2．4．1激光誘導(dǎo)氣相化學(xué)反應(yīng)法2．4．2等離子體加強(qiáng)氣相化學(xué)反應(yīng)法2.4．3其他綜合方法1.γ射線輻照法2.電子輻射法2．4制備納米粒子的綜合方法2．4．1激光誘導(dǎo)氣相化學(xué)反應(yīng)法2．4制備納米粒子1(1)由于反應(yīng)器壁是冷的，因此無潛在的污染；(2)原料氣體分子直接或間接吸收激光光子能量后迅速進(jìn)行反應(yīng)；(3)反應(yīng)具有選擇性；(4)反應(yīng)區(qū)條件可以精確地被控制；(5)激光能量高度集中,反應(yīng)區(qū)與周圍環(huán)境之間溫度梯度大，有利于成核粒子快速凝結(jié)。激光法與普通電阻爐加熱法制備納米粒子具有本質(zhì)區(qū)別：2．4．1激光誘導(dǎo)氣相化學(xué)反應(yīng)法（LICVD:LaserInducedChemicalVaporDeposition）目前，LICVD法已制備出多種單質(zhì)、無機(jī)化合物和復(fù)合材料超細(xì)微粉末．LICVD法制備超細(xì)微粉已進(jìn)入規(guī)模生產(chǎn)階段，美國的MIT(麻省理工學(xué)院)于1986年己建成年產(chǎn)幾十噸的裝置．(1)由于反應(yīng)器壁是冷的，因此無潛在的污染；21．激光誘導(dǎo)氣相化學(xué)反應(yīng)法合成納米粒子的原理利用大功率激光器的激光束照射于反應(yīng)氣體，反應(yīng)氣體通過對入射激光光子的強(qiáng)吸收，氣體分子或原子在瞬間得到加熱、活化，在極短的時間內(nèi)反應(yīng)氣體分子或原子獲得化學(xué)反應(yīng)所需要的溫度后，迅速完成反應(yīng)、成核、凝聚、生長等過程，從而制得相應(yīng)物質(zhì)的納米粒子。例如用連續(xù)輸出的CO2激光輻照硅烷氣體分子(SiH4)時，硅烷分子很容易熱解:1．激光誘導(dǎo)氣相化學(xué)反應(yīng)法合成納米粒子的原理利用大功3

激光制備納米粒子裝置一般有兩種類型：正交裝置和平行裝置．其中正交裝置使用方便，易于控制，工程實(shí)用價(jià)值大．激光制備納米粒子裝置一般有兩種類型：正交裝置和平行裝置．其4激光加熱速率為106-108℃／S加熱到反應(yīng)最高溫度的時間小于10-4S被加熱的反應(yīng)氣流將在反應(yīng)區(qū)域內(nèi)形成穩(wěn)定分布的火焰，火焰中心處的溫度一般遠(yuǎn)高于相應(yīng)化學(xué)反應(yīng)所需要的溫度，因此反應(yīng)在10-3s內(nèi)即可完成。生成的核粒子在載氣流的吹送下迅速脫離反應(yīng)區(qū)，經(jīng)短暫的生長過程到達(dá)收集室。激光加熱速率為106-108℃／S5激光法合成納米粒子的關(guān)鍵性問題問題：入射激光能否引發(fā)化學(xué)反應(yīng)解決方法：激光光源具有單色性和高功率強(qiáng)度，如果能使入射激光光子頻率與反應(yīng)氣體分子的吸收頻率相一致，則反應(yīng)氣體分子可以在極短的時間內(nèi)吸收足夠的能量，從而迅速達(dá)到相應(yīng)化學(xué)反應(yīng)所需要的閾值溫度，引發(fā)反應(yīng)體系化學(xué)反應(yīng)發(fā)生。激光法合成納米粒子的關(guān)鍵性問題問題：6如SiH4、C2H4對C02激光光子都具有較強(qiáng)的吸收，相應(yīng)吸收系數(shù)是氣氛壓力的函數(shù)。對某些有機(jī)硅化合物和羰基鐵一類的物質(zhì)，它們對C02激光無明顯的吸收。解決方法：A加入相應(yīng)的光敏劑在這種情形下，當(dāng)入射激光照射在體系中時，首先是光敏劑中的分子或原子吸收激光光子能量，再通過碰撞將激光光子能量轉(zhuǎn)移給反應(yīng)氣體分子使反應(yīng)氣體分子被活化、加熱，從而實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)。B選擇大功率激光器作為激光熱源如百瓦級C02連續(xù)激光器或各種脈沖激光器等。這類激光器的光束經(jīng)透鏡聚焦后，功率密度可以達(dá)到103—104W／cm2，完全能夠滿足激光誘導(dǎo)氣相化學(xué)反應(yīng)合成各類納米粒子的要求。為了保證化學(xué)反應(yīng)所需要的能量，需要選擇對入射激光具有強(qiáng)吸收的反應(yīng)氣體如SiH4、C2H4對C02激光光子都具有較強(qiáng)的吸收，相應(yīng)吸7為了保證反應(yīng)生成的核粒子快速冷凝，獲得超細(xì)的粒子，需要采用冷壁反應(yīng)室

種類：水冷式反應(yīng)器壁，透明輻射式反應(yīng)器壁。采用冷壁反應(yīng)室的原因:有利于在反應(yīng)室中構(gòu)成大的溫度梯度分布，加速生成核粒子的冷凝，抑制其過分生長。為了保證反應(yīng)生成的核粒子快速冷凝，獲得超細(xì)的粒子，需要采用冷82．激光誘導(dǎo)氣相化學(xué)反應(yīng)法合成納米粒子的過程首先，要根據(jù)反應(yīng)需要調(diào)節(jié)激光器的輸出功率、調(diào)整激光束半徑以及經(jīng)過聚焦后的光斑尺寸，并預(yù)先調(diào)整好激光束光斑在反應(yīng)區(qū)域中的最佳位置。(儀器的調(diào)整)其次，要作好反應(yīng)室凈化處理，即進(jìn)行抽真空準(zhǔn)備，同時充人高純惰性保護(hù)氣體。這樣可以保證反應(yīng)能在清潔的環(huán)境中進(jìn)行。（氣體的處理）激光法合成納米粒子的主要過程包括：原料處理、原料蒸發(fā)、反應(yīng)氣配制、成核與生長、捕集等過程。

2．激光誘導(dǎo)氣相化學(xué)反應(yīng)法合成納米粒子的過程首先，要根據(jù)反9方法：通常在反應(yīng)前，采用變色硅膠或各類分子篩(molecularsieve)來清除各類氣體中的水分，利用高效氣體脫氧劑除去各路氣體中的微量氧。對于各類惰性氣體(如酸性或堿性氣體)，要選擇相應(yīng)的惰性脫水劑。如NH3屬于堿性氣體，應(yīng)考慮使用堿性脫水劑除去其中的水分，否則純化過程中會引發(fā)某些化學(xué)反應(yīng)，大大降低NH3原料的利用率。經(jīng)過純化處理的氣體進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)時，可以避免高溫下的某些副反應(yīng)發(fā)生，從而有效地提高產(chǎn)品的純度。原料純化處理原因:主要原料是各類反應(yīng)氣，惰性保護(hù)氣體，載氣。氣體中通常都含有微量的雜質(zhì)氧和吸附水，這些雜質(zhì)在合成反應(yīng)進(jìn)行前應(yīng)予以除去，否則會混雜于產(chǎn)品中，或影響合成反應(yīng)進(jìn)行。方法：通常在反應(yīng)前，采用變色硅膠或各類分子篩(molecul10反應(yīng)氣進(jìn)行預(yù)熱處理為了提高反應(yīng)氣體的利用率，從而提高反應(yīng)收率。從氣體分子動理論方面分析，在混氣前對各路反應(yīng)氣進(jìn)行預(yù)熱，可以有效地提高反應(yīng)氣體分子的平均平動動能，為反應(yīng)氣均勻混合創(chuàng)造條件。通過對反應(yīng)氣預(yù)熱，還可以提高原料的利用率以及相應(yīng)納米粒子的產(chǎn)率。反應(yīng)氣進(jìn)行預(yù)熱處理為了提高反應(yīng)氣體的利用率，從而提高反應(yīng)收率11反應(yīng)氣預(yù)混合可以使各路反應(yīng)氣體分子在分子水平上達(dá)到均勻化混合，為高溫氣相化學(xué)反應(yīng)創(chuàng)造條件。反應(yīng)氣配比是一個關(guān)鍵性因素。通常要根據(jù)合成目標(biāo)物質(zhì)的要求，設(shè)定各路反應(yīng)氣的化學(xué)計(jì)量比例，在設(shè)定的比例下進(jìn)行混氣。對于特殊的化學(xué)反應(yīng)，如還原性反應(yīng)，要根據(jù)具體情況確定出還原氣體相對于原料氣體的過量比例。反應(yīng)氣預(yù)混合可以使各路反應(yīng)氣體分子在分子水平上達(dá)到均勻化混合123．激光誘導(dǎo)氣相化學(xué)反應(yīng)合成納米粒子機(jī)制描述反應(yīng)氣體對照射激光光子具有選擇吸收性。反應(yīng)氣體分子吸收激光光子后將通過兩種物理圖像得到加熱：①氣體分子吸收單光子或多光子而得到加熱；②氣體分子吸收光子能量后平均平動動能提高，與其他氣體分子碰撞發(fā)生能量交換或轉(zhuǎn)移，即通過碰撞加熱反應(yīng)體系。根據(jù)氣相反應(yīng)的物理化學(xué)過程，可以將反應(yīng)成核過程分為能量吸收、能量轉(zhuǎn)移、反應(yīng)、失活等過程。3．激光誘導(dǎo)氣相化學(xué)反應(yīng)合成納米粒子機(jī)制描述反應(yīng)氣體13實(shí)例：

激光誘導(dǎo)氣相合成Fe／C／Si超微粒子原料SiH4、C2H4、Fe(CO)5能量吸收過程：SiH4→SiH4*(活化態(tài))C2H4→C2H4*(活化態(tài))能量將發(fā)生轉(zhuǎn)移和均化：SiH4*+Fe(CO)5→Fe(CO)5*(活化態(tài))+SiH4C2H4*+Fe(CO)5→Fe(CO)5*(活化態(tài))+C2H4SiH4*+C2H4→C2H4*(活化態(tài))+SiH4實(shí)例：

激光誘導(dǎo)氣相合成Fe／C／Si超微粒子原料SiH414反應(yīng)氣體分子的解離，即Fe(CO)5*→Fe*+5COSiH4*→Si*+2H2C2H4*→2C*+2H2通過氣體分子的解離，將在有限的反應(yīng)區(qū)域內(nèi)形成過飽和的活化原子，即Fe、Si、C在高溫下，瞬間可以引發(fā)化學(xué)反應(yīng)Fe*+C*→Fe／CFe*+Si*→Fe／SiSi*+C*→SiCFe*+Si*+C*→Fe/C/Si活性原子與粒子發(fā)生凝聚，即開始出現(xiàn)失活:Fe*+X→Fe+XSi*+X→Si+XC*+X→C+X

化學(xué)反應(yīng)開始發(fā)生：反應(yīng)氣體分子的解離，即化學(xué)反應(yīng)開始發(fā)生：15納米材料導(dǎo)論納米粒子制備方法課件16納米材料導(dǎo)論納米粒子制備方法課件17雙光束激勵粉體的收集和取拿要在惰性氣體環(huán)境中進(jìn)行,對吸附的氧可在高溫下(>1273K)通過HF或H2處理.雙光束激勵粉體的收集和取拿要在惰性氣體環(huán)境中進(jìn)行,對吸附的氧182.4.2等離子體加強(qiáng)氣相化學(xué)反應(yīng)法

等離子體是一種高溫、高活性、離子化的導(dǎo)電氣體，等離子體高溫焰流中的活性原子、分子、離子或電子以高速射到各種金屬或化合物原料表面時，就會大量溶人原料中，使原料瞬間熔融，并伴隨有原料蒸發(fā)。蒸發(fā)的原料與等離子體或反應(yīng)性氣體發(fā)生相應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)，生成各類化合物的核粒子，核粒子脫離等離子體反應(yīng)區(qū)后，就會形成相應(yīng)化合物的納米粒子。等離子體法制備納米粒子的基本原理：2.4.2等離子體加強(qiáng)氣相化學(xué)反應(yīng)法

等離子體是一19等離子體法制備納米粒子的主要過程：實(shí)驗(yàn)裝置:主要包括等離子體發(fā)生裝置、反應(yīng)裝置、冷卻裝置、收集裝置和尾氣處理裝置相應(yīng)的制備過程主要有：等離子體產(chǎn)生、原料蒸發(fā)、化學(xué)反應(yīng)、冷卻凝聚、粒子捕集和尾氣處理等過程等離子體法制備納米粒子的主要過程：實(shí)驗(yàn)裝置:主要包括等離子體202.4.3其他綜合方法γ射線輻照法常溫下采用γ射線輻照金屬鹽的溶液可以制備出納米微粒金屬產(chǎn)物溶液輻照劑量平均粒徑（nm）Cu0.01mol/LCuSO4+0.1mol/LC12H25NaSO4+0.01mol/LEDTA+3.0mol/L(CH3)2CHOH3.616Ni0.01mol/LNiSO4+0.1mol/LNH3H2O+0.01mol/LC12H25NaSO4+2.0mol/L(CH3)2CHOH6.08Pd0.01mol/LPdCl2+0.05mol/LC12H25NaSO4+3.0mol/L(CH3)2CHOH8.810Cd0.01mol/LCdSO4+0.01mol/L(NH4)2SO4+1mol/LNH3H2O+0.01mol/LC12H25NaSO4+6.0mol/L(CH3)2CHOH1.620Au0.01mol/LHAuCl4+0.01mol/LC12H25NaSO40.07510Pt0.001mol/LH2PtCl6+0.01mol/LC12H25NaSO4+2.0mol/L(CH3)2CHOH0.184Sn0.01mol/LSnCl2+0.5mol/LNaOH+2.0mol/L(CH3)2CHOH2.520Pb0.01mol/LPb(CH3COO)2+0.05mol/LC12H25-NaSO4+2.0mol/L(CH3)2CHOH1.245Co0.01mol/LCoCl2+0.5mol/LNH4Cl+0.1mol/LNH3H2O+2.0mol/L(CH3)2CHOH2.56222.4.3其他綜合方法γ射線輻照法常溫下采用γ射線輻照金屬212．4．1激光誘導(dǎo)氣相化學(xué)反應(yīng)法2．4．2等離子體加強(qiáng)氣相化學(xué)反應(yīng)法2.4．3其他綜合方法1.γ射線輻照法2.電子輻射法2．4制備納米粒子的綜合方法2．4．1激光誘導(dǎo)氣相化學(xué)反應(yīng)法2．4制備納米粒子22(1)由于反應(yīng)器壁是冷的，因此無潛在的污染；(2)原料氣體分子直接或間接吸收激光光子能量后迅速進(jìn)行反應(yīng)；(3)反應(yīng)具有選擇性；(4)反應(yīng)區(qū)條件可以精確地被控制；(5)激光能量高度集中,反應(yīng)區(qū)與周圍環(huán)境之間溫度梯度大，有利于成核粒子快速凝結(jié)。激光法與普通電阻爐加熱法制備納米粒子具有本質(zhì)區(qū)別：2．4．1激光誘導(dǎo)氣相化學(xué)反應(yīng)法（LICVD:LaserInducedChemicalVaporDeposition）目前，LICVD法已制備出多種單質(zhì)、無機(jī)化合物和復(fù)合材料超細(xì)微粉末．LICVD法制備超細(xì)微粉已進(jìn)入規(guī)模生產(chǎn)階段，美國的MIT(麻省理工學(xué)院)于1986年己建成年產(chǎn)幾十噸的裝置．(1)由于反應(yīng)器壁是冷的，因此無潛在的污染；231．激光誘導(dǎo)氣相化學(xué)反應(yīng)法合成納米粒子的原理利用大功率激光器的激光束照射于反應(yīng)氣體，反應(yīng)氣體通過對入射激光光子的強(qiáng)吸收，氣體分子或原子在瞬間得到加熱、活化，在極短的時間內(nèi)反應(yīng)氣體分子或原子獲得化學(xué)反應(yīng)所需要的溫度后，迅速完成反應(yīng)、成核、凝聚、生長等過程，從而制得相應(yīng)物質(zhì)的納米粒子。例如用連續(xù)輸出的CO2激光輻照硅烷氣體分子(SiH4)時，硅烷分子很容易熱解:1．激光誘導(dǎo)氣相化學(xué)反應(yīng)法合成納米粒子的原理利用大功24

激光制備納米粒子裝置一般有兩種類型：正交裝置和平行裝置．其中正交裝置使用方便，易于控制，工程實(shí)用價(jià)值大．激光制備納米粒子裝置一般有兩種類型：正交裝置和平行裝置．其25激光加熱速率為106-108℃／S加熱到反應(yīng)最高溫度的時間小于10-4S被加熱的反應(yīng)氣流將在反應(yīng)區(qū)域內(nèi)形成穩(wěn)定分布的火焰，火焰中心處的溫度一般遠(yuǎn)高于相應(yīng)化學(xué)反應(yīng)所需要的溫度，因此反應(yīng)在10-3s內(nèi)即可完成。生成的核粒子在載氣流的吹送下迅速脫離反應(yīng)區(qū)，經(jīng)短暫的生長過程到達(dá)收集室。激光加熱速率為106-108℃／S26激光法合成納米粒子的關(guān)鍵性問題問題：入射激光能否引發(fā)化學(xué)反應(yīng)解決方法：激光光源具有單色性和高功率強(qiáng)度，如果能使入射激光光子頻率與反應(yīng)氣體分子的吸收頻率相一致，則反應(yīng)氣體分子可以在極短的時間內(nèi)吸收足夠的能量，從而迅速達(dá)到相應(yīng)化學(xué)反應(yīng)所需要的閾值溫度，引發(fā)反應(yīng)體系化學(xué)反應(yīng)發(fā)生。激光法合成納米粒子的關(guān)鍵性問題問題：27如SiH4、C2H4對C02激光光子都具有較強(qiáng)的吸收，相應(yīng)吸收系數(shù)是氣氛壓力的函數(shù)。對某些有機(jī)硅化合物和羰基鐵一類的物質(zhì)，它們對C02激光無明顯的吸收。解決方法：A加入相應(yīng)的光敏劑在這種情形下，當(dāng)入射激光照射在體系中時，首先是光敏劑中的分子或原子吸收激光光子能量，再通過碰撞將激光光子能量轉(zhuǎn)移給反應(yīng)氣體分子使反應(yīng)氣體分子被活化、加熱，從而實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)。B選擇大功率激光器作為激光熱源如百瓦級C02連續(xù)激光器或各種脈沖激光器等。這類激光器的光束經(jīng)透鏡聚焦后，功率密度可以達(dá)到103—104W／cm2，完全能夠滿足激光誘導(dǎo)氣相化學(xué)反應(yīng)合成各類納米粒子的要求。為了保證化學(xué)反應(yīng)所需要的能量，需要選擇對入射激光具有強(qiáng)吸收的反應(yīng)氣體如SiH4、C2H4對C02激光光子都具有較強(qiáng)的吸收，相應(yīng)吸28為了保證反應(yīng)生成的核粒子快速冷凝，獲得超細(xì)的粒子，需要采用冷壁反應(yīng)室

種類：水冷式反應(yīng)器壁，透明輻射式反應(yīng)器壁。采用冷壁反應(yīng)室的原因:有利于在反應(yīng)室中構(gòu)成大的溫度梯度分布，加速生成核粒子的冷凝，抑制其過分生長。為了保證反應(yīng)生成的核粒子快速冷凝，獲得超細(xì)的粒子，需要采用冷292．激光誘導(dǎo)氣相化學(xué)反應(yīng)法合成納米粒子的過程首先，要根據(jù)反應(yīng)需要調(diào)節(jié)激光器的輸出功率、調(diào)整激光束半徑以及經(jīng)過聚焦后的光斑尺寸，并預(yù)先調(diào)整好激光束光斑在反應(yīng)區(qū)域中的最佳位置。(儀器的調(diào)整)其次，要作好反應(yīng)室凈化處理，即進(jìn)行抽真空準(zhǔn)備，同時充人高純惰性保護(hù)氣體。這樣可以保證反應(yīng)能在清潔的環(huán)境中進(jìn)行。（氣體的處理）激光法合成納米粒子的主要過程包括：原料處理、原料蒸發(fā)、反應(yīng)氣配制、成核與生長、捕集等過程。

2．激光誘導(dǎo)氣相化學(xué)反應(yīng)法合成納米粒子的過程首先，要根據(jù)反30方法：通常在反應(yīng)前，采用變色硅膠或各類分子篩(molecularsieve)來清除各類氣體中的水分，利用高效氣體脫氧劑除去各路氣體中的微量氧。對于各類惰性氣體(如酸性或堿性氣體)，要選擇相應(yīng)的惰性脫水劑。如NH3屬于堿性氣體，應(yīng)考慮使用堿性脫水劑除去其中的水分，否則純化過程中會引發(fā)某些化學(xué)反應(yīng)，大大降低NH3原料的利用率。經(jīng)過純化處理的氣體進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)時，可以避免高溫下的某些副反應(yīng)發(fā)生，從而有效地提高產(chǎn)品的純度。原料純化處理原因:主要原料是各類反應(yīng)氣，惰性保護(hù)氣體，載氣。氣體中通常都含有微量的雜質(zhì)氧和吸附水，這些雜質(zhì)在合成反應(yīng)進(jìn)行前應(yīng)予以除去，否則會混雜于產(chǎn)品中，或影響合成反應(yīng)進(jìn)行。方法：通常在反應(yīng)前，采用變色硅膠或各類分子篩(molecul31反應(yīng)氣進(jìn)行預(yù)熱處理為了提高反應(yīng)氣體的利用率，從而提高反應(yīng)收率。從氣體分子動理論方面分析，在混氣前對各路反應(yīng)氣進(jìn)行預(yù)熱，可以有效地提高反應(yīng)氣體分子的平均平動動能，為反應(yīng)氣均勻混合創(chuàng)造條件。通過對反應(yīng)氣預(yù)熱，還可以提高原料的利用率以及相應(yīng)納米粒子的產(chǎn)率。反應(yīng)氣進(jìn)行預(yù)熱處理為了提高反應(yīng)氣體的利用率，從而提高反應(yīng)收率32反應(yīng)氣預(yù)混合可以使各路反應(yīng)氣體分子在分子水平上達(dá)到均勻化混合，為高溫氣相化學(xué)反應(yīng)創(chuàng)造條件。反應(yīng)氣配比是一個關(guān)鍵性因素。通常要根據(jù)合成目標(biāo)物質(zhì)的要求，設(shè)定各路反應(yīng)氣的化學(xué)計(jì)量比例，在設(shè)定的比例下進(jìn)行混氣。對于特殊的化學(xué)反應(yīng)，如還原性反應(yīng)，要根據(jù)具體情況確定出還原氣體相對于原料氣體的過量比例。反應(yīng)氣預(yù)混合可以使各路反應(yīng)氣體分子在分子水平上達(dá)到均勻化混合333．激光誘導(dǎo)氣相化學(xué)反應(yīng)合成納米粒子機(jī)制描述反應(yīng)氣體對照射激光光子具有選擇吸收性。反應(yīng)氣體分子吸收激光光子后將通過兩種物理圖像得到加熱：①氣體分子吸收單光子或多光子而得到加熱；②氣體分子吸收光子能量后平均平動動能提高，與其他氣體分子碰撞發(fā)生能量交換或轉(zhuǎn)移，即通過碰撞加熱反應(yīng)體系。根據(jù)氣相反應(yīng)的物理化學(xué)過程，可以將反應(yīng)成核過程分為能量吸收、能量轉(zhuǎn)移、反應(yīng)、失活等過程。3．激光誘導(dǎo)氣相化學(xué)反應(yīng)合成納米粒子機(jī)制描述反應(yīng)氣體34實(shí)例：

激光誘導(dǎo)氣相合成Fe／C／Si超微粒子原料SiH4、C2H4、Fe(CO)5能量吸收過程：SiH4→SiH4*(活化態(tài))C2H4→C2H4*(活化態(tài))能量將發(fā)生轉(zhuǎn)移和均化：SiH4*+Fe(CO)5→Fe(CO)5*(活化態(tài))+SiH4C2H4*+Fe(CO)5→Fe(CO)5*(活化態(tài))+C2H4SiH4*+C2H4→C2H4*(活化態(tài))+SiH4實(shí)例：

激光誘導(dǎo)氣相合成Fe／C／Si超微粒子原料SiH435反應(yīng)氣體分子的解離，即Fe(CO)5*→Fe*+5COSiH4*→Si*+2H2C2H4*→2C*+2H2通過氣體分子的解離，將在有限的反應(yīng)區(qū)域內(nèi)形成過飽和的活化原子，即Fe、Si、C在高溫下，瞬間可以引發(fā)化學(xué)反應(yīng)Fe*+C*→Fe／CFe*+Si*→Fe／SiSi*+C*→SiCFe*+Si*+C*→Fe/C/Si活性原子與粒子發(fā)生凝聚，即開始出現(xiàn)失活:Fe*+X→Fe+XSi*+X→Si+XC*+X→C+X

化學(xué)反應(yīng)開始發(fā)生：反應(yīng)氣體分子的解離，即化學(xué)反應(yīng)開始發(fā)生：36納米材料導(dǎo)論納米粒子制備方法課件37納米材料導(dǎo)論納米粒子制備方法課件38雙光束激勵粉體的收集和取拿要在惰性氣體環(huán)境中進(jìn)行,對吸附的氧可在高溫下(>1273K)通過HF或H2處理.雙光束激勵粉體的收集和取拿要在惰性氣體環(huán)境中進(jìn)行,對吸附的氧392.4.2等離子體加強(qiáng)氣相化學(xué)反應(yīng)法

等離子體是一種高溫、高活性、離子化的導(dǎo)電氣體，等離子體高溫焰流中的活性原子、分子、離子或電子以高速射到各種金屬或化合物原料表面時，就會大量溶人原料中，使原料瞬間熔融，并伴隨有原料蒸發(fā)。蒸發(fā)的原料與等離子體或反應(yīng)性氣體發(fā)生相應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)，生成各類化合物的核粒子，核粒子脫離等離子體反應(yīng)區(qū)后，就會形成相應(yīng)化合物的納米粒子。等離子體法制備納米粒子的基本原理：2.4.2等離子體加強(qiáng)氣相化學(xué)反應(yīng)法

等離子體是一40等離子體法制備納米粒子的主要過程：實(shí)驗(yàn)裝置:主要包括等離子體發(fā)生裝置