標準解讀
《GB/T 14144-1993 硅晶體中間隙氧含量徑向變化測量方法》是一項由中國發布的國家標準,旨在規定硅晶體材料中間隙氧含量沿半徑方向變化的測定方法。該標準適用于單晶硅材料,特別是用于半導體器件制造的高純度硅晶片,因為間隙氧含量直接影響到硅片的電性能和可靠性。
標準內容概覽
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范圍:明確了本標準適用的硅晶體類型及測量目的,即測定硅晶體內部沿徑向分布的間隙氧濃度。
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術語和定義:對“間隙氧”、“徑向變化”等關鍵術語進行了明確界定,以便統一理解和操作。
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原理:介紹了測量的基本原理,通常涉及利用紅外光譜、質譜或其他分析技術來檢測硅晶體內不同位置的間隙氧含量。間隙氧是指不占據正常晶格位置的氧原子,它們可能影響材料的電學性質。
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儀器與設備:詳細列出了進行該測量所需的儀器設備規格和性能要求,包括高精度切割工具、氧含量檢測儀器等,確保測量結果的準確性和可重復性。
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樣品制備:規范了從硅晶體中取樣以進行徑向變化測量的具體步驟,包括樣品的切割、清潔、處理等,以避免外部污染或損傷影響測試結果。
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測量步驟:詳細描述了測量過程,包括如何在樣品的不同徑向位置取點、如何進行氧含量的精確測量以及數據記錄的要求。
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計算與表達:提供了計算間隙氧含量及其徑向分布的方法,以及如何正確表達和報告測量結果,確保數據的標準化和可比性。
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精密度與準確度:闡述了測量過程中可能的誤差來源,并給出了評估測量精密度和準確度的方法,幫助用戶理解結果的可靠性。
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試驗報告:規定了試驗報告應包含的信息內容,如樣品信息、測試條件、測量結果及必要的數據分析等,便于結果的交流和追溯。
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文檔簡介
UDC669.782H26中華人民共和國國家標準GB/T14144-93硅晶體中間隙氧含量徑向變化測量方法Testmethodfordeterminationofradialinterstitialloxygenvariationinsilicon1993-02-06發布1993-10-01實施國家技術監督局發布
中華人民共和國國家標準硅晶體中間隙氧含量徑向變化GB/T14144-93測量方:法Testmethodfordeterminationofradialinterstitialoxygenvariationinsilicon1主題內容與適用范圍本標準規定了硅晶體中間蹤氧含量徑向變化的測量方法。本標準適用于室溫電阻率大于0.12·cm的硅品體中間隙氧含城徑向變化的測量。測量范圍為3.5×10"alt·cm-3至間隙氧在硅中的最大固溶度。2引用標準GB1557硅品體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法GB/T14143300~900pm硅片間隙氧含量紅外吸收測量方法3方法提要根據待測硅品體的生長工藝特點,在四種測量點選取方案中選擇一種適用的方案。在規定的測量位置,按(B1557或GB/T14143規定的方法測定硅中間隙氧含量,并將其值代入計算公式,求出間隙氧含量徑向百分變化。4測量儀器4.1紅外光譜儀。儀器分辯率小于5℃m1。4.2樣品架。具備按選點方案要求作測量位置調整的功能,其光欄孔徑為5~8mm。“.3厚度測量儀。精度優于21m。4.4標準平面平品。4.578K低溫測量裝置5試樣要求5.1試樣厚度約為2mm或0.3~0.9mm。3當間隙氧含量低于1×10at·cm-3時可選用厚度約為5mm或10mm的硅片。5.2試樣經雙面機械拋光或化學拋光(僅適用于單品),表面呈鏡面,,無桔皮狀皺紋和凹坑。厚度為0.3~0.9mm的試樣表面皮符合GB/T14143中5.1-5.2條的規定。5.3試樣在測量光欄孔徑范圍內,平整度應不大于2.2Pm。5.4作差別法測量的試樣,其測量位置的厚度與參比樣品的厚度差小于0.5%5.5仲裁測量的試樣需經雙面機械拋光。
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