LED工藝簡介1LEDLED的芯片結構LED的發光原理LED的工藝流程2LED的內部是什么？31.LED芯片

N型氮化物半導體層P型氮化物半導體層發光層發光層透明電極透明電極P側電極板P側電極板N側電極板N側電極板V電極LED芯片L電極LED芯片4LED是如何發光的？52.LED發光原理EFVD形成結空間電荷區p型n型自由電子空穴EFVD-V形成結空間電荷區p型n型自由電子空穴正向電壓+—光、熱導帶禁帶價帶VD：擴散電位

未施加外電壓的平衡狀態施加p型為正、n型為負的電壓后發光層6參考文獻：《LED照明設計與應用》作者：(日)LED照明推進協會|譯者:李農//楊燕為什么LED會發不同顏色的光？7LED發光波長取決于什么因素發光波長取決于禁帶寬度：

λ=1240/Eg(nm)可見光的波長范圍：380nm-800nm，對應的禁帶寬度約3.3~1.6eV通過形成混晶可以實現發光波長的連續變化。8參考文獻：IntroductiontoNitrideSemiconductorBlueLasersandLightEmittingDiodes混晶的發光波長9用不同顏色及數目LED加熒光粉所做成的白光LED的優點及缺點10LED發光管是怎樣樣“練”成的的Sapphire藍寶石石11LED生產流流程圖基板（襯底）磊晶制程磊晶片清洗蒸鍍光刻作業化學刻蝕熔合研磨切割單晶爐、切片片機磨片機、拋光光機外延爐（MOCVD）清洗機、烘箱箱蒸鍍機/電子子槍烘烤上光阻阻照相曝光顯顯影刻蝕機減薄機清洗機切割機、清洗洗機、甩干機機測試探針測試臺顆粒度檢測儀儀封裝12MOCVD外外延藍寶石緩沖層N-GaNp-GaNMQWMOCVD是是金屬有機化化合物化學氣氣相淀積(Metal-organicChemicalVaporDePosition)的的英文縮寫MOCVD技技術具有下列列優點:(l)適用范范圍廣泛，幾幾乎可以生長長所有化合物物及合金半導導體;(2)非常適適合于生長各各種異質結構構材料;(3)可以生生長超薄外延延層，并能獲獲得很陡的界界面過渡;(4)生長易易于控制;(5)可以生生長純度很高高的材料;(6)外延層層大面積均勻勻性良好;(7)可以進進行大規模生生產。13清洗有機物金屬離子清洗：通過有有機溶劑的溶溶解作用，結結合超聲波清清洗技術去除除硅片表面的的有機雜質和和金屬離子。。主要溶劑有：：H2SO4溶液、H2O2溶液、氫氟酸酸溶液、鹽酸酸、NH4OH等14n區光刻正性光刻膠光刻掩膜板紫外線顯影光刻的目的就就是在芯片或或金屬薄膜上上刻蝕出與掩掩模板完全對對應的集合圖圖形，從而實實現選擇性擴擴散和金屬薄薄膜不限的目目的。1、光刻膠：：正膠和負膠膠2、曝光：光光學曝光就可可分為接觸式式、接近式、、投影式、直直接分步重復觸式，此外外，還有電子子束曝光和X射線曝光等等。3、顯影：濕濕法去膠，非非金屬用濃硫硫酸去膠，金金屬用有機溶溶劑去膠。干法去膠，等等離子去膠和和紫外光分解解去膠。15刻蝕光刻膠刻蝕技術濕法干法化學刻蝕電解刻蝕離子束濺射刻刻蝕（物理作作用）等離子體刻蝕蝕（化學作用用）反應離子刻蝕蝕（物理化學學作用）16去膠強氧化劑或等離子體光刻膠濕法去膠：非非金屬用濃硫硫酸去膠，金金屬用有機溶溶劑去膠。干法去膠：等等離子去膠和和紫外光分解解去膠。17P區透明導電電層氧化銦錫氧化銦錫(ITO)主主要的特性是是其電學傳導導和光學透明明的組合。氧化銦錫薄膜膜最通常是用用電子束蒸發發、物理氣相相沉積、或者者一些濺射沉沉積技術的方方法沉積到表表面。光刻膠刻蝕去膠18N電極光刻光刻膠19N電極蒸發金屬分子歐姆接觸電極極的方法主要要有:(1)液體金金屬法;(2)燒滲合合金法;(3)化學鍍鍍鎳法;(4)噴涂法法;(5)物理蒸蒸發法。剝離20N退火N2退火→將工件件加熱到適當當溫度，根據據材料和工件件尺寸采用不不同的保溫時時間，然后進進行緩慢冷卻卻(冷卻速度度很慢)，目目的是使材料料內部組織達達到或接近平平衡狀態，獲獲得良好的工工藝性能和使使用性能。21P壓焊點點光刻P壓焊點點的制作作P壓焊點點蒸發P壓焊點點剝離22鈍化層沉沉積為了使芯芯片的有有效壽命命趨于體體壽命，，我們要要盡量減減少表面面壽命的的影響，，為此我我們使用用表面鈍鈍化的方方法，通通常的鈍鈍化方法法有熱處處理，化化學鈍化化以及硅硅片表面面電荷沉沉積等方方法。23鈍化層光光刻24鈍化層刻刻蝕25鈍化層去去膠26檢驗27減薄28劃片29裂片30劃片,裂裂片工作作流程圖圖劃片前晶晶片背面面劃片后背背面劃片后,側視圖圖裂片后,側視圖圖31測試分檢檢32LED:What’sinside?電極LED芯芯片透明環氧氧樹脂圓圓頂金線有反射碗碗的陰極桿桿設計生長加工封裝檢測封裝好的的LEDLED的的組成部部分工藝流程程:33問題：我們研究究LED的突破破口和關關鍵點在在哪兒？？34發展階段年份發展進程發光效率（lm/w）應用領域指示應用1962GaAsP紅光LED（樣品）<0.1指示燈1965GaAsP紅光LED0.11968GaAsP紅、橙、黃光LED0.21970-1980GaAsP高效紅、黃光、GaP綠、紅光1指示燈、計算器、數字手表信號顯示1980-1985AlGaAs橙黃、綠、紅光LED5室外信號顯示、條形碼系統、光電傳導系統1986-1992InGaAlP紅、綠、橙紅、橙黃、橙、黃色LED10室外顯示屏、交通信號燈、汽車全彩應用普通照明1993-1994InGaN綠、藍光LED，GaN藍光LED15醫療設備、全彩大屏幕顯示屏、小尺寸LCD背光源、手機背光照明、景觀裝飾照明、閃光燈、應急燈、警示燈、標志燈1997白光LED（藍光芯片+YAG熒光粉）102000InGaAlPGaAs、InGaNSiC彩色LED>302005InGaAlPGaAs、InGaNSiC彩色LED>502007-2009功率級白光LED>10035我的幾點點設想：：1.MQW（多多重量子子阱）摻摻磁性納納米粒子子雜質提提高發光效率率。摻入磁性性納米粒粒子會怎怎樣？362.大功功率白光光LED的發光光面積擴擴大。373.LED顯示示屏的制制造。三星公司司出品的的40英英寸OLED電電視原型型機是否可以以小型化化？38能否將三三基色LED小小型化并并將其集成成到一塊塊襯底上上？39·················································總結一是做小小→尺寸寸小二是做大大→功率率大三是做快快→散熱熱快四是做低低→成本本低五是獨立立→集成成40參考文獻獻1、《LED照明設設計與應應用》作作者：(日)LED照照明推進進協會|譯者:李農//楊燕燕。2、《IntroductiontoNitrideSemiconductorBlueLasersandLightEmittingDiodes》》。3、《半半導體器器件工藝藝原理