射頻器件基礎知識射頻器件基礎知識1目錄射頻電路基本概念阻抗噪聲S參數非線性失真功率射頻器件基礎知識（主要功能、關鍵指標、內部結構、工作原理）射頻放大器射頻開關射頻衰減器功分器、耦合器環形器、隔離器混頻器濾波器2022/12/162射頻器件基礎知識目錄射頻電路基本概念射頻器件基礎知識2022/12/112射射頻電路基礎

——阻抗阻抗的定義特征阻抗端口阻抗反射系數與駐波系數阻抗匹配2022/12/163射頻器件基礎知識射頻電路基礎

——阻抗阻抗的定義2022/12/11阻抗的定義射頻電路中阻抗的概念有很多，對于器件有器件阻抗，對于2端口網絡有輸入阻抗和輸出阻抗，對于傳輸線有特性阻抗2022/12/164射頻器件基礎知識阻抗的定義射頻電路中阻抗的概念有很多，對于器件有器件阻抗，對特征阻抗特征阻抗是微波傳輸線的固有特性，可以理解為傳輸線上入射電壓波與入射電流波之比。對于TEM波傳輸線，特征阻抗又等于單位長度分布電抗與導納之比。無耗傳輸線的特征阻抗為實數，有耗傳輸線的特征阻抗為復數。2022/12/165射頻器件基礎知識特征阻抗特征阻抗是微波傳輸線的固有特性，可以理解為傳輸線上入2022/12/166射頻器件基礎知識2022/12/116射頻器件基礎知識端口阻抗我們分析阻抗和阻抗匹配問題的目的就在于使電路中任意一個參考平面向源端和向負載端的阻抗相等，從而使信號完全通過該參考面，不發生反射。如果對于某參考面2端阻抗不等則會產生反射現象形成駐波。見下圖：在參考面A處情況1：阻抗連續，沒有反射，傳輸線上各點電壓相等，形成行波情況2：阻抗跳變，發生反射，形成駐波情況3：短路或開路發生全反射2022/12/167射頻器件基礎知識端口阻抗我們分析阻抗和阻抗匹配問題的目的就在于使電路中任意一反射系數與駐波系數反射系數：定義為反射信號電壓電平與入射信號電壓電平之比駐波系數：定義為射頻信號包絡的最大值與射頻信號包絡的最小值之比2022/12/168射頻器件基礎知識反射系數與駐波系數反射系數：2022/12/118射頻器件基阻抗匹配2022/12/169射頻器件基礎知識阻抗匹配2022/12/119射頻器件基礎知識射頻電路基礎

——噪聲什么是噪聲？噪聲與干擾噪聲因子與噪聲系數2022/12/1610射頻器件基礎知識射頻電路基礎

——噪聲什么是噪聲？2022/12/1什么是噪聲？信號中所有的無用成分都稱為噪聲干擾任何射頻電子系統都是在噪聲與干擾環境下工作的，射頻電子系統的任務之一是與噪聲及干擾作斗爭，盡可能減小系統本身產生的噪聲，盡可能在傳遞信號、處理信號的過程中使信噪比的惡化降到最小，這是設計射頻電子系統首要考慮的問題。2022/12/1611射頻器件基礎知識什么是噪聲？信號中所有的無用成分都稱為噪聲干擾2022/12噪聲與干擾噪聲可分為自然的和人為的噪聲自然噪聲有熱噪聲、散粒噪聲和閃爍噪聲等人為噪聲有交流噪聲、感應噪聲和接觸不良噪聲等干擾一般來自于外部，也分為自然的和人為的干擾自然干擾有天電干擾、宇宙干擾和大地干擾等人為干擾主要有工業干擾和無線電臺干擾2022/12/1612射頻器件基礎知識噪聲與干擾噪聲可分為自然的和人為的噪聲2022/12/111噪聲因子與噪聲系數噪聲系數決定了接收靈敏度的好壞，是用來衡量射頻部件對小信號的處理能力噪聲因子與噪聲系數噪聲因子用Nf（或F）表示，定義為：即輸入信噪比與輸出信噪比的比值，表示信噪比惡化的情況噪聲系數用NF表示，定義為：噪聲的級聯公式：2022/12/1613射頻器件基礎知識噪聲因子與噪聲系數噪聲系數決定了接收靈敏度的好壞，是用來衡量射頻電路基礎

——S參數射頻網絡：S參數2端口網絡的S參數2022/12/1614射頻器件基礎知識射頻電路基礎

——S參數射頻網絡：2022/12/1射頻網絡射頻設計中所指的網絡為具有固定輸入和輸出關系的一段電路，網絡有N個輸入輸出接口就叫N端口網絡2022/12/1615射頻器件基礎知識射頻網絡射頻設計中所指的網絡為具有固定輸入和輸出關系的一段電S參數對N網絡進行分析需要常用網絡參數。如Z參數，A參數，Y參數，S參數等S參數的物理意義最明顯，因此分析中使用最廣泛S參的物理意義在于從某個端口輸入一定的功率后在其他端口引起的輸出，實部表示功率電平，虛部表示相位2022/12/1616射頻器件基礎知識S參數對N網絡進行分析需要常用網絡參數。如Z參數，A參數，Y2端口網絡的S參數S11為放大器的輸入反射系數S21為放大器的增益S22為放大器的輸出反射系數S12為放大器的反向隔離度2022/12/1617射頻器件基礎知識2端口網絡的S參數S11為放大器的輸入反射系數2022/12射頻電路基礎

——非線性失真什么是線性失真？什么是非線性失真？非線性失真的主要指標2022/12/1618射頻器件基礎知識射頻電路基礎

——非線性失真什么是線性失真？2022/線性與非線性線性失真：信號波形的等比例的放大、縮小、相位移動等變化非線性失真：信號波形的不等比例的放大、縮小、相位移動等變化2022/12/1619射頻器件基礎知識線性與非線性線性失真：信號波形的等比例的放大、縮小、相位移動非線性失真的主要指標非線性失真的主要指標IMD3IP3P1dB2022/12/1620射頻器件基礎知識非線性失真的主要指標非線性失真的主要指標2022/12/11非線性失真的主要指標

——IMD3三階交調（IMD3）三階交調（雙音三階交調）是用來衡量非線性的一個重要指標三階交調常用dBc表示，即交調產物與主輸出信號的比2022/12/1621射頻器件基礎知識非線性失真的主要指標

——IMD3三階交調（IMD3非線性失真的主要指標

——IP3、P1dBIP3任一微波單元電路，輸入信號增加1dB，輸出三階交調產物將增加3dB，這樣輸入信號電平增加到一定值時，輸出三階交調產物與主輸出信號相等，這一點稱為三階截止點PndBndB壓縮點用來衡量電路輸出功率的能力當輸入信號較小時，其輸出與輸入可以保證線性關系，隨著輸入信號電平的增加，輸入電平增加1dB，輸出將增加不到1dB，增益開始壓縮，增益壓縮ndB時的輸入信號電平稱為輸入ndB壓縮點2022/12/1622射頻器件基礎知識非線性失真的主要指標

——IP3、P1dBIP320射頻電路基礎

——功率射頻信號的功率常用dBm、dBW表示，它與mW、W的換算關系如下：例如信號功率為xW，利用dBm表示時其大小為：例如：1W等于30dBm，等于0dBW。2022/12/1623射頻器件基礎知識射頻電路基礎

——功率射頻信號的功率常用dBm、dB目錄射頻電路基本概念阻抗噪聲S參數功率線性與非線性射頻器件基礎知識（主要功能、關鍵指標、內部結構、工作原理）射頻放大器射頻開關射頻衰減器功分器、耦合器環形器、隔離器混頻器濾波器（聲表、介質）VCO、頻綜2022/12/1624射頻器件基礎知識目錄射頻電路基本概念射頻器件基礎知識2022/12/1124射頻放大器低噪聲放大器主要功能、關鍵指標、分類內部結構工作原理射頻小信號放大器主要功能、關鍵指標、分類內部結構工作原理射頻大功率放大器主要功能、關鍵指標、分類內部結構工作原理2022/12/1625射頻器件基礎知識射頻放大器低噪聲放大器2022/12/1125射頻器件基礎知低噪聲放大器

——功能、指標功能：在盡量小的惡化系統噪聲系數的前提下，對信號進行放大主要指標：噪聲系數增益分類分離器件與MMICMESFET與HEMT/pHEMT2022/12/1626射頻器件基礎知識低噪聲放大器

——功能、指標功能：分類2022/12低噪聲放大器

——內部結構以ATF-54143為例2022/12/1627射頻器件基礎知識低噪聲放大器

——內部結構以ATF-54143為例2低噪聲放大器

——工作原理MESFET工作原理：表面溝道型器件源S、漏D、柵G：載流子經溝道自S到D；G電位控制著溝道寬度源-漏間距LSD、柵長LG與溝道內電子漂移速度v決定器件頻率特性；WG

決定器件RF電流——增益、功率2022/12/1628射頻器件基礎知識低噪聲放大器

——工作原理MESFET工作原理：20低噪聲放大器

——工作原理HEMT/pHEMT工作原理：與MESFET基本相同的器件結構2DEG溝道層柵電容控制2DEG電流的強弱源-漏間距LSD、柵長LG與溝道內電子漂移速度v決定器件頻率特性；WG決定器件RF電流——增益、功率HEMT原理PHEMT層結構2DEG層2D2022/12/1629射頻器件基礎知識低噪聲放大器

——工作原理HEMT/pHEMT工作原射頻小信號放大器

——功能、指標功能：信號的線性放大主要指標：增益P1dBOIP3噪聲系數分類Si、SiGe、GaAs與InGaPHBT與MESFET2022/12/1630射頻器件基礎知識射頻小信號放大器

——功能、指標功能：分類2022/射頻小信號放大器

——內部結構以SGA-6486為例2022/12/1631射頻器件基礎知識射頻小信號放大器

——內部結構以SGA-6486為例射頻小信號放大器

——工作原理2022/12/1632射頻器件基礎知識射頻小信號放大器

——工作原理2022/12/113射頻小信號放大器

——工作原理SGA-6486內部電路結構2022/12/1633射頻器件基礎知識射頻小信號放大器

——工作原理SGA-6486內部電射頻大功率放大器

——功能、指標功能：大功率信號的線性放大、輸出主要指標：增益P1dBOIP3Pout分類分離、單片集成、混合集成Si、GaAs、SiCLDMOS、VDMOS、BJT2022/12/1634射頻器件基礎知識射頻大功率放大器

——功能、指標功能：分類2022/射頻大功率放大器(LDMOS)

——內部結構2022/12/1635射頻器件基礎知識射頻大功率放大器(LDMOS)

——內部結構202LDMOS平面結構的掃描電鏡照片(MRF9080)：射頻大功率放大器(LDMOS)

——內部結構2022/12/1636射頻器件基礎知識LDMOS平面結構的掃描電鏡照片(MRF9080)：射頻大功射頻大功率放大器

——內部結構單片集成

混合集成2022/12/1637射頻器件基礎知識射頻大功率放大器

——內部結構單片集成 2022/1射頻大功率放大器(LDMOS)

——工作原理LDMOS剖面結構LDMOS，LaterallyDouble-DiffusedMetalOxideSemiconductors，橫向雙擴散晶體管LDMOS是為射頻功率放大器設計的改進的n溝道增強型MOSFET。LDMOSFET典型剖面結構圖2022/12/1638射頻器件基礎知識射頻大功率放大器(LDMOS)

——工作原理LDMLDMOS結構特點橫向溝道LDMOS最大的特征是具有橫向溝道結構，漏極、源極和柵極都在芯片表面雙擴散技術（DoubleDiffusion）LDMOS采用雙擴散技術，在同一光刻窗口相繼進行硼（B，形成P-區）、磷（P，形成N-區）兩次擴散，由兩次雜質擴散橫向結深之差可以精確地決定溝道長度L。由于目前擴散工藝很成熟，溝道長度L可以做得很小（1um以下）并且不受光刻精度的限制無BeO隔離層一般地，襯底直接接地，不需BeO隔離，以降低熱阻，達到最好的散熱效果，同時減低了封裝成本。由于BeO為有毒物質，不用BeO有利于保護環境2022/12/1639射頻器件基礎知識LDMOS結構特點橫向溝道2022/12/1139射頻器件LDMOS結構特點P+Sinker連接源極到襯底，消除連接源極的表層鍵合絲N-LDD（LightlyDopedDrain，輕摻雜漏極）在溝道與漏極之間有一個低濃度的n-漂移區（N-LDD），LDD可以通過注入磷（P）或砷（As）離子得到。LDD的影響是兩方面的：一方面，與傳統的注入N+工藝相比，漏極區域的電場強度（是導致熱載流子的主要原因）大約降低80%，同時提高了漏極擊穿電壓，另一方面，N-注入也使源漏間串聯電阻增加，降低了器件的跨導FaradayShield（法拉第屏蔽）起屏蔽作用，可以降低柵極邊緣電場，從而提高漏源擊穿電壓，減小生成熱載流子的因素。同時，也降低了柵極（輸入）和漏極（輸出）間的寄生電容（Cdg）然而，法拉弟屏蔽層也相應的增加了Cgs的值。在電路設計中，優化輸入匹配網絡可以抵消增加的Cgs2022/12/1640射頻器件基礎知識LDMOS結構特點P+Sinker2022/12/114射頻開關

——功能、指標功能：控制信號、選擇通道主要指標：插入損耗隔離度分類GaAs、SiPin管、MESFET、PHEMT、SOIMOSFET單刀單擲開關、單刀雙擲開關、單刀四擲開關、雙刀雙擲開關等2022/12/1641射頻器件基礎知識射頻開關

——功能、指標功能：分類2022/12/1射頻開關

——內部結構以AS123為例：2022/12/1642射頻器件基礎知識射頻開關

——內部結構以AS123為例：2022/1射頻開關

——工作原理并聯型：插損小、隔離差串聯型：隔離好、駐波差2022/12/1643射頻器件基礎知識射頻開關

——工作原理并聯型：插損小、隔離差2022射頻開關

——工作原理“Γ”

型：各項指標較平均“T”

型：隔離度高2022/12/1644射頻器件基礎知識射頻開關

——工作原理“Γ”型：各項指標較平均20射頻開關

——工作原理浮地應用優點：正壓控制缺點：引入浮地電容2022/12/1645射頻器件基礎知識射頻開關

——工作原理浮地應用2022/12/114射頻衰減器

——功能、指標功能調整增益、控制輸出功率主要指標衰減量插入損耗分類PIN管、MESFET壓控衰減器、數控衰減器2022/12/1646射頻器件基礎知識射頻衰減器

——功能、指標功能分類2022/12/1射頻衰減器

——內部結構

壓控衰減器AT110 數控衰減器AT65 （內部帶有CMOS驅動芯片）2022/12/1647射頻器件基礎知識射頻衰減器

——內部結構 壓控衰減器AT110 射頻衰減器

——工作原理壓控衰減器原理電壓控制MESFET導通程度2022/12/1648射頻器件基礎知識射頻衰減器

——工作原理壓控衰減器原理2022/12射頻衰減器

——工作原理數控衰減器原理MESFET作為控制元件PI型或T型電阻衰減網絡作為衰減元件2022/12/1649射頻器件基礎知識射頻衰減器

——工作原理數控衰減器原理2022/12射頻衰減器

——工作原理數控衰減器原理2022/12/1650射頻器件基礎知識射頻衰減器

——工作原理數控衰減器原理2022/12功分器、耦合器

——功能、指標功能功率的分配、耦合主要指標工作頻率范圍插入損耗隔離度分類功分器：電阻、電容威爾金森磁芯材料GaAsIC耦合器：帶狀線復合材料GaAsICLTCC2022/12/1651射頻器件基礎知識功分器、耦合器

——功能、指標功能分類2022/12功分器

——內部結構威爾金森功分器磁芯材料功分器2022/12/1652射頻器件基礎知識功分器

——內部結構威爾金森功分器磁芯材料功分器20功分器

——內部結構GaAsIC功分器以PD09為例：2022/12/1653射頻器件基礎知識功分器

——內部結構GaAsIC功分器2022/1耦合器

——內部結構帶狀線復合材料GaAsIC2022/12/1654射頻器件基礎知識耦合器

——內部結構帶狀線復合材料GaAsIC20功分器、耦合器

——工作原理功分器工作原理耦合器工作原理2022/12/1655射頻器件基礎知識功分器、耦合器

——工作原理功分器工作原理2022/環形器、隔離器

——功能、指標功能控制信號單向傳送，在大信號場合用于改善電路匹配，駐波檢測等應用主要指標工作頻率范圍插入損耗反向隔離度功率容量分類上磁結構上下磁結構側磁結構2022/12/1656射頻器件基礎知識環形器、隔離器

——功能、指標功能分類2022/12環形器、隔離器

——內部結構環形器的三種結構：2022/12/1657射頻器件基礎知識環形器、隔離器

——內部結構環形器的三種結構：202環形器、隔離器

——工作原理環形器與隔離器的區別3端口接匹配負載的環形器，稱為隔離器2022/12/1658射頻器件基礎知識環形器、隔離器

——工作原理環形器與隔離器的區別20環形器、隔離器

——工作原理環行器結構與原理法拉第旋轉效應、鐵磁共振效應2022/12/1659射頻器件基礎知識環形器、隔離器

——工作原理環行器結構與原理2022環形器、隔離器

——工作原理2022/12/1660射頻器件基礎知識環形器、隔離器

——工作原理2022/12/1160混頻器

——功能、指標功能利用混頻二極管的非線性特性實現頻率的搬移主要指標變頻損耗（無源）或變頻增益（有源）噪聲系數IIP3工作頻率范圍隔離度鏡頻抑制度分類無源二極管混頻器有源吉爾伯特混頻器MESFET混頻器2022/12/1661射頻器件基礎知識混頻器

——功能、指標功能分類2022/12/116無源二極管混頻器

——內部結構由二極管管堆、傳輸變壓器BALUN、陶瓷或者FR-4基板制作的混頻器是業界主流結構形式。二極管管堆的頻率范圍可以做的很寬，傳輸變壓器形式的BALUN也具有寬頻程的優點2022/12/1662射頻器件基礎知識無源二極管混頻器

——內部結構由二極管管堆、傳輸變壓吉爾伯特混頻器

——內部結構Gilbert于1967年發明，吉爾伯特混頻器采用純IC制作工藝，MOSFET與BJT是兩種主要的結構單元。材料一般選用Si、SiGe、GaAs，后者制造的器件噪聲系數與頻率特性優良2022/12/1663射頻器件基礎知識吉爾伯特混頻器

——內部結構Gilbert于196無源MESFET混頻器

——內部結構管芯多采用了MESFET平衡式管堆結構，其余與二極管混頻器基本類似2022/12/1664射頻器件基礎知識無源MESFET混頻器

——內部結構管芯多采用了ME有源MESFET混頻器

——內部結構MMICMESFET混頻器2022/12/1665射頻器件基礎知識有源MESFET混頻器

——內部結構MMICMES混頻器

——工作原理射頻信號與本振信號通過混頻器的相乘作用后，在中頻口產生諸多新的頻率分量。其中中頻分量是其中之一混頻器的本振信號為高功率輸入，用于控制二極管或者場效應管的開通與截止2022/12/1666射頻器件基礎知識混頻器

——工作原理射頻信號與本振信號通過混頻器的相混頻器

——工作原理上圖分別為中頻端口的時域與頻域圖形。2022/12/1667射頻器件基礎知識混頻器

——工作原理上圖分別為中頻端口的時域與頻域圖濾波器（聲表、介質）

——功能、指標功能抑制通道中不需要的頻率成分，保證各個信號通道的相互獨立主要指標中心頻率帶寬帶外抑制度分類高通濾波器、低通濾波器、帶通濾波器、帶阻濾波器LC濾波器聲表濾波器介質濾波器連體式分立式2022/12/1668射頻器件基礎知識濾波器（聲表、介質）

——功能、指標功能分類202聲表濾波器

——內部結構2022/12/1669射頻器件基礎知識聲表濾波器

——內部結構2022/12/1169射頻聲表濾波器

——工作原理聲表濾波器的工作原理電信號→聲表面波→電信號2022/12/1670射頻器件基礎知識聲表濾波器

——工作原理聲表濾波器的工作原理2022介質濾波器

——內部結構連體式分體式2022/12/1671射頻器件基礎知識介質濾波器

——內部結構連體式2022/12/117λ/4均勻阻抗介質諧振器結構特點終端短路同軸線特征阻抗均勻分布結構參數a

－內孔半徑b

－外孔半徑l

－諧振器長度εr

－介質的相對介電常數σC－金屬的電導率2022/12/1672射頻器件基礎知識λ/4均勻阻抗介質諧振器結構特點結構參數2022/12/11λ/4均勻阻抗介質諧振器1.特征阻抗2.無載Q值3.輸入阻抗特性4.諧振條件(|Zin|→+∞)5.并聯諧振特性2022/12/1673射頻器件基礎知識λ/4均勻阻抗介質諧振器1.特征阻抗2.無載Q值3.輸介質濾波器

——工作原理2022/12/1674射頻器件基礎知識介質濾波器

——工作原理2022/12/1174射頻介質濾波器與SAW濾波器的比較類別考察指標介質濾波器SAW濾波器中心頻率(Hz)★108~1010107~109插入損耗★低高頻率選擇性低★高功率容量★大小體積大★小中心頻率高，插入損耗低，功率容量大，使介質濾波器成為目前3G基站設備射頻信號濾波器的首選。3G終端設備由于對體積要求苛刻，則大部分采用SAW濾波器。類別考察指標B69812N2147A360B3669中心頻率/帶寬(MHz)2140/602140/60插入損耗/帶內抖動(dB)★1.5/0.53.0/1.0帶外抑制(dB)35@1950MHz★38@1950MHz最大輸入功率(dBm)★3010L×W×H(mm)3.7×3.6×1.9★3.0×3.0×1.1★

——Better數據來源：EPCOS網站（）聲表與介質的比較2022/12/1675射頻器件基礎知識介質濾波器與SAW濾波器的比較類別介質濾波器SAW濾波器中心2022/12/1676射頻器件基礎知識2022/12/1176射頻器件基礎知識射頻器件基礎知識射頻器件基礎知識77目錄射頻電路基本概念阻抗噪聲S參數非線性失真功率射頻器件基礎知識（主要功能、關鍵指標、內部結構、工作原理）射頻放大器射頻開關射頻衰減器功分器、耦合器環形器、隔離器混頻器濾波器2022/12/1678射頻器件基礎知識目錄射頻電路基本概念射頻器件基礎知識2022/12/112射射頻電路基礎

——阻抗阻抗的定義特征阻抗端口阻抗反射系數與駐波系數阻抗匹配2022/12/1679射頻器件基礎知識射頻電路基礎

——阻抗阻抗的定義2022/12/11阻抗的定義射頻電路中阻抗的概念有很多，對于器件有器件阻抗，對于2端口網絡有輸入阻抗和輸出阻抗，對于傳輸線有特性阻抗2022/12/1680射頻器件基礎知識阻抗的定義射頻電路中阻抗的概念有很多，對于器件有器件阻抗，對特征阻抗特征阻抗是微波傳輸線的固有特性，可以理解為傳輸線上入射電壓波與入射電流波之比。對于TEM波傳輸線，特征阻抗又等于單位長度分布電抗與導納之比。無耗傳輸線的特征阻抗為實數，有耗傳輸線的特征阻抗為復數。2022/12/1681射頻器件基礎知識特征阻抗特征阻抗是微波傳輸線的固有特性，可以理解為傳輸線上入2022/12/1682射頻器件基礎知識2022/12/116射頻器件基礎知識端口阻抗我們分析阻抗和阻抗匹配問題的目的就在于使電路中任意一個參考平面向源端和向負載端的阻抗相等，從而使信號完全通過該參考面，不發生反射。如果對于某參考面2端阻抗不等則會產生反射現象形成駐波。見下圖：在參考面A處情況1：阻抗連續，沒有反射，傳輸線上各點電壓相等，形成行波情況2：阻抗跳變，發生反射，形成駐波情況3：短路或開路發生全反射2022/12/1683射頻器件基礎知識端口阻抗我們分析阻抗和阻抗匹配問題的目的就在于使電路中任意一反射系數與駐波系數反射系數：定義為反射信號電壓電平與入射信號電壓電平之比駐波系數：定義為射頻信號包絡的最大值與射頻信號包絡的最小值之比2022/12/1684射頻器件基礎知識反射系數與駐波系數反射系數：2022/12/118射頻器件基阻抗匹配2022/12/1685射頻器件基礎知識阻抗匹配2022/12/119射頻器件基礎知識射頻電路基礎

——噪聲什么是噪聲？噪聲與干擾噪聲因子與噪聲系數2022/12/1686射頻器件基礎知識射頻電路基礎

——噪聲什么是噪聲？2022/12/1什么是噪聲？信號中所有的無用成分都稱為噪聲干擾任何射頻電子系統都是在噪聲與干擾環境下工作的，射頻電子系統的任務之一是與噪聲及干擾作斗爭，盡可能減小系統本身產生的噪聲，盡可能在傳遞信號、處理信號的過程中使信噪比的惡化降到最小，這是設計射頻電子系統首要考慮的問題。2022/12/1687射頻器件基礎知識什么是噪聲？信號中所有的無用成分都稱為噪聲干擾2022/12噪聲與干擾噪聲可分為自然的和人為的噪聲自然噪聲有熱噪聲、散粒噪聲和閃爍噪聲等人為噪聲有交流噪聲、感應噪聲和接觸不良噪聲等干擾一般來自于外部，也分為自然的和人為的干擾自然干擾有天電干擾、宇宙干擾和大地干擾等人為干擾主要有工業干擾和無線電臺干擾2022/12/1688射頻器件基礎知識噪聲與干擾噪聲可分為自然的和人為的噪聲2022/12/111噪聲因子與噪聲系數噪聲系數決定了接收靈敏度的好壞，是用來衡量射頻部件對小信號的處理能力噪聲因子與噪聲系數噪聲因子用Nf（或F）表示，定義為：即輸入信噪比與輸出信噪比的比值，表示信噪比惡化的情況噪聲系數用NF表示，定義為：噪聲的級聯公式：2022/12/1689射頻器件基礎知識噪聲因子與噪聲系數噪聲系數決定了接收靈敏度的好壞，是用來衡量射頻電路基礎

——S參數射頻網絡：S參數2端口網絡的S參數2022/12/1690射頻器件基礎知識射頻電路基礎

——S參數射頻網絡：2022/12/1射頻網絡射頻設計中所指的網絡為具有固定輸入和輸出關系的一段電路，網絡有N個輸入輸出接口就叫N端口網絡2022/12/1691射頻器件基礎知識射頻網絡射頻設計中所指的網絡為具有固定輸入和輸出關系的一段電S參數對N網絡進行分析需要常用網絡參數。如Z參數，A參數，Y參數，S參數等S參數的物理意義最明顯，因此分析中使用最廣泛S參的物理意義在于從某個端口輸入一定的功率后在其他端口引起的輸出，實部表示功率電平，虛部表示相位2022/12/1692射頻器件基礎知識S參數對N網絡進行分析需要常用網絡參數。如Z參數，A參數，Y2端口網絡的S參數S11為放大器的輸入反射系數S21為放大器的增益S22為放大器的輸出反射系數S12為放大器的反向隔離度2022/12/1693射頻器件基礎知識2端口網絡的S參數S11為放大器的輸入反射系數2022/12射頻電路基礎

——非線性失真什么是線性失真？什么是非線性失真？非線性失真的主要指標2022/12/1694射頻器件基礎知識射頻電路基礎

——非線性失真什么是線性失真？2022/線性與非線性線性失真：信號波形的等比例的放大、縮小、相位移動等變化非線性失真：信號波形的不等比例的放大、縮小、相位移動等變化2022/12/1695射頻器件基礎知識線性與非線性線性失真：信號波形的等比例的放大、縮小、相位移動非線性失真的主要指標非線性失真的主要指標IMD3IP3P1dB2022/12/1696射頻器件基礎知識非線性失真的主要指標非線性失真的主要指標2022/12/11非線性失真的主要指標

——IMD3三階交調（IMD3）三階交調（雙音三階交調）是用來衡量非線性的一個重要指標三階交調常用dBc表示，即交調產物與主輸出信號的比2022/12/1697射頻器件基礎知識非線性失真的主要指標

——IMD3三階交調（IMD3非線性失真的主要指標

——IP3、P1dBIP3任一微波單元電路，輸入信號增加1dB，輸出三階交調產物將增加3dB，這樣輸入信號電平增加到一定值時，輸出三階交調產物與主輸出信號相等，這一點稱為三階截止點PndBndB壓縮點用來衡量電路輸出功率的能力當輸入信號較小時，其輸出與輸入可以保證線性關系，隨著輸入信號電平的增加，輸入電平增加1dB，輸出將增加不到1dB，增益開始壓縮，增益壓縮ndB時的輸入信號電平稱為輸入ndB壓縮點2022/12/1698射頻器件基礎知識非線性失真的主要指標

——IP3、P1dBIP320射頻電路基礎

——功率射頻信號的功率常用dBm、dBW表示，它與mW、W的換算關系如下：例如信號功率為xW，利用dBm表示時其大小為：例如：1W等于30dBm，等于0dBW。2022/12/1699射頻器件基礎知識射頻電路基礎

——功率射頻信號的功率常用dBm、dB目錄射頻電路基本概念阻抗噪聲S參數功率線性與非線性射頻器件基礎知識（主要功能、關鍵指標、內部結構、工作原理）射頻放大器射頻開關射頻衰減器功分器、耦合器環形器、隔離器混頻器濾波器（聲表、介質）VCO、頻綜2022/12/16100射頻器件基礎知識目錄射頻電路基本概念射頻器件基礎知識2022/12/1124射頻放大器低噪聲放大器主要功能、關鍵指標、分類內部結構工作原理射頻小信號放大器主要功能、關鍵指標、分類內部結構工作原理射頻大功率放大器主要功能、關鍵指標、分類內部結構工作原理2022/12/16101射頻器件基礎知識射頻放大器低噪聲放大器2022/12/1125射頻器件基礎知低噪聲放大器

——功能、指標功能：在盡量小的惡化系統噪聲系數的前提下，對信號進行放大主要指標：噪聲系數增益分類分離器件與MMICMESFET與HEMT/pHEMT2022/12/16102射頻器件基礎知識低噪聲放大器

——功能、指標功能：分類2022/12低噪聲放大器

——內部結構以ATF-54143為例2022/12/16103射頻器件基礎知識低噪聲放大器

——內部結構以ATF-54143為例2低噪聲放大器

——工作原理MESFET工作原理：表面溝道型器件源S、漏D、柵G：載流子經溝道自S到D；G電位控制著溝道寬度源-漏間距LSD、柵長LG與溝道內電子漂移速度v決定器件頻率特性；WG

決定器件RF電流——增益、功率2022/12/16104射頻器件基礎知識低噪聲放大器

——工作原理MESFET工作原理：20低噪聲放大器

——工作原理HEMT/pHEMT工作原理：與MESFET基本相同的器件結構2DEG溝道層柵電容控制2DEG電流的強弱源-漏間距LSD、柵長LG與溝道內電子漂移速度v決定器件頻率特性；WG決定器件RF電流——增益、功率HEMT原理PHEMT層結構2DEG層2D2022/12/16105射頻器件基礎知識低噪聲放大器

——工作原理HEMT/pHEMT工作原射頻小信號放大器

——功能、指標功能：信號的線性放大主要指標：增益P1dBOIP3噪聲系數分類Si、SiGe、GaAs與InGaPHBT與MESFET2022/12/16106射頻器件基礎知識射頻小信號放大器

——功能、指標功能：分類2022/射頻小信號放大器

——內部結構以SGA-6486為例2022/12/16107射頻器件基礎知識射頻小信號放大器

——內部結構以SGA-6486為例射頻小信號放大器

——工作原理2022/12/16108射頻器件基礎知識射頻小信號放大器

——工作原理2022/12/113射頻小信號放大器

——工作原理SGA-6486內部電路結構2022/12/16109射頻器件基礎知識射頻小信號放大器

——工作原理SGA-6486內部電射頻大功率放大器

——功能、指標功能：大功率信號的線性放大、輸出主要指標：增益P1dBOIP3Pout分類分離、單片集成、混合集成Si、GaAs、SiCLDMOS、VDMOS、BJT2022/12/16110射頻器件基礎知識射頻大功率放大器

——功能、指標功能：分類2022/射頻大功率放大器(LDMOS)

——內部結構2022/12/16111射頻器件基礎知識射頻大功率放大器(LDMOS)

——內部結構202LDMOS平面結構的掃描電鏡照片(MRF9080)：射頻大功率放大器(LDMOS)

——內部結構2022/12/16112射頻器件基礎知識LDMOS平面結構的掃描電鏡照片(MRF9080)：射頻大功射頻大功率放大器

——內部結構單片集成

混合集成2022/12/16113射頻器件基礎知識射頻大功率放大器

——內部結構單片集成 2022/1射頻大功率放大器(LDMOS)

——工作原理LDMOS剖面結構LDMOS，LaterallyDouble-DiffusedMetalOxideSemiconductors，橫向雙擴散晶體管LDMOS是為射頻功率放大器設計的改進的n溝道增強型MOSFET。LDMOSFET典型剖面結構圖2022/12/16114射頻器件基礎知識射頻大功率放大器(LDMOS)

——工作原理LDMLDMOS結構特點橫向溝道LDMOS最大的特征是具有橫向溝道結構，漏極、源極和柵極都在芯片表面雙擴散技術（DoubleDiffusion）LDMOS采用雙擴散技術，在同一光刻窗口相繼進行硼（B，形成P-區）、磷（P，形成N-區）兩次擴散，由兩次雜質擴散橫向結深之差可以精確地決定溝道長度L。由于目前擴散工藝很成熟，溝道長度L可以做得很小（1um以下）并且不受光刻精度的限制無BeO隔離層一般地，襯底直接接地，不需BeO隔離，以降低熱阻，達到最好的散熱效果，同時減低了封裝成本。由于BeO為有毒物質，不用BeO有利于保護環境2022/12/16115射頻器件基礎知識LDMOS結構特點橫向溝道2022/12/1139射頻器件LDMOS結構特點P+Sinker連接源極到襯底，消除連接源極的表層鍵合絲N-LDD（LightlyDopedDrain，輕摻雜漏極）在溝道與漏極之間有一個低濃度的n-漂移區（N-LDD），LDD可以通過注入磷（P）或砷（As）離子得到。LDD的影響是兩方面的：一方面，與傳統的注入N+工藝相比，漏極區域的電場強度（是導致熱載流子的主要原因）大約降低80%，同時提高了漏極擊穿電壓，另一方面，N-注入也使源漏間串聯電阻增加，降低了器件的跨導FaradayShield（法拉第屏蔽）起屏蔽作用，可以降低柵極邊緣電場，從而提高漏源擊穿電壓，減小生成熱載流子的因素。同時，也降低了柵極（輸入）和漏極（輸出）間的寄生電容（Cdg）然而，法拉弟屏蔽層也相應的增加了Cgs的值。在電路設計中，優化輸入匹配網絡可以抵消增加的Cgs2022/12/16116射頻器件基礎知識LDMOS結構特點P+Sinker2022/12/114射頻開關

——功能、指標功能：控制信號、選擇通道主要指標：插入損耗隔離度分類GaAs、SiPin管、MESFET、PHEMT、SOIMOSFET單刀單擲開關、單刀雙擲開關、單刀四擲開關、雙刀雙擲開關等2022/12/16117射頻器件基礎知識射頻開關

——功能、指標功能：分類2022/12/1射頻開關

——內部結構以AS123為例：2022/12/16118射頻器件基礎知識射頻開關

——內部結構以AS123為例：2022/1射頻開關

——工作原理并聯型：插損小、隔離差串聯型：隔離好、駐波差2022/12/16119射頻器件基礎知識射頻開關

——工作原理并聯型：插損小、隔離差2022射頻開關

——工作原理“Γ”

型：各項指標較平均“T”

型：隔離度高2022/12/16120射頻器件基礎知識射頻開關

——工作原理“Γ”型：各項指標較平均20射頻開關

——工作原理浮地應用優點：正壓控制缺點：引入浮地電容2022/12/16121射頻器件基礎知識射頻開關

——工作原理浮地應用2022/12/114射頻衰減器

——功能、指標功能調整增益、控制輸出功率主要指標衰減量插入損耗分類PIN管、MESFET壓控衰減器、數控衰減器2022/12/16122射頻器件基礎知識射頻衰減器

——功能、指標功能分類2022/12/1射頻衰減器

——內部結構

壓控衰減器AT110 數控衰減器AT65 （內部帶有CMOS驅動芯片）2022/12/16123射頻器件基礎知識射頻衰減器

——內部結構 壓控衰減器AT110 射頻衰減器

——工作原理壓控衰減器原理電壓控制MESFET導通程度2022/12/16124射頻器件基礎知識射頻衰減器

——工作原理壓控衰減器原理2022/12射頻衰減器

——工作原理數控衰減器原理MESFET作為控制元件PI型或T型電阻衰減網絡作為衰減元件2022/12/16125射頻器件基礎知識射頻衰減器

——工作原理數控衰減器原理2022/12射頻衰減器

——工作原理數控衰減器原理2022/12/16126射頻器件基礎知識射頻衰減器

——工作原理數控衰減器原理2022/12功分器、耦合器

——功能、指標功能功率的分配、耦合主要指標工作頻率范圍插入損耗隔離度分類功分器：電阻、電容威爾金森磁芯材料GaAsIC耦合器：帶狀線復合材料GaAsICLTCC2022/12/16127射頻器件基礎知識功分器、耦合器

——功能、指標功能分類2022/12功分器

——內部結構威爾金森功分器磁芯材料功分器2022/12/16128射頻器件基礎知識功分器

——內部結構威爾金森功分器磁芯材料功分器20功分器

——內部結構GaAsIC功分器以PD09為例：2022/12/16129射頻器件基礎知識功分器

——內部結構GaAsIC功分器2022/1耦合器

——內部結構帶狀線復合材料GaAsIC2022/12/16130射頻器件基礎知識耦合器

——內部結構帶狀線復合材料GaAsIC20功分器、耦合器

——工作原理功分器工作原理耦合器工作原理2022/12/16131射頻器件基礎知識功分器、耦合器

——工作原理功分器工作原理2022/環形器、隔離器

——功能、指標功能控制信號單向傳送，在大信號場合用于改善電路匹配，駐波檢測等應用主要指標工作頻率范圍插入損耗反向隔離度功率容量分類上磁結構上下磁結構側磁結構2022/12/16132射頻器件基礎知識環形器、隔離器

——功能、指標功能分類2022/12環形器、隔離器

——內部結構環形器的三種結構：2022/12/16133射頻器件基礎知識環形器、隔離器

——內部結構環形器的三種結構：202環形器、隔離器

——工作原理環形器與隔離器的區別3端口接匹配負載的環形器，稱為隔離器2022/12/16134射頻器件基礎知識環形器、隔離器

——工作原理環形器與隔離器的區別20環形器、隔離器

——工作原理環行器結構與原理法拉第旋轉效應、鐵磁共振效應2022/12/16135射頻器件基礎知識環形器、隔離器

——工作原理環行器結構與原理2022環形器、隔離器

——工作原理2022/12/16136射頻器件基礎知識環形器、隔離器

——工作原理2022/12/1160混頻器

——功能、指標功能利用混頻二極管的非線性特性實現頻率的搬移主要指標變頻損耗（無源）或變頻增益（有源）噪聲系數IIP3工作頻率范圍隔離度鏡頻抑制度分類無源二極管混頻器有源吉爾伯特混頻器MESFET混頻器2022/12/16137射頻器件基礎知識混頻器

——功能、指標功能分類2022/12/116無源二極管混頻器

——內部結構由二極管管堆、傳輸變壓器BALUN、陶瓷或