部門(mén)OLED-WET編寫(xiě)審核日期文件編號(hào)：A-B-*-000*銀和硫：案例分析，物理現(xiàn)象和可能的解決方式

銀硫化的問(wèn)題很早便已經(jīng)存在了，但是其形成的基本原理還是知道的很少。通過(guò)做加速測(cè)試條件暴露銀鍍層，觀察發(fā)現(xiàn)銀硫化現(xiàn)象惡化，以此估算正常情況下銀硫化問(wèn)題一般會(huì)在12-48個(gè)月發(fā)現(xiàn)。猜測(cè)其原因是因?yàn)椴煌姆庋b材料，其吸收含硫氣體的能力不同。本文對(duì)已知的銀硫化物腐蝕失效做了一個(gè)概述，包括舉了一些零件、基板和印制板的例子。對(duì)這些案例基本原理的研究，可以提供解決該現(xiàn)象的一個(gè)方向，包括濕度，溫度以及其他反應(yīng)氣體是如何作用的；傳統(tǒng)的腐蝕可能會(huì)加速反應(yīng)，其機(jī)理是什么；含硫氣體可能穿過(guò)并被聚合材料保留，是怎么發(fā)生的等等。在電子器件及產(chǎn)品中，銀的位置很受關(guān)注，因?yàn)樗鼤?huì)在孤立導(dǎo)體中遷移并會(huì)造成不定的電擊。銀的這種遷移是由銀傾向于在潮濕環(huán)境中發(fā)生氧化反應(yīng)以及電場(chǎng)造成的。這個(gè)行為導(dǎo)致了銀使用上的一些限制，應(yīng)用、附加測(cè)試的要求、含貴金屬的銀合金的電子材料。當(dāng)前關(guān)于銀和電子器件更關(guān)注的就是硫化機(jī)制。硫化作用是金屬元素（例如銀，銅等）在存在硫化物的液體或氣體中的腐蝕。硫化作用最開(kāi)始是通過(guò)分解H2S或COS，產(chǎn)生HS-。在水溶液中，HS-既可以直接與已經(jīng)氧化的銀原子反應(yīng)，也可以吸收至表面，然后反應(yīng)生成硫化鹽。氧化性原子的存在，例如Cl，可以增加反應(yīng)速率。通過(guò)對(duì)每個(gè)案例的研究回顧，包括包裝、材料成分結(jié)構(gòu)、曝光環(huán)境、失效時(shí)間、失效模式。第一個(gè)案例：做了將銀暴露在標(biāo)準(zhǔn)混流氣體的測(cè)試環(huán)境下，查看沉浸銀的行為，并以此為基線。實(shí)驗(yàn)中，鍍了銀的試驗(yàn)基片暴露在ClassII(混流氣體環(huán)境)。幾篇如圖1所示。測(cè)試基片無(wú)焊接掩模板，由兩個(gè)陣列組成。A陣列，由44個(gè)圓形襯墊，直徑1.5mm，間距1mm。B陣列由陰影圖形組成。混流氣體測(cè)試的目的就是模擬由于暴露在大氣中造成的腐蝕現(xiàn)象。大氣中的電子設(shè)備的操作環(huán)境被分為四個(gè)等級(jí)，從最難腐蝕（ClassI）至最易腐蝕（ClassIV）。ClassI表示持續(xù)調(diào)整的控制的很好的工作環(huán)境。ClassII表示輕微工業(yè)環(huán)境，無(wú)有效持續(xù)的環(huán)境控制。ClassIII表示中等工業(yè)環(huán)境，類(lèi)似存儲(chǔ)區(qū)環(huán)境。ClassIV表示重度工業(yè)環(huán)境，類(lèi)似邊上有大氣污染源的。案例一圖一ClassI：無(wú)其他環(huán)境影響，也無(wú)加速測(cè)試。其他三個(gè)Class由環(huán)境中的四種最普通的氣體，NO2、H2S、Cl2以及SO2，加速腐蝕。在一些條件下的SO2的有無(wú)選擇，是因?yàn)椴淮_定其影響效果是在H2S之上或之下。一些研究者相信H2S和SO2在金屬腐蝕上具有協(xié)同作用，且SO2對(duì)于腐蝕環(huán)境中的進(jìn)行鎳(stressnickel)腐蝕是必須的。腐蝕試片經(jīng)過(guò)兩次的回流焊爐和一次的波峰焊接機(jī)的預(yù)處理?；亓鬏喞膮⒘课刺峁?。一共有30片試驗(yàn)片，在ClassII的條件下分別暴露1,2,4,6,8,10天。五片在預(yù)先設(shè)計(jì)好的時(shí)間后暴露。試片需要檢測(cè)重量增量，表面絕緣電阻（SIR），及外觀形貌。圖二圖三分別反應(yīng)的是重量增量及SIR。EIA混流氣體標(biāo)準(zhǔn)氣體濃度。IIA用于焊接性測(cè)試案例一表一重量增加證明化學(xué)反應(yīng)發(fā)生，尤其是與焊錫均涂的基本試片對(duì)比，其增加量快接近了三分之一。暴露六天之后重量增加的現(xiàn)象表現(xiàn)在在腐蝕反應(yīng)中就是點(diǎn)位偏移。表面絕緣電阻的改變，其決定性就沒(méi)那么大。盡管相比下來(lái)重量變化的比例更大，但是表面絕緣電阻絕對(duì)值依舊增大了10的12次方歐姆。暴露在II中的浸銀試片重量增量暴露在II中的浸銀試片表面絕緣電阻的變化案例一圖二圖三暴露后的結(jié)果檢查使用的是光學(xué)及電子顯微鏡，分別以圖四圖五展示。沉浸銀在暴露在混流氣體之后變黑。元素分析采用能量光譜（EDS），鑒別氯和硫，以及銀和銅。氯和硫存在會(huì)形成AgCl和Ag2S混合物。然而AgCl最初是白色的，而當(dāng)其經(jīng)過(guò)光照的光致還原作用，會(huì)分解為氯氣分子及銀原子。這個(gè)結(jié)果產(chǎn)生的銀具有灰黑的外觀。Ag2S同樣是黑色的。注意，無(wú)腐蝕產(chǎn)物出現(xiàn)在鍍層外圍區(qū)域。浸銀試片暴露前后暴露在II中8天后電子顯微照片和成分分析案例一圖四圖五案例二一種采用工業(yè)控制的硅膠陶瓷混合封裝用來(lái)測(cè)試使用了接近兩三年的失效速率。發(fā)現(xiàn)在失效設(shè)備的輸入輸出參量，提高了幾個(gè)PIN的電阻。陶瓷混合成像儀器圖六用X射線處理之后（鑒定干擾或是分離銀薄膜上的痕跡）。X射線下正常與失效圖圖七為了更好的發(fā)現(xiàn)分離根源，硅樹(shù)脂密封劑被去除了。目視無(wú)莢膜的混合物，可以看到陶瓷基板中透出黑色腐蝕產(chǎn)物。最關(guān)鍵的是那些既無(wú)焊接也無(wú)焊接掩模板的有鍍銀痕跡的區(qū)域，這些區(qū)域也有一些透過(guò)掩模板腐蝕的跡象。光學(xué)顯微照片，正常與失效（去膜后）光學(xué)顯微下照片正常（上），失效（下）光學(xué)顯微下掩模板中傳出的潛在腐蝕產(chǎn)物案例二圖八圖十圖九案例二陶瓷混合物中鑒定出的元素將硫化物的腐蝕反應(yīng)告訴制造商時(shí)，他們給出的校正措施是在硅樹(shù)脂的切口下方涂覆硅酮涂層。但是二次涂覆的阻止或減少硫化腐蝕的能力是不確定的。該聚合物有著開(kāi)口的結(jié)構(gòu)（多孔）。雖然有著開(kāi)口結(jié)構(gòu)，但硅樹(shù)脂有硅鏈存在，不會(huì)保存水分。因?yàn)槠涫杷?，它是一種很好的保形涂層。但是其基本的開(kāi)口結(jié)構(gòu)，仍然會(huì)使其他污染物滲透進(jìn)去，例如硫化氣體。圖十一案例三在過(guò)去幾年，薄膜片狀電阻上的場(chǎng)問(wèn)題已經(jīng)被報(bào)道過(guò)了。這些電阻以銀作為基本導(dǎo)體，因?yàn)槠湎鄬?duì)的花費(fèi)較低，穩(wěn)定的導(dǎo)電性，抗氧化，與電阻材料（氧化釕）很好的兼容性。在硫化物含量高的氣體環(huán)境中，例如H2S、SO2、COS，一些薄膜片狀電阻的使用者已經(jīng)發(fā)現(xiàn)電阻響應(yīng)超時(shí)和最終電路開(kāi)啟時(shí)間增加。硫化物混合物會(huì)通過(guò)玻璃膜層間隙和電阻接縫腐蝕銀基導(dǎo)體。裂紋或是開(kāi)口都會(huì)導(dǎo)致腐蝕氣體的滲入（將銀變?yōu)榱蚧y）。硫化作用后薄膜電阻截面顯微照片硫化銀理論上的電阻率是0.1-10歐姆米。相比之下，Ag的電阻率1.6X10（-8）歐姆米。因此,對(duì)于相同的幾何配置,電阻理論上可以增加7到10個(gè)數(shù)量級(jí)(電阻值很低)。厚度和跨度10微米,寬度500微米,電阻在銀硫化物反應(yīng)產(chǎn)物將約為20k歐姆。如果裂紋在硫化銀，電阻可能會(huì)高得多。圖十二案例三厚膜電阻器制造商們意識(shí)到這種行為,因此不建議使用在高硫環(huán)境下。相反，提供了兩個(gè)選擇。第一個(gè)提出一個(gè)容器保存硫的設(shè)計(jì)，采用的是銀合金和貴金屬合金。第二種是采用軍用電阻，可以抗硫?？沽蛐允遣捎免Z或者鉑替代銀。這個(gè)特定的模式的硫腐蝕銀展示兩個(gè)有趣的行為。第一個(gè)是擴(kuò)展的時(shí)期，1-4年，超過(guò)時(shí)間便會(huì)發(fā)生失效。第二個(gè)是通過(guò)觀察發(fā)現(xiàn)，大多數(shù)的失效發(fā)生在硅樹(shù)脂封裝時(shí)。硅樹(shù)脂的灌注混合物一般用于把器件從有害環(huán)境中隔離開(kāi)來(lái)，但在這種情形下，有跡象表明硅樹(shù)脂結(jié)構(gòu)扮演了一個(gè)硫化氣體的吸收海綿體。對(duì)于氣體和聚合物，這種表現(xiàn)是不普通的，同時(shí)還觀察到了水分子和環(huán)氧樹(shù)脂。在這種情況下水分子可以以兩種形式存在于環(huán)氧樹(shù)脂，束縛的和自由的。束縛的水分子被吸引到聚合物鏈，通過(guò)氫鍵，成為固定化的。如果這個(gè)機(jī)制中存在H2S或SO2和硅樹(shù)脂，它可以提供氣體與銀導(dǎo)體的反應(yīng)時(shí)間。硫化物氣體可能通過(guò)與硅樹(shù)脂封裝材料或硅樹(shù)脂電阻接口的水分子反應(yīng)發(fā)生相變。印刷電路板上的沉浸銀的蠕變腐蝕該案例綜述了在印刷電路板沉浸銀上出現(xiàn)的場(chǎng)問(wèn)題。產(chǎn)品用戶在安裝現(xiàn)場(chǎng)發(fā)現(xiàn)了這些情況。通過(guò)視覺(jué)檢查失效部分，發(fā)現(xiàn)灰色同心圓來(lái)源于電鍍穿孔。案例四圖十三在RoHS（RestrictionofHazardousSubstances）限制下，電路板廣泛采用“浸銀”（immersionSilver）的表面處理技術(shù)。浸銀處理過(guò)的電路板被發(fā)現(xiàn)在高含硫量和一定濕度的空氣環(huán)境下很容易被腐蝕，電路板中的銀和銅被腐蝕產(chǎn)生衍生物逐漸在電路板上侵延，形成所謂的“蠕變腐蝕”現(xiàn)象。蠕變腐蝕是一種材料遷移原理，可能發(fā)生在連接器、印刷板、電子組件。蠕變腐蝕發(fā)生的要求是金屬基地（傳統(tǒng)的銅或銀），含氯和硫的氣體存在，高濕度和多孔的腐蝕產(chǎn)物（非自我限制）。因濃度變化克服表面吸引力產(chǎn)生的力，引起了遷移。這個(gè)力需要有較低的臨界值（遷移發(fā)生在貴金屬表面），例如鈀。遷移在電介質(zhì)/有機(jī)材料上是不常見(jiàn)到的，只有當(dāng)暴露在惡劣環(huán)境中時(shí)，例如那些接近冷凝的濕度。案例四第四個(gè)案例指出了場(chǎng)問(wèn)題的根源是銀硫化腐蝕產(chǎn)物的蠕變腐蝕。然而，將沉浸銀試片暴露在ClassII的混流氣體中測(cè)試一直到10天（見(jiàn)第一案例研究）并未觀察到蠕變行為發(fā)生。在第一案例研究中缺少蠕變腐蝕，與Veale的報(bào)告結(jié)果相沖突。在他的研究中，有表面絕緣電阻的沉浸銀試片置于ClassIIIA混流氣體且偏向10VDC。結(jié)果展示在圖14.視覺(jué)(頂部)和絕緣電阻(底部)結(jié)果（有薄膜表面電阻的沉浸銀暴露在混流氣體測(cè)試條件。）在第四個(gè)案例中，Veale觀察到的腐蝕行為展現(xiàn)了與結(jié)構(gòu)具有強(qiáng)相關(guān)。這表明第一個(gè)案例中的ClassII測(cè)試條件對(duì)于一些有用的環(huán)境是不足的，ClassIIIA作為一般鑒定程序應(yīng)該是更適當(dāng)?shù)摹ｅ兡そy在MFG條件測(cè)試后結(jié)果測(cè)試研究圖十四在第四個(gè)案例中，Veale觀察到的腐蝕行為展現(xiàn)了與結(jié)構(gòu)具有強(qiáng)相關(guān)。這表明第一個(gè)案例中的ClassII測(cè)試條件對(duì)于一些使用的環(huán)境不足的，ClassIIIA作為一般鑒定程序應(yīng)該是更適當(dāng)?shù)摹Ｈ欢?，在這區(qū)域附加的工作，看起來(lái)表明不是混流氣體測(cè)試中的分類(lèi)，可能不足以再現(xiàn)案例四中觀察到的現(xiàn)象。后續(xù)進(jìn)行的觀察工作（參考20），無(wú)法復(fù)制大量的蠕變腐蝕（如最初報(bào)告的）。這說(shuō)明不止一種的環(huán)境參數(shù)（氣體濃度，溫度，濕度，氣體流動(dòng)）會(huì)有不同程度的超出范圍，可能會(huì)和工業(yè)實(shí)際有關(guān)。該測(cè)試的誤差可以在其他研究中看到。Cullen已經(jīng)演示了提高相關(guān)濕度，超過(guò)93%RH（RelativeHumidity相對(duì)濕度）,可以減少蠕變腐蝕。我們采用類(lèi)似的蠕變腐蝕研究鍍鈀的部件。在這特殊的研究中，發(fā)現(xiàn)蠕變腐蝕行為因素是相對(duì)獨(dú)立的，包括包裝材料，引線間距，引線材料，安裝與卸載，螺距以及各種預(yù)處理步驟。穿過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂包裝材料的蠕變腐蝕產(chǎn)物首先發(fā)生在當(dāng)ClassIII中的特定環(huán)境參數(shù)超標(biāo)（Cl2>20ppb，濕度>75%，H2S>100ppb）。爬電腐蝕的限制被TexasInstruments在以前就發(fā)現(xiàn)了。這些結(jié)果表示，在標(biāo)準(zhǔn)混流氣體的條件測(cè)試下，最初加速銅腐蝕，也許不足以確定在二、三、四案例中的場(chǎng)失效。為了找到一個(gè)更加適當(dāng)?shù)臏y(cè)試用于硫化銀腐蝕，回顧了一下環(huán)境參數(shù)，找一個(gè)恰當(dāng)?shù)目梢赃_(dá)到預(yù)期等級(jí)，在場(chǎng)應(yīng)用及其對(duì)銀硫反應(yīng)和蠕變腐蝕的影響這方面。測(cè)試研究由于硫化銀的蠕變腐蝕產(chǎn)物被認(rèn)定有著獨(dú)一無(wú)二的設(shè)計(jì)影響，最初觀察直接反饋。那些被掩模板遮蓋的環(huán)孔經(jīng)歷蠕變腐蝕，而那些沒(méi)被掩模板覆蓋的環(huán)孔相對(duì)的無(wú)腐蝕。在加速條件下的另外的測(cè)試演示表明，該現(xiàn)象只是單純的延遲了反應(yīng)，而且無(wú)掩模板覆蓋的鍍銀結(jié)構(gòu)最終也是會(huì)經(jīng)歷腐蝕。鍍了沉浸銀的PCBs板硫化腐蝕區(qū)域的光學(xué)顯微照片圖十五測(cè)試結(jié)構(gòu)影響掩模板詳細(xì)的依賴性已經(jīng)在一個(gè)相似的腐蝕反應(yīng)（最初發(fā)生在印刷電路板的表面）中觀察到了。如圖16中所見(jiàn)，可以看到源自掩模板邊界的銅結(jié)構(gòu)的腐蝕產(chǎn)物。在此情形下，可焊性鍍層可以是無(wú)電鍍的鎳/浸金,驅(qū)動(dòng)腐蝕的是印刷電路板表面的鍍層殘?jiān)嬖?。然而，生長(zhǎng)物的形態(tài)和顏色與浸銀硫化后非常相似。然而，生長(zhǎng)物的形態(tài)和顏色與浸銀硫化后非常相似。掩模板邊界的腐蝕多數(shù)是因?yàn)橹辽偃齻€(gè)潛在原因。就如在失效電阻案例中討論到的，聚合物會(huì)有一個(gè)趨向動(dòng)作，就像海綿通過(guò)匯集氣態(tài)成分和高含量還原硫化氣體促進(jìn)腐蝕動(dòng)作。鍍了ENIG（化鎳浸金）的PCB板上的腐蝕生長(zhǎng)的光學(xué)顯微通過(guò)截面腐蝕另外的特征描述表明縫隙腐蝕是因?yàn)檠谀０逑碌娜笔У你~與掩模板邊界靠的很近。存在縫隙腐蝕的鍍了ENIGpad區(qū)的截面圖十六圖十七測(cè)試結(jié)構(gòu)影響第二個(gè)促進(jìn)因素，就如上面討論的。也許是縫隙腐蝕?？p隙腐蝕是極具侵略性的一種腐蝕方式，發(fā)生在金屬與其他材料（金屬，陶瓷，聚合物）接觸的角落或是窄隙。然而關(guān)于沉浸銀或銅箔的確切的機(jī)理是未知的，傳統(tǒng)認(rèn)為縫隙腐蝕是由氧氣消耗造成的。不同的通風(fēng)環(huán)境會(huì)改變縫隙中的微環(huán)境，從陰極到陽(yáng)極，最終引起強(qiáng)酸溶解。最后一個(gè)促進(jìn)因素是焊機(jī)殘?jiān)牟东@。這些殘?jiān)焐撬嵝缘?。隨著縫隙腐蝕的發(fā)生，這些殘?jiān)梢詣?chuàng)造強(qiáng)酸溶液，可以促進(jìn)大部分的腐蝕進(jìn)行（它對(duì)銀硫反應(yīng)的影響并不能很好的表現(xiàn)）。理解掩模板確切的影響可以有效的阻止腐蝕反應(yīng)。例如，氣體成分匯集像是由交接點(diǎn)密度和空隙率控制的。因此，改變環(huán)氧結(jié)構(gòu)可能可以減少表面含硫氣體的濃度。如果縫隙腐蝕被認(rèn)定為主要因素，可以嘗試消除掩模板結(jié)構(gòu)的影響或是掩膜的影響或是堵住過(guò)孔結(jié)構(gòu)，這樣會(huì)更加的有效。討論的目的是。混流氣體測(cè)試的主要環(huán)境因素是硫化氣體濃度，相對(duì)濕度和溫度。理解當(dāng)前規(guī)格與現(xiàn)代需求的關(guān)聯(lián)性，要求回顧條件，了解腐蝕反應(yīng)隨參數(shù)改變的原理。測(cè)試結(jié)構(gòu)影響因?yàn)榛炝鳒y(cè)試是相對(duì)短期的時(shí)間,從5到20天，24小時(shí)暴露限值和測(cè)量也許最適用。詳細(xì)了解場(chǎng)和測(cè)試濃度的相關(guān)性是非常重要的，有關(guān)銀硫化的SO2數(shù)值是受限制的。就如Rice和Graedel演示的，在混合環(huán)境中銀的腐蝕行為傾向于不依靠SO2濃度，且暴露在單純的SO2氣體中會(huì)產(chǎn)生不同的產(chǎn)物（H2SO4而不是硫化氫）測(cè)試結(jié)構(gòu)影響H2S濃度在暴露銀的硫化反應(yīng)時(shí)是非常關(guān)鍵的。如圖20所示，銀暴露在H2S中時(shí)的材料變化，H2S表現(xiàn)成一個(gè)線性，與H2S濃度具有強(qiáng)相關(guān)性。銀重量增加與H2S濃度的變化Ag2S腐蝕薄膜厚度與總的暴露在H2S，OCS，SO2，CS2的關(guān)系，所有暴露的濕度=92±4%，t=21C含硫氣體:羰基硫(COS)在混流測(cè)試環(huán)境中并未禁止羰基硫。羰基硫被認(rèn)為是主要的含硫化合物，因?yàn)樵谧匀淮髿庵械暮颗cH2S含量（0.5~0.8ppb）相似或更高。自然源附近可高達(dá)80ppb。關(guān)于銀的反應(yīng)，羰基硫同樣具有腐蝕性。如圖1所示，羰基硫引發(fā)和硫化氫差不多相同的腐蝕速率。硫化氣體研究圖二十圖二十一電子產(chǎn)業(yè)的室內(nèi)硫化氣體，要求更廣泛更徹底的測(cè)量，尤其是那些被認(rèn)定會(huì)提高腐蝕的氣體，以及與室外環(huán)境對(duì)比的硫化銀加速腐蝕過(guò)程。當(dāng)暴露在減少的含硫氣體中，銀腐蝕上相關(guān)的濕度影響是有些矛盾。Vernon演示了關(guān)鍵的相關(guān)濕度，高于這個(gè)值，腐蝕速率會(huì)因金屬板表面含有大量水分而變的很高。對(duì)于大多數(shù)金屬，Vernon指出關(guān)鍵的相關(guān)濕度范圍是70-80%。Vernon的觀點(diǎn)被Graedel的評(píng)論輕微修改了，G認(rèn)為隨著濕度增加，銀腐蝕速率增加，根據(jù)S,V,F,L的工作。G試圖表明這個(gè)關(guān)系是由銀表面吸收的水分?jǐn)?shù)量確定的。單層的公式如下：ln(ml)=2.73p/p0-0.366ml是銀表面吸收水分，p/p0是相關(guān)濕度。硫化氣體研究Rice報(bào)道在兩種不同的流動(dòng)氣體混合環(huán)境中，相關(guān)濕度在銀腐蝕速率上無(wú)影響。該觀察由R，L和G演示的研究證明。他們還表明室內(nèi)因腐蝕速率更高的原因是其對(duì)于相對(duì)濕度的獨(dú)立性。S指出了這個(gè)討論中的細(xì)微差別，通過(guò)分別在高濕度和低濕度的環(huán)境中演示相似反應(yīng)速率，直到硫化銀薄膜達(dá)到接近60nm的厚度。銅和銀的腐蝕速率與暴露在環(huán)境A和B中相關(guān)濕度的關(guān)系硫化銀薄膜厚度與相關(guān)濕度關(guān)系硫化氣體研究圖二十三圖二十二根據(jù)描述的確切的腐蝕原理，關(guān)于濕度影響的正確的推算是有一些依賴。根據(jù)本文詳細(xì)回顧的案例研究，還原硫化氣體與銀的反應(yīng)更像是與濕度是無(wú)關(guān)的。陶瓷混合物中的濕度以及采用硅膠封裝的薄膜電阻中的濕度是非常的低的，這是因?yàn)楣枘z的憎水性。這不能阻止硫化的發(fā)生，然而大量的失效時(shí)間都說(shuō)發(fā)生在（1-4年）可以表明水分的部分影響。然而，在蠕變腐蝕發(fā)生中，相關(guān)濕度將扮演一個(gè)關(guān)鍵角色。就如Cullen研究中及先前關(guān)于穿過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂材料發(fā)生的蠕變腐蝕，非常高的濕度（>80%RH）引起了蠕變腐蝕。于是推測(cè)聚合物粗糙的表面變成了易于傳輸材料，一旦有微小冷凝發(fā)生。表面縫隙填補(bǔ)會(huì)極大地減少聚合物材料的附著力，允許腐蝕產(chǎn)物體積膨脹產(chǎn)生的力來(lái)促進(jìn)生長(zhǎng)，以致生長(zhǎng)至臨近的導(dǎo)體。以時(shí)間為主體，非常有必要重新審視混流氣體測(cè)試規(guī)格，以確定銀基底腐蝕原理的關(guān)聯(lián)性，特別是在具有還原硫的環(huán)境中。將來(lái)的銀的混流氣體測(cè)試也許會(huì)消除SO2氣體，增加H2S氣體濃度至室內(nèi)和室外可能達(dá)到的最大濃度（>200ppb），也會(huì)將有機(jī)硫化物考慮進(jìn)去，例如羰基硫化物。另外，也可能考慮減少或消除氯氣。早在25年前，Rice推論表面硫化銀產(chǎn)物的存在可能會(huì)以及硫化反應(yīng)的發(fā)生。Dubus所做的更多的工作表明，環(huán)境中存在高含量的氯氣，相對(duì)于硫基氣體，腐蝕行為受到氯化銀構(gòu)造的控制，且遵循一條拋物線曲線。這與時(shí)間相關(guān)性表明，腐蝕速率受到穿過(guò)薄膜的氯氣擴(kuò)散的限制，結(jié)果形成一層保護(hù)腐蝕層。硫化氣體研究通過(guò)對(duì)比，銀在具有高含量的還原硫化氣體環(huán)境中成線性，表明了無(wú)限生長(zhǎng)的可能性（該模式