材料科學(xué)研究課件第3章知識點_第1頁
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材料科學(xué)研究課件第3章知識點_第3頁
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單晶體對X射線的散射與干涉函數(shù)材料研究方法南京理工大學(xué)材料學(xué)院朱和國 課程內(nèi)容一干涉函數(shù)G2的分布單晶體的散射強(qiáng)度二設(shè)單晶體為平行六面體，三維方向的晶胞數(shù)分別為N1、N2、N3設(shè)晶胞j的坐標(biāo)為（m，n，p）、為倒陣空間中的流動坐標(biāo) 由數(shù)學(xué)知識推導(dǎo)得： 干涉函數(shù)的物理意義: 即為單晶體的散射強(qiáng)度與單胞的散射強(qiáng)度之比，G2的空間分布代表了單晶體的散射強(qiáng)度在、 三維空間中的分布規(guī)律. 一、干涉函數(shù)G2的分布 結(jié)論:1）曲線由主峰和副峰組成，主峰的強(qiáng)度較高，可由羅貝塔法則得N12.副峰位于相鄰主峰之間，副峰的個數(shù)為N1-2，副峰強(qiáng)度很弱。2）主峰的分布范圍即底寬為副峰底寬的兩倍。 G12主峰有強(qiáng)度值 、主峰強(qiáng)度的有值范圍是： 在空間的分布取決于N1、N2、N3的大小，而N1、N2、N3又決定了晶體的形狀，故稱形狀因子4）只在一定的方向上產(chǎn)生衍射線，且每條衍射線本身還具有一定的強(qiáng)度分布范圍。干涉函數(shù)G2的分布倒易點倒易面倒易桿倒易球N1N2N3很大N1N2很小，N3很大N1N2很大，N3很小N1N2N3很小單晶體的散射強(qiáng)度干涉函數(shù)G2的分布單晶體的散射強(qiáng)度干涉函數(shù)G2的分布單晶體

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