1、8-8-現(xiàn)在仍以KDP晶體為例，現(xiàn)在仍以KDP晶體為例，設(shè)x、y、晶體的主軸光沿Z方向入射，其電矢量E沿x方向振動(dòng)ExKzy沿z加電壓后晶體的主軸-xEx、y、入射光波的E矢量在晶體沿z加電壓后晶體的主軸-xEx、y、入射光波的E矢量在晶體中分解為x和y 兩個(gè)方向的振動(dòng).zKy兩分量的相位差3n Ez63 xycn 3E 3nEz-xE3nEz-xE由式看出與說(shuō)明距zKEyz入射偏振光沿z方向射入，偏振方向?yàn)閤,外加電場(chǎng)在z方向,則在此晶體中入射光會(huì)分解為兩同一方向(z的兩束光設(shè)均勻平面設(shè)均勻平面電磁波向+z方ExExm cos(txEyEym cos(ty 場(chǎng)量表達(dá)式中ExmEym,x,y

2、x y 0或1x y 0或12、當(dāng) xy23、兩個(gè)頻率相同KDP晶體中光波的偏振態(tài)的變化3nEzzExKDP晶體中光波的偏振態(tài)的變化3nEzzExzzx-fgahci線(xiàn)偏振橢圓偏振圓偏振 橢圓偏振線(xiàn)偏在i 點(diǎn)處，=，光矢量變?yōu)檠貀方向的偏振光，相對(duì)于入射偏振光旋轉(zhuǎn)了900當(dāng)光波的兩個(gè)垂直分量,的光程差為半個(gè)波長(zhǎng)(差為)時(shí)所需要加的電壓，稱(chēng)為“半波電壓”，通當(dāng)光波的兩個(gè)垂直分量,的光程差為半個(gè)波長(zhǎng)(差為)時(shí)所需要加的電壓，稱(chēng)為“半波電壓”，通常以V 或由(19)2 c0V2332n率就小。半波電壓通常可用靜態(tài)法(加直流電壓)值。下表為 KDP型(42m晶類(lèi))6半波電壓和電光系數(shù)（波長(zhǎng)0.55um

3、）KDP型(42m晶類(lèi))晶KDP型(42m晶類(lèi))晶體的半波電壓(波長(zhǎng)6振幅調(diào)相位調(diào)在實(shí)際應(yīng)用中，電光晶體總是沿著相對(duì)光軸的某些特殊方向切割而成的，而且外電場(chǎng)也是沿著某一主軸方一種是電場(chǎng)方向與光束在晶體中的在實(shí)際應(yīng)用中，電光晶體總是沿著相對(duì)光軸的某些特殊方向切割而成的，而且外電場(chǎng)也是沿著某一主軸方一種是電場(chǎng)方向與光束在晶體中的另一種是電場(chǎng)與光束在晶體中的方向一致，稱(chēng)方向垂直，稱(chēng)為由激光器發(fā)出的激光經(jīng)起偏器P由激光器發(fā)出的激光經(jīng)起偏器P過(guò)晶體后其X分量與Y，然后光束再經(jīng)I/II/I0和VD 的曲線(xiàn)不波形畸變小在調(diào)制晶體上施加固定偏壓鈮酸鋰晶鈮酸鋰晶主折射率主折射率 2 n3 2 n3E c0 c0V2nn2入射光經(jīng)偏振器后，振動(dòng)方向與電光晶體在加外電場(chǎng)后產(chǎn)生的新主鈾坐標(biāo)系的一個(gè)坐標(biāo)鈾(x或y)平入射光經(jīng)偏振器后，振動(dòng)方向與電光晶體在加外電場(chǎng)后產(chǎn)生的新主鈾坐標(biāo)系的一個(gè)坐標(biāo)鈾(x或y)平行，從而沿z軸時(shí)，不會(huì)出現(xiàn)光的偏振狀態(tài)的變化，而始終是線(xiàn)偏振光的形式。穿過(guò)晶體后，光波電場(chǎng)的表達(dá)式為Eo E0 cos( t穿過(guò)晶體后，光波電場(chǎng)的表達(dá)式為Eo E0 cos(