1、Good is good, but better carries it.精益求精，善益求善。DLT859-2004高壓交流系統用復合絕緣子人工污穢試驗-目次前言1范圍2規范性引用文件3術語和定義4一般試驗要求5鹽霧法附錄A（資料性附錄）評定試驗設備是否符合要求的補充資料附錄B（規范性附錄）污穢水平和爬電比距的關系附錄C（規范性附錄）鹽霧閃絡試驗方法附錄D（規范性附錄）評定或檢驗絕緣子耐受特性的鹽霧法附錄E（規范性附錄）固體層法試驗附錄F（資料性附錄）檢驗污層均勻性的測量方法附錄G（規范性附錄）固體層閃絡試驗方法附錄H（規范性附錄）評定或檢驗絕緣子耐受特性的固體層法前言本標準根據原國家經貿委電力

2、司“關于確認1998年度電力行業標準制、修訂計劃項目的通知”（電力199940號）文的安排制定的。本標準規定了高壓交流系統用復合絕緣子人工污穢試驗方法（鹽霧法和固體層法）的一般試驗要求、試驗程序及判定準則。本標準由中國電力企業聯合會提出。本標準由電力行業絕緣子標準化技術委員會歸口并負責解釋。本標準負責起草單位：武漢高壓研究所。本標準參加起草單位：中國電力科學研究院、華東電力集團、山東電力試驗研究院、清華大學。本標準主要起草人：吳光亞、劉燕生、錢之銀、梁曦東、沈慶河、蔡煒、肖國英、顧光和。高壓交流系統用復合絕緣子人工污穢試驗1范圍本標準規定了標稱電壓高于1000V、頻率為（5060）Hz交流架空

3、電力線路、變電所和電氣化鐵路接觸網用戶外和暴露在污穢大氣中的復合絕緣子（以下簡稱絕緣子）工頻污穢耐受特性的測定。線路柱式絕緣子、電站電器類高壓支柱絕緣子、高壓線路橫擔絕緣子及復合間隔棒絕緣子屬于本標準的適用范圍。2規范性引用文件下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修改單（不包括勘誤的內容）或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據本標準達成協議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標準。GB/T2900.5電工術語絕緣固體、液體和氣體eqvIEC60050（212）：1990GB/T2900.8電工術語

4、絕緣子（eqvIEC60471）GB/T16927.1高電壓試驗技術第一部分：一般試驗要求（eqvIEC600601：1989）GB/T16927.2高電壓試驗技術第二部分：測量系統（eqvIEC600602：1994）IEC60507：1991交流系統用高壓絕緣子的人工污穢試驗3術語和定義除了符合本標準規定的術語外，還應符合GB/T2900.5和GB/T2900.8的規定。3.1試驗電壓testvoltage在整個試驗期間連續地施加在絕緣子上電壓的均方根值。3.2試驗設備的短路電流（lsc）short-circuitcurrentoftestdevice試品在試驗電壓下短路時由試驗設備所供給

5、電流的均方根值。3.3鹽度（Sa）salinity鹽在自來水中溶液的濃度，它由鹽量除以溶液體積來表示，kg/m3。3.4污穢層pollutionlayer由鹽和惰性材料組成的在絕緣子的絕緣表面上的導電電解層。3.5污層電導率（K）layerconductivity污層的電導與形狀因數的乘積，它通常以S表示。3.6污穢度pollutiongrade表征施加在被試絕緣子上的人工污穢的量（鹽度、污層電導率、附鹽密度）的值。3.7附鹽密度（SDD）saltdepositdensity沉積在絕緣子的絕緣表面上的鹽量除以該表面的面積，它通常以mg/cm2表示。3.8基準鹽度referencesalinit

6、y表征某一試驗所使用的鹽度值。3.9基準污層電導率referencelaverconductivity表征某一試驗所使用的污層電導率的數值，它定義為僅僅在進行電導測量時帶電的一絕緣子的潮濕污層的電導率的最大值。3.10基準附鹽密度referencesaltdepositdensity表征某一試驗所使用的附鹽密度的數值，它定義為從進行任一試驗前染污了的絕緣子中選取的幾個絕緣子或在所選取的幾個絕緣子的幾個部分上測得的附鹽密度的平均值。3.11規定的耐受污穢度specifiedwithstandpollutiongrade絕緣子在5.5或E.7.3規定的條件下，四次試驗中至少有三次試驗能耐受住規定試

7、驗電壓的絕緣子的基準污穢度。3.12最大耐受污穢度maximumwithstandpollutiongrade絕緣子在5.5或E.7.3規定的條件下，在規定的試驗電壓下四次試驗中至少有三次試驗能耐受住的最高污穢度。3.13規定耐受電壓specifiedwithstandvoltage施加到絕緣子上的試驗電壓，絕緣子在此試驗電壓和5.5或E.7.3規定的條件下，四次試驗中至少有三次試驗能耐受住規定的污穢度。3.14最大耐受電壓maximumwithstandvoltage絕緣子在5.5或E.7.3規定的條件下，四次試驗中至少有三次試驗能耐受住規定的污穢度的最高試驗電壓。4一般試驗要求4.1試驗方

8、法第5章和附錄E中所規定的鹽霧法和固體層法推薦為標準試驗法。試驗時電壓在至少為幾分鐘的一段時間內保持不變。電壓持續升高至閃絡的方法不作為標準化的方法，僅供特殊目的使用。4.2試品的清洗如果需要，絕緣子的金屬附件應在第一次試驗之前涂上抗鹽水涂料，以保證試驗期間沒有腐蝕物落到絕緣子表面。絕緣子在第一次試驗之前，應仔細用自來水清洗，除去所有污物的痕跡。然后用自來水徹底沖洗。以后每次染污前，僅需用自來水徹底清洗，以除去污穢物的所有痕跡。每次清洗后，手不應觸及絕緣子的絕緣表面。4.3試品布置絕緣子一般應垂直安裝于霧室中，并完整地裝上運行時所具有的全部金屬附件（如均壓環、線夾等）。模擬實際運行條件的安裝方

9、式（如水平、傾斜等），可經供需雙方協商確定。對特殊不應在垂直安裝方式試驗的絕緣子（如穿墻套管和電力斷路器的縱向絕緣），僅考慮運行位置。除絕緣子的支持物以及噴嘴柱外，絕緣子與任何接地物體之間的最小間距應為每100kV試驗電壓不小于0.5m，但至少為1.5m。支持結構以及帶電金屬附件的布置，應在絕緣子的最小間距內模擬運行中的情況。噴嘴的布置及其結構應符合5.2的要求。電容效應對試驗結果的影響可作如下考慮：a）至少在450kV及以下試驗電壓，可認為金屬附件不會明顯影響試驗結果；b）特別是采用固體層法試驗時，內部的大電容對表面電氣性能會產生影響。4.4對試驗設備的要求4.4.1試驗電壓試驗電壓的頻率應

10、在（4862）Hz之間。通常要求試驗電壓應與絕緣子在正常運行條件下能耐受住的最高相電壓相一致，該值為。其中Um是設備的最大線電壓。當試驗相對相配置或中性點絕緣的系統用絕緣子時，試驗電壓可高于此值。4.4.2最小短路電流試驗設備的最小短路電流要求如下：a）最小短路電流峰值Iscmin與試驗中絕緣子的表面電應力（用爬電比距Ls表示）有關，應滿足如圖1所示的關系曲線；b）除了a）外，試驗設備還應滿足電阻與電抗之比（R/X）不小于0.1和電容電流與短路電流比（Ic/Isc）在0.0010.1范圍內的要求（評定是否符合該要求的判定準則見附錄A）；c）若Isc大于6A，但不滿足圖1中的要求值，本標準中所規

11、定的耐受特性試驗還可進行，僅需電源滿足d）的規定；d）在每次耐受特性的試驗中，應記錄測量最高泄漏電流脈沖的幅值Ihmax，并在能耐受住的三次試驗結果中確定最大值Ihmax，該值應滿足下列條件：Isc/Ihmax11（1）式中Isc取方均根值，Ihmax是峰值。圖1對試驗設備要求的最小短路電流峰值Iscmin與被試絕緣子爬電比距Ls的關系4.5污穢水平和爬電比距的關系污穢水平和爬電比距的關系見附錄B。5鹽霧法5.1鹽溶液鹽溶液由商業用純的氯化鈉（NaCl）和自來水按所要求的鹽度配制。鹽度應從2.5，3.5，5，7，10，14，20，28，40，56，80，112，180kg/m3和224kg/m

12、3等級中選取，允許最大誤差為規定值的5。規定鹽度的鹽溶液在20時的體積電導率和密度值間的對應關系如表1所示。表1在鹽溶液溫度為20時體積電導率和密度值間的對應關系鹽度Sakg/m3體積電導率20S/m密度20kg/m32.50.433.50.6050.8371.15101.6142.2203.0284.11018.0405.61025.9567.61037.380101052.7112131074.6160171104.5224201140.0當鹽溶液溫度不是20時，電導率可按下式校正：（2）式中：溶液溫度，；溫度為時的體積電導率，S/m；20溫度為20時的體積電導率，S/m；b系數，系數b如

13、表2所示。表2不同溫度下系數b溶液溫度系數b50.03156100.02817200.02277300.01905當鹽溶液溫度不是20時，密度可按下式校正：（3）式中：溶液溫度，；溫度時的密度，kg/cm3；20溫度20時的密度，kg/cm3；Sa鹽度，kg/cm3。該校正公式僅對鹽度大于20kg/m3時有效。5.2噴霧系統5.2.1噴霧器結構霧在實驗室中由規定數量的噴霧器產生，典型的噴霧器結構如圖2所示。此噴霧器借垂直吹向溶液噴嘴的壓縮空氣使溶液霧化。噴嘴由耐蝕管制成，空氣噴嘴內徑為1.2mm0.02mm，而溶液噴嘴內徑為2.0mm0.02mm。二種噴嘴的外徑均為3.0mm0.05mm，并且

14、噴嘴的末端應切成直角并拋光。溶液噴嘴的末端應裝在空氣噴嘴軸線上，偏差在0.05mm內。壓縮空氣噴嘴的末端和溶液噴嘴中心線間的距離應為3.0mm0.05mm。二個噴嘴的軸線應位于同一平面內，偏差在0.05mm內。5.2.2噴霧器的排列噴霧器應排成二縱列，平行于絕緣子并排在其兩側，絕緣子的軸線在二縱列所構成的同一平面內，即對垂直的絕緣子試驗時應排成垂直的二縱列，而對水平的絕緣子試驗時排成水平的兩縱列。在傾斜的絕緣子情況下，如圖3所示，包含絕緣子和兩縱列的平面與水平面的交線應垂直絕緣子的軸線；在此情況下，溶液噴嘴的軸線應是垂直的。溶液的噴嘴和絕緣子軸線間的距離應為3.0m0.05m。a傾斜角圖2噴霧

15、器典型結構圖3傾斜絕緣子的試驗裝置兩個噴霧器間應相隔0.6m的間隔，每一噴霧器應與該縱列軸線的方向相垂直并朝向另一縱列的相應噴霧器，與噴霧器平面夾角在1以內，對垂直的噴霧器是否符合此要求可這樣核對：將溶液噴嘴降低，通水經空氣噴霧器噴出。調節方向與對面噴來的方向一致。二縱列應超出絕緣子每端至少0.6m。對于長度為H（m）的絕緣子，每一縱列噴霧器的最少數量N應為：（4）5.2.3壓力和溶液流量供給噴霧器相對壓力為700kPa35kPa的過濾過的無油空氣。試驗期間每一噴霧器的溶液流量應為0.5dm3/min+0.05dm3/min，并且全部噴霧器的總流量允差應為標稱值的5。5.3試驗開始前的條件當試

16、品按4.2清洗后完全潮濕時試驗即應進行。試驗開始時試品應與霧室的溫度處于熱平衡狀態。試品周圍溫度既不應低于5也不應高于40，且與水溶液溫差不應超過15K。對試品施加電壓，啟動鹽溶液泵和空氣壓縮機，當噴嘴處壓縮空氣達到正常操作壓力時試驗就可以進行。5.4預處理過程試品預處理過程及要求為：a）試驗時，將滿足4.2要求的試品按4.3的規定安裝于霧室中，啟動噴霧器。b）在基準鹽度下施加80的規定試驗電壓并持續3h。c）在預處理過程期間，電源的特性應不低于4.4的規定。5.5耐受試驗5.5.1試驗目的本試驗的目的是驗證絕緣子在規定試驗電壓Up下是否能耐受規定的鹽度。5.5.2試驗程序試驗程序如下：a）當

17、被試品和霧室條件滿足5.3和5.4的規定后，進行試驗。b）在規定試驗電壓下，對絕緣子施加5.1中規定鹽度的鹽溶液，然后對絕緣子進行一個系列試驗。每一次試驗施加的電壓為Up，持續時間為1h，且在2次耐受試驗之間的時間間隔不大于30min。每次試驗前應用自來水徹底清洗絕緣子，使鹽全部清洗干凈。5.5.3接收準則應按5.5.2規定的程序共進行12次連續試驗，若耐受次數不低于8次，則認為絕緣子滿足了本標準。5.6閃絡試驗鹽霧閃絡試驗方法見附錄C。5.7評定或檢驗絕緣子耐受特性的方法絕緣子耐受特性的評定或檢驗方法見附錄D。附錄A（資料性附錄）評定試驗設備是否符合要求的補充資料各種表面電應力水平和該試驗設

18、備規定條件下在任何試驗位置和所有型式絕緣子上記錄到的最高泄漏電流脈沖Ih的最大值Ihmax如表A.1所示。表A.1爬電比距與Ihmax的對應關系爬電比距aLsmm/kVIhmaxA（rms）160.55200.85251.35a爬電距離除以試驗電壓的倍。試驗發現，當Isc/Ihmax超過某極限值時，耐受電壓或耐受污穢度試驗結果就不再受該比值影響。因此，這種情況可以認為該試驗設備的極限值等于11。至于比值Ic/Isc，其規定極限一些試驗設備通常都能符合。特別是其下限，會由于等值電源電容、集中電容（套管和電容分壓器）以及回路中的雜散電容加在一起而達到。附錄B（規范性附錄）污穢水平和爬電比距的關系這

19、里的污穢水平和爬電比距的關系僅作為示例對特定的盤形和長棒形絕緣子給出，不能用作線路絕緣子的型式試驗。給出的耐受污穢度也不應解釋為對支柱絕緣子和空心絕緣子的技術要求。按IEC60507的試驗程序進行人工污穢試驗所得到的污穢水平列于表B.1中，表B.1中給出了污穢度耐受值的范圍。表B.1污穢水平和爬電比距之間的關系爬電比距mm/kV人工污穢試驗，相對地電壓下污穢度耐受值鹽霧法kg/m3固體層法鹽密mg/cm2污層電導率S185140.030.0615202014400.10.20243525401120.300.603631160附錄C（規范性附錄）鹽霧閃絡試驗方法C.1試驗程序鹽霧閃絡試驗方法及

20、程序如下：a）試驗時，將按4.2要求準備好的試品，置于盛有水的容器中96h后，立即放置霧室中，按4.3的規定安裝于霧室中，然后啟動噴霧器。b）對已按a）準備好的試品，在基準鹽度下施加試驗電壓持續20min，或直至絕緣子閃絡；如果絕緣子不發生閃絡，則將電壓每隔5min按10試驗電壓逐級升高至閃絡。閃絡后，重新施加電壓并盡可能地升高至先前得到的閃絡電壓的90，然后每隔5min按初始閃絡電壓的5逐級升高至閃絡。升壓閃絡過程應重復2次。c）用自來水徹底沖洗絕緣子，使鹽全部清洗干凈，然后按C.1的b）再重復2次。d）絕緣子應有9次閃絡電壓值，且各次閃絡電壓與平均值之差的絕對值不大于平均值的15。C.2說

21、明鹽霧閃絡試驗方法不作為本標準的標準試驗方法，但可以作為特殊目的使用。附錄D（規范性附錄）評定或檢驗絕緣子耐受特性的鹽霧法D.1最大耐受鹽度的測定D.1.1測定方法絕緣子在某一給定試驗電壓下的最大耐受鹽度用逐級耐受法求得。首先從5.1規定的鹽度等級中選取預期的最大耐受鹽度作為起始鹽度，然后按該條規定的鹽度等級逐級進行耐受試驗，每級鹽度下的試驗程序與5.5相同。若在任意鹽度下，耐受次數低于8次，就不應在相同或較高鹽度下進行試驗；若在任一鹽度下，耐受次數大于或等于8次，就不應在相同的或較低鹽度下進行試驗。D.1.2判定準則絕緣子能通過耐受鹽度試驗的最高鹽度為在該電壓下的最大耐受鹽度。若在224kg

22、/m3鹽度下，通過了12次耐受，則可以認為最大耐受鹽度等于或大于224kg/m3；若在224kg/m3鹽度下至多發生4次閃絡則可認為此鹽度為最大耐受鹽度。D.2最大耐受電壓的測定D.2.1測定方法絕緣子在某一給定鹽度下的最大耐受電壓用逐級耐壓法求得。以預期的耐受電壓作起始電壓，每級升降電壓級差約為起始電壓值的5。每級電壓下的試驗程序與5.5相同。若在任一電壓下，耐受次數低于8次，就不應在相同的或較高鹽度下進行。若在任一鹽度下，耐受次數大于或等于8次，就不應在相同的或較低鹽度下進行試驗。D.2.2判定準則絕緣子能通過耐受鹽度試驗的最高電壓為在該鹽度下的最大耐受電壓。附錄E（規范性附錄）固體層法試

23、驗E.1污液的組成E.1.1硅藻土混合物硅藻土混合物的組成為：100g硅藻土；10g高度分散的二氯化硅，顆粒大小（220）m；1000g自來水；適量的商業純氯化鈉。當自來水的體積電導率高于0.05S/m時，推薦使用軟化水。表E.1中列出了絕緣子絕緣表面上基準污穢度與20時污液體積電導率間近似的對應關系。表E.2列出了硅藻土的主要特性，表E.2中顆粒分布表示硅藻土總質量百分數值的顆粒能通過的篩孔直徑（m），其體積電導率是使用軟化水測得的值。污染絕緣子絕緣表面上污穢度的最大誤差為規定值的15。表E.1絕緣子絕緣表面上基準污穢度和溫度20污液體積電導率間近似的對應關系硅藻土混合物的基準污穢度污液的體

24、積電導率20S/m附鹽密度SDDmg/cm2污層電導率K20S0.017670.210.025100.300.0353140.420.050200.600.0705280.850.10401.200.141561.690.20802.40表E.2硅藻土的主要特性重量組成顆粒分析（累積分布）m體積電導率20S/mSiO2Al2O3Fe2O3H2O1650840.00150.0270905250.567140.10.20.41210E.2污染試品預處理E.2.1清潔試品預處理將試品用自來水及酒精清洗干凈，干燥后用塑料布包裹，封存待用。E.2.2染污試品預處理涂污前對試品進行預處理，方法如下：用干燥

25、的海棉團或軟毛刷在復合絕緣子表面輕輕的均勻涂敷一層干燥的硅藻土，再用洗耳球等氣吹裝置吹掉表面多余的硅藻土，使得絕緣子表面附著了很薄的一層親水性物質。由于這層硅藻土極薄，因此并不影響復合絕緣子的灰密。涂污應在試品預處理后1h內完成。E.3染污E.3.1基本要求染污應在E.2后1h內完成。試品染污可采用澆染法、噴污法、浸染法和定量涂刷法四種方法中的任一種。推薦檢驗污層均勻性的污層電導率的測量方法按附錄F進行。E.3.2澆染法將按E.2進行預處理的試品水平安裝于染污機上，開動染污機，其轉動速度一般以60r/min為宜。然后將攪拌均勻的污穢物懸浮液澆到絕緣子的絕緣體表面上，使其均勻地覆蓋于絕緣體上，其

26、均勻程度可用目力檢查，待絕緣子上的污穢物不再流動后即可停止轉動。用澆染法染污時，同一批試驗，在染污前應有相同的溫度和濕度，在染污過程中應保持相同的環境和工藝條件。E.3.3噴污法用噴槍將攪拌均勻的污穢物懸浮液噴到清潔而干燥的試品絕緣體表面上，使其均勻地覆蓋一層污穢物，其均勻程度用目力檢查即可。同一批試品在染污前應有相同的溫度和濕度，在染污過程中應保持相同的環境和工藝條件。E.3.4浸染法推薦使用的浸污法具體程序如下：a）浸污糟的尺寸及污液量應保證試品被全部浸沒于污液中。參照圖E.1、圖E.2曲線，根據試驗要求的鹽密灰密及污液體積，得到所需的NaCl、硅藻土及去離子水（或蒸餾水）的量。配置污液并

27、攪拌均勻。b）將預處理過的試品小心浸入，轉動一兩周后拿出，在實驗室標準環境條件下干燥。對傘裙邊緣積聚的污液，應予以清除。在試品浸入染污的過程中應不斷攪拌污液以保證其均勻性。c）為了涂污的準確性，一般浸污后應校核該試品部分傘裙或同樣條件下另一只染污陪試品的鹽密及灰密，確定所涂污穢是否與預定污穢度相符合，測量方法見E.4.2。E.3.5定量涂刷法試品的污穢度用鹽密表示時，根據試品所需染的鹽密、灰密及絕緣子的絕緣體表面積，計算出每只試品所需的氯化鈉和硅藻土量，氯化鈉的稱量誤差應不超過所需量的1，硅藻土的稱量誤差不超過所需量的10，然后加上適量的蒸餾水。如果需要，還可加上適量糊精，將其攪拌均勻后，全部

28、均勻地涂刷到試品絕緣體表面上。試品的污穢程度用污層電導率表示時，根據試品所需的污層電導率及絕緣子的絕緣體表面積估算并稱量每只試品所需的氯化鈉量，其稱量誤差不作嚴格規定。又根據試品所需染的灰密及絕緣子的絕緣體表面積計算并稱所需硅藻土量，其稱量誤差應不超過所需量的10，然后加上適量的蒸餾水，如果需要還可加入適量的糊精，將其攪拌均勻后，全部均勻地涂刷到試品絕緣體表面上。E.4被試絕緣子污穢度的測定E.4.1污層電導率污層電導率應在試品濕潤期間反復測量污層電導，直到測出污層最大電導為止，此最大電導即為該只試品的電導。測量時應對試品每米爬電距離施加電壓不低于700V（rms），施加電壓的時間只需維持至能

29、讀出儀表讀數即可。當施加較高值電壓時，測量時間應縮短至足以避免由于污層的發熱或干燥而引起嚴重的誤差。為了這個目的應該校驗脈沖波的頻度及波幅的變化都不應影響到被測電流的波形。污層電導率應按下式換算至基準溫度20：（E.1）式中：絕緣子表面的溫度，；K溫度時的污層電導率，S；K20溫度為20時的污層電導率，S；b5章已定義過的系數。E.4.2附鹽密度用于測量附鹽密度的試品，應在進行任何一項試驗之前，從被染污試品中隨機抽取。用定量涂刷法染污后的試品可以不測量。應仔細清洗絕緣子的絕緣體的整個表面，或將上表面和下表面分別地清洗，但金屬部件除外。當僅有一只試品時，附鹽密度的測量可在它的幾個傘裙上進行。測量

30、后應對清洗過的表面再涂覆污層予以恢復。用于SDD測量用的試品，在污層干燥前應仔細地除去污滴。最后將沉積物溶解在已知量的水中，最好使用軟化水。得到的污液在溫度（）下測量體積電導率（S/m）前應至少保持攪動2min。然后按5章求得20值。當20在（0.0040.4）S/m范圍內時污液的鹽度Sa（kg/m3）可按下式求得：（E.2）按下式計算附鹽密度SDD（mg/cm2）：（E.3）式中：V污液的體積，cm3；A清洗表面的面積，cm2。E.5染污試品憎水性的遷移為模擬具有憎水性遷移特性的復合絕緣子在憎水性遷移充分后的耐污性能，必須使涂污試品遷移一段時間后再進行試驗。在實驗室標準環境條件下人工污穢絕緣

31、子應遷移4d再進行試驗。為模擬現場極端條件下完全喪失憎水性的復合絕緣子的耐污性能，可在人工污穢絕緣子污層干燥后立即進行試驗。在實驗室標準環境條件下，從涂污到試驗的時間不應超過1h。E.6污層濕潤的一般要求污層濕潤的一般要求如下：a）污層應用人工霧濕潤。試品周圍的霧應均勻分布，其均勻程度應使試品各部分的受潮狀態基本相同。濕潤開始時試品的溫度與試驗室周圍溫差在2K內。b）在試驗室中的霧發生器應保持一恒定的均勻的流速直至一次單個的試驗結束。c）當污層達到一定的濕潤程度以后，水分開始從絕緣子傘緣滴落；這樣某些污穢量就從污層中除去并預期會逐漸地清洗試品。E.7試驗程序E.7.1程序A試驗程序A如下：a）

32、對于本程序，帶電前和帶電期間污層濕潤，其污穢度通常用污層電導率來表達，但也可以使用附鹽密度。b）啟動霧發生器時，按E.3的規定將準備好的試品置于霧室中。推薦使用蒸汽霧來濕潤污層，也可采用冷霧或冷熱混合霧。c）應按E.4的規定測定被試品的污層電導。d）在正常周圍溫度下，輸入霧室中霧的濃度和流動速度應滿足在（2040）min內使試品污層電導率達到最大值。試驗時測得的污層電導率的最大值作為基準污層電導率。然后瞬時地或在不超過5s的時間內對試品加上試驗電壓并維持至閃絡，如不出現閃絡則維持15min。e）將試品從霧室中取出并讓它干燥，并將這個試品第二次放入霧室中，由霧再次濕潤直至污層電導率達到它的最大值

33、。如果此時污層電導率不低于上面提到的基準值的90，可以再一次施加試驗電壓直至閃絡。如果不出現閃絡則維持15min；如果低于90，則應按E.3對該絕緣子重新染污。f）同一污層的一個絕緣子可以進行不多于二次的連續試驗。E.7.2程序B試驗程序B如下：a）對于本程序僅帶電后污層濕潤，其污穢度通常用附鹽密度表示。b）按E.3的規定將準備好的試品置于霧室中。c）應使用蒸汽霧。霧發生器應在試品的下面并盡可能地接近地面。在所有情況下，它離試品至少1m，且霧的流動不應直接朝向試品。d）施加試驗電壓后供霧。在正常周圍溫度下，蒸汽霧的輸入速率應在0.05kg/（hm3）0.01kg/（hm3）范圍內，該值也可按IEC60507：1991附錄D中D.3的方法檢驗。e）試驗電壓應維持至閃絡，否則應從試驗開始算起維持100min。或是直至其泄漏電流峰值持續下降至最大峰值的70。f）對于本程序，污層僅能使用一次。E.7.3耐受試驗和判定準則（程序A和B）本試驗的目的是檢驗在規定試驗電壓下是否能耐受規定的污穢度。如果按程序A和程序B進行的三次連續的試驗期間未發生閃絡，則認為該絕緣子符合本標準。如僅出現一次閃絡，則應進行第四次試驗，如果不發生閃絡，則認為該絕緣子滿足本標準。E.8閃絡試驗固體層閃絡試驗方法見附錄G。E.9評定或檢驗絕緣子的