壞。2.2.4電路中的各類測量儀器儀表性能指標(biāo)應(yīng)確保測量準(zhǔn)確度要求。2.3環(huán)境條件2.3.1環(huán)境大氣條件a)基準(zhǔn)測試大氣條件:溫度(25±1)C、相對濕度48%~52%、氣壓(86~106)kPa:b)常規(guī)測試大氣條件:溫度15℃~35℃、相對濕度45%~75%、氣壓(86~106)kPa。當(dāng)相對濕度和大氣壓對被測參數(shù)沒有可觀影響時(shí),大氣條件可僅以溫度為準(zhǔn)。當(dāng)室溫偏離25℃較遠(yuǎn)、而溫度對被測參數(shù)又有明顯影響時(shí),應(yīng)按25℃對測量結(jié)果進(jìn)行修正。2.3.2在無特別說明時(shí),高溫測試是指在Tm,C溫度下進(jìn)行,Tm為額定最高工作結(jié)溫;低溫測試是指在額定最低結(jié)溫(允許誤差為0℃~+3℃)進(jìn)行。2.4除另有規(guī)定或在脈沖條件下完成測試外.所有電氣試驗(yàn)均應(yīng)在熱平衡條件下進(jìn)行。熱平衡條件是指:如果把從施加功率到進(jìn)行測量之間的時(shí)間增加一倍,瀏量結(jié)果的變化不大于規(guī)定誤差,則認(rèn)為達(dá)到了熱平衡。2.5任何靜電產(chǎn)生的電壓都可能使絕緣柵雙極型品體管永久損壞。因此,測量和試驗(yàn)時(shí)要采取適當(dāng)措電
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