1、高電壓技術考題流注理論未考慮 B 先導通道的形成是以 C電暈放電是一種 A稱為 C 。的氣象條件？ D 。 SF6氣體具有較高絕緣強度的主要原因之一是 D_高電壓技術考題流注理論未考慮 B 先導通道的形成是以 C電暈放電是一種 A稱為 C 。的氣象條件？ D 。 SF6氣體具有較高絕緣強度的主要原因之一是 D_沖擊系數B 放電電壓與靜態放電電壓之比在高氣壓下，氣隙的擊穿電壓和電極表面 有很大關雷電流具有沖擊波形的特點： C 在極不均勻電場中，正極性擊穿電壓比負極性擊穿電壓 A A.B(11)下面的選項中，非破壞性試驗包括_ADEG ，破壞性實驗包括 A.定度？ ABCDC 需進行氣壓和溫度的校

2、正D交流峰值電壓表的類型有： D關于以下對測量不確定度的要求，說法正確的是： A不確定度應不超過C8的紋波幅值 沖擊電壓發生器基本回路的元件有沖擊電容 C1，C2電阻 R1 和波交流峰值電壓表的類型有： D關于以下對測量不確定度的要求，說法正確的是： A不確定度應不超過C8的紋波幅值 沖擊電壓發生器基本回路的元件有沖擊電容 C1，C2電阻 R1 和波尾電阻 R2，為了獲得一很快由零上升到峰值然后較慢下降的沖擊電壓，應使_ B_ 。CC1C2、DC1C2、(18) 電容分壓器的低壓臂的合理結構是_ACD 。 箱C. 電纜輸入端應盡可能靠近電容C2(19).光電測量系統有哪幾種調制方式： ABCD

3、 B. 調頻光強度調制D.波，當末端短路時，以下關于反射描述正確的是 0，電流增大一倍 (21) C_。 (22) 減少絕緣介質的介電常數可以 電纜中電磁波速度(23) 根據我國有關標準，220kV線路的繞擊耐雷水平是_避雷器到變壓器的最大允許距離 A 對于500kV線路，一半懸掛的瓷絕緣子片數為 (23) 根據我國有關標準，220kV線路的繞擊耐雷水平是_避雷器到變壓器的最大允許距離 A 對于500kV線路，一半懸掛的瓷絕緣子片數為 (27) 在放電廠和變電站中，對直擊雷的保護通常采用哪幾種方式？ C(28) 空載線路合閘的時候，可能產生的最大過電壓110kV220kV 系統中，為絕緣的相對

4、地操作過電壓的倍數為A4.0B3.5C3.0D2.75(30) 空載線路合閘過電壓的影A合閘相D單相自動重合以下屬于操作過電壓的A工頻電 (2) 根據巴申定律，在某一PS值下，擊穿電壓存極值。對支持絕緣子，加均壓環能提高閃絡電壓的原因是改善(電極附近)電場分沿面放電就是沿固體介質 表面氣體中發生的放電越易吸濕的固體，沿面閃絡電壓就越_ 提高_常規的防污閃措施有： 傳輸線路的波阻抗長度電感和電容有關，與 線路長度無關在末端開路的情況下，波發生反射后，導線上的電壓會 3) 導線電阻和線路對地電導大地電阻和 地中電流等值深度的影響 、沖擊電暈的影響 。Z1、Z2兩不同波阻抗的長線相連于A點，行波在A

5、點將發生折射與反射，反射系數的 取值范圍為_ 11落雷密度是指 每雷暴日中每平方公里地面內落雷的次雷電波的波頭范圍一般在 1us到 5us傳輸線路的波阻抗長度電感和電容有關，與 線路長度無關在末端開路的情況下，波發生反射后，導線上的電壓會 3) 導線電阻和線路對地電導大地電阻和 地中電流等值深度的影響 、沖擊電暈的影響 。Z1、Z2兩不同波阻抗的長線相連于A點，行波在A點將發生折射與反射，反射系數的 取值范圍為_ 11落雷密度是指 每雷暴日中每平方公里地面內落雷的次雷電波的波頭范圍一般在 1us到 5us中，通常建議采用_ 2.6us _長度的雷電流波頭長度。埋入地中的金屬接地體稱為接地裝置，

6、其作用是_ 降低接地電阻 。 40 。(16)對于 500kV 的高壓輸電線路，避雷線的保護角15 。 標來衡量 。GIS 雷電沖擊水平 降低桿塔接地電阻是提高線路耐雷水平防反的有效措施連接點之間的距離不得小于_ 我國 35220kV 電網的電氣設備絕緣水平是以避雷器在中性點非直接接地系統中，主要的操作過電壓是 弧光接地過電壓 34 壓系統中多采用_ _單相重合閘要想避免切空線過電壓，最根本的措施就是要 改進斷路器的滅弧性能_。采用閥型避雷器 。 比較雷擊沖擊耐受電壓和操作沖擊耐受 最大工作電壓 來決定：1、氣體擊穿：氣體由絕緣狀態變為導電狀態的現象稱為擊穿。3、氣體擊穿：氣體由絕緣狀態變為導電狀態的現象稱為擊穿。11、非自持放電：需要依靠外界游支持的放電11、非自持放電：需要依靠外界游支持的放電稱為非自持放電。答：波阻抗ZZ=u/I。和電阻一線的電阻是與線路長度成正比的；（2）組5m，試設計避雷針的高度。解：hxh/2,P=1rx=(h組5m，試設計避雷針的高度。解：hxh/2,P=1rx=(hhx)Ph=15,hxh/2,解的h一致。即 h=15m答：作用：(1)線路絕緣，提高線路絕緣即提高絕緣子串的 50%沖擊閃絡電壓。 (2)Ri,Ri，提高