山東專用2020-2022年三年高考物理真題分項(xiàng)匯編專題20電學(xué)計(jì)算題_第1頁(yè)
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離子在Ⅱ區(qū)內(nèi)只受電場(chǎng)力,x方向做勻速直線運(yùn)動(dòng),y方向做勻變速直線運(yùn)動(dòng),設(shè)從進(jìn)入電場(chǎng)到擊中測(cè)試板中心C的時(shí)間為t,y方向的位移為,加速度大小為a,由牛頓第二定律得由運(yùn)動(dòng)的合成與分解得,,聯(lián)立得(3)Ⅱ區(qū)內(nèi)填充磁場(chǎng)后,離子在垂直y軸的方向做線速度大小為vcosθ的勻速圓周運(yùn)動(dòng),如圖所示。設(shè)左側(cè)部分的圓心角為,圓周運(yùn)動(dòng)半徑為,運(yùn)動(dòng)軌跡長(zhǎng)度為,由幾何關(guān)系得,由于在y軸方向的運(yùn)動(dòng)不變,離子的運(yùn)動(dòng)軌跡與測(cè)試板相切于C點(diǎn),則離子在Ⅱ區(qū)內(nèi)的運(yùn)動(dòng)時(shí)間不變,故有C到的距離聯(lián)立得3.(2020·山東·高考真題)某型號(hào)質(zhì)譜儀的工作原理如圖甲所示。M、N為豎直放置的兩金屬板,兩板間電壓為U,Q板為記錄板,分界面P將N、Q間區(qū)域分為寬度均為d的I、Ⅱ兩部分,M、N、P、Q所在平面相互平行,a、b為M、N上兩正對(duì)的小孔。以a、b所在直線為z軸,向右為正方向,取z軸與Q板的交點(diǎn)O為坐標(biāo)原點(diǎn),以平行于Q板水平向里為x軸正方向,豎直向上為y軸正方向,建立空間直角坐標(biāo)系Oxyz。區(qū)域I、Ⅱ內(nèi)分別充滿沿x軸正方向的勻強(qiáng)磁場(chǎng)和勻強(qiáng)電場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度大小、電場(chǎng)強(qiáng)度大小分別為B和E。一質(zhì)量為m,電荷量為+q的粒子,從a孔飄入電場(chǎng)(初速度視為零),經(jīng)b孔進(jìn)入磁場(chǎng),過P面上的c點(diǎn)(圖中未畫出)進(jìn)入電場(chǎng),最終打到記錄板Q上。不計(jì)粒子重力。(1)求粒子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑R以及c點(diǎn)到z軸的距離L;(2)求粒子打到記錄板上位置的x坐標(biāo);(3)求粒子打到記錄板上位置的y坐標(biāo)(用R、d表示);(4)如圖乙所示,在記錄板上得到三個(gè)點(diǎn)s1、s2、s3,若這三個(gè)點(diǎn)是質(zhì)子、氚核、氦核的位置,請(qǐng)寫出這三個(gè)點(diǎn)分別對(duì)應(yīng)哪個(gè)粒子(不考慮粒子間的相互作用,不要求寫出推導(dǎo)過程)。【答案】(1);(2);(3);(4)s1、s2、s3分別對(duì)應(yīng)氚核、氦核、質(zhì)子的位置【解析】(1)設(shè)粒子經(jīng)加速電場(chǎng)到b孔的速度大小為v,粒子在區(qū)域I中,做勻速圓周運(yùn)動(dòng)對(duì)應(yīng)圓心角為α,在M、N兩金屬板間,由動(dòng)能定理得qU=mv2①在區(qū)域I中,粒子做勻速圓周運(yùn)動(dòng),磁場(chǎng)力提供向心力,由牛頓第二定律得

②聯(lián)立①②式得

③由幾何關(guān)系得

⑥聯(lián)立①②④式得

⑦(2)設(shè)區(qū)域Ⅱ中粒子沿z軸方向的分速度為vz,沿x軸正方向加速度大小為a,位移大小為x,運(yùn)動(dòng)時(shí)間為t,由牛頓第二定律得qE=ma

⑧粒子在z軸方向做勻速直線運(yùn)動(dòng),由運(yùn)動(dòng)合成與分解的規(guī)律得

⑩粒子在x方向做初速度為零的勻加速直線運(yùn)動(dòng),由運(yùn)動(dòng)學(xué)公式得

?聯(lián)立①②⑤⑧⑨⑩?式得

?(3)設(shè)粒子沿y方向偏離z軸的距離為y,其中在區(qū)域Ⅱ中沿y方向偏離的距離為y',由運(yùn)動(dòng)學(xué)公式得y'=vtsinα

?由題意得y=L+y'

?聯(lián)立①④⑥⑨⑩??式

?(4)s1、s2、s3分別對(duì)應(yīng)氚核、氦核、質(zhì)子的位置。【突破練習(xí)】1.(2022·山東·威海市教育教學(xué)研究中心二模)某離子實(shí)驗(yàn)裝置的基本原理如圖所示,截面半徑為R的圓柱腔分為兩個(gè)工作區(qū),Ⅰ區(qū)長(zhǎng)度,內(nèi)有沿y軸正向的勻強(qiáng)電場(chǎng),Ⅱ區(qū)內(nèi)既有沿z軸負(fù)向的勻強(qiáng)磁場(chǎng),又有沿z軸正向的勻強(qiáng)電場(chǎng),電場(chǎng)強(qiáng)度與Ⅰ區(qū)電場(chǎng)等大。現(xiàn)有一正離子從左側(cè)截面的最低點(diǎn)A處,以初速度沿z軸正向進(jìn)入Ⅰ區(qū),經(jīng)過兩個(gè)區(qū)域分界面上的B點(diǎn)進(jìn)入Ⅱ區(qū),在以后的運(yùn)動(dòng)過程中恰好未從圓柱腔的側(cè)面飛出,最終從右側(cè)截面上的C點(diǎn)飛出,B點(diǎn)和C點(diǎn)均為所在截面處豎直半徑的中點(diǎn)(如圖中所示),已知離子質(zhì)量為m,電量為q,不計(jì)重力,求:(1)電場(chǎng)強(qiáng)度的大小;(2)離子到達(dá)B點(diǎn)時(shí)速度的大小;(3)Ⅱ區(qū)中磁感應(yīng)強(qiáng)度大小;(4)Ⅱ區(qū)的長(zhǎng)度L應(yīng)為多大。【答案】(1);(2);(3);(4),,2,3……【解析】(1)離子在Ⅰ區(qū)做類平拋運(yùn)動(dòng),根據(jù)類平拋規(guī)律有根據(jù)牛頓第二定律有解得,電場(chǎng)強(qiáng)度的大小為(2)類平拋過程由動(dòng)能定理有解得,離子到達(dá)B點(diǎn)時(shí)速度的大小為(3)離子在Ⅱ區(qū)類,做復(fù)雜的旋進(jìn)運(yùn)動(dòng)。將該運(yùn)動(dòng)分解為圓柱腔截面上的勻速圓周運(yùn)動(dòng)和z軸正方向的勻加速直線運(yùn)動(dòng),根據(jù)題意可得,在圓柱腔截面上的勻速圓周運(yùn)動(dòng)軌跡如下圖所示設(shè)臨界圓軌跡半徑為r,根據(jù)幾何知識(shí)有解得,離子的軌跡半徑為離子沿y軸正方向的速度為則根據(jù)洛倫茲力提供向心力有解得,Ⅱ區(qū)中磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為(4)離子在圓柱腔截面上做勻速圓周運(yùn)動(dòng)的周期為離子在z軸的正方向做勻加速直線運(yùn)動(dòng),根據(jù)勻變速直線運(yùn)動(dòng)的位移公式可得聯(lián)立解得,Ⅱ區(qū)的長(zhǎng)度L為,,2,3……2.(2022·山東·肥城市教學(xué)研究中心模擬預(yù)測(cè))在芯片制造過程中,離子注入是其中一道重要工序。如圖所示是離子注入工作原理示意圖,離子經(jīng)加速后沿水平方向進(jìn)入速度選擇器,然后通過磁分析器,選擇出特定比荷的離子,經(jīng)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)后注入到處在水平面內(nèi)的晶圓(硅片)。速度選擇器、磁分析器和偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)中的勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B,方向均垂直紙面向外;速度選擇器和偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)中的勻強(qiáng)電場(chǎng)場(chǎng)強(qiáng)大小均為E,方向分別為豎直向上和垂直紙面向外。磁分析器截面是內(nèi)外半徑分別為R1和R2的四分之一圓環(huán),其兩端中心位置M和N處各有一個(gè)小孔;偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)中電場(chǎng)和磁場(chǎng)的分布區(qū)域是同一邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方體,其底面與晶圓所在水平面平行,間距也為L(zhǎng)。當(dāng)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)不加電場(chǎng)及磁場(chǎng)時(shí),離子恰好由上表面中心豎直進(jìn)入系統(tǒng),并豎直注入到晶圓上的O點(diǎn)(即圖中坐標(biāo)原點(diǎn),x軸垂直紙面向外)。整個(gè)系統(tǒng)置于真空中,不計(jì)離子重力,打在晶圓上的離子,經(jīng)過電場(chǎng)和磁場(chǎng)偏轉(zhuǎn)的角度都很小,粒子能從底面穿出偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)。當(dāng)α很小時(shí),,(1)離子通過速度選擇器后的速度大小v和磁分析器選擇出來離子的比荷;(2)若偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)僅加電場(chǎng)時(shí)離子注入晶圓的位置,用坐標(biāo)(x,y)表示;(3)若偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)同時(shí)加上電場(chǎng)和磁場(chǎng)時(shí)離子注入晶圓的位置,用坐標(biāo)(x,y)表示。【答案】(1);(2)(,0);(3)(,)【解析】(1)通過速度選擇器離子的速度從磁分析器中心孔N射出離子的運(yùn)動(dòng)半徑為根據(jù)牛頓第二定律得解得(2)經(jīng)過電場(chǎng)后,離子在x方向偏轉(zhuǎn)的距離

離開電場(chǎng)后,離子在x方向偏移的距離位置坐標(biāo)為(,0)(3)電場(chǎng)引起的速度增量總是沿著x軸方向,對(duì)y方向的運(yùn)動(dòng)不產(chǎn)生影響。設(shè)沒有電場(chǎng)只在磁場(chǎng)作用下偏轉(zhuǎn)時(shí),離子進(jìn)入磁場(chǎng)后做圓周運(yùn)動(dòng)半徑為經(jīng)過磁場(chǎng)后,離子在y方向偏轉(zhuǎn)距離離開磁場(chǎng)后,離子在y方向偏移距離則則由(2)知,有電場(chǎng)、磁場(chǎng)共同存在時(shí),注入晶圓的位置坐標(biāo)為(,),3.(2022·山東師范大學(xué)附中模擬預(yù)測(cè))雙聚焦分析器是一種能同時(shí)實(shí)現(xiàn)速度聚焦和方向聚焦的質(zhì)譜儀,其模型圖如圖(a)所示。其原理圖如圖(b)所示。加速電場(chǎng)的電壓為U,電場(chǎng)分析器中有指向圓心O的輻射狀電場(chǎng),磁場(chǎng)分析器中有垂直紙面的勻強(qiáng)磁場(chǎng)。質(zhì)量為m、電荷量為+q的離子(初速度為零,重力不計(jì)),經(jīng)加速電場(chǎng)加速后,進(jìn)入輻射電場(chǎng),恰好沿著半徑為R的圓弧軌跡通過電場(chǎng)區(qū)域后,垂直邊界從P點(diǎn)進(jìn)入圓形磁場(chǎng)區(qū)域,PO1=d,之后垂直磁場(chǎng)下邊界射出并從K點(diǎn)進(jìn)入檢測(cè)器,檢測(cè)器可在O1M和O2N之間左右移動(dòng)且與磁場(chǎng)下邊界距離恒等于0.5d。(1)求電場(chǎng)分析器中離子運(yùn)動(dòng)軌跡處電場(chǎng)強(qiáng)度E的大小;(2)求磁場(chǎng)區(qū)域磁感應(yīng)強(qiáng)度B;(3)若探測(cè)器在M點(diǎn)和N點(diǎn)接收到的兩種離子離開O1O2時(shí)速度方向與O1O2所夾銳角相同,求探測(cè)器在M點(diǎn)和N點(diǎn)接收到的兩種離子比荷之比。【答案】(1);(2);(3)25【解析】(1)依題意,離子在輻射電場(chǎng)中恰好沿半徑為R的圓弧做勻速圓周運(yùn)動(dòng),設(shè)其速度大小為v,根據(jù)牛頓第二定律有又聯(lián)立可得電場(chǎng)分析器中離子運(yùn)動(dòng)軌跡處電場(chǎng)強(qiáng)度E的大小(2)離子進(jìn)入磁場(chǎng)后做勻速圓周運(yùn)動(dòng),軌跡恰好為圓周,軌跡圓心為,可知運(yùn)動(dòng)半徑為d,則有聯(lián)立可得(3)依題意,可畫出從M、N兩點(diǎn)射出離子的運(yùn)動(dòng)軌跡如圖所示設(shè)離子離開O1O2時(shí)速度方向與O1O2所夾銳角為,從M、N兩點(diǎn)射出的離子在磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)半徑分別為,,則由幾何知識(shí)可得得又因?yàn)榻獾盟钥傻糜忠驗(yàn)榻獾酶鶕?jù)聯(lián)立可得所以可得兩種離子比荷之比4.(2022·山東青島·二模)如圖甲,三維坐標(biāo)系中平面的左側(cè)虛線區(qū)域內(nèi)存在一未知電場(chǎng),平面的右側(cè)存在平行軸方向周期性變化的磁場(chǎng)和沿軸正方向豎直向上的勻強(qiáng)電場(chǎng),電場(chǎng)強(qiáng)度。一質(zhì)量、電荷量的帶正電液滴,從平面內(nèi)的點(diǎn)沿軸方向以的初速度進(jìn)入未知電場(chǎng)區(qū)域,經(jīng)過到達(dá)原點(diǎn)第1次經(jīng)過軸,此時(shí)速度大小,方向在平面內(nèi)與軸正向成角斜向下。把液滴到達(dá)原點(diǎn)的時(shí)刻記為,此時(shí)磁場(chǎng)沿軸負(fù)方向,磁場(chǎng)隨時(shí)間變化的關(guān)系如圖乙所示,其中、,重力加速度。(1)求液滴從點(diǎn)到原點(diǎn)的過程中,受到的電場(chǎng)力的沖量大小;(2)求液滴從第1次到第4次經(jīng)過軸的時(shí)間間隔;(3)在時(shí)刻撤去電場(chǎng)和磁場(chǎng),同時(shí)在整個(gè)空間區(qū)域加上豎直向上的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度,求液滴繼續(xù)運(yùn)動(dòng)過程中達(dá)到最大高度時(shí)的位置坐標(biāo)。【答案】(1);(2);(3)【解析】(1)液滴從點(diǎn)到原點(diǎn)的過程中,根據(jù)動(dòng)量定理水平方向:豎直方向:,解得:電場(chǎng)的沖量大小為(2)液滴進(jìn)入平面的右側(cè)后相當(dāng)于只受磁場(chǎng)力,根據(jù)向心力公式:其中,解得:且同理其中,解得且則(3)在時(shí),液滴的速度在平面內(nèi),與軸夾角。后螺旋上升,上升時(shí)間為:高度圓周運(yùn)動(dòng)的半徑半徑為周期為所以上升過程相當(dāng)于,因此液滴在最高點(diǎn)的坐標(biāo)為5.(2022·山東·高三專題練習(xí))如圖,在空間建立Oxyz三維直角坐標(biāo)系,其中x軸水平向右,y軸豎直向上,z軸垂直紙面向外,在x=a處平行于Oyz平面固定一足夠大熒光屏M,在Oyz平面左側(cè)空間有豎直向下的勻強(qiáng)電場(chǎng)E1;x軸上的A點(diǎn)(,0,0)有一粒子源,粒子源在Oxy平面內(nèi)沿與x軸成一定角度射出帶電粒子,粒子的速度大小為v0,質(zhì)量為m,帶電量為+q。經(jīng)過一段時(shí)間,粒子從y軸上C點(diǎn)(0,3a,0)垂直y軸進(jìn)入Oyz平面與熒屏間空間,該空間內(nèi)有方向沿z軸正向、的勻強(qiáng)磁場(chǎng)(圖中未畫出),不計(jì)粒子重力。(1)求Oyz平面左側(cè)勻強(qiáng)電場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度大小E1;(2)求粒子從A點(diǎn)射出到打到熒光屏上所經(jīng)歷的時(shí)間t;(3)若在Oyz平面與熒光屏間空間再加上一沿z軸正向、電場(chǎng)強(qiáng)度大小為E0的勻強(qiáng)電場(chǎng),求粒子最終打在熒光屏上的P點(diǎn)時(shí)的位置坐標(biāo)。【答案】(1);(2);(3)【解析】(1)將粒子的速度v0分解為沿x軸方向的分速度v0x,沿y軸方向的分速度v0y,根據(jù)題意可得,在沿x軸方向上沿y軸負(fù)方向上粒子減速得求得即θ=60°求得又由得又有求得(2)粒子沿x軸方向的分速度解得粒子減速可知,粒子帶正電荷,由左手定則可知,粒子沿y軸負(fù)方向偏轉(zhuǎn),由可得由幾何關(guān)系可得粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí)間又由解得粒子從A點(diǎn)射出到打到熒光屏上所經(jīng)歷的時(shí)間(3)在y軸方向上由幾何關(guān)系,可得y軸坐標(biāo)為粒子沿z軸正向、電場(chǎng)強(qiáng)度大小為E0的勻強(qiáng)電場(chǎng)中加速位移粒子打到屏上的位置坐標(biāo)是6.(2022·山東濱州·二模)如圖甲所示建立立體空間坐標(biāo)系,P為與xoy平面平行放置的豎直屏,與z軸垂直相交于z=0.45m處。如圖乙所示,粒子源位于xoy平面內(nèi)的第二象限內(nèi),粒子源飄出初速度為零的正粒子,加速電場(chǎng)負(fù)極板與yoz平面重合,加速電壓。粒子加速后從y軸上小孔M進(jìn)入第一象限,M點(diǎn)對(duì)應(yīng)坐標(biāo)y1=0.04m。在x軸上方I區(qū)域()內(nèi)存在沿z軸負(fù)方向的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度B1=2T,在x軸上方II區(qū)域()內(nèi)存在沿z軸正方向的勻強(qiáng)磁場(chǎng)B2,在II區(qū)域和x軸下方存在沿z軸正方向的勻強(qiáng)電場(chǎng)E(未畫出)。已知粒子質(zhì)量,電荷量,坐標(biāo)、,電場(chǎng)強(qiáng)度,不計(jì)粒子的重力和空氣的影響,粒子恰好不從II區(qū)域右邊界射出。取。求:(1)粒子經(jīng)過I、II區(qū)域邊界N點(diǎn)到x軸的距離y2;(2)II區(qū)域內(nèi)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B2的大小;(3)粒子打在P屏上位置的y坐標(biāo)。【答案】(1);(2);(3)【解析】(1)粒子經(jīng)加速區(qū)加速在I區(qū)域內(nèi)洛侖茲力提供向心力設(shè)粒子打出I區(qū)域時(shí)速度偏角為θ,則N點(diǎn)到x軸的距離解得(2)粒子在II區(qū)域內(nèi)垂直電磁場(chǎng)方向做勻速圓周運(yùn)動(dòng),半徑為r2,由幾何關(guān)系得畫出運(yùn)動(dòng)軌跡如下圖所示洛侖茲力提供向心力解得(3)粒子從xoy平面到屏運(yùn)動(dòng)時(shí)間為t,則設(shè)粒子經(jīng)xoz平面時(shí)平行xoy方向速度與xoz平面夾角為α則粒子在II區(qū)域內(nèi)運(yùn)動(dòng)時(shí)間打在屏上的y坐標(biāo)即打在屏上的坐標(biāo)為7.(2022·山東·泰安市基礎(chǔ)教育教學(xué)研究室二模)如圖甲所示,固定在地面上的某種離子發(fā)射裝置由離子源、間距為的中心有小孔的兩平行金屬板、和邊長(zhǎng)為的立方體構(gòu)成,其后端面為噴口,噴口正對(duì)著屏幕,為平行于、的足夠大平板。以金屬板的中心為坐標(biāo)原點(diǎn),垂直立方體側(cè)面和金屬板建立、和坐標(biāo)軸。、板之間存在方向沿軸正方向的勻強(qiáng)電場(chǎng);立方體內(nèi)存在磁場(chǎng),其磁感應(yīng)強(qiáng)度沿方向的分量始終為零,沿和方向的分量和如圖乙所示,圖中可調(diào);、板之間存在足夠大的勻強(qiáng)電場(chǎng),場(chǎng)強(qiáng)與、板之間電場(chǎng)等大,方向沿軸負(fù)方向。離子源在板中心小孔處無(wú)初速釋放氦離子(),經(jīng)、間電場(chǎng)加速進(jìn)入磁場(chǎng)區(qū)域,從端面射出進(jìn)入、間電場(chǎng),經(jīng)電場(chǎng)偏轉(zhuǎn)最終打在屏幕上,測(cè)得離子經(jīng)電場(chǎng)加速后在金屬板中心點(diǎn)處速度為。已知單個(gè)離子的質(zhì)量為、電荷量為,忽略離子間的相互作用,不計(jì)重力。(1)求、板之間勻強(qiáng)電場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng)大小;(2)調(diào)節(jié)的值,使得從小孔進(jìn)入的離子均能從噴口后端面射出,求的取值范圍;(3)調(diào)節(jié),粒子從噴口噴出后,經(jīng)過勻強(qiáng)電場(chǎng)后打在屏幕上,打在上的速度與從噴口噴出時(shí)的速度等大,求粒子打在屏幕上的坐標(biāo)。【答案】(1);(2);(3)(,,)【解析】(1)離子在電場(chǎng)中加速,根據(jù)動(dòng)能定理解得(2)離子從的邊緣飛出時(shí),由幾何關(guān)系知由洛倫茲力提供向心力得解得得范圍(3)若,則經(jīng)時(shí),設(shè)速度與軸的夾角為,則

到時(shí)速度大小與經(jīng)時(shí)相等,說明運(yùn)動(dòng)時(shí)間又得整理得則坐標(biāo)為(,,)。8.(2022·山東聊城·二模)如圖所示,某粒子分析器由區(qū)域I、區(qū)域Ⅱ和檢測(cè)器Q組成。兩個(gè)區(qū)域以垂直z軸的平面P為界,其中區(qū)域I內(nèi)有沿著z軸正方向的勻強(qiáng)磁場(chǎng)和勻強(qiáng)電場(chǎng),區(qū)域Ⅱ內(nèi)只有沿著z軸正方向的勻強(qiáng)磁場(chǎng),電場(chǎng)強(qiáng)度大小為E,兩個(gè)區(qū)域內(nèi)的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B。當(dāng)粒子撞擊檢測(cè)器Q時(shí),檢測(cè)器被撞擊的位置會(huì)發(fā)光。檢測(cè)器中心在軸上,在檢測(cè)器所在平面上建立與xOy坐標(biāo)系平行的坐標(biāo)系。一質(zhì)量為m、帶電荷量為q的帶正電粒子從A點(diǎn)沿x軸正方向以初速度v0射入,若區(qū)域I內(nèi)只存在勻強(qiáng)磁場(chǎng),粒子軌跡圓的圓心恰好是O點(diǎn),平面P到O點(diǎn)的距離,運(yùn)動(dòng)過程中粒子所受重力可以忽略不計(jì)。(1)求A點(diǎn)的位置,用坐標(biāo)(x,y)表示:(2)若區(qū)域I只有勻強(qiáng)電場(chǎng)E,當(dāng)檢測(cè)器Q置于平面P所在位置時(shí),求檢測(cè)器上發(fā)光點(diǎn)的位置,用坐標(biāo)(,)表示:(3)當(dāng)檢測(cè)器距O點(diǎn)的距離為d時(shí),求檢測(cè)器上發(fā)光點(diǎn)的位置,用坐標(biāo)(,)表示。【答案】(1);(2);(3)當(dāng)時(shí)坐標(biāo)為,當(dāng)時(shí),坐標(biāo)為【解析】(1)由洛倫茲力提供向心力有解得則A點(diǎn)坐標(biāo)為;(2)粒子做類平拋運(yùn)動(dòng),有解得則則發(fā)光點(diǎn)的位置為;(3)①當(dāng)時(shí),粒子的運(yùn)動(dòng)可以分解為沿z軸方向初速度為零的勻加速直線運(yùn)動(dòng)和xOy平面內(nèi)速度為的勻速圓周運(yùn)動(dòng)解得根據(jù)解得則發(fā)光點(diǎn)的位置坐標(biāo)為;②當(dāng)時(shí),在區(qū)域Ⅱ內(nèi)粒子的運(yùn)動(dòng)可以分解為沿軸方向的勻速直線運(yùn)動(dòng)和平面內(nèi)速度為的勻速圓周運(yùn)動(dòng),剛出區(qū)域Ⅰ時(shí),粒子的坐標(biāo)為,沿軸的速度為粒子在區(qū)域Ⅱ運(yùn)動(dòng)的時(shí)間根據(jù)幾何關(guān)系可知,打在檢測(cè)器上的坐標(biāo)為發(fā)光點(diǎn)的位置為。9.(2022·山東·高三專題練習(xí))如圖所示為某離子實(shí)驗(yàn)裝置結(jié)構(gòu)圖。Ⅰ區(qū)為電加速區(qū),由間距為d的中間有小孔S、O的兩正方形平行金屬板M、N構(gòu)成,金屬板邊長(zhǎng)為,其中離子源緊貼小孔S;Ⅱ、Ⅲ區(qū)為長(zhǎng)方體形狀的磁偏轉(zhuǎn)區(qū),水平間距分別為d、,其豎直截面與金屬板形狀相同。Ⅲ區(qū)左右截面的中心分別為、,以為坐標(biāo)原點(diǎn),垂直長(zhǎng)方體側(cè)面和金屬板建立x、y和z坐標(biāo)軸。M、N間勻強(qiáng)電場(chǎng)大小為E,方向沿方向;Ⅱ、Ⅲ區(qū)的勻強(qiáng)磁場(chǎng)大小相同、方向分別沿、方向。某時(shí)刻離子源有一電量為、質(zhì)量為m的粒子無(wú)初速的飄入小孔S,經(jīng)過一段時(shí)間后恰好能返回到小孔S,不考慮粒子的重力。(1)求粒子經(jīng)過小孔O時(shí)的速度大小;(2)求粒子在磁場(chǎng)中相鄰兩次經(jīng)過小孔O時(shí)運(yùn)動(dòng)的時(shí)間及磁場(chǎng)B的大小;(3)若在Ⅱ區(qū)中方向增加一個(gè)附加勻強(qiáng)磁場(chǎng),可使粒子經(jīng)過小孔O后恰好不能進(jìn)入到Ⅲ區(qū)、并直接從Ⅱ區(qū)前表面(方向一側(cè))P點(diǎn)飛出,求P點(diǎn)坐標(biāo)為。【答案】(1);(2),;(3)【解析】(1)粒子由S到O過程,由動(dòng)能定理得解得(2)粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)軌跡如圖所示由幾何關(guān)系得根據(jù)牛頓第二定律得解得粒子在磁場(chǎng)中的周期為粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間聯(lián)立方程,解得(3)如圖所示粒子恰好與Ⅱ、Ⅲ區(qū)邊界相切時(shí)由P射出,對(duì)應(yīng)半徑即解得,由幾何關(guān)系得解得,則有即P點(diǎn)坐標(biāo)為10.(2022·山東·高三專題練習(xí))某離子實(shí)驗(yàn)裝置如圖所示,離子的運(yùn)動(dòng)控制在長(zhǎng)度可調(diào)的長(zhǎng)方體內(nèi),長(zhǎng)方體的左右兩個(gè)側(cè)面分別放置記錄板P、Q,現(xiàn)以長(zhǎng)方體的一個(gè)底角O為坐標(biāo)原點(diǎn),建立空間直角坐標(biāo)系Oxyz,MNRS是一個(gè)與x軸垂直的豎直分界面,對(duì)應(yīng)的x坐標(biāo)為L(zhǎng),分界面左側(cè)有沿y軸正方向的勻強(qiáng)電場(chǎng),電場(chǎng)強(qiáng)度大小為,右側(cè)有沿y軸負(fù)方向的勻強(qiáng)電場(chǎng)和勻強(qiáng)磁場(chǎng),離子發(fā)射器K發(fā)射出正離子(初速度大小可以忽略),經(jīng)加速電壓加速后正對(duì)O點(diǎn)進(jìn)入控制區(qū),當(dāng)發(fā)射離子的質(zhì)量為m、電荷量為q時(shí),離子經(jīng)過豎直分界面MNRS后,又能返回分界面,且速度方向與界面垂直,最后到達(dá)左側(cè)記錄板P,設(shè)勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小等于的大小,離子重力忽略不計(jì),求:(1)離子第一次到達(dá)分界面MNRS時(shí)的速度:(2)豎直分界面右側(cè)勻強(qiáng)電場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度大小;(3)離子到達(dá)左側(cè)記錄板P的位置與O點(diǎn)的距離。【答案】(1);(2);(3)【解析】(1)在加速電場(chǎng)中,由動(dòng)能定理得在偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)中離子做勻變速曲線運(yùn)動(dòng)x軸方向有y軸方向有,解得離子到達(dá)分界面MNRS時(shí)的速度為故離子第一次到達(dá)分界面MNRS時(shí)速度為。(2)進(jìn)入磁場(chǎng)后:xOz平面內(nèi)在洛倫茲力作用下做勻速圓周運(yùn)動(dòng),yOz平面內(nèi)在電場(chǎng)力作用下做勻減速運(yùn)動(dòng),當(dāng)速度減到零時(shí)到達(dá)分界面,此時(shí)恰好完成半個(gè)圓周運(yùn)動(dòng)y軸方向有,xOz平面內(nèi),有,,解得故豎直分界面右側(cè)勻強(qiáng)電場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度大小為。(3)離子第一次到達(dá)分界面時(shí),沿y軸方向位移,有在分界面右側(cè)y軸方向在勻強(qiáng)電場(chǎng)作用下做勻減速運(yùn)動(dòng),當(dāng)速度減

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