半導體硅片領先企業立昂微專題報告：功率、射頻迎新機一、以硅片為根基，積極布局產業鏈一體化專注于半導體材料、功率器件及相關產品的研發及制造領域。立昂微電于

2002

年成立，

目前主要有半導體硅片、功率器件和化合物半導體芯片三大業務板塊，其中半導體硅片和

功率器件分別占到營收比重的

61%和

37%。公司作為半導體硅片行業中的為數不多的民營

企業，經營模式是以盈利的小尺寸硅片產品帶動大尺寸硅片的研發和產業化，以成熟的半

導體硅片業務、半導體功率器件業務帶動化合物半導體射頻芯片產業。在生產方面，公司

主要產品品質高，產銷規模大，具有一定的規模經濟效應。在研發方面，公司堅持進行技

術研發投入，通過承擔國家科技重大專項、引進高端技術人才等多種方式，在半導體材料

及芯片領域不斷加強自身的研發實力與技術積累。1.1

立足半導體，逐步拓展產業布局以半導體產業為核心，不斷擴大產業規模。公司在創辦時引進國際先進水平的全套肖特基

芯片工藝技術、生產設備及質量管理體系，建立了

6

英寸半導體生產線，成為國內先進水

平的功率器件生產線。2009

年開始，公司成為硅基太陽能專用肖特基芯片市場的主要供應

商。2011

年，公司完成股份制改造。2012

年收購日本三洋半導體和日本旭化成

MOSFET功率器件生產線。2015

年，成功全資收購國內半導體硅片制造巨頭浙江金瑞泓科技股份公

司，成為具有硅單晶、硅研磨片、硅拋光片、硅外延片及芯片制造能力的完整產業平臺。

2016

年，在衢州市委、市政府的支持下，成立了金瑞泓科技（衢州）有限公司。2020

年

公司于上交所上市。至此，公司擁有杭州、寧波、衢州三大經營基地。公司將進一步拓寬

半導體技術領域，開發高技術、高附加值的新一代產品，擴大產業規模、提高核心競爭力，

以共同實現浙江省新一代集成電路產業“彎道超車”的戰略目標。1.2

股權架構穩定集中，核心員工持股增強凝聚力立昂微最初是立立電子的子公司，2000

年脫離股權關系后，立昂微于

2015

年控股了金瑞

泓(立立電子)并保持至今。2002

年立昂有限由立立電子、浙大海納、寧波海納和杭州經開

共同出資成立。2010

年，杭州經開最后一次撤資，立立電子全額控股立昂微。2011

年開

始，立立電子逐漸與立昂有限脫離股權關系，同年立立電子更名為浙江金瑞泓，立昂有限

完成股份改制。2015

年，立昂微通過換股取得金瑞泓控制權。至此，金瑞泓成為立昂微的

子公司。公司股權結構較為集中，核心人員持股增強公司凝聚力。公司實際控制人為王敏文，直接

和間接通過泓祥投資、泓萬投資共計持股

28.69%，寧波利時、國投高新分別持有公司

6.82%、

3.58%的股權。核心技術人員以及管理人員通過股權激勵的方式持有公司股份，公司股權

較為穩定。子公司分工明確。目前，母公司立昂微電主要業務為功率器件的制造和銷售。6

英寸、8

英寸半導體硅片業務由子公司浙江金瑞泓和衢州金瑞泓負責，12

英寸半導體硅片業務由金

瑞泓微電子負責，化合物半導體芯片業務由立昂東芯負責。浙江金瑞泓在中國半導體行業

協會組織的中國半導體材料十強企業評選中連續數年位列第一名；杭州立昂東芯引進海外

先進技術團隊，較早的在國內建成商業化射頻芯片生產線，技術實力較強。1.3

專業化技術團隊，鑄就研發創新壁壘研發支出呈上升趨勢，扎實的技術沉淀和穩定的研發團隊，保障領先的自主創新實力。從

研發人員占比來看，截至

2020

年末，公司擁有研發與技術人員

409

人，占比

24.77%，碩

士及以上學歷

94

人，形成了技術專家、技術骨干、技術后備力量為主體的多層次技術團

隊。從研發費用來看，公司研發費用投入處于行業較高水平。2021Q1-Q3

研發費用較去年

同期增長

102%，研發費用率為

8.21%，主要源于金瑞泓微電子研發費用增加。逐步增長

的研發支出助力公司技術實力不斷提升。1.4

主營業務優勢明顯，盈利能力逐漸增強公司半導體產業鏈相對完整，終端應用領域廣泛。主營業務分為半導體硅片、半導體功率

器件、化合物半導體射頻芯片三大板塊，產品包括

6-12

英寸半導體硅拋光片和硅外延片、

肖特基芯片和

MOSFET芯片、化合物半導體射頻芯片等三大類，主要應用于通信、計算

機、汽車、消費電子、光伏、智能電網、醫療電子以及

5G、物聯網、工業控制、航空航

天等新興產業。相對完整的產業鏈協助公司更好進行工藝優化，掌握下游技術要求，提前

進行產業布局。產品受國內外知名客戶認可。半導體硅片行業、半導體功率器件行業及化合物半導體射頻

芯片行業客戶對產品質量和穩定性要求高，驗證期較長，因此行業客戶開發難度較大、供

應商進入門檻高。公司成立之初就建立了嚴格、完整的質量保證體系，先后通過

ISO9001:2015、IATF16949:2016、ISO14001:2015

等體系認證。目前，公司已經成為國內

外知名公司的穩定供應商，非大陸客戶包括

ONSEMI、AOS、東芝公司、中國臺灣半導體、中國臺灣漢磊等，大陸客戶包括中芯國際、華虹宏力、華潤微電子、士蘭微等，同時在功率器件

方面已通過諸如博世、大陸集團等國際一流汽車電子客戶的

VDA6.3

審核認證。

2017-2021Q1

前五大客戶銷售收入占公司主營業務收入的比例分別為

41.28%、42.52%、

40.19%、38.95%和

36.16%，客戶較為集中且穩定。半導體硅片和半導體功率器件為核心業務，射頻芯片未來可期。從營收結構來看，半導體

硅片業務占比穩中有升，是公司的主要收入來源，其在

2020

年實現收入

9.73

億元，占營

業收入的

64%；2021H1

實現收入

6.23

億元，占比

61%。半導體功率器件為第二大核心業

務，其于

2020

年實現收入

5.03

億元，占比

34%；2021H1

實現收入

3.8

億元，占比

37%。

此外，化合物半導體射頻芯片

2020

年實現收入

0.08

億元，占比

0.51%，得益于持續的投

入研發和產能爬坡，該業務

2021H1

實現營收

0.15

億元。近三年，半導體硅片業務和半導

體功率器件業務占比逐較為穩定，受功率器件下游景氣度影響，該業務占比小幅上升；未

來化合物半導體射頻芯片逐步完成產能爬坡和客戶驗證，業務收入占比會迅速上升。半導體硅片業務盈利能力較強。從盈利能力來看，半導體硅片業務

2017-2021H1

的毛利率

分別為

20.07%、28.03%、46.55%、47.63%、40.66%和

44.21%，2020

年由于全球疫情影響

短暫下降后，2020H1

快速回暖呈現上升趨勢。半導體功率器件毛利率自

2018

年后穩步提

升，2020

年和

2021H1

的毛利率分別為

29.95%、43.81%，其中

2021H1

上升主要源于出貨

量擴張帶來的規模降本效應和下游需求旺盛導致的產品價格提升?；衔锇雽w射頻芯片

2019-2021H1

毛利率均為負值，目前仍然處于虧損狀態，但隨著出貨量的擴大虧損幅度逐

步收窄。內銷為主，海外銷售穩定。從銷售地區分布來看，公司產品銷售地區為中國大陸，在該地

區的業務收入占比每年均在

80%以上且逐年上升，2021H1

中國大陸收入占比為

88.78%，

海外市場占比較小。公司營收整體呈現上升趨勢，凈利潤持續快速增長。2017-2018

年是快速成長期，分別實

現營業收入

9.32

億元、12.23

億元，同比增長

39.08%、31.18%；實現歸母凈利潤

1.06

億

元、1.81

億元，同比增長

60.64%、71.16%。2019

年半導體行業整體下行，公司營業收入

和歸母凈利潤增速均出現明顯下滑，下降幅度分別為

2.53%和

29.08%，而后快速重回高速

增長軌道。2020

年盡管受到疫情影響，仍然實現營業收入

15.02

億元，同比增長

26.04%；

實現歸母凈利潤

2.02

億元，同比增長

57.55%。2021Q1-Q3

公司業績大幅回升，營收、凈

利潤雙增長，營業收入達

17.53

億元，同比增長

69.76%；歸母凈利潤為

4.04

億元，同比

增長

119.67%。半導體硅片業務帶動下公司盈利能力上升趨勢顯著。2017-2018

年，硅片市場景氣度高推

動價格上升從而帶動公司毛利率、凈利率提升。2019

年半導體行業整體景氣度下行拖累公

司盈利能力，2020

年逐步回暖，下游需求持續增加，公司產品毛利率逐漸回升。近年來公

司核心業務半導體硅片毛利率提升，帶動公司整體毛利率和凈利率顯著提高，2021Q1-Q3

公司整體毛利率為

44.07%，凈利率為

23.86%。期間費用管控能力較強，位于同行業中上水平。公司銷售費用率較低，基本穩定在

1%的

水平，2021Q1-Q3

銷售費用率為

0.71%，較上年同期增加

406

萬元，上升主要由于業務宣

傳費和樣品費增加。管理費用率逐年下降，2021Q1-Q3

管理費用率為

2.82%，處于行業中

較低水平。財務費用率2016-2019年隨著融資規模的擴大而上升，2019年后呈現下降趨勢，

2021Q1-Q3

為

5.06%，隨著定增落地，公司未來財務費用率會逐漸下降。整體來看公司期

間費用率處于行業中較低水平。毛利率優勢明顯，營收增速處于高水平。從毛利率來看，立昂微毛利率高于可比公司且保

持不斷上行的態勢，主要源于公司在半導體硅片領域技術儲備充足，在重摻硅片方面具有

獨特技術優勢，以及全產業鏈覆蓋的因素。從營收增速看，立昂微在可比公司中處在中上

水平。2019

年受行業景氣度影響，各公司營收增速均出現明顯下降，而后立昂微迅速回歸

高速增長通道，2020

年營收增速位于前列，并且繼續保持高速增長的勢頭。公司具有產業鏈上下游一體化優勢。立昂微在半導體硅片業務領域主要的可比公司有中環

股份、滬硅產業、有研半導體、南京國盛、上海新傲、嘉晶、合晶等企業，其中嘉晶、合

晶為中國臺灣企業，中環股份及滬硅產業在

12

英寸硅片布局上具備可比條件。在半導體

功率器件業務領域上，主要可比公司有華微電子、士蘭微、揚杰科技、強茂等，其中強茂

為中國臺灣企業。立昂微作為橫跨半導體硅片和半導體分立器件兩個行業的半導體制造企

業，涵蓋了包括硅單晶錠拉制、硅拋光片、硅外延片、分立器件芯片及分立器件成品等半

導體行業上下游多個生產環節，形成了一條相對完整的半導體產業鏈。議價能力較強，定價策略跟隨國際行情。硅片處于晶圓制造產業鏈上游，公司基于從單晶

到外延片的全產業鏈模式，采用自產單晶及拋光襯底片形成的產品體系更完整，規格門類

更齊全，質量穩定性更高，議價能力較強。硅片市場約

86%的市場份額由全球前五大硅片

供應商占據，因此公司輕摻產品定價策略以跟隨國際市場行情為主。由于公司自主研發的

重摻雜硅片單晶技術處于領先水平，在一些重摻優勢品類上產品定價甚至超過全球前五大

硅片供應商。折舊攤銷占營業收入比重有下降趨勢。公司固定資產折舊期為

10

年，早期建設的生產線

折舊大部份已經完成，隨著營收規模的增加，成熟生產線折舊對利潤的影響小，對公司盈

利水平提高起到積極作用。募投推動產能釋放加速，12

英寸產能提升。年產

180

萬片集成電路用

12

英寸硅片：項目完全達產后，預計將擁有年產集成電路

用

12

英寸硅片

180

萬片的生產能力，預計每年將實現銷售收入

15

億元。年產

72

萬片

6

英寸功率半導體芯片技術改造項目：項目完全達產后，預計將擁有年

產

6

英寸功率半導體芯片

72

萬片的生產能力，預計每年將實現銷售收入

4

億元。年產

240

萬片

6

英寸硅外延片技術改造項目：項目完全達產后，預計將新增年產

6

英

寸硅外延片

240

萬片的生產能力，預計每年將實現銷售收入

5

億元。二、全球硅片景氣上行，國產替代進行時2.1

半導體硅片是產業基石硅是半導體的主要基礎材料。目前半導體器件中

95%采用硅為襯底材料，主要源于硅元素

在地殼中極其豐富，占地球總元素含量的

15.1%，同時硅的禁帶寬度為

1.12Ev，可以在更

寬的工作溫度范圍內工作，提升半導體器件的工作穩定性，此外硅容易形成二氧化硅鈍化

層，二氧化硅薄膜的絕緣性好，可以抑制漏電現象，同時可以避免硅片的彎曲和翹曲問題。化合物半導體具有物理特性優勢。半導體材料已發展至第三代，其中第一代半導體為硅基

和鍺基等單質半導體，優點是方便提純結晶，第一代半導體奠定了微電子產業的基礎；第

二代半導體為砷化鎵、磷化銦等，優點是電子遷移率高、禁帶寬度大，缺點是生產過程對

環境有害，目前主要應用在通信領域，第二代半導體奠定了信息產業的基礎；第三代半導

體為碳化硅、氮化鎵等，優點是高頻率、高功率、高溫度、高光效和高電壓等五“高”特性，

其中碳化硅適用于高功率，主要應用于大功率原件，氮化鎵適用于高頻率，主要應用于功

率器件領域。半導體硅片產業鏈上游為多晶硅料，下游為集成電路和分立器件制造業。上游來看，制作

多晶硅原料的主要成本為電力，國內半導體硅料的主要廠商為黃河水電，國際企業主要有

德國瓦克。半導體硅片的下游為晶圓代工廠或

IDM廠商，硅片的質量直接決定芯片的良

率和質量，所以硅片廠商需要滿足晶圓廠較長的質量驗證期后才可形成穩定的合作關系，

硅片加工成半導體器件后供應到終端應用領域。半導體硅片的生產流程包括拉晶、切片、倒角、刻蝕、拋光、清洗、檢測、包裝等環節。

具體來看，首先將多晶硅硅料在石英坩堝中熔化，并摻入磷、硼等元素，之后再單晶爐中

拉出單晶棒，使用切割機和鋼線進行切片，之后對硅片進行邊緣倒角處理，然后進行研磨，

之后蝕刻講表面變平整，之后通過拋光來產生拋光片。生產設備主要包括單晶爐、切片機、

倒角機、刻蝕機、拋光機、清洗機、量測機等，其中核心設備為單晶爐、拋光機和量測機。成本優勢推動硅片尺寸不斷擴大。硅片尺寸擴大可以降低硅片周圍的損失面積，提高使用

效率，從而降低芯片成本。在相同工藝條件下，12

英寸硅片的可使用面積是

8

英寸的

2.5

倍。同時

18

英寸硅片由于投資數額巨大且目前良率不理想，所以目前主流硅片還將維持

在

12

英寸。8

英寸和

12

英寸硅片終端預期持續向好。8

英寸硅片一般應用于對制程要求較低或對成

本較敏感的產品中，主要包括模擬芯片、MOS邏輯、光電器件、分立器件等產品。近年

來，新能源汽車和工業智能裝備得到快速普及，模擬和分立器件的市場需求逐步擴大，將

為

8

英寸硅片打開新的增長空間。12

英寸半導體硅片主要應用于邏輯芯片和存儲器

（DRAM、2DNAND、3DNAND）。其中存儲器連續兩年貢獻了全球半導體市場規模的主

要增量，而

DRAM作為電子產品重要組件之一，在

AI和

5G兩大新興產業的拉動下，

行業景氣度不斷上升，將帶動晶圓廠對

12

英寸硅片需求增加。12

英寸硅片占比不斷提升。由于成本降低和終端芯片先進制程占比的不斷增加，全球

12

英寸半導體硅片占總體出貨量的比重從

2010

年的

50%增至

2020

年的

63%。未來下游晶圓

廠擴產主要集中在

12

英寸，未來

12

英寸硅片出貨占比還將進一步增加。8

英寸硅片出貨量穩定提升。目前

8

英寸硅片主要用在生產成熟制程的芯片，同時由于

8

英寸廠大部分折舊已完成，所以具有相對成本優勢，隨著汽車電子等領域需求的迅速增加，

8

英寸硅片的需求量也將穩定增長。半導體硅片可以分為拋光片、外延片、SOI硅片等。其中拋光片是在拋光流程后即可出片。

而外延片需要將拋光片在外延爐中進行外延生長，使硅片上長有一定厚度、電阻率的單晶。

外延片相比起拋光片流程更多，同時電阻率等參數可調，所以價格略高。SOI（絕緣體上

硅）：主要有三層，分別是頂層硅、氧化層和硅襯底，SOI可以通過氧化層實現高電絕緣

性，減少寄生電容和漏電情況。2.2

市場需求旺盛疊加國產替代擴大硅片成長空間半導體硅片在半導體制造材料中占比為

37%。半導體制造材料主要包括硅、電子氣體、

光掩膜、光刻膠配套化學品、拋光材料、光刻膠、濕法化學品與濺射靶材等。根據

SEMI數據，2020

年全球半導體制造材料市場規模為

349

億美元，其中硅片市場規模為

128

億美

元，是占比最大的半導體制造材料。下游市場需求旺盛拉動硅片市場。90%的芯片都需要硅片作為基礎，所以半導體硅片市場

規模與半導體市場規模變化趨勢具有一致性。根據

WSTS統計和預測，全球半導體銷售額

從

2011

年的

2995

億美元增至

2021

年的

5510

億美元，CAGR為

6.3%，其中

2019

年和

2020

年出現的下滑分別由于貿易因素和疫情影響，之后由于

5G的普及和汽車行業景氣度回升，

2021

年半導體規模創新高，對應全球硅片出貨面積從

2011

年的

90

億平方英寸增至

2020

年的

125

億平方英寸，CAGR為

3.7%，從硅片價格來看，2017

年之后隨著需求逐步回暖，

價格觸底回升，從

2016

年的

0.67

美元/平方英寸增至

2020

年全球半導體硅片單價為

0.91

美元/平方英寸，結合半導體產線的投產需要兩年左右的時間，硅片價格有望保持。中國硅片市場規模增速高于全球。隨著中國硅片市場規模增速中國半導體市場份額占全球

比重逐漸上升，從

2014

年的

27.3%增至

2020

年的

34%，目前是全球最大的半導體市場，

占比的逐步提高使得中國大陸硅片市場規模增速高于全球。全球硅片市場規模近十年

CAGR為

1.2%，中國大陸硅片市場規模近十年

CAGR為

10.4%。需求端：從全球來看，根據

SEMI數據統計，2021-2022

年全球會新增

29

座晶圓廠，其中

東亞地區

12

個，美洲

6

個，其余分布在歐洲和中東等地，另外

12

英寸晶圓廠占比較大，

有

22

座，預計建設完畢后，這

29

座晶圓廠產能為

260

萬片/月（折合

8

英寸）。從中國大

陸來看，根據芯思想數據，截止

2021

年第二季度，中國內地

12

英寸、8

英寸和

6

英寸及

以下的晶圓制造線共有

200

條。已經投產的

12

英寸晶圓制造線有

27

條，合計裝機月產能

約

118

萬片（其中外資公司裝機月產能超過

50

萬片）；已經投產的

8

英寸晶圓制造線投有

28

條，合計裝機月產能約

120

萬片；已經投產的

6

英寸及以下晶圓制造線裝機產能約

400

萬片約當

6

英寸產能。晶圓產能主要集中在中國臺灣和韓國等地。從整體產能分布情況來看，2013

年至

2020

年

全球晶圓廠整體產能

CAGR為

8.5%。從晶圓產能分布來看，排名前五的廠商為臺積電、

三星、格羅方德、中芯國際和力積電，分別占有

54%、17%、7%、5%和

1%。下游晶圓廠的快速拓展會帶動上游半導體硅片需求。由于中美貿易和年初的“缺芯”影響，

全球主要的晶圓廠都進行了一定程度的擴產規劃。同時從國產替代的角度來看，目前

6

英寸國產化率為

50%，8

英寸國產化率為

10%，

12

英寸國產化率不足

1%，國內晶圓廠的硅片國產替代需求旺盛。供給端：根據芯思想統計，8

英寸來看，2020

年中國內地拋光片和外延片裝機產能分別為

206

萬片/月和

197.5

萬片/月，預計

2021

年將分別達到

261

萬片/月和

215

萬片/月，預計

分別同比增長

26.7%和

8.86%。12

英寸來看，2020

年中國內地拋光片和外延片裝機產能

分別為41.5

萬片/月和7.5

萬片/月，預計2021

年分別達到153.5

萬片/月和23.5

萬片/月，

增速較快。2.3

半導體硅片市場壟斷程度高半導體硅片市場被海外廠商壟斷。因為半導體硅片對純度要求為

9

個

9

至

11

個

9

之間，

同時對于硅片的表面平整度等有嚴苛要求，所以半導體硅片的加工工藝有很高的技術壁壘。

目前全球的硅片市場處于完全壟斷的格局，前五大廠商占到全球半導體硅片

86%的市場份

額，其中龍頭信越化學占比

27.5%，日本盛高占比

21.5%，環球晶圓占比

14.8%，德國

Silitronic占比

11.4%，SKSiltron占比

11.3%，目前環球晶圓已經宣布收購德國

Siltronic，

收購后環球晶圓將成為第二大半導體硅片廠商。2.4

傳統半導體硅片龍頭公司具有規模效應顯著、全產業鏈、寬業務布局的優勢。從國內來看，半導體硅片的主要

參與廠商有滬硅產業、立昂微、中環股份、中欣晶圓、上海超硅等，總體來看相比起海外

企業還有較大差距，還需要進行大量的技術儲備和積累。公司相比國內的可比公司而言，

1）處于龍頭地位，公司連續三年位列國內半導體材料行業十強企業第一名，具備

4-8

英寸硅單晶錠、硅拋光片、硅外延片等產品的大批量生產制造能力，在重摻系列的某些優勢

品種上，公司產品定價還超過了全球前五大硅片供應商，半導體硅片業務盈利能力突出。2018

年至

2020

年硅拋光片的產量（折合成

6

英寸硅片）分別為

537.29

萬片、517.66

萬片

和

694.11

萬片，硅外延片的產量（折合成

6

英寸硅片）分別為

294.37

萬片、319.26

萬片

和

395.32

萬片；從盈利能力來看，公司

2018

年至

2020

年的毛利率分別為

46.55%、47.63%

和

40.66%，大幅高于國內其他硅片生產企業。2）產業鏈上下游一體化優勢，公司拋光片

具備從拉單晶到拋光，外延片具備從單晶到襯底到外延的全產業鏈制造能力，同時目前已

經形成了外延片的產品優勢，有一定議價權。3）寬業務布局，公司目前已經發展出功率

半導體和化合物射頻芯片的新業務，新業務有望成為公司發展的第二增長點。三、功率器件行業國產替代進行時3.1

功率半導體是電能轉化和電路控制核心功率半導體器件是實現電能轉換的核心器件，主要用途包括逆變、變頻等。功率半導體主

要分為功率

IC和功率器件，主要應用在汽車、工業、消費電子等領域，未來隨著電動汽

車和

5G的迅速發展，功率半導體需求增量較大。根據

Yole數據，全球功率半導體市場規模從

2016

年的

334

億美元增至

2020

年的

422

億

美元，CAGR為

6%。中國是全球最大的功率半導體市場，根據

IHS數據，2019

年中國功

率半導體市場規模占全球比重為

35.6%。在下游功率半導體的景氣支撐下會持續帶動上游公司的固晶機需求。從下游應用分布來看，汽車領域占比為

35%，工業領域占比

27%，消

費電子占比

13%。分立器件和電源管理

IC占比較大。在全球功率半導體市場中主要為分立器件和電源

IC，

其中分立器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等半導體功

產品。功率半導體市場主要玩家為日美歐廠商。2020

年營收前

25

的功率半導體企業中，日本

9

家，美國

8

家，歐洲

7

家，中國一家（收購歐洲企業），CR5

為

43%，國產廠商份額很小，

未來國產替代空間巨大。3.2

新能源汽車、通信、光伏推動功率半導體市場發展功率半導體主要的增量需求集中在：1、新能源汽車：從量上看，我國新能源汽車銷量從

2016

年的

51.7

萬輛增至

2020

年的

130

萬輛，CAGR為

25.9%，隨著新能源車滲透率不斷提升，新能源汽車銷量未來會持續上行。

從價上看，從傳統燃油車到新能源汽車，增加的電動化需要更多的功率半導體。據產業信

息網統計，功率半導體

ASP將從輕型混動的

80

美元大幅提升至全插混/純電汽車的

300

美元，增長近

4

倍。2、5G基站：從基站總量來看，5G相比起

4G頻率更高，電磁波穿透力減弱，所以

5G基

站覆蓋密度需要提高，基站數量會增加，根據前瞻產業研究院預測，到

2025

年我國

5G基

站將達到

816

萬個。從基站內部使用量來看，5G基站功耗增加，AAU最大功耗為

1000W，

BBU最大功耗為

2000W，滿負荷時耗電量為

4G時的

2

倍以上，更高的耗電量需要更多的

功率器件。3.3

公司功率器件行業發展潛力巨大目前公司的功率半導體主要產品為肖特基二極管和

MOSFET。相關產品已通過諸如博世、

大陸集團等國際一流汽車電子客戶的

VDA6.3

審核認證，在業內具有較高的行業地位及行

業影響力，主要產品肖特基二極管芯片占有國內近

30%的市場份額，MOSFET芯片產量增

長迅速，市場前景較好。其中肖特基二極管芯片主要應用在高頻整流、檢波和混頻等電路，同時也應用于電源適配

器和光伏系統中的保護電路；肖特基二極管成品主要應用在高頻整流、檢波和混頻等電路，

同時也應用于電源適配器和光伏系統中的保護電路；MOSFET芯片主要應用在電機調速、

逆變器、不間斷電源、開關電源、電子開關、LED驅動、高保真音響、汽車電器和電子鎮

流器等領域。從平面型向溝槽性發展。平面肖特基功率二極管由于其反向擊穿電壓較低，導致應用范圍

受到了一定程度的限制，一般多用于高頻低電壓領域。而溝槽肖特基功率二極管通過

MOS效應可以較好地克服這一缺點，提高器件的阻斷能力。此外，溝槽型二極管還有著

ESD和抗浪涌電流能力增強、芯片面積更小等優勢，應用前景更加廣闊。四、化合物半導體芯片助力公司價值重估4.1

5G推動射頻前端市場快速發展射頻前端是電子設備信號收發核心器件。射頻前端芯片包括射頻開關、射頻低噪聲放大器、

射頻功率放大器、雙工器、射頻濾波器等芯片。射頻開關用于實現射頻信號接收與發射的

切換、不同頻段間的切換；射頻低噪聲放大器用于實現接收通道的射頻信號放大；射頻功

率放大器用于實現發射通道的射頻信號放大；濾波器用于保留特定頻段內的信號，而將特

定頻段外的信號濾除；雙工器用于將發射和接收信號的隔離，確保接收和發射在共用同一

天線的情況下能正常工作。射頻開關的作用是切換信號、切換接受與發射，具體是通過控制邏輯連通一個或多個信號

通路，根據刀數和擲數不同，可分為單刀單擲（SPST）、單刀多擲（SPNT）和多刀多擲（NPNT）

開關。產品性能通過隔離度，插入損耗，開關時間，功率處理能力這四個參數來評價。低噪聲放大器主要是用于放大接受通道的射頻信號并降低噪聲，是作為接受信號功率放大

的核心器件，應用于手機等通信終端。由于單個

LNA器件所承載的頻率范圍有限，所以

隨著

5G時代的到來，單個手機上所需要的

LNA顆數會增加。濾波器是一種選頻裝置，可以使信號中特定的頻率成分通過，而極大地衰減其他頻率成分。

濾波器在射頻前端中的市場份額最大，應用來講，目前主流采用聲學濾波器，分為

SAW和

BAW濾波器，兩者的特點分別是

SAW成本更低，BAW可以在更高的頻率下有好的工

作表現。SAW濾波器主要的優化版本有

TC-SAW和

IHP-SAW，TC-SAW是在

IDT上增加

了保護涂層，跟普通

SAW濾波器相比提高改善了溫度性能，TC-SAW的頻率溫度系數大

約-15

到-25ppm/oC；IHP-SAW的優點是高

Q值、低頻率溫度系數（TCF）和良好的散熱

性。從工藝難度來講，SAW工藝難點在于如何解決溫度漂移問題，也就是如何讓其能在

不同溫度情況下頻率保持不變。BAW濾波器主要分為

BAW-SMR和

FBAR。BAR-SMR是通過堆疊不同剛度和密度的薄層形成一個聲布拉格（Bragg）反射器，從而使得聲波不

在基板上散漫；BAR是薄膜體聲波諧振器，是在有源區下方蝕刻出空腔以形成懸浮膜來

解決聲波散漫問題。5G對射頻器件提出更高要求。第一是因為手機逐漸向輕薄化發展，所以留給射頻前端的

空間越來越小，而

5G支持更多的頻段，意味著必須要引入更多的前端器件，這提高了芯

片設計和構建射頻模組的難度；第二是模式，引入新的波形

CF-OFDM，帶寬變寬了，子

載波的間隔變寬了，這就需要新的射頻半導體，尤其是

PA的重新設計；第三是信號，4G、

5G信號的共存和互干擾方面需要做到更好的優化設計，這就需要更快的開關切換速度。5G技術變革推動，預計

2026

年射頻前端市場規模將增至

216

億美元。根據

Yole的統計

與預測，射頻前端市場會從

2020

年的

140

億美元增至

2021

年的

170

億美元，到

2026

年

有望達到

216

億美元。其中，功率放大器模組市場規模預計

94

億美元，天線模組預計

27

億美元，