多晶硅長晶法即長成單晶硅棒法有二種：CZ(Czochralski)法FZ(Float-ZoneTechnique)法目前超過98%的電子元件材料全部使用單晶硅。其中用CZ法占了約85%,其他部份則是由浮融法FZ生長法。CZ法生長出的單晶硅，用在生產低功率的集成電路元件。而FZ法生長出的單晶硅則主要用在高功率的電子元件。CZ法所以比FZ法更普遍被半導體工業采用，主要在于它的高氧含量提供了晶片強化的優點。另外一個原因是CZ法比FZ法更容易生產出大尺寸的單晶硅棒。目前國內主要采用CZ法CZ法主要設備：CZ生長爐CZ法生長爐的組成元件可分成四部分爐體：包括石英坩蝸，石墨坩蝸，加熱及絕熱元件，爐壁晶棒及坩蝸拉升旋轉機構：包括籽晶夾頭，吊線及拉升旋轉元件氣氛壓力控制：包括氣體流量控制，真空系統及壓力控制閥控制系統：包括偵測感應器及電腦控制系統加工工藝：加料一熔化一縮頸生長一放肩生長一等徑生長一尾部生長加料：將多晶硅原料及雜質放入石英坩蝸內，雜質的種類依電阻的N或P型而定。雜質種類有硼，磷，銻，神。熔化：加完多晶硅原料于石英蝸內后，長晶爐必須關閉并抽成真空后充入高純氬氣使之維持一定壓力范圍內，然后打開石墨加熱器電源，加熱至熔化溫度(1420°C)以上，將多晶硅原料熔化。縮頸生長：當硅熔體的溫度穩定之后，將籽晶慢慢浸入硅熔體中。由于籽晶與硅熔體場接觸時的熱應力，會使籽晶產生位錯，這些位錯必須利用縮勁生長使之消失掉。縮頸生長是將籽晶快速向上提升，使長出的籽晶的直徑縮小到一定大小(4-6mm)由于位錯線與生長軸成一個交角，只要縮頸夠長，位錯便能長出晶體表面，產生零位錯的晶體。放肩生長：長完細頸之后，須降低溫度與拉速，使得晶體的直徑漸漸增大到所需的大小。等徑生長：長完細頸和肩部之后，借著拉速與溫度的不斷調整，可使晶棒直徑維持在正負2mm之間，這段直徑固定的部分即稱為等徑部分。單晶硅片取自于等徑部分。尾部生長：在長完等徑部分之后，如果立刻將晶棒與液面分開，那么效應力將使得晶棒出現位錯與滑移線。于是為了避免此問題的發生，必須將晶棒的直徑慢慢縮小，直到成一尖點而與液面分開。這一過程稱之為尾部生長。長完的晶棒被升至上爐室冷卻一段時間后取出，即完成一次生長周期。單晶硅棒加工成單晶硅拋光硅片加工流程：單晶生長一切斷一外徑滾磨一平邊或V型槽處理一切片倒角一研磨腐蝕--拋光一清洗一包裝切斷：目的是切除單晶硅棒的頭部、尾部及超出客戶規格的部分，將單晶硅棒分段成切片設備可以處理的長度，切取試片測量單晶硅棒的電阻率含氧量。切斷的設備：內園切割機或外園切割機切斷用主要進口材料：刀片外徑磨削：由于單晶硅棒的外徑表面并不平整且直徑也比最終拋光晶片所規定的直徑規格大，通過外徑滾磨可以獲得較為精確的直徑。外徑滾磨的設備：磨床平邊或V型槽處理：指方位及指定加工，用以單晶硅捧上的特定結晶方向平邊或V型。處理的設備：磨床及X-RAY繞射儀。切片：指將單晶硅棒切成具有精確幾何尺寸的薄晶片。切片的設備：內園切割機或線切割機倒角：指將切割成的晶片稅利邊修整成圓弧形，防止晶片邊緣破裂及晶格缺陷產生，增加磊晶層及光阻層的平坦度。倒角的主要設備：倒角機研磨：指通過研磨能除去切片和輪磨所造的鋸痕及表面損傷層，有效改善單晶硅片的曲度、平坦度與平行度，達到一個拋光過程可以處理的規格。研磨的設備：研磨機（雙面研磨）主要原料：研磨漿料（主要成份為氧化鋁，銘砂，水），滑浮液。腐蝕：指經切片及研磨等機械加工后，晶片表面受加工應力而形成的損傷層，通常采用化學腐蝕去除。腐蝕的方式：（A）酸性腐蝕，是最普遍被采用的。酸性腐蝕液由硝酸（HNO3），氫氟酸（HF），及一些緩沖酸（CH3COCH，H3PO4）組成。（B）堿性腐蝕，堿性腐蝕液由KOH或NaOH加純水組成。拋光：指單晶硅片表面需要改善微缺陷，從而獲得高平坦度晶片的拋光。拋光的設備：多片式拋光機，單片式拋光機。拋光的方式：粗拋：主要作用去除損傷層，一般去除量約在10—20um；精拋：主要作用改善晶片表面的微粗糙程度，一般去除量1um以下主要原料：拋光液由具有SiO2的微細懸硅酸膠及NaOH（或KOH或NH4OH）組成，分為粗拋漿和精拋漿。清洗：在單晶硅片加工過程中很多步驟需要用到清洗，這里的清洗主要是拋光后的最終清洗。清洗的目的在于清除晶片表面所有的污染源。清洗的方式：主要是傳統的RCA濕式化學洗凈技術。主要原料：H2SO4，H2O2，HF，NH4HOH，HCL（3）損耗產生的原因A.多晶硅--單晶硅棒多晶硅加工成單晶硅棒過程中：如產生損耗是重摻蝸底料、頭尾料則無法再利用，只能當成冶金行業如煉鐵、煉鋁等用作添加劑；如產生損耗是非重摻蝸底料、頭尾料可利用制成低檔次的硅產品，此部分應按邊角料征稅。重摻料是指將多晶硅原料及接近飽和量的雜質（種類有硼，磷，銻，神。雜質的種類依電阻的N或P型）放入石英坩蝸內溶化而成的料。重摻料主要用于生產低電阻率（電阻率＜0.011歐姆/厘米）的硅片。損耗：單晶拉制完畢后的蝸底料約15%。單晶硅棒整形過程中的頭尾料約20%。單晶整形過程中（外徑磨削工序）由于單晶硅棒的外徑表面并不平整且直徑也比最終拋光晶片所規定的直徑規格大，通過外徑磨削可以獲得較為精確的直徑。損耗約10%-13%。例：4英寸5英寸標稱直徑100mm125mm

拉晶直徑106mm131mm磨削損耗12.36%9.83%拉制參考損耗0.7%0.8%合計損耗13.06%10.63%此外，由于單晶硅的電阻率范圍、電阻率均勻性、雜質種類、缺陷狀態等參數在不同客戶的要求下，都會對成品的實收率有影響，即使是同一規格的產品，不同廠家生產該產品的合格率也會不同。一般來講，由于晶體質量原因造成的損耗率為7.5%。從多晶硅--單晶硅棒總損耗率：4英寸約為45.3%5英寸約為43.8%B、單晶硅棒--單晶硅拋光片單晶硅棒加工成單晶硅拋光片過程中損耗主要在切片工序，如采用內園切割機在切割過程中由于刀片的研磨及切片過程中刀片的擺動造成。此間的損耗約34%-35%。如采用線切割機則損耗較小。例：4英寸5英寸切片刀厚310+25380+25硅片厚度650750損耗率34%35%其他工序的凈損耗從切片到最終拋光，此間損耗約16.67%-19.23%。例：4英寸5英寸切片厚度650750

拋光厚度525625損耗率19.23%16.67%從單晶硅棒到拋光片的損耗還包括切片過程中