1、IGBT 耗散功率計(jì)算不管是正常負(fù)荷還是超負(fù)荷，IGBT安全工作必須確保結(jié)溫Tj不超過(guò)T一 關(guān)于IGBT及損耗IGBT模模塊由IIGBTT本部和和續(xù)流二二極管FFWD組組成，各各自發(fā)生生的損耗耗的合計(jì)計(jì)為IGGBT模模塊整體體損耗；同時(shí)，IIGBTT的損耗耗又分為為通態(tài)（穩(wěn)穩(wěn)態(tài)）損損耗和交交換（開(kāi)開(kāi)關(guān)）損損耗。通態(tài)損耗可可通過(guò)穩(wěn)穩(wěn)態(tài)輸出出特性計(jì)計(jì)算；交換損耗可可通過(guò)交交換損耗耗-集電電極電流流特性來(lái)來(lái)計(jì)算。二 IGGBT（本本部）耗耗散功率率計(jì)算通態(tài)功耗的的計(jì)算IGBT通通態(tài)平均均功耗是是Psat通態(tài)損耗近近似是PV IDPWM應(yīng)用用時(shí)，近近似通態(tài)態(tài)損耗Psat開(kāi)關(guān)損耗計(jì)計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗精精確計(jì)算

2、算：測(cè)量量開(kāi)關(guān)過(guò)過(guò)程中IC和VCE的的波形，對(duì)對(duì)其進(jìn)行行積分（積積分時(shí)間間是開(kāi)通通時(shí)間TON或開(kāi)通損耗：P關(guān)斷損耗：PswiCtVCEsat的積分面積積是以焦焦耳為總的開(kāi)關(guān)損損耗是開(kāi)開(kāi)通與關(guān)關(guān)斷過(guò)程程所損耗耗能量之之和，平平均開(kāi)關(guān)關(guān)損耗是是單位脈脈沖開(kāi)關(guān)關(guān)損耗與與開(kāi)關(guān)頻頻率相乘乘后得到到：P實(shí)際上EON和Eoff可可由交換換損耗-集電極極電流特特性曲線線來(lái)估大多數(shù)IGGBT都都會(huì)提供供交換損損耗與集集電極電電流特性性曲線，如如下圖：依據(jù)IGBBT實(shí)際際流過(guò)的的電流值值，查曲曲線得到到EON和Eoff，即可可計(jì)算平平均開(kāi)關(guān)關(guān)損耗：IGBT本本部總損損耗是通通態(tài)損耗耗和開(kāi)關(guān)關(guān)損耗之之和P三 IGB

3、BT(FFWD-二極管管部)功功率損耗耗P四 VVVVF變頻頻器中IIGBTT模塊的的功耗計(jì)計(jì)算在SPWMM調(diào)制的的變頻器器中，IIGBTT的電流流值及占占空比經(jīng)經(jīng)常變換換，使得得功耗計(jì)計(jì)算很困困難。以下是估算算公式：1每一個(gè)IIGBTT的平均均通態(tài)損損耗P2 每一個(gè)個(gè)IGBBT的平平均開(kāi)關(guān)關(guān)損耗P3 每一個(gè)個(gè)橋臂IIGBTT的總功功耗P4 反并聯(lián)聯(lián)續(xù)流二二極管的的通態(tài)平平均功耗耗P5 每一個(gè)個(gè)IGBBT總功功耗 P計(jì)算舉例條件：IGBT：euppec 公司型號(hào)：FZZ12000R333KFF2C開(kāi)關(guān)頻率220kHHz;功率因素cos=00.8；SPWM變變頻器，4400KKva,3200kW。占空比D=50%工作電流IIC=6600AA峰值電流IIcp=6000*2查IGBTT手冊(cè)EON=10000Eoff=900VCEsat=2.5以下是計(jì)算算：則每一個(gè)IIGBTT通態(tài)損損耗：P =60022.5(1每一個(gè)IGGBT開(kāi)開(kāi)關(guān)損耗耗：P續(xù)流二極管管損耗：PFWDIGBT模模塊總損損耗：P=6*再加上整流流損耗，控控制系統(tǒng)統(tǒng)損耗，此此計(jì)算表表明變頻頻器總損損耗在880kWW左右。效率80/4000=00.21-0.22=800%變頻器效率率80%。計(jì)算結(jié)果顯顯示變頻頻器效率率極低，此此計(jì)算是是否合適適或者說(shuō)說(shuō)是否合合理，