1、第2章 集成門(mén)電路2.1 概述2.2 CMOS門(mén)電路2.3 雙極型門(mén)電路2.4 BICMOS門(mén)電路2.5 集成門(mén)電路的應(yīng)用舉例本 章 小 結(jié)第第2章章 集成門(mén)電路集成門(mén)電路 第第2章章 集成門(mén)電路集成門(mén)電路一. 集成門(mén)電路的幾種分類 集成門(mén)電路按其內(nèi)部有源器件的不同可以分為三大類： 一類為雙極型晶體管集成門(mén)電路，包括TTL(晶體管晶體管邏輯電路)，ECL(射極耦合邏輯)電路和I2L(集成注入邏輯)電路等幾種類型 第二類為單極型MOS集成門(mén)電路，包括NMOS、PMOS、LDMOS、VDMOS、VVMOS、IGT等幾種類型。 第三類則是二者的組合BICMOS門(mén)電路。常用的是CMOS集成門(mén)電路。 2

2、.1概述第第2章章 集成門(mén)電路集成門(mén)電路二. 幾種集成門(mén)電路的特點(diǎn)1. TTL集成門(mén)電路工作速度高，驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)，但功耗大，集成度低。 2. CMOS集成門(mén)電路功耗極低，成本低，電源電壓范圍寬，集成度高，抗干擾能力強(qiáng)，輸入阻抗高，扇出能力強(qiáng)。 三. 集成門(mén)電路按其集成度又可分為： SSI(小規(guī)模集成電路，每片組件包含1020個(gè)等效門(mén))。MAI(中規(guī)模集成電路，每個(gè)組件包含20100個(gè)等效門(mén))。LAI(大規(guī)模集成電路，每組件內(nèi)含1001000個(gè)等效門(mén))。VLSI(超大規(guī)模集成電路，每片組件內(nèi)含1000個(gè)以上等效門(mén)) SSI 第第2章章 集成門(mén)電路集成門(mén)電路2.2 CMOS門(mén)電路CMOS集成門(mén)電路的

3、外部特性和主要參數(shù) 1 COMS集成門(mén)電路的外部特性 CMOS門(mén)電路對(duì)外部呈現(xiàn)的電氣特性，主要包括輸入特性、輸出特性、傳輸特性等靜態(tài)特性和傳輸延遲時(shí)間、交流噪聲容限、動(dòng)態(tài)功耗等動(dòng)態(tài)特性。 第第2章章 集成門(mén)電路集成門(mén)電路2 COMS集成門(mén)電路主要參數(shù)的特點(diǎn) （1）VOH（min）=0.9VDD； VOL（max）=0.01VDD。所以CMOS門(mén)電路的邏輯擺幅（即高低電平之差）較大。（2）閾值電壓Vth約為VDD/2。（3）CMOS非門(mén)的關(guān)門(mén)電平VOFF為0.45VDD，開(kāi)門(mén)電平VON為0.55VDD。因此，其高、低電平噪聲容限均達(dá)0.45VDD。（4）CMOS電路的功耗很小，一般小于1 mW/

4、門(mén)；（5）因CMOS電路有極高的輸入阻抗，故其扇出系數(shù)很大，可達(dá)50。CMOS集成門(mén)電路邏輯電路結(jié)構(gòu) 1CMOS與非門(mén)和或非門(mén)電路 （1）與非門(mén)LVABDDTP1TN1TN2P2TLVABP1TDDTN2P2TN1T（2）或非門(mén)第第2章章 集成門(mén)電路集成門(mén)電路第第2章章 集成門(mén)電路集成門(mén)電路（3）帶緩沖級(jí)的門(mén)電路 為了穩(wěn)定輸出高低電平，可在輸入輸出端分別加反相器作緩沖級(jí)。下圖所示為帶緩沖級(jí)的二輸入端與非門(mén)電路。BABAABLV8T6TT714T3T10T9TDDT2T5TL L= =第第2章章 集成門(mén)電路集成門(mén)電路2CMOS異或門(mén)電路由兩級(jí)組成，前級(jí)為或非門(mén)，輸出為后級(jí)為與或非門(mén)，經(jīng)過(guò)邏輯變換

5、，可得：BAXBABABABABAXBALVL=AABDDXB+第第2章章 集成門(mén)電路集成門(mén)電路工作原理： 當(dāng)EN=0時(shí)，TP2和TN2同時(shí)導(dǎo)通，為正常的非門(mén)，輸出 當(dāng)EN=1時(shí)，TP2和TN2同時(shí)截止，輸出為高阻狀態(tài)。所以，這是一個(gè)低電平有效的三態(tài)門(mén)。LVAENDDP2TP1TTN2N1T11ENAL4 CMOS傳輸門(mén)第第2章章 集成門(mén)電路集成門(mén)電路工作原理：（設(shè)兩管的開(kāi)啟電壓工作原理：（設(shè)兩管的開(kāi)啟電壓VTN=|=|VTP| |）（1 1）當(dāng)當(dāng)C接高電平接高電平VDD， 接低電平接低電平0 0V時(shí)，若時(shí)，若Vi在在0 0VVDD的范圍變化，的范圍變化，至少有一管導(dǎo)通，相當(dāng)于一閉合開(kāi)至少有一

6、管導(dǎo)通，相當(dāng)于一閉合開(kāi)關(guān)，將輸入傳到輸出，即關(guān)，將輸入傳到輸出，即Vo= =Vi。（2 2）當(dāng)當(dāng)C接低電平接低電平0 0V， 接高電平接高電平VDD，Vi在在0 0VVDD的范圍變化時(shí)，的范圍變化時(shí)，TN和和TP都截止，輸出呈高阻狀態(tài)，都截止，輸出呈高阻狀態(tài)，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)斷開(kāi)。相當(dāng)于開(kāi)關(guān)斷開(kāi)。VVCCV0VDDTNTPi/Voo/ViCCTGVi/VoVoV/i2.3 雙極型門(mén)電路第第2章章 集成門(mén)電路集成門(mén)電路一 LSTTL門(mén)電路的外部特性 1 LSTTL門(mén)電路的靜態(tài)輸入特性 LSTTL門(mén)電路的輸入特性iiVi如圖所示 第第2章章 集成門(mén)電路集成門(mén)電路2. LSTTL門(mén)電路的靜態(tài)輸出特性 LS

7、TTL電路中的74LS125芯片有如圖所示三態(tài)輸出方式：0、1和高電阻。三態(tài)電路特別適合于總線結(jié)構(gòu)系統(tǒng)和外圍電路，也適用于數(shù)字控制設(shè)備，數(shù)字儀表中一般邏輯電路間的連接。 (a)三態(tài)緩沖器三態(tài)緩沖器LS125的電路圖的電路圖 (b)電路符號(hào)電路符號(hào)第第2章章 集成門(mén)電路集成門(mén)電路3. LSTTL門(mén)電路的電壓傳輸特性 LSTTL與非門(mén)電路74LS00的電壓傳輸特性如圖所示 圖四圖四2輸入與非門(mén)輸入與非門(mén)74LS00的的電壓傳輸特性電壓傳輸特性4. LSTTL門(mén)電路的抗干擾特性噪聲容限VN 第第2章章 集成門(mén)電路集成門(mén)電路 LSTTL門(mén)電路的輸入低電平噪聲容限VNL=0.3V，輸入高電平噪聲容限VN

8、H=0.5V。如圖所示噪聲容限示意圖。 第第2章章 集成門(mén)電路集成門(mén)電路5. LSTTL門(mén)電路的動(dòng)態(tài)特性 LSTTL門(mén)電路的平均傳輸延遲時(shí)間TP 由于二極管和三極管由導(dǎo)通到截止或者由截止到導(dǎo)通都需要間，且受到電路中的寄生電容和負(fù)載電容等的影響，電路的輸出形總是滯后于輸入波形 。 LSTTL門(mén)電路的動(dòng)態(tài)尖峰電流 在電源電流脈沖的邊沿(主要是下降沿)產(chǎn)生了尖峰，這就是動(dòng)態(tài) 尖峰電流。 6. LSTTL門(mén)電路的溫度特性 第第2章章 集成門(mén)電路集成門(mén)電路 溫度變化對(duì)LSTTL門(mén)電路電氣性能的影響比對(duì)CMOS門(mén)電路影響大得多，主要是：1. 輸入高電平通過(guò)圖2.30中D1、D2的漏電流I1H隨溫度升高而增

9、大。OC門(mén)輸出高電平或輸出高電阻狀態(tài)的漏電流IOZ會(huì)增大，電路的輸出驅(qū)動(dòng)能力將下降。2. 輸出高電平VOHP隨溫度降低而降低。其原因是VOH=VCC2VBE，溫度降低導(dǎo)致VBE增大，故VOH減小。根據(jù)噪聲容限的概念，VOH的減小則系統(tǒng)的抗干擾能力降低。3. LSTTL門(mén)電路的閾值電壓VT主要取決于VD和VBE1，于是VT隨著溫度的升高而下降。因溫度每升高1，則PN結(jié)壓降低減小2mV，所以當(dāng)溫度從55上升到+125時(shí)，VT將下降300mV以上。 第第2章章 集成門(mén)電路集成門(mén)電路二 各種集成門(mén)電路的主要參數(shù)LSTTL門(mén)電路邏輯電路結(jié) 構(gòu)1. LSTTL與非門(mén)電路。 第第2章章 集成門(mén)電路集成門(mén)電路

10、 LSTTL與非門(mén)電路如圖(c)所示。該電路可以看作由二極管D1、D2構(gòu)成的與門(mén)、三極管T2構(gòu)成的非門(mén)及用三極管T3、T4取代R3，T2的BE結(jié)取代RB的改進(jìn)型與非門(mén)的組合。 LSTTL LSTTL與非門(mén)電路的構(gòu)成與非門(mén)電路的構(gòu)成第第2章章 集成門(mén)電路集成門(mén)電路2. LSTTL或非門(mén)電路 四重2輸入或非門(mén)74LS02內(nèi)部電路如圖所示 第第2章章 集成門(mén)電路集成門(mén)電路2.4 BICMOS門(mén)電路一 BICMOS反相器的外部特性 1 BICMOS門(mén)電路反相器的輸入輸出特性 BICMOS門(mén)電路的輸入特性與CMOS門(mén)電路完全相同，如圖所示；因?yàn)檩斎腚娐方Y(jié)構(gòu)同CMOS電路。BICMOS電路用雙極型晶體管作

11、為輸出極，所以同樣具有很強(qiáng)的帶有負(fù)載能力。ABT系列的BICMOS緩沖/驅(qū)動(dòng)器的 OH達(dá)32 。 IA2 BICMOS反相器的電壓傳輸特性 第第2章章 集成門(mén)電路集成門(mén)電路 BICMOS反相器圖2.45(a)在 DD=5V時(shí)的電壓傳輸特性如圖所示，從圖中看到 V BICMOSBICMOS反相器的電壓傳輸特性反相器的電壓傳輸特性第第2章章 集成門(mén)電路集成門(mén)電路3 BICMOS門(mén)電路的傳輸延遲時(shí)間 空載時(shí)BICMOS電路的傳輸延遲時(shí)間主要由電路內(nèi)部的電容C內(nèi)決定，在小電容負(fù)載時(shí)，BICMOS電路的開(kāi)關(guān)特性比CMOS差，因?yàn)榫w管輸出級(jí)的加入給電路增加了結(jié)電容并 多了一級(jí)延遲。但當(dāng)負(fù)載電容V00.1

12、PF后，傳輸延遲時(shí)間明顯改善。BICMOS電路的開(kāi)關(guān)速度提高幅度較大，明顯優(yōu)于CMOS電路，目前，0.6 的BICMOS最高工作頻率達(dá)到225MHZ，而該電路的低電壓性能仍不夠理想。m第第2章章 集成門(mén)電路集成門(mén)電路二 BICMOS門(mén)電路 1 BICMOS反相器 BICMOS反相器，如圖所示，在圖(a)中。N1和P1，N2和P2組成前、后級(jí)非門(mén)。 第第2章章 集成門(mén)電路集成門(mén)電路2. BICMOS或非門(mén)和與非門(mén) BICMOS或非門(mén)如圖1(a)所示，N1、N2和P1、P2組成基本的CMOS或非門(mén)電路，BICMOS與非門(mén)如圖(b)所示 ( (a) BICMOSa) BICMOS或非門(mén)或非門(mén) BIC

13、MOS BICMOS與非門(mén)與非門(mén) 2.5 集成門(mén)電路的應(yīng)用舉例第第2章章 集成門(mén)電路集成門(mén)電路一 集成門(mén)電路的使用常識(shí) 1 存放CMOS集成電路時(shí)要屏蔽，一般放在金屬容器中，或用導(dǎo)電材料將引腳短路，不要放在易產(chǎn)生靜電高壓的化工材料或化纖織物中。 2 焊接CMOS電路時(shí)，一般用20W內(nèi)熱式電烙鐵，而且烙鐵要有良好的接地線；也可以用電烙鐵斷電后的余熱快速焊接；禁止在電路通電情況下焊接。 為了防止輸入端保護(hù)二極管反向擊穿，輸入電壓必須處在Vdd和Vss之間，即VddViVss。 第第2章章 集成門(mén)電路集成門(mén)電路4 測(cè)試CMOS電路時(shí)，如果信號(hào)電源和電路供電采用2組電源，則在開(kāi)機(jī)時(shí)應(yīng)先接通電路供電電源

14、，后開(kāi)信號(hào)電源。關(guān)機(jī)時(shí)，應(yīng)先關(guān)信號(hào)電源，后關(guān)電路供電電源，即在CMOS電路本身沒(méi)有接通供電電源的情況下，不允許輸入端的信號(hào)輸入。 5 多余輸入端絕對(duì)不能懸空，否則容易接受外界干擾，破壞了正常的邏輯關(guān)系，甚至損壞。對(duì)于與門(mén)、與非門(mén)的多余輸入端應(yīng)接Vdd或高電平或與使用的輸入端并聯(lián)，如圖2.48所示。對(duì)于或門(mén)、或非門(mén)多余的輸入端應(yīng)接地或低電平或與使用的輸入端并聯(lián)。6 必須在其他元器件在印制電路板上安裝就緒后，再裝CMOS電路，避免CMOS電路輸入端懸空。CMOS電路從印制電路板上拔出時(shí)，務(wù)必先切斷印制板上的電源。 第第2章章 集成門(mén)電路集成門(mén)電路7 輸入端連線較長(zhǎng)時(shí)，由于分布電容和分布電感的影響，

15、容易構(gòu)成LC振蕩或損壞保護(hù)二極管，必須在輸入端串聯(lián)1個(gè)1020的電阻R。 8 防止CMOS電路輸入端噪聲干擾的方法是：在前一級(jí)和CMOS電路之間接入施密特觸發(fā)器整形電路，或加入濾波電容濾掉噪聲。 二 TTL、CMOS接口電路 所謂“接口電路”，就是用于不同類型邏輯門(mén)電路之間或邏輯門(mén)電路與外部電路之間，使二者有效連接，正常工作的中間電路。 第第2章章 集成門(mén)電路集成門(mén)電路1 常用數(shù)字集成電路技術(shù)參數(shù)比較表 第第2章章 集成門(mén)電路集成門(mén)電路2 CMOS電路驅(qū)動(dòng)TTL電路 用CMOS電路去驅(qū)動(dòng)TTL電路時(shí)，需要解決的問(wèn)題是CMOS電路不能提供足夠大的驅(qū)動(dòng)電流。CMOS電路允許的最大灌電流一般只有0.

16、4mA左右，而TTL電路的輸入短路電流Iis約為1.4M、1.4mA。可采用圖（a）所示的接口電路。 第第2章章 集成門(mén)電路集成門(mén)電路3.TTL電路驅(qū)動(dòng)CMOS電路 CMOS電路的電源電壓范圍寬（3V18V），往往高于TTL電路的5V電源，因此，用TTL電路去驅(qū)動(dòng)CMOS電路時(shí)，必須將TTL的輸出高電平值升高。通過(guò)接口電路可達(dá)此目的。如圖所示。 3.TTL和CMOS門(mén)電路驅(qū)動(dòng)其他負(fù)載 第第2章章 集成門(mén)電路集成門(mén)電路 在許多場(chǎng)合，往往需要用TTL或CMOS電路去驅(qū)動(dòng)指示燈、LED（發(fā)光二極管）或其他顯示器、光電耦合器、繼電器、可控硅等不同的負(fù)載。 圖(a)為T(mén)TL驅(qū)動(dòng)LED的標(biāo)準(zhǔn)接法。圖(b)

17、為T(mén)TL或CMOS與非門(mén)直接驅(qū)動(dòng)直流繼電器。圖(c)為用TTL或CMOS門(mén)的輸出脈沖去控制晶閘管（雙向或單向晶閘管）。圖(d)所示的電路經(jīng)兩級(jí)三極管的放大電路 第第2章章 集成門(mén)電路集成門(mén)電路本 章 小 結(jié)1 集成門(mén)電路按邏輯功能、輸出結(jié)構(gòu)劃分有以下幾類： 輸出結(jié)構(gòu) 推拉式輸出CMOS反相器輸出 三態(tài)(TS)輸出 OC輸出OD輸出 邏輯功能 非門(mén) 與門(mén) 或門(mén) 與非門(mén) 或非門(mén) 與或非門(mén) 異或門(mén) 同或門(mén) OCOD 輸出的電路，能夠?qū)崿F(xiàn)“線與”的邏輯功能，可用于電平轉(zhuǎn)換接口電路及驅(qū)動(dòng)電路。三態(tài)(TS )輸出電路廣泛用數(shù)據(jù)總線上，實(shí)現(xiàn)多路信號(hào)在總線上分時(shí)傳送或雙向傳送，以提高總線的利用率。 第第2章章

18、 集成門(mén)電路集成門(mén)電路2 單極型MOS管在數(shù)字電路中，也起開(kāi)關(guān)作用，按制造工藝劃分，有下面幾種類型： 單極型MOS管 CMOS電路 NMOS電路 PMOS電路 4000系列(4500系列) 54HC74HC系列 54AHC74AHC系列 54AC74ACT系列 其中，CMOS電路是目前發(fā)展最快，在電子和信息領(lǐng)域應(yīng)用最廣泛的器件。在使用時(shí)，一定要注意掌握正確的使用方法，否則容易造成器件損壞。 3. 集成門(mén)電路的外部特性： 第第2章章 集成門(mén)電路集成門(mén)電路外部特性 電氣特性 邏輯功能 靜態(tài)特性 動(dòng)態(tài)特性 輸入特性(輸入負(fù)載特性) 輸入特性(輸出負(fù)載能力) 電壓傳輸特性(輸入噪聲容限) 功耗特性 溫度特性 平均傳輸延遲時(shí)間 平均轉(zhuǎn)換時(shí)間 這些特性對(duì)設(shè)計(jì)，或使用數(shù)字系統(tǒng)有非常重要的作用。 第第2章章 集成門(mén)電路集成門(mén)電路4. 雙極型