1、LTPS-LCD工藝流程簡介工藝流程簡介TESTLCD 顯示原理顯示原理畫面顯示即大量的像素顯示組合如何讓像素發(fā)光？如何制作像素？LCD顯示原理顯示原理Array：電路ArrayCFGate 掃描Data掃描Gate線打開TFT，Data線給子像素充電，使其產(chǎn)生電場并使液晶分子發(fā)生偏轉(zhuǎn)，光由不透過變?yōu)橥高^，通過CF濾光作用，發(fā)紅光，產(chǎn)生紅線。CF：濾光 液晶偏轉(zhuǎn)角不同，液晶偏轉(zhuǎn)角不同，光透過率不同光透過率不同一、 TFT-LCD組成為C/F基板與TFT基板中間有液晶.一個象素(Pixel)組成為此三個RGB Sub-Pixel. 二、TFT 基板組成為把畫像信號傳達的Data線及把該畫像信號需

2、要時關(guān)/開的Gate線排列為匹配.三、按照許可電壓的大小, 配向的掖晶分子方向有變化.由于偏光板偏光的光,根據(jù)液晶分子的方向透過率有變化 ,因此體現(xiàn)畫像. Pixel Pixel根據(jù)電壓旋轉(zhuǎn)不同根據(jù)電壓旋轉(zhuǎn)不同Glass Glass- Back LightBack Light+ Gate Gate開開/ /關(guān)畫像關(guān)畫像 Source Source傳達畫像信號傳達畫像信號-100 100 One PixelData Data 線線Pixel Pixel 電極電極Gate Gate 線線)C/F C/F 基板基板TFT TFT 基板基板液晶液晶偏光板LCD 顯示原理顯示原理Bare glass73

3、0*920PanelLTPS-LCD工藝流程工藝流程2nd CUTphotoDepo-Photo-EtchArrayCF1st CUT背光組裝FPC綁定IC綁定Front cellEnd cellModulelArray 流程流程Array制程既是在大張玻璃基板上制作電路Array 段采用Depo-Photo-Etch循環(huán)方法在大張玻璃板上一層層制作電路，中間插有ELA、IMP、AOI、TEG等站點PR CoatingGlass基板基板ExposureDevelopPR StripPR EtchDepoNext LayerArraypixel：100*33um如何通過Depo-Photo-Et

4、ch循環(huán)方法得到像素？Array 工藝流程工藝流程pre-compactionpolyNDPDILDCHDPLNITO1passivationITO2M2GILDDM1pre-compactionpre-compactionGlass 投入Glass采用650_10min高溫處理，可以防止后工序中高溫制程造成的玻璃收縮帶來對位偏差。PDC需要確認導(dǎo)角，不同的玻璃有不同的導(dǎo)角規(guī)則Poly（mask1）PDC3layer DEPOELAphotoDry etchStripper Spin cleana-siSiO2SiNxELApoly-siSiO2SiNx緩沖層作用緩沖層作用:1.防止玻璃中的金

5、屬離子(鋁,鋇,鈉等)在熱工藝中擴散到LTPS的有源區(qū),通過緩沖層厚度或沉積條件可以改善多晶硅背面的質(zhì)量;2.有利于降低熱傳導(dǎo),減緩被激光加熱的硅冷卻速率,利于硅的結(jié)晶After poly photoAfter poly stripperLTPS 優(yōu)勢：高分辨率、反應(yīng)速度快、高亮度、高開口率、低能耗等CHD（mask2）Photo Chanel doping1、在IMP 離子注入機中進行2、CHD補償Vth值對位基準圖案本層圖案OverLay NGstripper ND（mask3）N dopingPhoto PR ashing stripper 1、與Dry Etch機臺進行2、離子注入導(dǎo)致

6、PR膠碳化變硬，無法Stripper除去，需要先進行Dry Etch除去碳化層。溝道區(qū)域PR遮住，其余部分注入PHx+，以減少電阻。注入PHx離子，形成N-MOSGI&M1 (mask4)Pre GI cleanGI DEPOM1 DEPOphotoDry etchStripper Pre M1 cleanLDD PD Doping（mask5）P dopingPhoto PR ashing stripper VGLVGHOUTINN-MOSP-MOSPD：參雜B+參雜在PAD區(qū)域，在Pixel區(qū)域并不參雜ILD（mask6）HF cleanILD DEPO(1st step)phot

7、oDry etchStripper Activation ILD DEPO(2nd step)Hydrogenation 多晶硅晶粒間存在粒界態(tài)，多晶硅與氧化層間存在界面態(tài)，影響晶體管電性。氫化處理以氫原子填補多晶硅原子的未結(jié)合鍵或未飽和鍵，粒界態(tài)，氧化層缺陷，以及界面態(tài)，來減少不穩(wěn)態(tài)數(shù)目，提升電特性：遷移率，閾值電壓均勻性等。M2（mask7）HF cleanM2 DEPOphotoDry etchStripper Metal annealTEG test1、M2以后檢查器件特性，管控工藝2、通過檢測玻璃基板上特定點位器件的電學特性，管控整張基板的工藝PLN（mask8）photoAnnea

8、l Ashing ITO1（mask9）PDCITO1 DEPOphotoWET etchStripper Anneal passivation（mask10）PDCPass DEPOphotoDry etchStripper ITO2（mask11）PDCITO2 DEPOphotoWET etchStripper Anneal TEG test至此，Array段完成Pixel 截面圖截面圖Glass Driver areaPixel areaP-channelN-channelGateSDGate InsulatorILDPassivationITO1ITO2LDDPolyCHDCELL

9、流程流程1、通過PI轉(zhuǎn)印，讓液晶分子有一定的預(yù)傾角2、后續(xù)可能通過光配向CELL 流程流程在Array上噴灑spacer，以支撐cell盒厚Array 基板CF基板在CF基板上滴下液晶Array基板與CF基板真空貼合CELL流程流程一次切割兩面都要切割一次二次切割PanelPanel貼附Roller偏光板貼片兩面都要貼片Module流程流程ACFIC綁定包含預(yù)綁與本綁COGACF熱壓FPC綁定封膠、點膠、點Ag膠保護PAD區(qū)、補強FPCCF表面接地FOG背光源組裝鐵框組裝ASSYMTP成品TFT驅(qū)動原理驅(qū)動原理tF = 16.7mstg (gate on time)G0G1G2G3+V1+V2V3offoffoffonononoffoffoffoffoffoffCstTFT驅(qū)動原理驅(qū)動原理HostDriver ICPanelm=800n=480第第n n列列datadatan+1yesnoGate第第mm行行g(shù)ategate第第mm行行第第m+1m+1行行g(shù)ategatenom+1一幀datayes下一幀下一幀,data,dataOnOffTFT驅(qū)動原理驅(qū)動原理AAESDData co