1、樹 德 科 技 大 學工業管理系高科技產業業研究-半導導體產業業分析期末作業學生：90011442244 姚姚永纮9011442688 周周英吉9011442866 蕭蕭智威指導教授：陳永璋璋 教授授一、緒論半導體是電電子產品品的重要要零組件件，因此此一國半半導體產產業之盛盛衰，代代表其電電子產業業興盛與與否，半半導體產產業強大大者，即即表示其其電子產產品也立立于不敗敗之地:半導體體產業是是高技術術密集及及高資本本密集的的產業，故故半導體體技術能能力，也也展現了了一個國國家在科科技產業業上之地地位；為為什么美美、日、韓韓、及歐歐洲工業業化國家家各政府府每年均均大幅支支持其國國內半導導體產業業研

2、發，將將其列為為優先發發展產業業?此為其其主要原原因吧!我國電電子產業業在政府府長期支支持及業業者努力力下，已已是我國國第一大大產業，其其賴以持持續成長長之要件件在于國國內半導導體產業業技術國國際競爭爭能力，面面對國際際強烈之之競爭環環境，因因此我們們就對此此產業做做深入的的研究與與探討。二、半導體體產業概概況 半半導體（Semiconductor）經過四十多年的發展，已經成為各種電子信息產品中，不可或缺的核心關鍵零組件，更與我們的日常生活息息相關。在信息網絡、電子商務、行動通訊、生活自動化、無紙文書等高成長的趨勢帶動下，相關電子產品將會持續蓬勃發展，而這些產品的內部核心半導體，必將扮演更重要

3、的角色。 半半導體自自19447年由由貝爾實實驗室開開發出第第一顆晶晶體管后后，為電電子產品品劃下了了歷史的的新頁：電子產產品不再再靠真空空管來作作為核心心，開始始能夠朝朝向輕、薄薄、短、小小的新世世紀邁出出了一大大步。而而全球第第一顆集集成電路路（Innteggratted Cirrcuiit; IC）則則在19958年年被美國國德州儀儀器(TTexaas IInsttrummentts；TI)公司開開發成功功，從此此又取代代晶體管管(Trranssisttor)成為半半導體世世界的盟盟主；同同時成為為下游廣廣大應用用電子產產品的主主要關鍵鍵零組件件。來自自. .2-1 半半導體的的定義與與

4、制造流流程 所所謂的半半導體，是是指在某某些情況況下，能能夠導通通電流，而而在某些些條件下下，又具具有絕緣緣體效用用的物質質；而至至于所謂謂的ICC，則是是指在一一半導體體基板上上，利用用氧化、蝕蝕刻、擴擴散等方方法，將將眾多電電子電路路組成各各式二極極管、晶晶體管等等電子組組件，作作在一微微小面積積上，以以完成某某一特定定邏輯功功能（例例如：AAND、OR、NANND等），進進而達成成預先設設定好的的電路功功能。隨隨著技術術的進步步，在一一單一芯芯片聚集集佰萬顆顆以上晶晶體管的的IC，已已非難事事。一一般而言言，一顆顆IC的完完成，通通常先后后需經過過電路設設計、光光罩制作作、芯片片制造、芯

5、芯片封裝裝和測試試檢查等等步驟，請請參考圖圖一。IIC的上上市，挾挾其輕、薄薄、短、小小、省電電、多功功能、低低成本等等特長，席席卷大半半的半導導體市場場，成為為半導體體的主流流產品。若若按其制制程技術術來區分分，可大大略分為為Bippolaar和MOSS ( Mettal Oxiide Sillicoon )二大類類。其中中Bippolaar制程程技術發發展較早早，但集集積度較較低且較較耗電，除除少數特特定用途途需較快快工作速速度和耐耐較高電電壓的場場合外；MOSS制程的的產品已已攻占了了絕大多多數的應應用市場場。圖一ICC制造流流程資料來源：工研院院經資中中心ITTIS計計劃，220000

6、年9月2-2 半半導體產產業的發發展簡史史 119477年第一一顆晶體體管發明明成功，結結束了真真空管的的時代，而而19558年TI開發發出全球球第一顆顆IC成功功，又意意謂宣告告晶體管管的時代代結束，IC的時代正式開始。從此開始各式IC不斷被開發出來，集積度也不斷提升。從小型集成電路（SSI），每顆IC包含10顆晶體管的時代；一路發展MSI、LSI、VLSI、ULSI；到現在韓國、日本等半導體大廠已陸續開發出Giga級 DRAM，這也意謂著GSI時代即將開始。表一 半半導體發發展的大大事記年度 里程碑 廠商 時代 1904 發明二極真真空管 Flemiing 真空管 1906 發明三極真真空

7、管 - 1947 發明晶體管管 Bell Labb 晶體管 1951 采用Gallliuum AArseenidde材料料 Siemeens 1953 發表硅太陽陽電池 Bell Labb 1954 發表Zenner二二極管 NS 1956 發表Sillicoon CConttrollledd Reectiifieer Generral Eleectrric 1958 首顆IC開開發完成成 TI SSI (101) 積 體 電 路 1961 第一顆商用用IC上市市 Faircchilld、TI 1963 發表TTLL Loogicc ICC Sylvaaniaa 1963 發表Linnearr

8、 ICC Faircchilld、TI 1964 發表MOSS ICC Generral Miccroeelecctrooniccs MSI (102) 1968 發表CMOOS IIC RCA 1969 ROM上市市 Electtronnic Arrrayss 1970 計算器用單單顆ICC上市 TI 1970 開發1K DRAAM Intell 1971 發表EPRROM Intell 1972 開發Miccropproccesssor Intell LSI (104) 1973 開發EEPPROMM NCR 1975 日本發表發發展VLLSI計計劃 MITI/NTTT 1976 開發64

9、KK DRRAM - 1978 發表語音合合成ICC TI LSI (104) 積 體 電 路 1980 臺灣新竹科科學園區區設立 臺灣 1980 發表DSPP ICC Bell Labb 1981 發表32 bitt Miicrooproocesssorr AT&T 1982 發表IBMM PCC IBM VLSI (106) 1982 正式生產2256KK DRRAM Bell Labb 1984 開發VRAAM TI 1985 1M DRRAM開開發完成成 IBM/AAT&TT 1986 美日簽定半半導體貿貿易協議議 DOC、MMITII 1986 4M DRRAM論論文發表表 - 19

10、87 16M DDRAMM論文發發表 NTT 1989 第一顆166M DDRAMM開發成成功 Hitacchi/TI 1991 64M DDRAMM論文發發表 Fujittsu等等 1992 16M FFlassh論文文發表 NEC ULSI (1008) 1993 256M DRAAM論文文發表 Hitacchi/NECC 1993 1G DRRAM論論文發表表 NEC GLSI (1009) 資料來源：工研院院經資中中心ITTIS計計劃，220000年9月2-3 半半導體的的分類 半半導體產產品可大大致劃分分為三大大類：分分離式組組件（DDisccrett）、集集成電路路（ICC）與光光

11、電組件件（Oppticcal）等等，其中中IC就占占了半導導體近九九成的比比重，可可謂半導導體的重重心所在在。 就就目前國國內的發發展狀況況，ICC幾乎就就等于是是半導體體的代名名詞，無無論就廠廠商的知知名度或或是產值值的規模模，ICC都遙遙遙領先其其它的光光電組件件或分離離式組件件。ICC雖然屬屬于半導導體家族族中的一一員，但但經過四四十余年年的努力力，卻也也衍生出出成千成成萬種不不同用途途的ICC。為了了便于討討論，將將依 MMonoolitthicc ICC其產品品特性可可概分為為四大類類，分別別為微組組件(MMicrrocoompoonennt)IIC、內內存(MMemoory)IC、

12、邏邏輯(LLogiic) IC和和模擬(Anaalogg)ICC，請參參考圖二二。 圖二半導導體家族族和分類類資料來源：工研院院經資中中心ITTIS計計劃，220000年9月 22-3-1 微微組件IIC 微微組件IIC包括括微處理理器(MMicrroprroceessoor；MPUU)，微微控制器器 (Miccrocconttrolllerr；MCUU)，微微外圍(Miccropperiipheerall；MPRR)和可可程序的的數字訊訊號處理理器(DDigiitall Siignaal PProccesssor；DSPP)四大大族群，如如圖三所示示。來自. . 圖三微組組件ICC家族成成員

13、 資料來源：工研院院經資中中心ITTIS計計劃，220000年9月 2-33-2 內存ICC 內內存ICC是IC家族族中另一一主要成成員，依依其斷電電后，記記憶內容容消失與與否，又又可分為為揮發性性(Voolattilee)和非非揮發性性(Noonvoolattilee)兩大大類外，尚尚有少數數其它類類別ICC，例如如FIFFO(FFirsst IIn FFirsst OOut)內存、雙雙端口(Duaal PPortt)內存存等。不不過，內內存家族族中仍依依Vollatiile和和Nonnvollatiile兩兩者為主主，主要要成員前前者有動動態隨機機存取內內存(DDynaamicc Raan

14、doom AAcceess Memmoryy；DRAAM)和和靜態隨隨機存取取內存(Staaic Ranndomm Acccesss MMemoory；SRAAM)；后者有有光罩式式只讀存存儲器(Massk RReadd Onnly Memmoryy；Massk RROM)、可抹抹除式內內存(EErassablle PProggrammmabble Reaad OOnlyy Meemorry；EPRROM)、電氣氣式可抹抹除內存存(Ellecttriccallly EErassablle PProggrammmabble Reaad OOnlyy Meemorry；EEPPROMM)和快快閃式

15、內內存(FFlassh MMemoory)，請參參考圖四四。由于于內存產產品通常常追求高高集積度度，因此此Bippolaar制程程產品在在此領域域份量極極微。圖四內存存IC家族族成員 資料來源：工研院院經資中中心ITTIS計計劃，220000年9月 2-33-3 邏輯ICC 邏邏輯ICC在IC家族族中算是是較早出出現的產產品，尤尤其標準準邏輯IIC(SStanndarrd LLogiic)應應是ICC家族中中年紀最最大的，其其大半只只提供基基本邏輯輯運算，例例如ANND、OR、NANND等，再再由使用用者自行行組合成成本身電電子產品品所需之之電路特特性。此此一領域域最早由由Bippolaar制

16、程程出發，接接著MOOS產品品跟著出出現，其其后結合合兩者優優點的BBiCMMOS制制程亦廣廣受歡迎迎一陣子子。 2-33-4 模擬ICC 模模擬ICC在IC家族族中可以以算是特特異獨行行的一員員，Biipollar的的制程在在此領域域占有絕絕對優勢勢，和前前述各項項產品(Miccroccompponeent、Memmoryy、Loggic)恰恰相相反。 尤其線線性ICC部份幾幾乎不見見MOSS制程產產品的蹤蹤影，而而Mixxed-Siggnall的產品品由于內內含數字字的訊號號，所以以會有一一些MOOS制程程的產品品。2-4 與與下游產產業的應應用關聯聯 IIC是半半導體產產品的主主要成員員

17、，而半半導體則則是整個個電子零零組件中中，主動動組件的的主力，電電子零組組件又是是組成下下游電子子系統產產品的主主要部份份，這些些半導體體、ICC廣泛應應用于信信息、通通訊、消消費性和和其它各各式電子子產品，見見參考圖圖七所示示。圖七半導導體的下下游應用用 微微電子技技術最近近二十多多年來進進展神速速，促使使下游應應用產品品，不僅僅能在品品質、性性能方面面有所提提升，而而且得以以不斷推推出新的的產品。尤尤其制程程技術進進入到深深次微米米時代，集集積度已已進入UULSII階段，再再加上數數字訊號號處理技技術的成成熟等因因素，已已使諸多多新近推推出的電電子產品品，不易易用傳統統的信息息、通訊訊、消

18、費費性等應應用領域域加以區區分，反反而以33C結合合的產品品型態居居多。例例如：多多媒體(Mulltimmediia)、個個人數字字助理(Perrsonnal Diggitaal AAssiistaant)、Sett-Toop BBox、SONNYss PSS2等產產品，既既有信息息產品的的特質，又又有通訊訊或消費費性產品品的功能能。 一一般外界界仍將半半導體的的應用領領域分成成四大類類，分別別為信息息用、通通訊用、消消費性電電子和其其它等，請請參考圖圖八。 圖八半導導體應用用分類 資料來源：工研院院經資中中心ITTIS計計劃，220000年9月三、半導體體產業的的特性及及重要性性3-1 半半

19、導體產產業的特特性 半半導體是是各種電電子產品品必須使使用的關關鍵性零零組件，此此外，半半導體產產業技術術的發展展也被視視為國家家現代化化的指標標之一，亞亞洲各國國紛紛視視發展半半導體產產業為國國家重大大政策之之一，進進而積極極投入，例例如在 19990 和和 19995 年左右右，就先先后兩次次進行了了大規模模的投資資，因此此也掀起起了內存存產品（特特別是DDRAMM）的旋旋風。 半半導體產產品可說說是技術術密集、資資本密集集行業的的典范。由由于制程程技術的的突飛猛猛進，目目前一顆顆IC中，已已經可以以擠下上上億顆的的晶體管管數量，穆穆爾定律律所謂每每18個月月，相同同面積大大小的芯芯片內，

20、晶晶體管數數量會成成長一倍倍的規則則，正是是這幾年年來，IIC產品品集積度度不斷提提升的最最佳寫照照。 不不過由于于半導體體產品的的開發，必必須集合合無數的的人才、資資金、技技術才能能成功，因因此近年年來，包包括美國國、日本本等先進進國家的的業者，也也都開始始進行跨跨國際的的合作，希希望藉由由廣泛的的策略聯聯盟，來來降低投投資的風風險。半半導體的的單位價價格非常常的高，相相對地，在在營運上上所必須須面臨的的風險（例例如產業業景氣的的巨幅波波動）也也是非常常高的。在在此情況況下，所所謂高風風險、高高利潤，正正是半導導體產業業的經營營特性寫寫照。3-2 半半導體產產業在整整體經濟濟上的重重要性 我

21、我國的半半導體產產業經過過多年的的發展，目目前已稍稍有成就就，僅次次于美國國、日本本、韓國國等三國國，居全全球第四四位的 IC 生產大大國，是是我國最最具發展展潛力的的高科技技產業之之一，在在我國整整體產業業結構中中也占有有重要的的比重。 雖雖然國內內集成電電路產業業的萌芽芽，是自自19666年由由外商來來臺設立立封裝工工廠開始始，但當當時只是是以廉價價的勞力力作為考考量，直直到臺灣灣第一家家晶圓廠廠聯電在在新竹科科學園區區成立后后，才算算正式進進入集成成電路產產業的新新紀元。當當初在工工研院電電子工業業研究所所從事于于技術的的研究開開發，而而科學園園區則提提供一個個完善的的設廠孕孕育環境境，

22、兩者者搭配下下，包括括聯電、臺臺積電、臺臺灣光罩罩、世界界先進等等公司陸陸續衍生生成立，把把臺灣的的半導體體產業帶帶向了世世界競爭爭的舞臺臺，創造造了今日日硅島島的杰杰出成就就。 尤尤其是在在19990年代代開始，國國內多家家半導體體晶圓制制造廠陸陸續成立立，不僅僅帶動IIC上下下游產業業，包括括設計、封封裝、測測試業產產值起飛飛，而且且相關產產業晶圓圓材料、設設備、化化學品、光光罩等業業別也趁趁勢興起起，因而而奠定了了臺灣現現在是全全世界第第四大IIC供應應大國的的杰出地地位。 若若就國民民生產毛毛額 （ G D PP） 的觀點點而言，在在 119999 年時時，我國國電子業業占總體體制造業

23、業的比重重（GDDP基礎礎）為 25.9%，IC則占占電子業業的 119.997%（如如表四所示示）。雖雖然比重重還不算算太高，但但是其影影響力卻卻非常的的大。舉舉例來說說，在國國內的證證券集中中市場或或店頭市市場，IIC相關關類股的的成交量量與價格格走勢，對對于大盤盤都有很很明顯、直直接的影影響，臺臺積電、聯聯電等公公司的資資本額、市市值，更更是國內內上市上上柜公司司中極為為龐大、最最具影響響力的公公司。來自. .表四 ICC 占 GDDP 的的份量 單位： 年度制造業GGDP電子業制制造業電子子業199527.919.817.6199627.922.518.4199727.823.019.

24、0199827.424.419.3199926.425.920.0資料來源：行政院院主計處處，工研研院經資資中心IITISS計劃，220000年9月 此此外，就就國內的的制造業業而言，科科技業已已成為未未來發展展的主力力所在，科科技實力力更是評評估一個個國家競競爭力強強弱的重重要指標標。而新新竹科學學園區可可說是國國內高科科技產業業的重心心所在，尤尤其對臺臺灣的集集成電路路產業而而言，幾幾乎所有有的晶圓圓廠及為為數甚多多的ICC設計業業、測試試業者，均均于科學學園區內內設立有有據點，至至于設在在科學園園區附近近的公司司，也是是多如牛牛毛。因因此，若若要探討討IC產業業在臺灣灣的重要要性，那那么

25、拿它它來與全全國科技技重心所所在的新新竹科學學園區的的其它高高科技產產業一并并比較，應應該是個個相當好好的指標標。 在在今日的的新竹科科學園區區六大產產業中，單單單集成成電路產產業的營營業額高高達新臺臺幣3,6088元，就就占園區區總產值值6,5509億億的555.433%，比比重之大大、貢獻獻之高，以以上數字字說明一一切（參參考表五五,表六,表七,表八,表九）。而而在園區區六大產產業的總總研發經經費2445億元元中，集集成電路路產業更更占了其其中的668.773%，在在園區實實收資本本額5,6600億元中中，集成成電路產產業也占占了711.766%，因因此，若若說臺灣灣的產業業應該朝朝向資本

26、本密集、技技術密集集的路線線來發展展，那么么由以上上數據來來看，集集成電路路產業正正可以說說是其中中的典范范了。 表五 科科學園區區歷年勞勞動生產產力分析析依產業業類別區區分 單位:新臺幣幣百萬元元/人 年產業類別 平均 集成電路 計算機及外外圍 通訊光電精密機械 生物技術 1995 6.58 10.9 4.18 3.07 2.39 0.87 7.08 19965.32 8.55 4.39 3.26 2.58 1.11 5.8 19975.3 8.17 5.56 3.98 2.64 1.35 5.84 19985.6 9.62 5.12 3.89 4.83 1.55 6.26 19997.47

27、 12.155 6.11 4.63 4.12 1.57 7.86 資料來源：科學園園區管理理局，220000年9月 表六 科科學園區區歷年就就業員工工數之成成長-依教育育程度區區分單位:人 年 教育程度 總計 平圴年齡 博士 碩士 學士 專科 高中 其它 1995 521 4,8377 7,8522 9,6244 16,0112 3,4111 42,2557 30.1 1996 699 6,6999 10,8775 13,8443 18,2339 4,4511 54,8006 30.555 1997 839 8,4888 12,9550 17,4009 21,7880 6,9444 68,41

28、10 30.588 1998 985 10,0333 14,3229 19,1777 23,0229 5,0700 72,6223 31.111 1999 1,0788 13,4994 17,9773 19,6118 25,3110 5,3499 82,8222 31.355 資料料來源：科學園園區管理理局，220000年9月 表七 科科學園區區歷年就就業員工工之成長長-依依產業別別區分單位:人 年 產業類別 總計 集成電路 計算機及外外圍 通訊 光電 精密機械 生物技術 1995 22,4996 11,1448 4,0711 3,2700 1,0411 231 42,2557 1996 29

29、,5110 14,1887 4,3855 5,3866 1,0700 268 54,8006 1997 37,6881 17,2663 4,8777 6,9944 1,2955 300 68,4110 1998 41,2553 16,6223 5,1700 7,6577 1,5544 366 72,6223 1999 48,2884 16,5229 5,2999 11,1110 1,1655 435 82,8222 資料來源：科學園園區管理理局，220000年9月 表八 科科學園區區營業額額之成長長-依產業業別區分分單位:臺幣幣億元 年產業類類別總計 成長率 % 集成電路計算機及外外圍 通訊光

30、電精密機械生物技術1995 1,4799.500 1,2155.444 170.002 100.229 24.922 2.01 2,9922.188 68.322 1996 1,5700.533 1,2122.377 192.663 175.334 0.27 2.47 3,1811.477 6.36 1997 1,9988.844 1,4099.622 271.332 278.449 34.144 4.04 3,9966.466 25.611 1998 2,3088.299 1,5988.944 264.448 297.66 75.022 5.69 4,5500.022 13.877 1999

31、 3,6088.011 2,0088.966 323.999 513.888 47.955 6.65 6,5099.444 43.1 資料來源：科學園園區管理理局，220000年9月 表九 科科學園區區歷年研研究發展展經費之之支出-依產產業類別別區分單位:新臺臺幣百萬萬元 項目 年 產業類別 總計 集成電路 計算機及外外圍 通訊 光電 精密機械 生物技術 研發經費 1988 412 1,1911 276 17 16 16 1,9288 1989 777 1,3755 250 38 84 17 2,5366 1990 1,2944 1,5988 411 38 68 20 3,4299 1991

32、1,4399 2,0588 498 132 60 17 4,2044 1992 1,9500 1,5800 578 178 133 39 4,4588 1993 3,5166 1,6333 698 230 168 48 6,2933 1994 4,6488 2,0277 954 484 154 79 8,3466 1995 7,4288 2,8477 1,2011 785 223 86 12,5770 1996 11,6889 3,7844 1,1100 974 185 82 17,8224 1997 15,9999 4,7633 2,0388 1,4122 172 119 24,5003 1

33、998 21,8881 5,9822 1,6877 1,8822 242 160 31,8334 研發經費 /營業額(%) 1988 6.7 4.5 6.6 3.7 6.1 3.8 5.1 1989 6.7 4 3.7 2.8 19.1 2.4 4.6 1990 9 4.6 3.2 3.5 9.8 3.9 5.4 1991 6.8 6.2 3.8 7.4 11.4 3 6 1992 6.4 4.1 5.7 13.3 10.5 8.4 5.4 1993 6.3 3 5.2 6.5 10.4 16.7 4.9 1994 5.5 2.8 6.6 9.3 6.5 19.1 4.6 1995 5 2.3

34、 7.1 7.8 8.9 42.8 4.2 1996 7.4 3.1 5.8 5.6 6.7 27.5 5.6 1997 8 3.4 8.5 5.2 5.1 30.3 6.2 1998 9.49 3.85 5.52 6.6 3.23 21.5 7.03 資料來源：科學園園區管理理局，220000年9月 3-3 臺臺灣產業業現狀及及整體表表現 根根據臺灣灣半導體體協會（TSIA）第三季問卷調查結果，今年第三季我國IC總體產業產值（含設計、制造、封裝、測試）為新臺幣二千二百三十三億元，較去年同期成長三五七，季成長率則達二一，其中封測廠第三季營運均大幅躍進，總產值也有二成以上成長幅度，是國內各次產業

35、中最佳的。由于市場景氣仍持續好轉，今年第四季我國IC總體產業產值可達二千五百三十六億元，季成長率可維持在一四六幅度。 3-3-11 我國國半導體體次產業業成長高高于全球球 根根據TSSIA統統計，因因半導體體市場景景氣復蘇蘇推動，第第三季我我國半導導體業均均有不錯錯的營運運表現，其其中設計計業產值值為五百百億元，較較去年同同期成長長三八二；制造業業為一千千三百零零九億元元，較去去年同期期成長三三六七七；封封裝業為為三百一一十五億億元，較較去年同同期成長長二七八；測試業業為一百百一十億億元，年年成長率率達三六六一。整體體來說，第第三季各各次產業業季成長長率介于于一七至三一一不等等，明顯顯高于全全

36、球半導導體各次次產業平平均成長長率。 3-3-22 消費費性、計計算機相相關芯片片 推新品品 若分分析各次次產業成成長動力力，第三三季通常常仍是消消費性芯芯片與計計算機相相關芯片片的銷售售旺季，加加上主要要廠商在在新產品品上的布布局陸續續推出成成果，例例如DVVD播放放機單芯芯片、數數字相機機芯片、數數字電視視芯片等等，持續續挹注相相關業者者營收；同時國國內LCCD廠出出貨量大大增，LLCD驅驅動及控控制芯片片業者也也不錯斬斬獲；至至于利基基型內存存產品部部份，繪繪圖卡用用DDRR的需求求提升，挹挹注國內內存儲器器設計業業者營收收。 3-3-33 晶圓圓代工接接單表現現 與上季季持平 在晶圓代

37、工工部份，第第三季臺臺積電在在信息、通通訊、消消費性等等3C產品品線接單單較第二二季明顯顯提升，產產能利用用率、晶晶圓出貨貨片數持持續成長長，營收收季成長長率達一一成。聯聯電接單單上雖有有聯電集集團ICC設計公公司、國國外繪圖圖芯片等等訂單挹挹注，但但通訊產產品線接接單量下下滑，所所以第三三季表現現與第二二季持平平。 在在DRAAM部份份，國內內DRAAM業者者在十二二吋廠產產能及良良率不斷斷提升，以以及制程程技術進進一步微微縮的推推進之下下，DRRAM產產出顆粒粒持續增增加，此此外，計計算機大大廠對于于景氣抱抱持較正正面的看看法，DDRAMM價格獲獲得推升升，所以以DRAAM廠第第三季營營運

38、均轉轉虧為盈盈。 在后段段封裝測測試市場場部份，在在國際IIC設計計公司、整整合組件件制造廠廠（IDDM）大大舉釋出出封測委委外代工工訂單下下，業者者接單量量大增，產產能利用用率也沖沖上滿載載，包括括高階封封測、DDRAMM封測等等合約價價都順利利調漲，因因此封測測廠第三三季營運運均大幅幅躍進，總總產值季季成長率率也有二二成以上上成長幅幅度，是是國內各各次產業業中最佳佳的。3-4 我我國ICC產業的的競爭力力:過去我國IIC產業業之所以以能在國國際上占占有一席席之地，一一則是特特有的垂垂直分工工之產業業體系，另另一則是是擁有高高素質的的工程師師。在快快速變遷遷的產業業環境，以以及日益益擴大的的

39、資本設設備支出出需求之之下，我我國獨特特之專業業分工體體系，從從設計、制制造、封封裝和測測試等上上下游環環節相互互支持下下，應該該具有相相當高的的國際競競爭力。 一方面是完完整半導導體產業業煉之群群聚效果果顯著，尤尤其專業業晶圓代代工制造造業實力力堅強，可可帶動上上下游產產業發展展；廠商商營運也也以富彈彈性、相相對成本本優勢著著稱。另另一方面面，我國國IC產業業在下游游PC產業業之奧援援下，也也使得整整體產業業得以持持續成長長。然而而我們也也必須注注意到，由由于國內內IC產品品同構型型過高，加加上技術術上在模模擬、高高頻、系系統等領領域相對對薄弱，這這方面我我國業者者仍應加加強與國國外公司司技

40、轉或或合作，以以縮短與與先進國國在技術術上的差差距，并并提高產產品的附附加價值值。 3-5 產產業面臨臨之問題題與挑戰戰臺灣信息產產業近年年來外移移情況嚴嚴重，大大陸急起起直追，其其計算機機硬件產產值已超超越臺灣灣，登上上世界第第三寶座座。在IIC制造造業方面面，大陸陸已量產產的晶圓圓廠包括括8吋廠一一座，及及6吋廠、55吋廠數數座，產產能供給給能力遠遠低于內內需市場場的需求求，因此此進口替替代是其其發展重重點，同同時也藉藉由龐大大的內需需市場來來吸引包包括臺灣灣在內的的全球主主要大廠廠進駐，以以內需市市場作為為主要的的談判籌籌碼；在在封裝、測測試方面面，目前前大陸尚尚未有專專業的測測試廠（以

41、以隸屬于于封裝廠廠為主），因因此，短短期內臺臺灣雖仍仍保有一一定的優優勢，但但長期來來看，應應積極發發展附加加價值高高的科技技相關產產業，已已強化臺臺灣本土土廠商的的優勢，達達到根留留臺灣，放放眼全世世界的目目標。 四、各主要要國家概概況4-1 日日本ICC產業發發展 日日本半導導體業的的發展始始于19963年年。當年年日本電電氣公司司（NEEC）自自美國FFairrchiild公公司取得得plaanarr teechnnoloogy的的授權。日日本政府府要求NNEC將將取得的的技術和和國內其其它廠商商分享。由由此項技技術的引引進，日日本的NNEC、三三菱、京京都電氣氣等乃開開始進入入半導體體

42、產業。 日日本半導導體業的的起飛在在19770年代代，其主主要的支支撐力量量來自桌桌上型計計算器（calculator）的大幅成長。日本業界原使用雙極集成電路（bipolar IC）生產桌上型計算器所須的IC，該項技術德儀居領導地位；但RCA公司所開發的MOS（metal oxide semiconductor）技術為業界提供新選擇。雖然雙極IC的速度較快，但MOS IC較省電，而且技術復雜的程度較低。NEC率先投入MOS IC的開發，以避開和德儀競爭，并在日本國內市場取得領先地位。 在在19770年代代日本半半導體業業界大量量投入MMOS技技術的開開發及設設備投資資。例如如在19973年年的

43、設備備投資較較19772年增增加655%，而而營業額額亦成長長46%，R&DD的投入入則占記記憶性半半導體（MOS技術的主要用途）的19.7%（包括政府的補助金）（Keith and Wheatley 1991）。但1970年代的發展主要仍以供應國內需求為主，尤其是桌上型計算器的內存需求。除此之外，日本業界也以bipolar的技術開發出音響及電視機使用的線性集成電路（linear IC），并開始運用CMOS（complementary metal oxide semiconductor）于電子表等用途。1976-1979年日本業界在政府支持下投入超大規模集成電路（VLSI）的研發，因而在CMO

44、S的技術上有所突破。 119799年是日日本半導導體業發發展的突突破點，當當年日本本出口的的隨機存存取內存存（RAAM）大大幅增加加，主要要是當年年IBMM出人意意表的決決定自市市場購入入16KK的RAMM，過去去IBMM的重要要零件一一向采內內制的策策略。在在此同時時，領導導廠商德德儀在生生產上出出現良率率的問題題，而其其它廠商商如Inntell又對RAAM的生生產減碼碼，造成成美國國國內市場場供不應應求的現現象，日日本廠商商乃大舉舉進入美美國市場場。在119799年日本本廠商在在美國116K RAMM市場的的占有率率達到440%，以以NECC、日立立及富士士通為最最主要供供應者；美國廠廠商

45、則僅僅Mosstekk保持市市場占有有率第一一的位置置。 自自19880年代代開始，日日本廠商商以大量量投資、大大量生產產的策略略，在RRAM市市場，尤尤其是DDRAMM市場上上取得絕絕對的優優勢地位位。不僅僅在美國國市場、在在歐洲及及亞洲市市場也都都居于領領先地位位。美國國廠商在在日本的的強力競競爭下，紛紛紛退出出DRAAM的生生產，包包括Faaircchilld、Nattionnal Semmicoonduuctoor、Mottoroola等等均自DDRAMM市場上上撤退。1986年美國政府透過貿易談判要求日本業界減少對美國半導體的出口，并開放國內市場，使外國半導體在日本市場的占有率達20

46、%。此項美日半導體協議為起步較晚，搖搖欲墜的韓國半導體業開啟了一扇大門，使韓國半導體銷售大幅成長。 119900年代是是韓國半半導體業業大幅成成長的時時期，119933年韓國國半導體體的龍頭頭三星首首度取得得全世界界DRAAM生產產量第一一的寶座座，壓倒倒日本的的NECC。日本本半導體體雖然面面臨韓國國的強烈烈競爭，但但在19995年年之前，成成長仍然然相當良良好。但但19996年后后世界半半導體景景氣陷于于低迷，日日本業界界開始出出現大幅幅赤字，引引發了一一波大幅幅度的產產業重整整。許多多主要生生產廠商商如三菱菱、沖電電氣決定定退出DDRAMM的生產產；日立立、東芝芝、富士士通均開開始調整整

47、策略，降降低DRRAM生生產的比比重并增增加委外外生產的的比例，這這波調整整風潮造造就了和和臺灣半半導體廠廠商密切切合作的的機會（詳詳第三章章第三節節），也也使得日日本廠商商在全球球DRAAM的市市場占有有率由119800年代中中期的990%下下跌到119999年的255%左右右。19999年年日本各各大半導導體廠雖雖在DRRAM及及其它內內存價格格上漲及及景氣回回復下，紛紛紛由虧虧轉盈，但但日本前前幾年設設備投資資的下滑滑，已影影響到日日本半導導體產業業的競爭爭力，日日本業界界為提升升產品的的國際競競爭力，除除了聯合合國內同同業合資資設廠，如如NECC與日立立合資成成立DRRAM制制造廠，也

48、也將未來來生產的的重心轉轉移到系系統LSSI及閃閃存等其其它非主主流產品品上，以以期取得得市場競競爭優勢勢，并降降低公司司財務受受DRAAM價格格大起大大落影響響的程度度。4-2 韓韓國ICC產業發發展的歷歷程 韓韓國半導導體業的的發展始始于19974年年，在一一位韓裔裔的美國國工程師師Ki-donng KKongg的推動動下，由由一家韓韓國企業業Korrea Enggineeeriing andd Maanuffactturiing Co.與美國國企業IInteegraatedd Ciircuuitss Innterrnattionnal Incc.合資資設立韓韓國半導導體（KKoreea

49、SSemiiconnducctorr），由由韓方及及美方各各持股一一半。嗣嗣后三星星電子公公司于119755年買下下韓方550%的的股權，并并于19978年年買下美美方另550%的的股權，使使韓國半半導體成成為三星星的子公公司并改改名為三星半半導體通通信公司司。三三星半導導體開始始時以生生產電子子表、微微波爐、計計算器等等使用的的IC為主主，并在在19778年開開發出線線型ICC的技術術（Hoong 19997, p.992）。三三星半導導體的出出現是韓韓國半導導體業發發展的里里程碑，因因為自此此開始韓韓國半導導體業的的發展即即以財團團為中心心而展開開。 除除三星之之外，金金星社（Goldst

50、ar）先在1975年成立半導體事業部，其后在1979年設立金星半導體（Goldstar Semiconductor）為獨立公司，購并大韓電線電纜（Taehan Electric Wires）于1976年設立的大韓半導體（Taehan Semiconductor），并自日本富士通取得技術授權。另外一家大財團現代，則直到1982年才宣布大舉投入半導體產業，在此之前現代完全沒有電子業生產的經驗。韓國半導體業早期的生產技術主要來自美、日兩國。三星電子于1983年在美國硅谷設立子公司Tristar Semiconductor，投資600萬美元，招募技術人員從事半導體技術的研發。金星則于1981年派遣大批

51、技術人員到美國的Western Electric及Honeywell移轉技術，并于1986年接收韓國電子技術研究所（KIET）的IC實驗工廠，并與日本的日立簽約，引進1M及4M DRAM的技術，同時為日立代工生產DRAM。現代也于1984年在美國硅谷設立Modern Electrosystems，從事半導體技術的開發。在1982-1986年間，韓國半導體業共與外國企業簽署了53項技術移轉合約（Hong 1997, p.101），大部份來自美國及日本。例如三星即簽署了19項技術引進合約，包括自日本Sharp引進16K SRAM技術，自美國Micron引進64K及256K DRAM技術，自美國SS

52、I引進64K SRAM、64K EPROM、1M DRAM技術等。來自. . 韓韓國半導導體業自自開創開開始即慘慘淡經營營，赤字字累累，在在19885年因因世界半半導體市市場的低低迷，經經營更陷陷入困境境。那時時市場的的主流產產品644K DDRAMM的價格格，由119844年時的的每顆44美元跌跌到19985年年只剩00.8美美元，但但韓國半半導體業業在大財財團的支支持下仍仍然繼續續投資。終終于在119866年因為為美日半半導體協協議，日日本半導導體廠商商減產，使使國際半半導體價價格回升升，同時時由于日日本業者者出口的的受限，使使韓國業業者搶占占美國及及日本的的市場，因因而得以以起死回回生。

53、 在在產品的的策略方方面，三三星自119800年代初初期即將將主力產產品設定定為DRRAM，自自Shaarp與與Miccronn等引進進技術后后，大力力投入DDRAMM的開發發，自119844年推出出64KK DRRAM以以來，即即不斷投投資以擴擴大產能能，取得得最新的的生產技技術。119855年遭遇遇世界性性半導體體市場的的低迷，1986年因美日半導體協議獲得喘息機會，但1987年又景氣低迷，三星仍持續投資于256K（于1985年開始量產）及1M DRAM的技術開發，1988年半導體業景氣復蘇，三星因為設備投資已完成，乃順利進入1M DRAM的量產；1990年三星開始量產4M DRAM，并取

54、得市場的領先地位。三星選擇DRAM為主力產品，是基于下述三項理由（Kim, 1998）：1. 市場規模DRAM市場規模很大，因此發展潛力大。三星曾經考慮SRAM，但因SRAM市場規模小而放棄。2. 日本經驗日本半導體業亦以DRAM為主力產品，成功的以后進國追上美國的技術。3. 技術考量相對于微處理器（microprocessor）或特途用途（application-specific）IC而言，DRAM所需的設計技術較為單純，三星認為在可行的范圍之內。其它半導體業者在開始時或有不同考量，但后來都殊途同歸。例如現代在開始時選擇SRAM為主產品，以回避和日本業者的直接競爭，但后來難以有所突破，乃于1

55、985年轉換軌道，改以DRAM為主產品，并以代工生產為主策略。自1986年開始，現代先后為通用器材（General Instrument）的EPROM及德儀（Texas Instruments）的256K DRAM代工，這項代工業務終于使現代自1988年開始轉虧為盈。 金金星在開開始時選選擇以邏邏輯產品品為主力力，產品品相當分分散，而而且以供供應企業業內的需需求為主主，但此此一策略略亦遭致致失敗。金金星看到到三星在在DRAAM方面面的成功功，所以以也自119899年開始始轉入DDRAMM的生產產。為了了追趕上上三星，金金星自日日本日立立公司引引進DRRAM技技術，并并且為日日立代工工生產。 韓

56、韓國半導導體廠以以DRAAM為主主力產品品，并在在市場占占有重要要地位。以以19998年為為例，三三星所生生產的DDRAMM在世界界市場的的占有率率為155.4%，居世世界第一一位；現現代的DDRAMM占有率率亦達111.44%，居居世界第第三位，LG的世界市場占有率則為7.9%，居世界第五位。三家韓國半導體廠合計，在DRAM市場的占有率為34.7%，穩居世界領先地位。 119988年韓國國因遭遇遇嚴重的的金融危危機，各各大財團團在政府府強力的的要求下下，紛紛紛進行大大幅度的的改革與與重整。由由于資金金取得困困難，加加上全球球半導體體市場仍仍不景氣氣，使得得19998年韓韓國半導導體大廠廠均減

57、緩緩投資的的腳步；但隨著著19999年半半導體景景氣的復復蘇及韓韓國主要要產品DDRAMM價格的的大漲，使使得韓國國半導體體廠均大大賺其錢錢，并大大幅增加加對設備備及研發發的投資資，以三三星為例例，19999年年半導體體的設備備投資高高達188億美元元，高于于任何一一家日本本半導體體大廠。韓韓國雖然然經過金金融風暴暴的洗禮禮，但幸幸運的是是剛好碰碰到半導導體的景景氣復蘇蘇，讓韓韓國廠商商有一喘喘息的機機會，而而設備投投資能力力的增加加已避免免其在國國際競爭爭的賽局局中提早早出局。五、臺灣的的主要廠廠商來自自.資料搜搜索網 . .5-1公司司概況 臺臺灣ICC廠商的的信用強強度差異異甚大。最最大

58、的兩兩家廠商商臺積電電與聯電電，獨占占鰲頭，不不論在客客戶關系系、生產產管理、產產能以及及制程技技術上均均相當強強健。相相較之下下，部份份較小的的業者則則因仰賴賴統一規規格化的的DRAAM生產產，以及及龐大的的權利金金費用，因因此業務務風險較較高。5-2 臺臺灣主要要半導體體大廠5-2-11 臺積積電 臺臺積電成成立于民民國19987年年，是世世界最大大的晶圓圓代工廠廠商，同同時也是是臺灣半半導體代代工業務務的先鋒鋒。該公公司目前前擁有兩兩家6英吋的的晶圓廠廠與3家8英吋的的晶圓廠廠，并且且計劃在在未來幾幾年內積積極的擴擴充產能能。臺積積電過去去一向保保持強健健的資產產負債表表與高營營運獲利利

59、，但最最近的財財務表現現仍免不不了受到到產業景景氣趨緩緩的影響響。臺積積電公布布19998年的的凈獲利利為新臺臺幣1553億元元，比前前一年的的新臺幣幣1799億衰退退。19998年年的總銷銷售收入入為新臺臺幣5002億元元，比前前一年的的4399億元高高。5-2-22聯電 聯聯電成立立之初，原原本以生生產計算算機及IIC通訊訊產品為為主，現現已轉型型為專精精于晶圓圓代工的的廠商。聯聯電借著著與主要要的ICC設計公公司建立立合資關關系，以以確保未未來的晶晶圓代工工需求。未未來聯電電將增加加三個00.255微米的的8吋晶圓圓廠，使使19999年的的8英吋晶晶圓生產產量應可可加倍成成長。聯聯電的凈

60、凈現金部部位相當當強，但但獲利卻卻正在惡惡化。該該公司最最近向下下修正了了19998年的的稅前獲獲利為新新臺幣442億元元，較119977年減少少了577%。管管理階層層認為獲獲利下降降是由于于全球DDRAMM需求的的不振，以以及單位位產品價價格與外外匯波動動所致。5-2-33 華邦邦電子 華邦電電子成立立于19987年年，屬于于華新麗麗華集團團。該公公司的主主力產品品原本是是SRAAM（靜靜態隨機機存取內內存），不不過，為為了追求求長期成成長及產產品多元元化，該該公司也也開始跨跨入DRRAM生生產領域域。在日日本東芝芝的技術術協助下下，華邦邦電子建建造了兩兩座8英吋的的晶圓廠廠，以生生產64